JP2009193976A - 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板の製造方法および多層配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009193976A JP2009193976A JP2006148133A JP2006148133A JP2009193976A JP 2009193976 A JP2009193976 A JP 2009193976A JP 2006148133 A JP2006148133 A JP 2006148133A JP 2006148133 A JP2006148133 A JP 2006148133A JP 2009193976 A JP2009193976 A JP 2009193976A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- layer wiring
- lower layer
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4647—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer around previously made via studs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/025—Abrading, e.g. grinding or sand blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【課題】層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させる。
【解決手段】ベース基板2上における下層配線5の形成位置のうち下層配線5と上層配線6との接続部分に相当する位置に、配線基台層9を形成し、ベース基板2上に、下層配線5を形成するとともに、下層配線5の表面に桶おる任意の部分にキャップメタル層10を形成し、下層配線5を被覆するようにベース基板2上に層間絶縁層12を形成し、層間絶縁層12の表面を研磨して層間絶縁層12の表面を平滑にするとともに任意の下層配線5におけるキャップメタル層10の表面を露出させ、露出したキャップメタル層10に積層して上層配線6を形成する。
【選択図】図1
【解決手段】ベース基板2上における下層配線5の形成位置のうち下層配線5と上層配線6との接続部分に相当する位置に、配線基台層9を形成し、ベース基板2上に、下層配線5を形成するとともに、下層配線5の表面に桶おる任意の部分にキャップメタル層10を形成し、下層配線5を被覆するようにベース基板2上に層間絶縁層12を形成し、層間絶縁層12の表面を研磨して層間絶縁層12の表面を平滑にするとともに任意の下層配線5におけるキャップメタル層10の表面を露出させ、露出したキャップメタル層10に積層して上層配線6を形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は多層配線基板の製造方法および多層配線基板に係り、特に、任意の下層配線および上層配線の層間接続とともに、層間絶縁層の平坦化に好適な多層配線基板の製造方法および多層配線基板に関する。
近年、配線基板を用いた素子の高性能化や、これにともなう配線基板の配線の微細化により、配線基板における配線の多層化が進んでいる。
このような多層配線基板には、下層配線と上層配線基板との間に下層配線と上層配線とを絶縁するための層間絶縁層が設けられており、そして、この多層配線基板においては、従来より、層間絶縁層の表面に上層配線を安定して形成するために、層間絶縁層の表面を研磨して平坦にすることが行われている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
図9(a)〜(c)は、従来の多層配線基板の製造工程の一例を示す概念図である。従来の多層配線基板21の製造方法において、下層配線22の形成位置における任意の部分に上層配線25を形成して下層配線22と上層配線25とを層間接続するには、図9(a)に示すように、まず、下層配線22を被覆するように形成された層間絶縁層23の表面にレジスト24を塗布し、下層配線22の形成位置における上層配線25との接続部分のレジスト24を除去する。続いて、図9(b)に示すように、レジスト24が除去された部分の層間絶縁層23をエッチングにより除去して下層配線22の表面を露出させることによりコンタクトホール26を形成する。さらに、層間絶縁層23の表面に塗布されたレジスト24を除去した後、CMP法やエッチバック法等の既知の研磨工程によって、層間絶縁層23の表面を研磨して平坦化する。そして、図9(c)に示すように、層間絶縁層23におけるコンタクトホール26が形成された部分に上層配線25を形成することにより、下層配線22と上層配線25とを層間接続するようになっている。
しかし、前述した従来の多層配線基板21の製造工程において下層配線22と上層配線25とを層間接続するには、レジスト24を用いて層間絶縁層23にコンタクトホール26を形成し、前記レジスト24を除去した後、層間絶縁層23の表面を研磨する等、作業工程数が多い。また、下層配線22のうち上層配線25との接続部分のみを露出させる工程は、手間がかかり、このため、層間接続工程の作業性が低くなってしまうという問題を有していた。
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる多層配線基板の製造方法および多層配線基板を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明に係る多層配線基板の製造方法の特徴は、下層配線と上層配線とが層間接続される多層配線基板の製造方法において、ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に、配線基台層を形成する配線基台層形成工程と、前記ベース基板上に、前記下層配線を形成する下層配線形成工程と、前記下層配線を被覆するように前記ベース基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記層間絶縁層の表面を平滑にするとともに任意の前記下層配線の表面を露出させる層間絶縁層研磨工程と、露出した前記下層配線に積層して前記上層配線を形成する上層配線形成工程とを有する点にある。
この本発明に係る多層配線基板の製造方法によれば、下層配線と上層配線との接続部分に配線基台層が形成されており、下層配線を配線基台層に積層して形成することにより、下層配線における上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、多層配線基板の製造方法のうち下層配線と上層配線とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
本発明に係る他の多層配線基板の製造方法の特徴は、前記下層配線形成工程の後であって前記層間絶縁層形成工程の前に、前記下層配線の表面にキャップメタル層を形成し、前記層間絶縁層研磨工程において、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記下層配線の前記キャップメタル層を露出させる点にある。
この本発明に係る他の多層配線基板の製造方法によれば、下層配線の表面にキャップメタル層を形成することにより、下層配線が層間絶縁層に被覆されるまでの間、さらには層間絶縁層から露出された下層配線上に上層配線が形成されるまでの間等に発生する下層配線に対する損傷等のダメージを軽減することができる。また、下層配線のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制し、下層配線と上層配線との導電接続性を良好に保つことができる。
さらに、本発明に係る多層配線基板の特徴は、ベース基板上に形成されている下層配線と、前記下層配線間に形成されている層間絶縁層と、前記下層配線に積層して形成され前記下層配線と層間接続されている上層配線とを有する多層配線基板であって、前記ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に配線基台層を形成し、前記下層配線の表面と前記層間絶縁層の表面とを面一かつ平坦に形成する点にある。
本発明に係る多層配線基板によれば、下層配線と上層配線との接続部分に配線基台層が形成されており、下層配線を配線基台層に積層して形成することにより、下層配線のうち上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、多層配線基板の製造方法のうち下層配線と上層配線とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
さらに、層間絶縁層と下層配線の表面とが面一かつ平坦に形成されており、上層配線を形成する際に層間絶縁層とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線を形成することができる。
以上述べたように、本発明に係る多層配線基板の製造方法および多層配線基板によれば、容易に、下層配線における上層配線との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線における他の部分の表面の高さ位置と比較して高くすることができる。このため、層間絶縁層研磨工程において、層間絶縁層の表面を研磨することにより、下層配線の表面における上層配線との接続部分のみを容易かつ確実に露出させることができる。
また、層間絶縁層を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等の手間をかけずに下層配線の任意の部分を露出させることができるので、層間接続工程における作業の容易化を図ることができる。また、下層配線における上層配線との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができるので、これにより、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。
以下、本発明に係る多層配線基板の製造方法および多層配線基板の一実施形態を図1(a)〜(c)から図8(a)〜(c)を参照して説明する。
図1(a)〜(c)は、本実施形態に係る多層配線基板を示す概念図であり、図1に示すように、本実施形態に係る多層配線基板1は、ベース基板2を有し、ベース基板2としては、例えば、シリコン基板や、ガラス基板、有機フィルム等を用いることができる。ベース基板2の一面には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁材料等からなるベース絶縁層3が設けられており、このベース絶縁層3は、ベース基板2として絶縁性のないシリコン基板等を用いたときに設けられる。
ベース絶縁層3の表面であって上層配線6と層間接続される下層配線5aのうち上層配線6との接続部分に相当する位置には、配線基台層9が形成されており、この配線基台層9は、例えば、マスクを介して容易にパターン形成が可能な感光性や熱硬化性の有機材料からなる絶縁材料、あるいはエッチングによりパターン形成可能な導電性材料、さらには無機材料からなる絶縁材料等により構成されている。多層配線基板1の作成上、制限がない場合には、容易な工程によってパターン形成が可能な有機材料を用いて配線基台層9を形成することが好ましい。一方、多層配線基板1の信頼性等の問題によって多層配線基板1中に有機材料を用いることができない場合には、無機材料の絶縁材料や導電材料を用いて配線基台層9を形成する。
ベース絶縁層3の表面における任意の位置には、アルミニウム(Al)や銅(Cu)、さらにはAlやCuの合金等の導電性材料からなる下層配線5がパターン形成されており、配線基台層9は下層配線5により被覆されている。下層配線5aのうち上層配線6との接続部分の表面、および上層配線6と層間接続されない下層配線5bの表面には、例えば、チタン(Ti)やタンタル(Ta)等の導電材料からなるキャップメタル層10が形成されている。
さらに、ベース絶縁層3の表面には、絶縁材料からなる層間絶縁層12が形成されており、層間絶縁層12の構成材料としては、絶縁抵抗の高い、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を用いることが好ましい。層間絶縁層12は、下層配線5のうち配線基台層9に積層せずに形成された部分を被覆するように設けられているとともに、その表面および配線基台層9に積層して形成された下層配線5のキャップメタル層10の表面が面一でありかつ平坦となるように形成されている。
