JP2009170850A - プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】寿命が長く、かつ、ダストの発生し難いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置1はプラズマと接触する保護部材14を有している。保護部材14の表面にはイットリアを主成分とする保護層18が露出しており、保護層18はプラズマにエッチングされず、基体16が保護される。保護層18と基体16の間には下地層17が配置されている。下地層17を構成する下地材料は熱膨張係数がイットリアとアルミニウムの中間にあるため、熱膨張や熱収縮がおこっても、保護層18が基体16上から剥離されない。
【選択図】図3
Description
プラズマ化したガスは活性が高いため、真空槽の内壁面が化学的に変性したり、エッチング(エロージョン)されることがある。このようなダメージは、真空槽の寿命が短くなるだけでなく、ダスト(粉塵)発生の要因となり、処理対象物が汚染されやすい。そのため、防着板のように、真空槽の内壁面を保護する保護部材が従来より用いられている。
本発明はプラズマ処理装置であって、前記下地材料はフッ化アルミニウムであるプラズマ処理装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽の内部雰囲気にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを有し、前記真空槽の前記内部雰囲気には保護部材が露出し、前記保護部材が前記プラズマと接触するプラズマ処理装置の製造方法であって、アルミニウムを主成分とする基体の表面を、化学構造中にフッ素原子を有するフッ化ガスのプラズマに曝して下地層を形成した後、前記下地層の表面にイットリアを主成分とする保護層を形成して前記保護部材を形成するプラズマ処理装置の製造方法。
真空槽10には真空排気系19が接続されており、真空排気系19により、真空槽10の内部雰囲気を真空排気し、真空雰囲気を形成した後、エッチングガスを導入しながら、各高周波電極30に高周波電圧を印加すると、各貫通孔22内でエッチングガスのプラズマが生成される。
真空排気を続けながら、ガス導入系28により、化学構造中にフッ素原子を含有するフッ素系ガスをエッチングガスとして各貫通孔22内に導入し、各高周波電極30と電極支持アース12との間に、高周波電圧を印加して放電を発生させると、各貫通孔22内でエッチングガスがプラズマ化し、プラズマ化したエッチングガスが貫通孔22の下端から容器本体11内部に放出され、基板7表面上に到達する。
基板7表面には、SiO2等フッ素系ガスのプラズマでエッチングされる処理対象物が露出しており、プラズマが基板7表面上に到達すると、処理対象物がエッチング除去される。
第一例のプラズマ処理装置1は防着板15を有しており、防着板15は真空槽10の内部の基板7周囲に配置され、基板7表面上の空間は防着板15で取り囲まれている。
フッ化ガスは、CF4と、CHF3と、NF3と、SF6とからなるフッ素系ガス群より選択される少なくとも1種以上のフッ素系ガスを用いることができる。
保護層18の成膜方法は特に限定されないが、燃焼又は電気エネルギーを用いて、溶融又はそれに近い状態にしたイットリア粒子を、下地層17表面に吹き付ける溶射法にて成膜することができる。
溶射法は、フレーム溶射、爆発溶射等のガス式溶射、アーク溶射、プラズマ溶射、線爆溶射、レーザ溶射等の電気式溶射を用いることができる。
アルミナと、窒化アルミニウム(AlN)と、炭化ケイ素(SiC)と、イットリアと、石英の各材料をエッチングし、エッチング速度を求めた。尚、各材料は、主成分純度が95%以上のものを用いた。エッチング条件を下記に示す。
ガス流量(単位sccm):Ar/SF6/CHF3=100/10/150
アンテナパワー:2500W
バイアスパワー:1500W
温度:10℃
エッチング時間:1時間
尚、アンテナパワーは高周波電極30への印加電力のことであり、バイアスパワーは下部電極40への印加電力のことである。
上記保護層材料の中から、エッチング速度が遅いという点に着目して、アルミナ(アルピカと硬質アルマイトの二種類)と、イットリアを選択した。尚、「アルピカ」は封孔処理アルミナの登録商標である。
アルミニウムからなる基体16の表面にイットリア膜を成膜した保護部材を実施例1とし、イットリア膜に代え、アルピカと硬質アルマイトをそれぞれ形成したものを比較例1、2とした。
50時間放電後のSEM写真を図4に示す。尚、図4の(a)〜(c)のSEM写真は、倍率がそれぞれ300倍、1000倍、5000倍である。図4から、放電後には、比較例1の防着板表面にパーティクルが形成されていることが分かる。50時間放電後の元素質量濃度と原子数濃度を下記表1にそれぞれ示す。
放電前のSEM写真を図5に示し、50時間放電後のSEM写真を図6に示し、100時間放電後のSEM写真を図7に示す。尚、図5(a)〜(c)と、図6(a)〜(c)のSEM写真は、倍率がそれぞれ300倍、1000倍、5000倍であり、図7のSEM写真の倍率は5000倍である。
放電前のSEM写真を図8に示し、50時間放電後のSEM写真を図9に示し、100時間放電後のSEM写真を図10に、200時間放電後のSEM写真を図11に示す。尚、図8(a)〜(c)と、図9(a)〜(c)と、図11(a)〜(c)のSEM写真は、倍率がそれぞれ300倍、1000倍、5000倍であり、図10のSEM写真の倍率は5000倍である。
Claims (3)
- 真空槽と、前記真空槽の内部雰囲気にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを有するプラズマ処理装置であって、
前記真空槽の前記内部雰囲気に露出し、前記プラズマと接触する保護部材は、基体と、前記基体表面に配置された下地層と、前記下地層表面に配置された保護層とを有し、
前記基体はアルミニウムを主成分とし、
前記保護層はイットリアを主成分とし、
前記下地層は、熱膨張係数がアルミニウムよりも高く、かつ、熱膨張係数がイットリアよりも低い下地材料を主成分とするプラズマ処理装置。 - 前記下地材料はフッ化アルミニウムである請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 真空槽と、前記真空槽の内部雰囲気にプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを有し、
前記真空槽の前記内部雰囲気には保護部材が露出し、前記保護部材が前記プラズマと接触するプラズマ処理装置の製造方法であって、
アルミニウムを主成分とする基体の表面を、化学構造中にフッ素原子を有するフッ化ガスのプラズマに曝して下地層を形成した後、
前記下地層の表面にイットリアを主成分とする保護層を形成して前記保護部材を形成するプラズマ処理装置の製造方法。
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- 2008-01-21 JP JP2008010496A patent/JP5069137B2/ja active Active
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