JP2009205800A - 電子源 - Google Patents
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Abstract
【課題】余剰電流が従来のものより格段に少ない電子源を提供する。
【解決手段】一端部に電子放出部を有するタングステンまたはモリブデンの<100>方位単結晶ロッド1からなり、該ロッドの一部にCa、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を拡散源2として有し、該ロッドの側面が{100}結晶面から10°以上、好ましくは22°以上45°以内に傾斜した平面、更に好ましくは{110}結晶面からなる、または該ロッドの側面が単結晶ロッドの中心軸と10°以上の角度をなす面からなる電子源である。
【選択図】図1
【解決手段】一端部に電子放出部を有するタングステンまたはモリブデンの<100>方位単結晶ロッド1からなり、該ロッドの一部にCa、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を拡散源2として有し、該ロッドの側面が{100}結晶面から10°以上、好ましくは22°以上45°以内に傾斜した平面、更に好ましくは{110}結晶面からなる、または該ロッドの側面が単結晶ロッドの中心軸と10°以上の角度をなす面からなる電子源である。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子線露光機、ウェハ検査装置、電子線LSIテスターなどの高角電流密度動作を必要とする電子源に関する。
近年、熱陰極よりも長寿命でより高輝度の電子ビームを得るために、タングステン単結晶の針状電極にジルコニウムと酸素の被覆層を設けた陰極を用いた電子源が用いられている(以下ZrO/W電子源と記す。)(非特許文献1参照)。
D.Tuggle,J.Vac.Sci.Technol.16,p1699(1979)
D.Tuggle,J.Vac.Sci.Technol.16,p1699(1979)
ZrO/W電子源は、軸方位が<100>方位からなるタングステン単結晶の針状の陰極に、酸化ジルコニウムからなる拡散源を設け、ジルコニウム及び酸素を拡散することにより被覆層(以下、「ZrO被覆層」という)を形成し、該ZrO被覆層によってタングステン単結晶の(100)面の仕事関数を選択的に4.5eVから約2.8eVに低下させたもので、前記陰極の先端部に形成された(100)面に相当する微小な結晶面のみが電子放出領域となるので、従来の熱陰極よりも高輝度の電子ビームが得られ、しかも長寿命であるという特徴を有する。また冷電界放出電子源よりも安定で、低い真空度でも動作し、使い易いという特徴を有している(非特許文献2参照)。
M.J.Fransen,"On the Electron−Optical Properties of the ZrO/W Schottky Electron Emitter", ADVANCES IN IMAGING AND ELECTRON PHYSICS, VOL.III, p91−166,1999 by Academic Press.
M.J.Fransen,"On the Electron−Optical Properties of the ZrO/W Schottky Electron Emitter", ADVANCES IN IMAGING AND ELECTRON PHYSICS, VOL.III, p91−166,1999 by Academic Press.
ZrO/W電子源は、図1に示すように、絶縁碍子5に固定された導電端子4に設けられたタングステン製のフィラメント3の所定の位置に電子線を放出するタングステンの<100>方位の針状の単結晶ロッド1が溶接等により固着されている。この単結晶ロッドは電解研磨により先鋭端を有し、この先鋭端が電子放出部となる。単結晶ロッド1の一部には、ジルコニウムと酸素の拡散源2が設けられている。図示していないが単結晶ロッド1の表面はZrO被覆層で覆われている。
単結晶ロッド1はフィラメント3により通電加熱されて通常は1800K程度の温度下で使用されるので、単結晶ロッド1表面のZrO被覆層は蒸発により消耗する。しかし、拡散源2よりジルコニウム及び酸素が拡散することにより単結晶ロッド1の表面に連続的に供給されるので、結果的にZrO被覆層が維持される。