層間絶縁層12の表面における任意の位置および下層配線5aのキャップメタル層10の表面には、アルミニウム(Al)や銅(Cu)、アルミニウムや銅の合金等の導電性材料、さらには、GMR膜等の磁気抵抗膜や例えばNiFe等からなる軟磁性の磁性膜等の薄膜素子として必要な機能を有する機能性材料からなる上層配線6がパターン形成されている。この上層配線6のうち下層配線5aのキャップメタル層10に積層して形成された上層配線6は、キャップメタル層10を介して下層配線5aと層間接続されている。
次に、本実施形態に係る多層配線基板1の製造方法について説明する。
まず、図2(a)〜(c)に示すように、シリコン基板からなるベース基板2の一面にシリコン酸化膜からなるベース絶縁層3を形成する。続いて、ベース絶縁層3の表面に、感光性有機材料を形成し、マスクを介して任意の部分を感光した後、不要な部分を除去して、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分に相当する位置に、配線基台層9を形成する配線基台層形成工程を行う。本実施形態においては、図3に示すように、配線基台層9の高さ寸法は、1.97μmに形成する。
次に、図4(a)〜(c)に示すように、ベース絶縁層3の表面における任意の部分に、銅からなる下層配線5をパターン形成する下層配線形成工程を行う。このとき、下層配線5aのうち上層配線6との接続部分は、配線基台層9に積層して形成されるとともに、下層配線5aのうち上層配線6との非接続部分、および上層配線6と層間接続されない下層配線5bは、配線基台層9に積層せずに形成される。本実施形態においては、図3に示すように、下層配線5のうち配線基台層9に積層せずに形成された部分の高さ寸法は、2.0μm、配線基台層9の表面から下層配線5aのうち配線基台層9に積層して形成された部分の表面までの寸法は1.9μmとされている。
さらに、下層配線5の表面における所定の部分に、チタンからなるキャップメタル層10を形成する。
続いて、図5(a)〜(c)に示すように、ベース絶縁層3の表面に、アルミナ(Al2O3)等からなる層間絶縁層12を、下層配線5を被覆するように形成する層間絶縁層形成工程を行う。層間絶縁層形成工程においては、層間絶縁層12の表面高さ位置を、配線基台層9の表面高さ位置よりも高くなるように層間絶縁層12を形成する。この層間絶縁層12は、本実施形態の構成に限定されず、例えば、まず、各下層配線5の層間に下層配線5の厚さ寸法と同程度の厚さ寸法に形成された第1層間絶縁層12と、下層配線5と第1層間絶縁層12とを被覆するように形成された第2層間絶縁層12とにより構成してもよい。
さらに、図6(a)〜(c)に示すように、層間絶縁層12の表面をCMP法により研磨して、層間絶縁層12の表面を平坦化するとともに、上層配線6に層間接続される下層配線5aのうち上層配線6との接続部分に形成されたキャップメタル層10を露出させる層間絶縁層研磨工程を行う。このとき、キャップメタル層10の表面における露出面積が、上層配線6と十分に導電接続可能な面積となるまで層間絶縁層12を研磨する。これにより、層間絶縁層12の表面と前記下層配線5aのキャップメタル層10の表面とを、面一かつ平坦に形成する。
また、層間絶縁層研磨工程において層間絶縁層12の研磨量を均一にすることができず、例えば、この層間絶縁層研磨工程において配線基台層9を露出させる程に研磨してしまうことが考えられる場合には、下層配線5と上層配線6との導通を確実に確保するために、配線基台層9を導電材料により形成することが好ましい。
そして、層間絶縁層12の表面における任意の部分およびキャップメタル層10の表面に、銅からなる上層配線6を形成する上層配線形成工程を行う。このとき、露出されたキャップメタル層10の表面に積層して上層配線6を形成することにより、下層配線5aと上層配線6とを層間接続させる。
次に、本実施形態の作用について説明する。
本実施形態によれば、下層配線5aと上層配線6との接続部分に配線基台層9が形成されており、下層配線5aのうち上層配線6との接続部分を配線基台層9に積層して形成することにより、下層配線5aにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線5における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。
また、多層配線基板1の製造方法のうち下層配線5aと上層配線6とを層間接続させるための層間接続工程において、従来のように層間絶縁層12にレジスト等を用いてコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。また、層間絶縁層12の表面を研磨することにより、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層12の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
したがって、下層配線5の形成位置のうち下層配線5aにおける上層配線6との接続部分に相当する位置に、配線基台層9を形成することにより、容易に、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分の表面の高さ位置を、下層配線5における他の部分の表面の高さ位置と比較して高く形成することができる。このため、層間絶縁層研磨工程において、層間絶縁層12の表面を研磨することにより、下層配線5aの表面における上層配線6との接続部分のみを容易かつ確実に露出させることができる。
また、層間絶縁層12を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等の手間をかけずに下層配線5の任意の部分を露出させることができるので、層間接続工程における作業の容易化を図ることができる。また、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層12の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができるので、これにより、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。
さらに、層間絶縁層12とキャップメタル層10が形成された下層配線5aの表面とが面一かつ平坦に形成されており、上層配線6を形成する際に層間絶縁層12と下層配線5のキャップメタル層10との表面に段差が形成されていないので、上層配線6のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線6を形成することができる。
さらにまた、下層配線5の所定の部分にキャップメタル層10を形成することにより、下層配線5が層間絶縁層12に被覆されるまでの間、さらには層間絶縁層12から露出された下層配線5上に上層配線6が形成されるまでの間等の下層配線5に対する損傷等のダメージを軽減することができる。また、下層配線5のエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑制し、下層配線5aと上層配線6との導電接続性を良好に保つことができる。
なお、前記本実施形態に係る多層配線基板1の製造方法においては、前記本実施形態に係る多層配線基板1において記載した構成材料のうち所定の構成材料を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、種々の構成材料を用いることが可能である。
例えば、配線基台層の高さ寸法や下層配線5の高さ寸法等は、本実施形態に記載した寸法に限定されるものではなく、この多層配線基板1が用いられる装置毎に、各寸法は異なる。
また、多層配線基板1の製造方法における各工程においても、本実施形態に限定されず、種々の方法を用いてベース絶縁層3、下層配線5、メタルキャップ層、層間絶縁層12、上層配線6を形成することができ、さらに、種々の研磨方法を用いて、層間絶縁層12の表面を研磨することができる。
続いて、本発明に係る多層配線基板1の第2の実施形態について説明する。ここで、第1の実施形態における多層配線基板1と同一の構造については、同一の符号を用いて説明し、詳説を省略する。
図7(a)〜(c)に示すように、本実施形態に係る多層配線基板1は、ベース基板2の一面に形成されたベース絶縁層3の表面に、配線基台層9が形成されており、この配線基台層9は、下層配線5の形成位置のうち、下層配線5aにおける上層配線6との複数の接続部分に共通するように棒状に形成されている。また、ベース絶縁層3には、下層配線5および層間絶縁層12が形成されており、下層配線5aの表面に形成されたメタルキャップ層10の表面と、層間絶縁層12の表面は面一かつ平坦に形成されている。そして、層間絶縁層12の表面における任意の位置および下層配線5aのキャップメタル層10の表面には、上層配線6が形成されており、このキャップメタル層10の表面に積層して形成された上層配線6は、キャップメタル層10を介して下層配線5aと層間接続されている。
第2の実施形態に係る多層配線基板1の製造方法については、第1の実施形態に係る多層配線基板1の製造方法とほぼ同一であり、説明を省略する。
次に、第2の実施形態の作用について説明する。
第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、下層配線5aと上層配線6との接続部分に配線基台層9が形成されており、下層配線5aのうち上層配線6との接続部分を配線基台層9に積層して形成することにより、下層配線5aにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線5における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。これとともに、層間絶縁層12を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等、手間をかけずに下層配線5の任意の部分を露出させることができ、かつ下層配線5aにおける上層配線6との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層12の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
したがって、層間接続工程における作業の容易化を図ることができるとともに、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。また、上層配線6を形成する際に層間絶縁層12とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線6のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線6を形成することができる。
また、配線基台層9が下層配線5の形成位置のうち、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分のみではなく、複数の接続部分に共通するような棒状に形成されている。このため、配線基台層9を形成するにあたり、配線基台層9を前記接続部分に相当する位置のみに形成する場合と比較して、形成位置の微細な寸法精度が要求されず、作業の容易化、さらには作業効率の向上を図ることができる。
次に、本発明に係る多層配線基板1の製造方法の第3の実施形態について説明する。ここで、第1の実施形態における多層配線基板1と同一の構造については、同一の符号を用いて説明し、詳説を省略する。
まず、ベース基板2の一面にシリコン酸化膜からなるベース絶縁層3を形成し、ベース絶縁層3のうち下層配線5aにおける上層配線6との接続部分に相当する位置に、配線基台層9を形成する。次に、ベース絶縁層3の表面に、下層配線5をパターン形成し、下層配線5の表面における所定の部分に、キャップメタル層10を形成する。続いて、ベース絶縁層3の表面に、層間絶縁層12を下層配線5を被覆するように形成する。さらに、層間絶縁層12の表面を研磨して、層間絶縁層12の表面を平坦化するとともに、上層配線6に層間接続される下層配線5aのうち上層配線6との接続部分に形成されたキャップメタル層10を露出させて、層間絶縁層12の表面とキャップメタル層10の表面とを、面一かつ平坦に形成する。
次に、図8(a)に示すように、層間絶縁層12の表面およびキャップメタル層10の表面に、例えば絶縁材料等からなる被覆絶縁層14を形成する。
続いて、図8(b)に示すように、被覆絶縁層14におけるキャップメタル層10に相当する位置を除去して、キャップメタル層10を露出させる。
そして、図8(c)に示すように、層間絶縁層12の表面における任意の部分およびキャップメタル層10の表面に上層配線6を形成する。このとき、露出されたキャップメタル層10の表面に積層して上層配線6を形成することにより、下層配線5aと上層配線6とを層間接続させる。
第3の実施形態に係る多層配線基板1の製造方法によって製造された多層配線基板1は、ベース基板2の一面にベース絶縁層3が形成されており、ベース絶縁層3の表面における下層配線5の形成位置のうち、下層配線5aにおける上層配線6との接続部分に相当する位置には、それぞれ配線基台層9が形成されている。また、ベース絶縁層3には、下層配線5および層間絶縁層12が形成され、下層配線5aの表面に形成されたメタルキャップ層10の表面と、層間絶縁層12の表面は面一かつ平坦に形成されており、さらに、層間絶縁層12の表面のうち下層配線5aと上層配線6との接続部分に相当する位置を除く部分には、被覆絶縁層14が形成されている。そして、層間絶縁層12の表面における任意の位置および下層配線5aのキャップメタル層10の表面には、上層配線6が形成されており、キャップメタル層10の表面に積層して形成された上層配線6は、キャップメタル層10を介して下層配線5aと層間接続されている。
次に、第3の実施形態の作用について説明する。
第3の実施形態によれば、第1および第2の実施形態と同様に、下層配線5aと上層配線6との接続部分に配線基台層9が形成されており、下層配線5aのうち上層配線6との接続部分を配線基台層9に積層して形成することにより、下層配線5aにおける前記接続部分の表面の高さ位置を、下層配線5における他の部分の表面の高さ位置よりも高くすることができる。また、層間絶縁層12を研磨するという作業のみによって、コンタクトホールを形成する等、手間をかけずに下層配線5の任意の部分を露出させることができ、かつ下層配線5aにおける上層配線6との接続部分を露出させる工程と、層間絶縁層12の表面を平坦にする工程とを同一工程によって行うことができる。
したがって、層間接続工程における作業の容易化を図ることができるとともに、層間接続工程の作業工程数を減らして、作業効率を向上させることができる。また、上層配線6を形成する際に層間絶縁層12とか層配線との表面に段差が形成されていないので、上層配線6のパターン形成を容易かつ確実に行うことができるとともに、剥離することのない安定した上層配線6を形成することができる。
また、層間絶縁層12の表面を研磨してキャップメタル層10の表面を露出させた後、キャップメタル層10に積層して上層配線6を形成するまでの間に、フォトリソやエッチング、剥離などのガスおよび薬液等に多層配線基板1の表面がさらされてしまう工程がある場合であっても、キャップメタル層10を被覆絶縁層14により被覆するので、キャップメタル層10が露出した状態が長時間継続してしまうのを防止することができる。これにより、キャップメタル層10が露出していることによる損傷や酸化等のダメージを軽減し、キャップメタル層10を介して下層配線5aと上層配線6との良好な導通を図ることができる。さらに、ウェットエッチング、剥離などの工程でキャップメタル層10が微量溶出することによる液特性の変化が生じたり、ドライエッチング等の工程でキャップメタル層10が露出していることによるプラズマ特性が変化が生じたりするなど、キャップメタル層10自体が悪影響を及ぼす工程がある場合であっても、キャップメタル層10を被覆絶縁層14により被覆するので、キャップメタル層によるこれらの工程への悪影響を押さえることが可能となり、工程の安定化が図ることができる。
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々変更することが可能である。
1 多層配線基板
2 ベース基板
3 ベース絶縁層
5 下層配線
6 上層配線
9 配線基台層
10 キャップメタル層
12 層間絶縁層
2 ベース基板
3 ベース絶縁層
5 下層配線
6 上層配線
9 配線基台層
10 キャップメタル層
12 層間絶縁層
Claims (3)
- 下層配線と上層配線とが層間接続される多層配線基板の製造方法において、
ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に、配線基台層を形成する配線基台層形成工程と、
前記ベース基板上に、前記下層配線を形成する下層配線形成工程と、
前記下層配線を被覆するように前記ベース基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層の表面を研磨して前記層間絶縁層の表面を平滑にするとともに任意の前記下層配線の表面を露出させる層間絶縁層研磨工程と、
露出した前記下層配線に積層して前記上層配線を形成する上層配線形成工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記下層配線形成工程の後であって前記層間絶縁層形成工程の前に、前記下層配線の表面にキャップメタル層を形成し、前記層間絶縁層研磨工程において、前記層間絶縁層の表面を研磨して前記下層配線の前記キャップメタル層を露出させることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
- ベース基板上に形成されている下層配線と、前記下層配線間に形成されている層間絶縁層と、前記下層配線に積層して形成され前記下層配線と層間接続されている上層配線とを有する多層配線基板であって、
前記ベース基板上における前記下層配線の形成位置のうち少なくとも前記下層配線と前記上層配線との接続部分に相当する位置に配線基台層を形成し、前記下層配線の表面と前記層間絶縁層の表面とを面一かつ平坦に形成することを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148133A JP2009193976A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
PCT/JP2007/052255 WO2007138765A1 (ja) | 2006-05-29 | 2007-02-08 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148133A JP2009193976A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009193976A true JP2009193976A (ja) | 2009-08-27 |
Family
ID=38778290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006148133A Withdrawn JP2009193976A (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009193976A (ja) |
WO (1) | WO2007138765A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08186168A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-07-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012683A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Nec Corp | 集積回路とその製造方法 |
JP2000232156A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-05-29 JP JP2006148133A patent/JP2009193976A/ja not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-02-08 WO PCT/JP2007/052255 patent/WO2007138765A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007138765A1 (ja) | 2007-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7410879B1 (en) | System and method for providing a dual via architecture for thin film resistors | |
JP5255292B2 (ja) | 2層金属キャップを有する相互接続構造体及びその製造方法 | |
JP5149603B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP3566203B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2000269219A (ja) | 半導体装置 | |
US7808048B1 (en) | System and method for providing a buried thin film resistor having end caps defined by a dielectric mask | |
TW202011469A (zh) | 半導體裝置結構之製造方法 | |
US20070023868A1 (en) | Method of forming copper metal line and semiconductor device including the same | |
JP2005197692A (ja) | 半導体素子のデュアルダマシンパターン形成方法 | |
US20050250280A1 (en) | Capacitance process by using passivation film scheme | |
US7781334B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with through-chip vias | |
JP2005150237A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7709372B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
TWI717173B (zh) | 記憶體裝置及其製造方法 | |
JP2009193976A (ja) | 多層配線基板の製造方法および多層配線基板 | |
JP2001077195A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004296802A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011134885A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20040061817A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
JP4167672B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010080551A (ja) | 半導体装置 | |
CN100437935C (zh) | 芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法 | |
US20060148258A1 (en) | Method of planarizing an inter-metal insulation film | |
US20240038547A1 (en) | Method and structure to form connector tabs in subtractive patterning | |
JP2005150682A (ja) | 半導体素子の金属配線の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090901 |