JP2009200220A - 発光素子、電子機器及び発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子1は、n型及びp型のうちいずれか一方である第1の導電型の第1の半導体層5と、第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層3と、当該二層の間に設けられた活性層4とを有するEL(Electro-Luminescence)層6と、EL層6の、第2の半導体層3に近い側に接合された第1の導電型の放熱層2とを具備する。放熱層2において、熱伝導とペルチェ効果による熱輸送がいずれも活性層4から遠ざかる方向に発生するため、効果的に放熱することが可能である。これにより、活性層4の熱によるダメージが抑えられ、発光素子1の高輝度化及び高出力化に寄与する。
【選択図】図1
Description
例えば、下記特許文献1には、2つの半導体光デバイス(発光ダイオード等)と熱電クーラーのような能動冷却デバイスで構成された光学アセンブリが開示されている。能動冷却デバイスは、一方の半導体光デバイスが発光している間、その発生した熱を他方の半導体光デバイスに伝え、当該2つの半導体光デバイスを共に所望の温度に維持することを可能とする。
発光素子が電気抵抗を下げるための導電層を具備することにより、この逆方向バイアスによる電気抵抗を低減することができる。すなわち、この構成にすることにより、電気抵抗による発熱が低減され、EL層で発生した熱は効果的に放熱層へ輸送される。
図1に示すように、LED1は、EL(Electro-Luminescence)層6と、EL層6に接合されたn型の放熱層2とを備える。EL層6は、放熱層が接合された側から順に積層された、p型半導体層3と、活性層4と、n型半導体層5とを有する。
活性層4は、例えばInGa/GaNからなる多重量子井戸構造を、エピタキシャル成長させることによって形成することができる。
n型半導体層5は例えばn型GaNをエピタキシャル成長させることによって、形成することができる。
これらのエピタキシャル成長は、有機金属エピタキシャル成長法、分子線エピタキシャル成長法等を適宜選択して行うことができる。各層は、格子欠陥が少なく均一な膜厚であればよい。
LED1に、EL層6で順方向となるように(n電極8が陰極となるように)電流が流れると、n型半導体層5からは電子が、p型半導体層3からは正孔が活性層4に注入され、励起発光と熱を生じる。すなわちEL層6から熱が発生するので、EL層6から、それより温度が低いp電極7側及びn電極8側へ熱伝導が起こる。
また、電流は、n型の放熱層2を流れる際にペルチェ効果を発生させる。すなわち、放熱層2中のキャリア(電子)が活性層4から遠ざかるように移動し、それに伴って熱を同方向に輸送する。
図2に示すLED9は、n−SiC基板20上に順に積層された、p−GaN層21、活性層22、p−GaN層23を有する。また、LED9は、n−SiC基板20に接合されたn電極25と、p−GaN23層に接合されたp電極26を有する。
すなわち、n−SiC基板20で発生するペルチェ効果は、熱伝導による放熱を阻害する方向に発生し、放熱効率を低下させる。
図3に示すLED10は、サファイア基板27上に順に積層された、p−GaN層28、活性層29、p−GaN層30を有する。また、LED9は、p−GaN層28に接合されたn電極32と、p−GaN層30に接合されたp電極33を有する。
サファイアは、GaNのエピタキシャル成長基板として用いられるが、導電性がなく、
熱伝導性も悪い。このため、放熱効率が低い。
これらに対して、本発明の実施形態に示したLED1は、ペルチェ効果を積極的に利用し、高い放熱効率を得ることができる。
図4に示すLED11は、p型半導体層3とn型の放熱層2との間に導電層(電気抵抗を下げるための導電層)12を備える。
導電層12は例えばn型の放熱層2上にスパッタリングにより形成されたPtからなる。
導電層12として、EL層34をn型の放熱層2上にエピタキシャル成長させる場合の低温バッファー層(エピタキシャル成長を良好に進行させるために事前に形成されるAlN等の層)を利用してもよい。その場合、導電層12を別途形成する必要がないので効率的である。
あるいは、ハンダのように、n型の放熱層2とEL層34を接合する材料を導電層12として利用してもよい。この場合、n型の放熱層2はEL層34と別に形成され、両者は貼り付けられる。導電層12(ハンダ)は物理的接合と電気的接合の二つの役割を有する。
導電層12の材料は、これらに限られず、金属的導電性を示し、熱伝導率が高い材料から形成されればよい。
図5に示すLED13は、EL層35と、n型の放熱層2と、結晶成長基板14を備える。n型の放熱層2はサブマウントとして機能し、フリップチップ構造となっている。
結晶成長基板14は、例えばサファイアからなり、EL層35のエピタキシャル成長の基板である。この構造においては、励起光を結晶成長基板14側から取出すため、結晶成長基板14は透過性を有する必要がある。n型の放熱層2は例えばn型SiCからなり、EL層35に接合されている。
図6に示すLED15は、図5に示すLED13の構成に加え、p型の第2放熱層16を備える。第2放熱層16は(電極8を介して)接合されているn型半導体層5と異なる導電型(すなわちp型)である。第2放熱層16は例えばp型SiCからなる。電極8は熱伝導性が高い材料からなるのがよい。
図7に示すLD17は、EL層36と、EL層36に接合されたp型の放熱層2とを備える。EL層36は、p型の放熱層2が接合された側から順に積層された、n型コンタクト層37と、クラック防止層38と、n型クラッド層55と、n型光ガイド層18と、活性層4と、p型ブロッキング層39と、p型光ガイド層19と、p型クラッド層53と、p型コンタクト層40とを有する。また、EL層36は、p型の放熱層2とハンダ接合層(導電層12)を介して接合されている。
クラック防止層38は、例えばn−InGaNからなり、n型クラッド層55のクラックを防止する為の層である。
n型光ガイド層18は、例えばn−GaNからなり、活性層4で発生した励起光を反射し、共振を発生させる為の層である。
p型ブロッキング層39は、例えばp−AlGaNからなり、電子がp電極側に漏洩することを防止する為の層である。
p型コンタクト層40は、例えばp−GaNからなり、EL層36と電極を接触させるために設けられる。
n型クラッド層55は、n−AlGaN/GaNでなる超格子クラッド層である。p型クラッド層53は、例えばp−AlGaN/GaNでなる超格子クラッド層である。
さらに、LD17は、p型の放熱層2に接合されたn電極8と、p型コンタクト層40に接合されたp電極7を有する。p電極7とn電極8には、図示しない配線と電源が接続されている。
LD17に、EL層36で順方向となるように(n電極8が陰極となるように)電流が流れると、n型クラッド層55からは電子が、p型クラッド層53からは正孔が活性層4に注入され、励起発光を生じる。この励起発光は、p型光ガイド層19及びn型光ガイド層18において共振し、レーザー光として放出される。
また、EL層36を流れる電流は、放熱層2を流れる際にペルチェ効果を発生させる。すなわち、p型の放熱層2中のキャリア(ホール)が活性層4から遠ざかるように移動し、それに伴って熱を同方向に輸送する。
このように、p型の放熱層2においては、熱伝導とペルチェ効果による熱輸送がいずれも活性層4から遠ざかる方向に発生するため、効果的に放熱することが可能である。これにより、活性層4の熱によるダメージが抑えられ、LD17の高輝度化及び高出力化に寄与する。
図8に示すLD43は、EL層45と、n型の放熱層2と、結晶成長基板41とを備える。また、EL層45が結晶成長基板41上でエピタキシャル成長する際の低温バッファー層42を有する。EL層45は、n型コンタクト層37と、クラック防止層38と、n型クラッド層55と、n型光ガイド層18と、活性層4と、p型ブロッキング層39と、p型光ガイド層19と、p型クラッド層53と、p型コンタクト層40とを有する。
EL層45で発生した熱は、上述のように、n型の放熱層2のペルチェ効果と熱伝導により放熱される。また、結晶成長基板41、n電極8からも熱伝導により放熱することが可能である。
図9に示すLD44は、図8に示すLD43の構成に加え、p型の第2放熱層16を備える。第2放熱層16はp型の導電性を有する。
EL層45で発生した熱は、上述のように、n型の放熱層2とp型の第2放熱層16のペルチェ効果により効果的に放熱される。
当該GaN系化合物半導体層の形成には、典型的には、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法が採用される。
結晶成長基板は例えばp型4H−SiCとされ、この基板上に導電層が形成される。導電層の材料は金属でも高濃度にドーピングされた半導体でもよい。
ここではPt(111)層がスパッタリング法により形成される。
MOCVDの原料は、Ga源としてトリメチルガリウム(TMGa)、あるいはトリエチルガリウム(TEGa)、In源としてトリメチルインジウム(TMIn)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMAl)、N源としてアンモニアガス、n型不純物であるSi源としてシラン(SiH4)、p型不純物であるMg源としてビスシクロペンタジエチルマグネシウム((C2H5)2Mg)が用いられる。
図4で示す本発明の一実施形態に係る発光素子の特定構造(LED、放熱層:SiC)における放熱層の吸熱量Q1は図10に示す式(1)で表される。
式(1)の第一項がペルチェ効果により運ばれる熱流束、第二項がジュール発熱による熱流束、第三項が熱伝導により生じる熱流束である。
式(1)及び式(2)に下記のパラメータを代入し、吸熱量Q1及びQ2を算出した。
αSiC=4.00×10-4(V/K)、ρSiC=5.00×10-4(Ωm)、κSiC=400(W/mK)、L=1×10-4(m)、A=1×10-6、(m2)、Th=351(K)、TC=350(K)
また、比較として、図2で示す従来構造のLED9において、n−SiC基板20に換えてCuを用いた場合を考える。下記パラメータを式(2)に代入してこの場合の吸熱量Q3を算出した。算出した結果を図11に示す。
αCu=1.83×10-6(V/K)、ρCu=1.70×10-8(Ωm)、κCu=400(W/mK)
また、図10に示す式(3)において、それぞれの構造における熱抵抗θを算出した。その結果を図12に示す。
本発明の一実施形態に係る発光素子の構造(θ1)の熱抵抗は、従来型構造(θ2)及び銅を用いた構造(θ3)の熱抵抗よりも小さくなることがわかる。
図13は本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法を示す図である。図13では、図4に示したLED11の製造方法の一例を説明する。
図13(a)に示すように、結晶成長基板14上に、例えば上記したようなエピタキシャル成長によって、n型半導体層5、活性層4、p型半導体層3が順に積層されて、EL層6が形成される。結晶成長基板14として、これらのエピタキシャル成長が進行し易い物性値を有する材料を用いればよい。結晶成長基板14として、例えばサファイア基板が挙げられるが、これに限られない。また、あらかじめ、結晶成長基板14上に結晶化を促進する低温バッファー層等を形成しておくこともできる。
次に、図13(c)に示すように、結晶成長基板14が除去される。これはレーザーリフトオフ、ケミカルリフトオフ等の手法が用いられる。
以上のようにして、LED11の電極7、8以外の部分が製造される。
例えば、青色GaN系LED、緑色GaN系LED、赤色GaAs系LED、青色GaN系LD、赤色GaAs系LD等に適用してもよい。
もちろん、赤青緑の三原色LEDをワンチップ化した白色LED、青色GaN系LEDを蛍光体とともにチップ実装した白色LEDにも適用することができる。
さらに、本発明は、上述したLED1、11、13、15及びLD17、43、44のような注入型EL素子のみならず、真性EL素子(いわゆる薄膜EL素子であって、有機EL素子、無機EL素子など)にも適用することが可能である。
(1)Si、Ge、
(2)カーボンナノチューブ、フラーレン、グラファイト、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンなどのカーボン系(これらは、アレイ状の形体でも、フィルム状の形体でもよい。)、
(3)WC、ZrC、TiCなどのカーバイト系(SiCもこれに含まれる。)、
(4)GaN、TiN、ZrN等のナイトライド系、
(5)FeSi2、MnSi2、CrSi2等のシリサイド系、
(6)Ni、Fe、Co等の金属系、
(7)Ni−Cu合金(コンスタンタンを含む。)、Ni−Cr合金(クロメルを含む。)、Ni−Al合金(アルメルを含む。)等の合金系
もちろん、(1)〜(7)で示した主物質に、適切な元素がドーピングされた材料も含まれる。
3 p型半導体層
4 活性層
5 n型半導体層
6、34、35、36、45 EL層
7 p電極
8 n電極
12 導電層
14 結晶成長基板
53 p型クラッド層
55 n型クラッド層
Claims (11)
- n型及びp型のうちいずれか一方である第1の導電型の第1の半導体層と、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の間に設けられた活性層とを有するEL層と、
前記EL層の、前記第1の半導体層より前記第2の半導体層に近い側に接合された前記第1の導電型の放熱層と
を具備する発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記EL層は、
前記第2の半導体層と前記放熱層との間に設けられ、前記第2の半導体層及び前記放熱層での逆方向バイアスによる電気抵抗を下げるための導電層を有する発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記EL層に接合された第1の電極と、
前記放熱層に接合され、前記第1の電極との間で前記EL層を順方向にバイアスするための第2の電極と
をさらに具備する発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記放熱層は、前記活性層、前記第1及び第2の半導体層のうち少なくとも前記第2の半導体層の結晶をエピタキシャル成長させる基板である発光素子。 - 請求項4に記載の発光素子であって、
前記放熱層は、SiCからなる発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記EL層の、前記放熱層が接合される側とは反対側に接合され、前記活性層、前記第1及び第2の半導体層のうち少なくとも前記第2の半導体層の結晶をエピタキシャル成長させる基板をさらに具備する発光素子。 - 請求項6に記載の発光素子であって、
前記基板はサファイアからなる発光素子。 - n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層及び前記p型半導体層の間に設けられた活性層とを有するEL層と、
前記EL層の、前記n型半導体層より前記半導体層に近い側に接合された導電性の放熱層と
を具備する発光素子。 - n型及びp型のうちいずれか一方である第1の導電型の第1の半導体層、活性層及び前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層が順に積層されたEL層を、第1の基板上に形成し、
前記EL層の、前記第1の基板が形成された側とは反対側に放熱層を構成する、第1の導電型の第2の基板を貼り付け、
前記基板を除去する
発光素子の製造方法。 - 請求項9に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第2の半導体層と前記放熱層との間に、前記第2の半導体層及び前記放熱層での逆方向バイアスによる電気抵抗を下げるための導電層を形成する発光素子の製造方法。 - n型及びp型のうちいずれか一方である第1の導電型の第1の半導体層と、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層の間に設けられた活性層とを有するEL層と、
前記EL層の、前記第1の半導体層より前記第2の半導体層に近い側に接合された前記第1の導電型の放熱層と
を具備する発光素子を搭載した電子機器。
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