ZrO/W電子源の単結晶ロッド1の先端部はサプレッサー電極6と引き出し電極7の間に配置され使用される(図2参照)。単結晶ロッド1すなわち陰極には引き出し電極7に対して負の高電圧が印加され、更にサプレッサー電極6には単結晶ロッド1に対して数百ボルト程度の負の電圧が印加され、フィラメント3からの熱電子放出を抑制する。
ZrO/W電子源は低加速電圧で用いられる測長SEMやウェハ検査装置においては、プローブ電流が安定していて且つエネルギー幅の拡がりが抑えられるという理由で0.1〜0.2mA/srの角電流密度で動作される。
一方、電子線露光装置、及び電子線LSIテスター等においては、スループットが重視されるために0.4mA/sr程度の高い角電流密度で動作される。このようなスループットを重視する用途では、更に高い角電流密度動作が望まれ、1.0mA/srもの高い角電流密度での動作が要求されることがある。
しかしながら、一般に知られているZrO/W電子源においては、単結晶ロッドの先端はサブミクロンから1μm程度の曲率半径であり、(1)高角電流密度動作時に高々1.0mA/sr程度の角電流密度が上限であること、(2)この時、陰極と引き出し電極間に印加される引き出し電圧が4kV以上と大きく、チップ先端での電界強度が0.4×109〜1.0×109V/mと著しく高くなり、アーク放電による故障頻度が高くなる、といった欠点を有する(非特許文献3参照)。
D.W.Tuggle、 J.Vac.Sci.Technol.B3(1),p220(1985)
D.W.Tuggle、 J.Vac.Sci.Technol.B3(1),p220(1985)
これらの問題点を解決するために、円錐全角が25°以上95°以下の円錐台形部でその上面が直径が5μm以上200μm以下の平坦な電子放出面であって、タングステンまたはモリブデンの単結晶からなり、その表面が2A、3Aまたは4A族から選ばれた金属元素と酸素の被覆層により被覆される陰極を具備する電子源が提案されている(特許文献1参照)。
国際公開第2004/073010号パンフレット
また、ZrO/W電子源におけるジルコニウムに替わる元素としてスカンジウム、バリウム、イットリウムなどの元素が知られている(非特許文献4、5参照)。
応用物理 第71巻 第4号 (2002) 438−442 Proc.Int.Display Workshop 2003,1219−1222
応用物理 第71巻 第4号 (2002) 438−442 Proc.Int.Display Workshop 2003,1219−1222
しかし、このような従来公知の電子源は余剰電流が大きい問題点がある。以下製造方法も含めて詳細に説明する。
まず、絶縁碍子5にロウ付けされた導電端子4にタングステン製のフィラメント3をスポット溶接により固定する(図1参照)。次に機械加工により円柱状に加工したタングステン製<100>方位の単結晶の一端部にダイヤモンドペーストと研磨盤を用いて円錐部全角2θ20が90°の円錐部9を形成し、更に円錐部9の頂点をダイヤモンドペーストで研磨して直径15μmの電子放出部8を形成して単結晶ロッド1とする(図3参照)。
この単結晶ロッド1を前記フィラメント3にスポット溶接により取り付ける。この単結晶ロッド1は陰極として機能する。
水素化ジルコニウムを粉砕して酢酸イソアミルと混合しペースト状にしたものを単結晶ロッド1の一部に塗布する。酢酸イソアミルが蒸発した後、超高真空装置に導入する。続いて装置内を3×10−10Torr(4×10−8Pa)の超高真空中としてフィラメント3に通電して単結晶ロッド1を1800Kに加熱し、水素化ジルコニウムを熱分解して金属ジルコニウムとする。続いて酸素ガスを導入して装置内を3×10−6Torr(4×10−4Pa)として金属ジルコニウムを酸化し、酸化ジルコニウムからなるジルコニウムと酸素の拡散源2を形成する。
超高真空装置から取り出した電子源を図2に示す電極配置を有する測定装置に組込む。単結晶ロッド1の先端はサプレッサー電極6と引き出し電極7との間に配置される。尚、単結晶ロッド1の先端とサプレッサー電極6の距離は0.15mm、サプレッサー電極6と引き出し電極7の距離は0.8mm、引き出し電極7の孔の直径は0.8mm、サプレッサー電極6の孔の直径は0.8mmである。
