JP4867518B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4867518B2 JP4867518B2 JP2006212488A JP2006212488A JP4867518B2 JP 4867518 B2 JP4867518 B2 JP 4867518B2 JP 2006212488 A JP2006212488 A JP 2006212488A JP 2006212488 A JP2006212488 A JP 2006212488A JP 4867518 B2 JP4867518 B2 JP 4867518B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heat treatment
- semiconductor substrate
- semiconductor
- gettering layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る製造方法を適用した半導体装置の要部の概略構成を示す断面図である。
次に、本発明の第2実施形態を、図5に基づいて説明する。図5は、本実施形態に係る半導体装置100の製造方法を示す工程別断面図であり、(a)は、ゲッタリング層形成工程までの前工程、(b)はゲッタリング層形成工程、(c)は裏面電極形成工程である。
101・・・半導体基板
102・・・コレクタ層
102a,102c・・・ゲッタリング層
103・・・バッファ層
104・・・ドリフト層
105・・・ベース領域
106・・・エミッタ領域
110・・・コレクタ電極(裏面電極)
Claims (6)
- 半導体基板にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
前記ゲッタリング層の形成された前記半導体基板を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程の前に、半導体素子として、前記半導体基板に前記熱処理以上の温度を必要とする部位までを少なくとも形成する素子形成工程と、
前記熱処理工程後、前記半導体基板の裏面に、前記熱処理未満の温度をもって前記半導体素子の裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記素子形成工程において、前記半導体基板の表面に形成される表面電極を含んで前記半導体素子を形成し、
前記熱処理工程において、前記ゲッタリング層と、前記表面電極を含む前記半導体素子とが形成された前記半導体基板を、前記半導体素子の機能を損なわない温度で熱処理することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程後、前記裏面電極を形成する前に、前記ゲッタリング層の少なくとも一部を除去する除去工程を備え、
前記裏面電極形成工程において、前記ゲッタリング層の少なくとも一部が除去された前記半導体基板の面に、前記裏面電極を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理工程において、熱処理温度を、170℃以上375℃以下の範囲内とすることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理工程において、熱処理温度を、220℃以上300℃以下の範囲内とすることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子は、パンチスルー型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、
前記ゲッタリング層形成工程において、前記半導体基板のうち、前記半導体素子のコレクタ層を構成する領域に前記ゲッタリング層を形成することを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006212488A JP4867518B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006212488A JP4867518B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041836A JP2008041836A (ja) | 2008-02-21 |
JP4867518B2 true JP4867518B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=39176541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006212488A Expired - Fee Related JP4867518B2 (ja) | 2006-08-03 | 2006-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4867518B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5568837B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2014-08-13 | 株式会社Sumco | シリコン基板の製造方法 |
JP5573527B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-08-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5621621B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2014-11-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置と半導体装置の製造方法 |
JP5931461B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2016-06-08 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP6065067B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN114496733B (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-29 | 济南晶正电子科技有限公司 | 一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3110332B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2000-11-20 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3929557B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2007-06-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003017497A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4892825B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2012-03-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101023666B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2011-03-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-08-03 JP JP2006212488A patent/JP4867518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008041836A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11239356B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP4746927B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20200066527A1 (en) | Diamond Semiconductor System and Method | |
JP3929557B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4867518B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004515915A (ja) | 基板ウェハの層 | |
JP2009158528A (ja) | 半導体装置 | |
WO2013145022A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2011204716A (ja) | 電力半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002261281A (ja) | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法 | |
JP6227255B2 (ja) | ダイオード及びその製造方法 | |
JP2002203965A (ja) | 半導体装置 | |
US9385210B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer | |
JP4892825B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10313011A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
JP4951872B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4000927B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4882214B2 (ja) | 逆阻止型絶縁ゲート形半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006228772A (ja) | ショットキバリアダイオードとその製造方法 | |
JP2006093206A (ja) | SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法 | |
JP2015041720A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08203912A (ja) | 半導体ウエーハ及びそれを用いた半導体装置並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
US20230125859A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including ion implantation and semiconductor device | |
JP2005191160A (ja) | 逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JP2005135979A (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111031 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |