JP2009177077A - 直接接合ウェーハの検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースウェーハ上に薄膜化されたボンドウェーハが直接接合されたウェーハの接合界面の酸化膜の有無を検査する方法であって、少なくとも、前記直接接合ウェーハの薄膜表面のヘイズを測定し、該測定されたヘイズパターンの形状から前記酸化膜の有無を判断することを特徴とする直接接合ウェーハの検査方法を提供する。
【選択図】図1
Description
このように、酸化膜を介して貼り合わせられたウェーハにアニールを行うことで、ウェーハ中の酸素の外方拡散および接合界面の酸化膜の還元が起こり、より確実に接合界面の酸化膜を除去することができる。
イオン注入は打ち込み深さの制御精度が高く、イオン注入層を所定の深さに形成して、そのイオン注入層で剥離することができるため、残存するボンドウェーハの厚さを高度に調節して薄膜化することができ、膜厚均一性の高い直接接合ウェーハを作製することができる。
レーザーを使用した光学的表面検査装置であれば、レーザーが所定の厚さまで侵入することができるため、波長を調節することで接合界面の深さ付近までレーザーが到達し接合界面の酸化膜に影響されたヘイズを測定することができ、これにより接合界面の酸化膜の検査をより確実に行うことができる。
完全に酸化膜が除去された直接接合ウェーハのヘイズパターンと酸化膜が接合界面に有る直接接合ウェーハのヘイズパターンとは、形状が異なるため、双方を比較することでより確実に接合界面の酸化膜の有無を判断することができる。
酸化膜が接合界面に無い直接接合ウェーハのヘイズパターンは、放射状の規則パターンとなるため、測定されたヘイズパターンが放射状の規則パターンでない場合には接合界面に酸化膜が有ると判断することで、より容易に検査することができる。
これに対して、本発明者らは、イオン注入剥離法を用いて特許文献1の製造方法で作製された直接接合ウェーハのシリコン薄膜表面のヘイズをレーザー式表面検査装置(KLA−Tencor社製SP1)で観察すると、接合界面の酸化膜が完全に消滅している直接接合ウェーハのヘイズパターンは、通常の鏡面研磨ウェーハと同様に規則的な放射状パターンが観察されるのに対し、面内のヘイズパターンに不規則の領域があるウェーハに関しては、その不規則パターンの領域をTEM観察するとシリコン酸化膜が残留していることを見出し本発明を完成させた。
図4は本発明の検査方法を適用できる直接接合ウェーハの作製法の一例を示したフロー図である。
次に、図4の工程(d)では、研削、研磨、エッチング等をすることにより、ボンドウェーハ10の薄膜化を行い、ベースウェーハ11表面にシリコン薄膜13と酸化膜12が形成された貼り合わせウェーハ14が作製される。
このように、薄膜化をイオン注入剥離法で行うことにより、極めて均一な厚さ分布の薄膜を得ることができる。
本発明では、作製された直接接合ウェーハ15のシリコン薄膜13の表面のヘイズを測定し、測定されたヘイズパターンの形状から接合界面16の酸化膜の有無を検査する。
リファレンス用直接接合ウェーハについては、例えばアニールを長時間行うこと等により完全に酸化膜を除去し、その表面のヘイズを測定する。
このような酸化膜が完全に除去されているウェーハのヘイズパターンと、酸化膜が残留しているウェーハのヘイズパターンは形状が異なるため、双方を比較することによって容易に酸化膜の有無を判断することができる。
ボンドウェーハとして面方位(110)、直径300mmのシリコン単結晶ウェーハを4枚用意して、その4枚のウェーハに熱処理(900℃、5分、水蒸気雰囲気)を行い、ボンドウェーハ表面に熱酸化膜を30nm成長させた。次に、4枚のボンドウェーハそれぞれに水素イオンを注入深さが400nmとなるようにイオン注入して、ベースウェーハとして別に用意した面方位(100)、直径300mmのシリコン単結晶ウェーハ4枚とそれぞれ熱酸化膜を介して重ね合わせ、熱処理(500℃、30分、窒素雰囲気)により貼り合わせると同時に水素イオン注入層にてボンドウェーハの一部を剥離した。
その後、ボンドウェーハとベースウェーハの間に存在する酸化膜(BOX層)である熱酸化膜を除去する熱処理として、100%アルゴン雰囲気下、1200℃のアニールを行った。その際、アニールする時間としては、ウェーハA,B,Cに対しては、酸化膜が計算上、ちょうど除去される時間(3時間)よりも15分短い時間とし、あえて接合界面に酸化膜が残留するようにした。ウェーハDに対するアニールの時間は、ウェーハA,B,Cに施したアニールの時間の2倍近くの5時間とし、接合界面の酸化膜を完全に除去した。これにより、直接接合ウェーハA,B,C、Dの4枚を作製した。
ウェーハDの図1(D)に示されるヘイズパターンは放射状の規則的なパターンであり、通常の鏡面研磨ウェーハで見られるパターンと同様であった。その接合界面のTEM観察では酸化膜は全く存在していないことを確認した。
例えば、本発明において検査される直接接合ウェーハは、上記のように酸化膜を介して接合した後、熱処理により酸化膜を除去する方法により作製されたものに限定されるものではない。本法は、直接接合ウェーハであれば、どのような方法により作製されたものであっても、適用できることは言うまでもない。
13…シリコン薄膜、 14…貼り合わせウェーハ、 15…直接接合ウェーハ、
16…接合界面。
Claims (7)
- ベースウェーハ上に薄膜化されたボンドウェーハが直接接合されたウェーハの接合界面の酸化膜の有無を検査する方法であって、
少なくとも、前記直接接合ウェーハの薄膜表面のヘイズを測定し、該測定されたヘイズパターンの形状から前記酸化膜の有無を判断することを特徴とする直接接合ウェーハの検査方法。 - 前記直接接合したウェーハは、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハの表面に形成した酸化膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化し、前記ベースウェーハ上に酸化膜とシリコン薄膜が形成された貼り合わせウェーハを作製して、その後、前記酸化膜を除去することによって作製することを特徴とする請求項1に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
- 前記酸化膜を除去する方法は、前記貼り合わせウェーハに対して、不活性ガス、水素、およびこれらの混合ガスのいずれかを含む雰囲気下においてアニールを行って、前記酸化膜を除去することを特徴とする請求項2に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
- 前記ボンドウェーハを薄膜化する方法は、イオン注入剥離法により前記ボンドウェーハを薄膜化することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
- 前記ヘイズ測定は、レーザーを使用した光学的表面検査装置を用いて測定することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
- 前記酸化膜の有無の判断は、酸化膜が完全に除去されているリファレンス用直接接合ウェーハの表面の予め測定されたヘイズパターンと、検査対象である直接接合ウェーハの表面のヘイズパターンとを比較することによって、前記酸化膜の有無の判断を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
- 前記酸化膜の有無の判断は、前記測定されたヘイズパターンが放射状の規則パターンでない場合には、前記酸化膜が有ると判断することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の直接接合ウェーハの検査方法。
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