フィラメント3はフィラメント加熱電源16に接続され、更に高圧電源15に接続され、引き出し電極7に対して負の高電圧がエミッター電圧VEとして印加される。また、サプレッサー電極6はバイアス電源15に接続され、単結晶ロッド1とフィラメント3に対して更に負の電圧、バイアス電圧VSが印加される。これによりフィラメント3からの熱電子放出を遮る。電子源からの全放出電流Itは高圧電源16とアース間に置かれた電流計18により測定される。単結晶ロッド1の先端から放出した放出電子線19は引き出し電極7の孔を通過して、制限電極11に到達する。制限電極11の中央にはアパーチャー12(小孔)が有り、通過してカップ状電極13に到達したプローブ電流Ipは微小電流計18により測定される。なおアパーチャー12と単結晶ロッド1の先端との距離とアパーチャー12の内径から算出される立体角をωとすると角電流密度Ip’ はIp/ωとなる。
続いて測定装置内を3×10−10Torr(4×10−8Pa)の超高真空中として単結晶ロッドを1700Kまたは1800Kに維持したままサプレッサーにバイアス電圧VS=−300Vの電圧を印加し、続いてエミッター電圧VE=−3600Vの高電圧を印加して数時間保持し、放出電流が安定したところで全放出電流Itとプローブ電流Ipを測定する。
図4に、測定した角電流密度と全放出電流対エミッター電圧(ショットキー・プロット)を示す。ショットキー・プロットはあるエミッター電圧(以降、閾値電圧と記す)以上で直線からはずれて増加し、本来の電子放出部以外からの余剰電流が発生していることが分かる。
余剰電流は走査型電子顕微鏡や電子線露光装置といった電子光学機器に用いた場合、光源がぼけるなどの電子光学特性を劣化させる原因となる。また、電子線露光装置や電子線LSIテスターといった機器においては、光軸上の電子ビームを偏向により軸外へ逃がす際に、軸外の多量の余剰電流が軸上に流れ込むといった不都合が生じる。
また、この余剰電流はバイアス電圧を大きくする、あるいは単結晶ロッド1とサプレッサー電極6の幾何寸法や位置関係を調整することによりある程度回避される(特許文献2参照)が、閾値電圧が大きくなるだけであり、本質的な解決とはならない。
本発明者は、余剰電流の発生源を鋭意検討した結果、単結晶ロッド1の側面の(100)結晶面から主として発生することを見いだした。即ち、図5に単結晶ロッドの形状と結晶方位の関係を示した。<100>方位の単結晶ロッドが円柱状であるため、ロッドの側面の一部に4つの領域部分に(100)面が段差状に現れる。この領域部分を図5に於いては太い曲線で示している。余剰電流が大きくなるのは、(100)面がZrO吸着層に覆われて仕事関数が低下することにより、(100)面からなる平坦部9と同様に電子が出やすくなったことに原因している。また、図6に標準投影図を併せて示した。
本発明は、公知技術の電子源の有する欠点を改善することを具体的課題としてなされたもので、余剰電流が従来のものより格段に少ない電子源を提供することを目的としている。
本発明は、一端部に電子放出部8を有するタングステンまたはモリブデンの<100>方位単結晶ロッド1からなり、該ロッドの一部にCa、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を拡散源2として有し、該ロッドの側面10が{100}結晶面から10°以上、好ましくは22°以上45°以内に傾斜した平面、更に好ましくは{110}結晶面からなる電子源である。側面10は複数の平面、あるいは複数の平面と曲面から成ってよい。
余剰電流は単結晶ロッドの側面10に仕事関数が低い{100}結晶面が露出することにより発生する。よって本発明に於いては、ロッドの幾何形状について側面10に{100}結晶面が現れないようにしているので、余剰電流を抑えることができる。
また本発明において、電子源は単結晶ロッド1の端部に円錐部9を有し、該円錐部頂上に電子放出部8を有することが出来る。
更に本発明における電子放出部8が平坦面の場合、該平坦面が(100)結晶面と角度差で1°以内であることが好ましい。この平坦面の直径は2μm以上200μm以下とすることが出来る。
また本発明の電子放出部8が球面の一部からなることも出来る。
本発明の電子源は、一端部に電子放出部を有する、タングステンまたはモリブデンの<100>方位単結晶ロッドからなり、該ロッドの一部にCa、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を拡散源として有する電子源であって、前記単結晶ロッドの側面からの余剰電流を効果的に抑制することができ、高角電流密度で動作し、信頼性の高い電子源である。
本発明の具体的な実施態様を、ジルコニウム酸化物を拡散源とした場合を例にとって以下に説明する。
<100>方位のタングステン単結晶を放電加工により直方体形状に切り出し機械研磨により図7の形状に加工する。この時予めエックス線回折により結晶方位を調べておき図7においては側面10の平面部が{100}結晶面から10°以上、好ましくは22°以上45°以内に傾斜した平面、更に好ましくは{110}結晶面とする。
頂点は更にダイヤモンド研磨剤により研磨して加工損傷を取り除き電子放出部8を設ける。円錐部9の全角2θ20は20〜140°で電子放出部8の直径は2〜200μmとする。また、単結晶ロッド1の端部に形成された平坦な電子放出面8は(100)面と1°以内の角度差に収める。
この単結晶ロッド1を絶縁碍子5に導電端子4を介して取り付けられたタングステン製のフィラメント3にスポット溶接により取り付ける(図1参照)。
引き続いて水素化ジルコニウム粉末を乳鉢により粉砕して有機溶剤と混合しスラリー状にしたものを単結晶ロッド1の一部に塗布して、1×10−6Torr程度の酸素雰囲気中で加熱して水素化物を熱分解し更に酸化して酸化ジルコニウムからなる拡散源を形成すると同時にジルコニウムと酸素で単結晶ロッド1の表面を被覆する。
この単結晶ロッド1を引き出し電極7とサプレッサー電極6の間に配置して、引き出し電極7に対して単結晶ロッド1に数キロボルトの負の高電圧を印加し、サプレッサー電極6には単結晶ロッド1に対して数百ボルトの負の電圧を印加すると共にフィラメント3を通電加熱して単結晶ロッド1を1500〜1900Kに加熱することにより電子放出が行える。
本発明の電子源は、高い角電流密度で動作しても、全放出電流が数10μA程度と低く、余剰電流が極めて低いため信頼性が高い。またこの電子源は1×10―8Torr以下の真空中で動作し、タングステンが母材となっているため長期の動作によっても陰極の消耗が極めて小さく特性の変化が少ない。また、陰極表面がイオン衝撃により荒らされても直ぐに平滑な表面に修復する。
なお、拡散源の原料として水素化ジルコニウムを例にとって説明したが、替わりに水素化チタンまたは水素化ハフニウムを用いてチタンまたはハフニウムと酸素で単結晶ロッド1を被覆した電子源とすることもできる。更にまた、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を直接塗布して拡散源を形成することもできる。
(実施例、比較例)
絶縁碍子5にロウ付けされた導電端子4にタングステン製のフィラメント3をスポット溶接により固定した。
絶縁碍子5にロウ付けされた導電端子4にタングステン製のフィラメント3をスポット溶接により固定した。
タングステン単結晶を放電加工により長手方向が<100>方位となる直方体形状に切り出し、機械研磨により図7の形状に加工する。なおエックス線回折を用いて結晶方位を調べて側面10の平面部が{110}結晶面となるようにした。<100>方位の単結晶ロッド1の一端部をダイヤモンドペーストと研磨盤を用いて直径25μmの電子放出部8を形成した。また、比較のために図3に示す側面が円柱状のものも作成した。なお比較例の電子源では電子放出部の直径は15μmである。
この単結晶ロッド1を前記フィラメント3にスポット溶接により取り付けた。この単結晶ロッド1は陰極として機能する。
次に水素化ジルコニウムを乳鉢により粉砕して酢酸イソアミルと混合しスラリー状にしたものを単結晶ロッド1の一部に塗布した。
酢酸イソアミルが蒸発した後、超高真空装置に導入し3×10−10Torr(4×10−8Pa)としてフィラメント3に通電して単結晶ロッド1を1800Kに加熱し、水素化ジルコニウムを熱分解して金属ジルコニウムとした。更に酸素ガスを導入して装置内を3×10−6Torr(4×10−4Pa)として金属ジルコニウムを酸化し、酸化ジルコニウムから成るジルコニウムと酸素の拡散源2を形成した。
この電子源を取り出し、電子放出特性測定装置に導入した。単結晶ロッド1の先端はサプレッサー電極6と引き出し電極7との間に配置される。尚、単結晶ロッド1の先端とサプレッサー電極6の距離は0.15mm、サプレッサー電極6と引き出し電極7の距離は0.8mm、引き出し電極7の孔の直径は0.8mm、サプレッサー電極6の孔の直径は0.8mmである。
フィラメント3はフィラメント加熱電源17に接続され、更に陰極用高圧電源16に接続され、引き出し電極7に対して負の高電圧、エミッター電圧VSが印加される。また、サプレッサー電極6はバイアス電源15に接続され、単結晶ロッド1とフィラメント3に対して更に負の電圧、バイアス電圧VS、が印加される。これによりフィラメント3からの熱電子放出を遮る。電子源からの全放出電流Itは陰極用高圧電源16とアース間に置かれた電流計18により測定される。単結晶ロッド1の先端部の電子放出部8から放出した放出電子線19は引き出し電極7の孔を通過して、制限電極11に到達する。制限電極11の中央にはアパーチャー12(小孔)が有り、通過してカップ状電極13に到達したプローブ電流Ipは微小電流計14により測定される。なおアパーチャー12と単結晶ロッド1の先端との距離とアパーチャー12の内径から算出される立体角をωとすると角電流密度はIp/ωとなる。また制限電極11上には蛍光材を塗布して電子放出分布のパターンが目視により観察できるようにした。
