JP2009176881A - 冷却装置 - Google Patents
冷却装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009176881A JP2009176881A JP2008012739A JP2008012739A JP2009176881A JP 2009176881 A JP2009176881 A JP 2009176881A JP 2008012739 A JP2008012739 A JP 2008012739A JP 2008012739 A JP2008012739 A JP 2008012739A JP 2009176881 A JP2009176881 A JP 2009176881A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- refrigerant
- cooling
- fins
- fin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】冷却プレートの半導体を接合した冷却面と反対側の面にフィンを設けた冷却装置において、バーンアウト状態の発生を抑えて冷却性能を向上させる。
【解決手段】冷却面Sに半導体素子5を接合した冷却プレート2の反対側の面に、冷媒通路4を横切って延びる板状フィン10を設ける。板状フィン10は基部12と基部から櫛歯状に延びるピン14とからなるものを冷媒の毛細管現象を生じさせる幅間隔dで冷媒の流れ方向に複数並べてある。隣接する板状フィン10の基部12により溝部20が形成される。半導体素子からの熱で溝部20の底壁に気泡が発生するが、気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給されるので、核沸騰状態が維持され、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、効率よく冷却される。
【選択図】図1
【解決手段】冷却面Sに半導体素子5を接合した冷却プレート2の反対側の面に、冷媒通路4を横切って延びる板状フィン10を設ける。板状フィン10は基部12と基部から櫛歯状に延びるピン14とからなるものを冷媒の毛細管現象を生じさせる幅間隔dで冷媒の流れ方向に複数並べてある。隣接する板状フィン10の基部12により溝部20が形成される。半導体素子からの熱で溝部20の底壁に気泡が発生するが、気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給されるので、核沸騰状態が維持され、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、効率よく冷却される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子等の発熱体を冷却するための冷却装置に関する。
半導体素子はその動作に伴って発熱するので、従来より半導体素子を接合してこれを冷却するフィン型の冷却装置が使用されている。例えば特開2004−349324号公報には、半導体素子を接合したベースプレートの裏面に板状フィンを設け、そのフィンを冷媒通路に臨ませて放熱するようにしている。
特開2004−349324号公報
近年、とくにモータ駆動用の半導体素子などはその高出力化により発熱量も増大し高温度になるようになっているため、半導体素子の冷却性能向上への要求が強まっており、特開2004−349324号公報に示されたものでは、多数の板状フィンをそれぞれ冷媒の流れと平行な方向に延ばして、冷媒との接触面積を拡大するようにしている。
しかしながら、単に端に冷媒との接触面積を増大させただけでは、SiC(炭化ケイ素半導体)に代表されるような超高発熱素子の冷却に適用した場合、フィンの界面における膜沸騰が発生してバーンアウト(ドライアウト)状態に達してしまい、期待通りの冷却性能を得ることができないという問題がある。
したがって本発明は、上記の問題点に鑑み、バーンアウトを抑えて冷却性能を向上させ得る冷却装置を提供することを目的とする。
このため本発明は、冷却プレートの発熱体を接合した面と反対側の冷媒の流路に臨ませた面に複数のフィンを設けた冷却装置において、さらに、フィンの間に冷媒の毛細管現象を生じさせる幅で冷媒の流路を横切る方向に延びる溝部を設けたものとした。
本発明によれば、溝部の底壁で熱により冷媒が沸騰して生じた気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給されるので、核沸騰状態を維持するから、これにより、バーンアウトを抑制し、発熱体が効率よく冷却される。
以下、本発明の実施の形態を実施例により詳細に説明する。
図1は、半導体素子の冷却に適用した第1の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は(a)におけるA−A部断面図である。また図2は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、図3はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図1の(a)は図2におけるB−B部断面に相当する。
なお、実施の形態を通じて図中の矢示Rは冷媒の流れ方向を示す。
冷却装置1は、冷却プレート2と、この冷却プレート2に結合されて冷媒通路4を形成するカバー3とからなり、両者を結合するボルトやボルト穴等は図示省略してある。
図1は、半導体素子の冷却に適用した第1の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は(a)におけるA−A部断面図である。また図2は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、図3はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図1の(a)は図2におけるB−B部断面に相当する。
なお、実施の形態を通じて図中の矢示Rは冷媒の流れ方向を示す。
冷却装置1は、冷却プレート2と、この冷却プレート2に結合されて冷媒通路4を形成するカバー3とからなり、両者を結合するボルトやボルト穴等は図示省略してある。
冷却プレート2の冷媒通路4と反対側の面(図1では下面)を冷却面Sとして、この冷却面S上に発熱体としての半導体素子5が接合される。
冷却プレート2とカバー3は、主に銅あるいはアルミニウムなどの熱伝導率の高い金属製であり、半導体素子5はセラミック基板などの絶縁板6を介して冷却面Sに接合される。
冷却プレート2とカバー3は、主に銅あるいはアルミニウムなどの熱伝導率の高い金属製であり、半導体素子5はセラミック基板などの絶縁板6を介して冷却面Sに接合される。
冷媒通路4は横断面が4角形である。
冷媒通路4内において、長手方向(冷媒の流れ方向)両端の所定領域を除いて、冷却プレート2には板厚0.5〜1mmの板状フィン10が立ち上がっている。板状フィン10は冷却プレート2と一体であり、削り出しあるいは鋳造により形成される。板状フィン10は冷却プレート2と一体であるから、材質も冷却プレート2と同一である。
冷媒通路4内において、長手方向(冷媒の流れ方向)両端の所定領域を除いて、冷却プレート2には板厚0.5〜1mmの板状フィン10が立ち上がっている。板状フィン10は冷却プレート2と一体であり、削り出しあるいは鋳造により形成される。板状フィン10は冷却プレート2と一体であるから、材質も冷却プレート2と同一である。
板状フィン10は、図2の上面図において冷媒通路4の長手方向に対して垂直に複数枚が配置され、板状フィン10間の間隔dは所定値に設定されている。この間隔dの所定値は冷媒の毛細管現象を発生させ得る値として設定され、冷媒として水やエチレングリコールなどを使用する場合は0.5mm以下が好ましい。
冷媒通路4両端の所定領域の一方は冷媒入口INとなり、他方は冷媒出口OUTとなっている。
冷媒通路4両端の所定領域の一方は冷媒入口INとなり、他方は冷媒出口OUTとなっている。
板状フィン10には、冷却プレート2から0.5〜1.0mmの高さまでを基部12として、基部12よりも上側にスリット15が形成されて櫛歯状となっている。これにより、板状フィン10は基部12と基部から互いに平行に立ち上がった多数の柱状のピン14からなる形態を呈する。ピン14の先端(上端)はカバー3の内壁に当接し、またはカバー3の内壁と若干の隙間をもつまで延びている。
各ピン14は正方形断面を有し、図1の(b)に示すように、スリット15はピン14の幅寸法Wと同等レベルの幅を有している。なお、限られたスペース内で板状フィン10の枚数、ピン14の本数を多くして冷媒との接触面積を増大させるために、板状フィン10の板厚、ピン14やスリット15の幅はできるだけ小さい寸法とするのが好ましい。
冷媒通路4の長手方向に並んだ各板状フィン10はすべて同一形状であり、冷媒通路4の長手方向に見たとき、各板状フィンのピン14は整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
各隣接する板状フィン10の基部12は冷媒の流れ方向に対して直角、すなわち冷媒通路4を直角に横切る溝部20を形成している。溝部20の溝幅は板状フィン10間の間隔dである。
冷媒通路4の長手方向に並んだ各板状フィン10はすべて同一形状であり、冷媒通路4の長手方向に見たとき、各板状フィンのピン14は整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
各隣接する板状フィン10の基部12は冷媒の流れ方向に対して直角、すなわち冷媒通路4を直角に横切る溝部20を形成している。溝部20の溝幅は板状フィン10間の間隔dである。
以上の構成になる冷却装置1において、半導体素子5が発生した熱は冷却プレート2に伝わり、冷却プレート2から板状フィン10やカバー3へ伝わる。
冷媒入口INから冷媒通路4に冷媒が供給されると、冷却プレート2近傍を流れる冷媒は冷却プレート2と熱交換し、冷却プレート2近傍にない冷媒は、カバー3あるいは冷媒通路4を横切って配置された板状フィン10に接触することにより熱交換して、半導体素子5が発生した熱を奪い取って、その後冷媒出口OUTへ向かう。
冷媒入口INから冷媒通路4に冷媒が供給されると、冷却プレート2近傍を流れる冷媒は冷却プレート2と熱交換し、冷却プレート2近傍にない冷媒は、カバー3あるいは冷媒通路4を横切って配置された板状フィン10に接触することにより熱交換して、半導体素子5が発生した熱を奪い取って、その後冷媒出口OUTへ向かう。
ここで、板状フィン10まわりにおける冷媒の挙動について、図4により説明する。図4の(a)は冷却プレート2上の溝部20を冷媒通路4の長手方向に見た正面図、(b)は(a)におけるC−C矢視図である。
この冷却装置1において最も温度が上昇しやすい部位は、溝部20の底壁(冷却プレート2)である。半導体素子5からの発熱量が増大すると、まずこの溝部20の底壁22で冷媒が沸騰し始め、底壁22の界面に気泡Kが発生する。
気泡Kが発生すると、溝部20に働く毛細管現象により、気泡Kが発生した界面に向けて冷媒が供給される。この新たに供給された冷媒も底壁22の熱で沸騰して、前の気泡に加わってゆき、これにより気泡Kの大きさが増大していく。
この冷却装置1において最も温度が上昇しやすい部位は、溝部20の底壁(冷却プレート2)である。半導体素子5からの発熱量が増大すると、まずこの溝部20の底壁22で冷媒が沸騰し始め、底壁22の界面に気泡Kが発生する。
気泡Kが発生すると、溝部20に働く毛細管現象により、気泡Kが発生した界面に向けて冷媒が供給される。この新たに供給された冷媒も底壁22の熱で沸騰して、前の気泡に加わってゆき、これにより気泡Kの大きさが増大していく。
気泡Kが所定サイズまで大きくなると、その気泡は基部12から上のスリット15の領域に顔を出して、冷媒通路4の長手方向にスリット15を通過する冷媒の流れに臨む。こうして、気泡Kの冷媒流れに臨んだ部分は冷媒の流速により溝部20から剥ぎ取られて、冷媒とともに冷媒出口OUT方向へ流れていく。
以上の一連の作動が繰り返されることにより、温度が最も上昇しやすい部位で発生した気泡が成長したまま滞留することがないから、膜沸騰に至ってバーンアウト状態となることなく核沸騰状態を維持する。
以上の一連の作動が繰り返されることにより、温度が最も上昇しやすい部位で発生した気泡が成長したまま滞留することがないから、膜沸騰に至ってバーンアウト状態となることなく核沸騰状態を維持する。
本実施例の冷却装置1は以上のように構成され、一方の面が冷媒通路4に臨み、他方の面に発熱体としての半導体素子5が接合される冷却プレート2を備え、冷却プレート2の冷媒通路4に臨む面に板状フィン10を設けるとともに、板状フィン10の間に、冷媒通路4を横切って延びるとともに冷媒の毛細管現象を生じさせる幅の溝部20を冷媒の流れ方向に対して垂直に形成したので、冷却プレート2と気泡Kの界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給され、核沸騰状態を維持する。これにより、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、半導体素子5回りが効率よく冷却される。
とくに、板状フィン10は、冷媒通路4を横切る方向に延びる基部12と基部から櫛歯状に延びるピン14とからなるものを冷媒の流れ方向に複数並べたので、隣接する板状フィン10の基部12間をそのまま溝部20とすることができる。
次に、第2の実施例について説明する。これは、板状フィンをその上端が冷媒入口IN寄りとなるように傾斜させたものである。
図5は第2の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図である。図6はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図5の(a)は(b)におけるD−D部断面に相当する。横断面図は図2と同様であるため省略する。
冷却装置1Aは、冷却プレート2と、この冷却プレート2に結合されて冷媒通路4を形成するカバー3とからなる。
冷却プレート2から一体に立ち上がる板状フィン10Aは、第1の実施例の板状フィン10と同様に、基部12Aよりも上側にスリット15が形成されて多数のピン14Aを有する櫛歯状となっている。
図5は第2の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図である。図6はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図5の(a)は(b)におけるD−D部断面に相当する。横断面図は図2と同様であるため省略する。
冷却装置1Aは、冷却プレート2と、この冷却プレート2に結合されて冷媒通路4を形成するカバー3とからなる。
冷却プレート2から一体に立ち上がる板状フィン10Aは、第1の実施例の板状フィン10と同様に、基部12Aよりも上側にスリット15が形成されて多数のピン14Aを有する櫛歯状となっている。
板状フィン10Aの各ピン14Aは正方形断面を有し、スリット15はピン14Aの幅寸法と同等レベルの幅を有している。基部12Aの高さは0.5〜1.0mmとしてある。
この板状フィン10Aが0.5mm以下の間隔で冷媒通路4の長手方向に複数枚が配置され、冷媒通路4を長手方向に見たとき、各板状フィン10Aのピン14Aは整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
隣接する板状フィン10Aの基部12Aが、当該部位の冷却プレート2を底壁22とする溝部20Aを形成している。
この板状フィン10Aが0.5mm以下の間隔で冷媒通路4の長手方向に複数枚が配置され、冷媒通路4を長手方向に見たとき、各板状フィン10Aのピン14Aは整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
隣接する板状フィン10Aの基部12Aが、当該部位の冷却プレート2を底壁22とする溝部20Aを形成している。
図6の上面図において、各板状フィン10Aは冷媒通路4の長手方向に対して直角であるが、図5の縦断面図においては、ピン14Aの上側が冷媒入口IN側に傾斜している。板状フィン10Aの傾斜角度α(図7参照)は30°以内が好ましい。
図7は縦断面の一部を示す部分拡大図である。個々の板状フィン10Aのスリットの底壁17(基部の上面)およびピン14Aの頂壁16は冷却プレート2と平行となっている。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
図7は縦断面の一部を示す部分拡大図である。個々の板状フィン10Aのスリットの底壁17(基部の上面)およびピン14Aの頂壁16は冷却プレート2と平行となっている。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
本実施例の冷却装置1Aは以上のように構成され、一方の面が冷媒通路4に臨み、他方の面に半導体素子5が接合される冷却プレート2を備え、冷却プレート2の冷媒通路4に臨む面に板状フィン10Aを設けるとともに、板状フィン10Aの間に冷媒の毛細管現象を生じる幅の溝部20Aを冷媒通路を横切る方向に延ばして設けたので、溝部20Aの底壁22に発生する気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給され、核沸騰状態を維持する。これにより、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、、半導体素子5回りが効率よく冷却される。
とくに、板状フィン10Aは、冷媒通路4を横切る方向に延びる基部12Aと基部から櫛歯状に延びるピン14Aとからなるものを冷媒の流れ方向に複数並べたので、隣接する板状フィン10Aの基部12A間をそのまま溝部20Aとすることができる。
そして、板状フィン10Aが冷媒入口IN側に傾斜しているので、板状フィンの基部12Aで形成される溝部20Aが冷媒入口IN側に傾いて開口することになり、冷媒が溝部20A内に入りやすくなる結果、毛細管現象による供給に加えて、冷媒が冷却プレート2と気泡の界面に多量に供給されて、冷却性能が一層向上する。
そして、板状フィン10Aが冷媒入口IN側に傾斜しているので、板状フィンの基部12Aで形成される溝部20Aが冷媒入口IN側に傾いて開口することになり、冷媒が溝部20A内に入りやすくなる結果、毛細管現象による供給に加えて、冷媒が冷却プレート2と気泡の界面に多量に供給されて、冷却性能が一層向上する。
次に、第3の実施例について説明する。
図8は第3の実施例の構成を示し、(a)は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、(b)は(a)におけるE−E部断面図である。図9はカバーを取外して示す斜視図であり、図10は図8の(a)の部分拡大図である。
この実施例の冷却装置1Bは、板状フィンを縦断面図上冷却プレートから垂直に立ち上げた上で、上面図において冷媒通路の長手方向に対して直角の位置から所定角度だけ傾斜させて配置したものである。
図8は第3の実施例の構成を示し、(a)は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、(b)は(a)におけるE−E部断面図である。図9はカバーを取外して示す斜視図であり、図10は図8の(a)の部分拡大図である。
この実施例の冷却装置1Bは、板状フィンを縦断面図上冷却プレートから垂直に立ち上げた上で、上面図において冷媒通路の長手方向に対して直角の位置から所定角度だけ傾斜させて配置したものである。
冷却装置1Bは、冷却プレート2と、この冷却プレート2に結合されて冷媒通路を形成するカバー3とからなる。
ここでは、板状フィン10Bが冷媒通路4を斜めに横切るように、すなわち、とくに図8の(a)の上面図に示すように、冷媒入口INに向かって板状フィン10Bの左側が冷媒の流れ方向Rに対して上流側に、右側が下流側になるように傾斜させてある。
上面図における板状フィン10Bの傾斜角度βは30°以内が好ましい。
ここでは、板状フィン10Bが冷媒通路4を斜めに横切るように、すなわち、とくに図8の(a)の上面図に示すように、冷媒入口INに向かって板状フィン10Bの左側が冷媒の流れ方向Rに対して上流側に、右側が下流側になるように傾斜させてある。
上面図における板状フィン10Bの傾斜角度βは30°以内が好ましい。
冷却プレート2から一体に立ち上がる板状フィン10Bは、第1の実施例の板状フィン10と同様に、基部12Bよりも上側にスリット15が形成されて多数のピン14Bを有する櫛歯状となっている。基部12Bの高さは0.5〜1.0mmとしてある。
各ピン14Bは、図10に示すように、上記傾斜に対応したひし形断面を有し、スリット15はピン14Bの幅寸法と同じ幅を有している。したがって、図8の(b)に示すように、冷媒通路4の長手方向に見たとき各板状フィン10Bのピン14Bは整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
互いに隣接する板状フィン10B間の間隔dは0.5mm以下に設定されている。
各ピン14Bは、図10に示すように、上記傾斜に対応したひし形断面を有し、スリット15はピン14Bの幅寸法と同じ幅を有している。したがって、図8の(b)に示すように、冷媒通路4の長手方向に見たとき各板状フィン10Bのピン14Bは整合して重なっており、スリット15も同様に重なっている。
互いに隣接する板状フィン10B間の間隔dは0.5mm以下に設定されている。
なお、板状フィン群のうち冷媒入口INに面する先頭の板状フィン10Baの前面は冷媒流れに対して垂直となるように、図8の(a)に示す線xにそって削がれており、冷媒出口OUTに面する最後尾の板状フィン10Bbの後面も同様に、冷媒流れに対して垂直となるように線yにそって削がれている。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
本実施例の冷却装置1Bは以上のように構成され、一方の面が冷媒通路4に臨み、他方の面に半導体素子5が接合される冷却プレート2を備え、冷却プレート2の冷媒通路4に臨む面に板状フィン10Bを設けるとともに、板状フィン10Bの間に冷媒の毛細管現象を生じる幅の溝部20Bを冷媒通路4を横切る方向に延ばして設けたので、冷却プレート2と気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給され、核沸騰状態を維持する。これにより、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、半導体素子回りが効率よく冷却される。
とくに、板状フィン10Bは、冷媒通路4を横切る方向に延びる基部12Bと基部から櫛歯状に延びるピン14Bとからなるものを冷媒の流れ方向に複数並べたので、隣接する板状フィン10Bの基部12B間をそのまま溝部20Bとすることができる。
そして、各板状フィン10Bが冷媒通路4を斜めに横切るように配置してあるので、冷媒通路4の長手方向に隣接するピン14B間の間隙が、スリットを通過する冷媒の流れ方向に対して斜めに開口する形となって、図10に矢示Rで示すように、冷媒を取り込みやすい。これにより、毛細管現象による供給に加えて、冷媒が冷媒通路4を斜めに横切る方向に供給されやすくなり、一層冷却性能が向上する。
そして、各板状フィン10Bが冷媒通路4を斜めに横切るように配置してあるので、冷媒通路4の長手方向に隣接するピン14B間の間隙が、スリットを通過する冷媒の流れ方向に対して斜めに開口する形となって、図10に矢示Rで示すように、冷媒を取り込みやすい。これにより、毛細管現象による供給に加えて、冷媒が冷媒通路4を斜めに横切る方向に供給されやすくなり、一層冷却性能が向上する。
次に、第4の実施例について説明する。これは溝部を冷却プレートに形成したものである。
図11は第4の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は(a)におけるF−F部断面図である。また図12は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、図13はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図11の(a)は図12におけるG−G部断面に相当する。
冷却装置1Cは、冷却プレート2Cと、この冷却プレート2Cに結合されて冷媒通路4を形成するカバー3Cとからなる。
図11は第4の実施例の構成を示し、(a)は縦断面図、(b)は(a)におけるF−F部断面図である。また図12は冷媒通路のカバーを取外して示す上面図、図13はカバーを取外して示す斜視図である。なお、図11の(a)は図12におけるG−G部断面に相当する。
冷却装置1Cは、冷却プレート2Cと、この冷却プレート2Cに結合されて冷媒通路4を形成するカバー3Cとからなる。
冷媒通路4は横断面が4角形である。
冷却プレート2Cの冷媒通路4に臨む面(半導体素子8が接合される冷却面Sと反対側の面)には、長手方向(冷媒の流れ方向)両端の冷媒入口INと冷媒出口OUTの領域を除いて、0.5〜1mm角の柱状のピンフィン14Cが立ち上がっている。ピンフィン14Cは冷却プレート2Cと一体であり、削り出しあるいは鋳造により形成される。
冷却プレート2Cの冷媒通路4に臨む面(半導体素子8が接合される冷却面Sと反対側の面)には、長手方向(冷媒の流れ方向)両端の冷媒入口INと冷媒出口OUTの領域を除いて、0.5〜1mm角の柱状のピンフィン14Cが立ち上がっている。ピンフィン14Cは冷却プレート2Cと一体であり、削り出しあるいは鋳造により形成される。
ピンフィン14Cは、冷媒通路4を直角に横切る方向に一直線上に等間隔で整列したフィン群11を形成しており、同一配置の複数のフィン群11が冷媒の流れ方向に等間隔で並べられている。そして、冷媒通路4の長手方向に見たとき各列(フィン群)のピンフィン14Cはそれぞれ整合して重なっている。
冷却プレート2Cの冷媒通路4に臨む面には、隣接するフィン群11に挟まれた各部位に、冷媒の毛細管現象を発生させ得る値として0.5mm以下の溝幅を有する溝部20Cが形成されている。溝部20Cは0.5〜1.0mmの深さで、フィン群11と同じく冷媒通路4を直角に横切る。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
冷却プレート2Cの冷媒通路4に臨む面には、隣接するフィン群11に挟まれた各部位に、冷媒の毛細管現象を発生させ得る値として0.5mm以下の溝幅を有する溝部20Cが形成されている。溝部20Cは0.5〜1.0mmの深さで、フィン群11と同じく冷媒通路4を直角に横切る。
その他の構成は第1の実施例と同じである。
この実施例でも、最も温度が上昇しやすい部位は、溝部20Cの底壁22である。半導体素子5からの発熱量が増大すると、まずこの溝部20Cの底壁22で冷媒が沸騰し始め、底壁の界面に気泡が発生する。
気泡が成長して冷却プレート2Cの表面に顔を出すと、フィンピン14C間のスリットを通過して流れる冷媒の流速により溝部20Cから剥ぎ取られていく一方で、溝部20Cに働く毛細管現象により、気泡が発生した界面に向けて冷媒が供給される。
気泡が成長して冷却プレート2Cの表面に顔を出すと、フィンピン14C間のスリットを通過して流れる冷媒の流速により溝部20Cから剥ぎ取られていく一方で、溝部20Cに働く毛細管現象により、気泡が発生した界面に向けて冷媒が供給される。
本実施例の冷却装置1Cは以上のように構成され、冷媒通路4を横切る方向に整列した柱状のピンフィン14Cで形成したフィン群11を冷媒の流れ方向に並べるとともに、隣接するフィン群11に挟まれた部位の冷却プレート2Cに溝部20Cを形成して冷媒通路4を横切る方向に延びるものとしたので、第1〜第3の実施例と同様に、冷却プレート2Cの溝部の底壁22と気泡の界面に毛細管現象で冷媒が継続的に供給され、核沸騰状態を維持する。これにより、バーンアウト状態となることを極力抑制することができるため、半導体素子5回りが効率よく冷却される。
なお、各実施例では、冷媒通路が発明における冷媒の流路に該当する。
以上、各実施例について説明したが、本発明は図示の実施例に限定されることなく、本発明の効果を奏する範囲において、フィンやそのピンの数、サイズ、あるいは形状を適宜変更することができ、また各実施例を組み合わせることができる。
例えば、第1〜第3の実施例における板状フィンの配置について、個々の実施例だけに限定されず、各実施例の配置を適宜選択的に組み合わせることができる。
以上、各実施例について説明したが、本発明は図示の実施例に限定されることなく、本発明の効果を奏する範囲において、フィンやそのピンの数、サイズ、あるいは形状を適宜変更することができ、また各実施例を組み合わせることができる。
例えば、第1〜第3の実施例における板状フィンの配置について、個々の実施例だけに限定されず、各実施例の配置を適宜選択的に組み合わせることができる。
また、第4の実施例ではフィン群および溝部を冷媒通路に対して直角に横切るように配置したが、第2の実施例と同様に、フィン群のピンフィンを冷媒入口IN側に傾斜させてもよく、また第3の実施例のように、フィン群を冷媒通路に対して斜めに横切るように配置してもよい。
さらにはこれらを選択的に組み合わせてもよい。
さらにはこれらを選択的に組み合わせてもよい。
各実施例では板状フィンやピンフィンを冷却プレートと一体に形成するものとしたが、別体のフィンを鋳込みや圧入等により冷却プレートに固定するようにしてもよい。この場合、フィンと冷却プレートの材質は、いずれも熱伝導率の高い金属が望ましいが、必ずしも互いに同一でなくてもよい。
1、1A、1B、1C 冷却装置
2、2C 冷却プレート
3、3C カバー
4 冷媒通路
5 半導体素子
6 絶縁板
10、10A、10B 板状フィン
11 フィン群
12、12A、12B 基部
14、14A、14B ピン
14C ピンフィン
15 スリット
16 頂壁
17 底壁
20、20A、20B、20C 溝部
22 底壁
IN 冷媒入口
K 気泡
OUT 冷媒出口
S 冷却面
2、2C 冷却プレート
3、3C カバー
4 冷媒通路
5 半導体素子
6 絶縁板
10、10A、10B 板状フィン
11 フィン群
12、12A、12B 基部
14、14A、14B ピン
14C ピンフィン
15 スリット
16 頂壁
17 底壁
20、20A、20B、20C 溝部
22 底壁
IN 冷媒入口
K 気泡
OUT 冷媒出口
S 冷却面
Claims (8)
- 一方の面が冷媒の流路に臨み、他方の面に発熱体が接合される冷却プレートを備え、
冷却プレートの前記一方の面に複数のフィンを設けるとともに、該フィンの間に冷媒の毛細管現象を生じさせる幅で前記冷媒の流路を横切る方向に延びる溝部を設けたことを特徴とする冷却装置。 - 前記フィンが冷媒の流れ方向に対して直角に横切るように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の冷却装置。
- 前記フィンが冷媒の流れ方向に対して斜めに横切るように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の冷却装置。
- 前記フィンが冷却プレートに対して垂直に配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1に記載の冷却装置。
- 前記フィンが冷媒の流れの上流側へ傾斜させて配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1に記載の冷却装置。
- 前記フィンが、前記冷媒の流路を横切る方向に延びる基部と該基部から櫛歯状に延びる柱状のピンとからなる板状フィンであって、複数の板状フィンが冷媒の流れ方向に並べられ、
隣接する前記板状フィンの基部間が前記溝部を形成していることを特徴とする請求項1から5のいずれか1に記載の冷却装置。 - 前記フィンが柱状のピンフィンを前記冷媒の流路を横切る方向に整列させたピンフィン群であり、複数の前記ピンフィン群が冷媒の流れ方向に並べられ、
冷却プレートの前記一方の面における、隣接する前記ピンフィン群に挟まれた部位に前記溝部が形成してあることを特徴とする請求項1から5のいずれか1に記載の冷却装置。 - 前記溝部の溝幅が0.5mm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれか1に記載の冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008012739A JP2009176881A (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008012739A JP2009176881A (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009176881A true JP2009176881A (ja) | 2009-08-06 |
Family
ID=41031686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008012739A Pending JP2009176881A (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009176881A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013180250A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 |
WO2014049805A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社 日立製作所 | 冷却システム、及びそれを用いた電気機器 |
JP5718814B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-05-13 | 株式会社Uacj | ヒートシンク |
WO2015167398A1 (en) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | National University Of Singapore | Device and method for a two phase heat transfer |
JP2016004806A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 昭和電工株式会社 | 液冷式冷却装置 |
US9536996B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Apparatus and method of manufacturing a support layer |
JPWO2021186891A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 |
-
2008
- 2008-01-23 JP JP2008012739A patent/JP2009176881A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5718814B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-05-13 | 株式会社Uacj | ヒートシンク |
JPWO2013180250A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-01-21 | 京セラ株式会社 | 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 |
US20150137442A1 (en) * | 2012-05-30 | 2015-05-21 | Kyocera Corporation | Flow path member, and heat exchanger and semiconductor manufacturing apparatus using same |
WO2013180250A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体製造装置 |
EP2857786A4 (en) * | 2012-05-30 | 2016-02-24 | Kyocera Corp | FLOW PATH AND HEAT EXCHANGE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURER THEREFORE |
US10627173B2 (en) | 2012-05-30 | 2020-04-21 | Kyocera Corporation | Flow path member, and heat exchanger and semiconductor manufacturing apparatus using same |
WO2014049805A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社 日立製作所 | 冷却システム、及びそれを用いた電気機器 |
JPWO2014049805A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-22 | 株式会社日立製作所 | 冷却システム、及びそれを用いた電気機器 |
WO2015167398A1 (en) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | National University Of Singapore | Device and method for a two phase heat transfer |
JP2016004806A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 昭和電工株式会社 | 液冷式冷却装置 |
US9536996B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-01-03 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Apparatus and method of manufacturing a support layer |
JPWO2021186891A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | ||
WO2021186891A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
JP7205662B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-01-17 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107615479B (zh) | 液冷冷却器中的散热翅片的制造方法 | |
JP2009176881A (ja) | 冷却装置 | |
JP5900507B2 (ja) | 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール | |
JP6093186B2 (ja) | 半導体モジュール用冷却器 | |
JP6462737B2 (ja) | ヒートシンク | |
JP2007096306A (ja) | ヒートシンク | |
JP5955651B2 (ja) | ヒートシンク及びヒートシンク製造方法 | |
JP2016004828A (ja) | 液冷式冷却装置 | |
JP2008294279A (ja) | 半導体装置 | |
JP6138197B2 (ja) | 液冷冷却器、及び液冷冷却器に於ける放熱フィンの製造方法 | |
JP2008091700A (ja) | 半導体装置 | |
JP5498135B2 (ja) | ヒートシンク | |
JP2012060002A (ja) | 半導体素子の冷却構造 | |
JP2008193007A (ja) | アルミ押出形材製ヒートシンク | |
JP7195542B2 (ja) | 冷却器、半導体モジュール | |
JP2014045134A (ja) | 流路部材およびこれを用いた熱交換器ならびに半導体装置 | |
JP4135960B2 (ja) | ヒートシンク冷却装置 | |
JP2012182411A (ja) | 発熱体冷却装置および発熱体冷却方法 | |
JP2005079349A (ja) | ルーバー付きヒートシンク | |
JP2006278735A (ja) | 冷却装置 | |
JP5251916B2 (ja) | 電子機器の冷却器 | |
JP5839386B2 (ja) | ヒートシンク | |
JP2017069522A (ja) | コールドプレート | |
JP2016086018A (ja) | ヒートシンク | |
JP7106013B2 (ja) | ヒートシンクおよび半導体モジュール |