この測定装置内を3×10−10Torr(4×10−8Pa)の超高真空中として単結晶ロッド1を1800Kに維持してサプレッサー電極6にバイアス電圧VS=−300Vの電圧を印加して、エミッター電圧VE=−3600Vの高電圧を印加して数時間保持し、放出電流が安定したところで蛍光材を塗布した制限電極11上のパターンを観察した。また全放出電流Itとプローブ電流Ip(角電流密度)のエミッター電圧依存性を測定した。
本発明による電子源と円柱形状の側面のロッドを有する比較例との電子放出特性の比較を以下に示す。
制限電極上で観察される電子放出角度分布を示す電子放出パターンを図8に示した。(a)が本発明によるものであり円状で軸上に閉じこめられたパターンが観察された。角度分布は全角で約0.2ラジアンであった。一方、比較例では(b)に示すように中心の円状のパターンに加え4回対称で弧状の明るいパターンが観察された。この弧状のパターンが余剰電流に相当する。
次に全放出電流Itとプローブ電流Ip(角電流密度)のエミッター電圧依存性(ショットキー・プロット)を図9に示す。本発明による電子源ではエミッター電圧の絶対値の平方根が30よりも大きな領域においても角電流密度と全放出電流のショットキー・プロットは直線的に増加しているが、比較例では概略50以上で急増して余剰電流成分が発生していることがわかる。
本発明の電子源は、電子放出部材である単結晶ロッドの側面からの余剰電流を効果的に抑制することができ、高角電流密度で動作して信頼性の高い電子源であるので、電子線露光機、ウェハ検査装置、電子線LSIテスターなどの高角電流密度動作を必要とする電子源に用いて好適であり、産業上非常に有用である。
1 単結晶ロッド
2 拡散源
3 フィラメント
4 導電端子
5 絶縁碍子
6 サプレッサ電極
7 引き出し電極
8 電子放出部
9 円錐部
10 側面
11 制限電極
12 アパーチャ
13 カップ状電極
14 微小電流計
15 バイアス電源
16 陰極用高圧電源
17 フィラメント加熱用電源
18 電流計
19 放出電子線
20 円錐部全角2θ
2 拡散源
3 フィラメント
4 導電端子
5 絶縁碍子
6 サプレッサ電極
7 引き出し電極
8 電子放出部
9 円錐部
10 側面
11 制限電極
12 アパーチャ
13 カップ状電極
14 微小電流計
15 バイアス電源
16 陰極用高圧電源
17 フィラメント加熱用電源
18 電流計
19 放出電子線
20 円錐部全角2θ
Claims (7)
- タングステンまたはモリブデンからなる<100>方位の単結晶ロッドの一端部を電子放出部とし、しかも該ロッドの一部にCa、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、またはランタノイド系列から選ばれた金属元素の酸化物を拡散源として有する電子源であって、ロッドの側面が、ロッドの中心軸と平行な{100}面から10°以上傾斜した面からなることを特徴とする電子源。
- 前記ロッドの側面が{100}面から22〜45°傾斜した面からなることを特徴とする請求項1に記載の電子源。
- ロッドの側面が{110}面からなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子源。
- 電子放出部が平坦面からなり、該平坦面が(100)結晶面と角度差で1°以内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子源。
- ロッドの端部に円錐部を有し、該円錐部頂上に電子放出部を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子源。
- 電子放出部を構成する平坦面の直径が2μm以上200μm以下であることを特徴とする請求項5記載の電子源。
- 電子放出部が球面の一部からなることを特徴とする請求項1記載の電子源。
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