JP2009170792A - 露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】チャンバの小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】露光装置は、光学素子が収容された第2チャンバ18と、第2チャンバ18のZ方向側に配置されたレチクルステージ14とを備えている。第2チャンバ18のZ方向側の側面には、露光光ELをレチクルRに向けて射出させるための第2開口部21が形成されている。また、第2チャンバ18とレチクルステージ14との間には、第1維持装置36Aが設けられている。第1維持装置36Aは、第2チャンバ18に取着されたリング磁石40A及び各磁性部材41A,42Aに保持された磁性流体を含む包囲部43A,44Aを備えている。これら各包囲部43A,44Aにより、第2開口部21からレチクルRに向けて射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気は、第2チャンバ18内と同一雰囲気に維持される。
【選択図】図2
【解決手段】露光装置は、光学素子が収容された第2チャンバ18と、第2チャンバ18のZ方向側に配置されたレチクルステージ14とを備えている。第2チャンバ18のZ方向側の側面には、露光光ELをレチクルRに向けて射出させるための第2開口部21が形成されている。また、第2チャンバ18とレチクルステージ14との間には、第1維持装置36Aが設けられている。第1維持装置36Aは、第2チャンバ18に取着されたリング磁石40A及び各磁性部材41A,42Aに保持された磁性流体を含む包囲部43A,44Aを備えている。これら各包囲部43A,44Aにより、第2開口部21からレチクルRに向けて射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気は、第2チャンバ18内と同一雰囲気に維持される。
【選択図】図2
Description
本発明は、リソグラフィ工程などに用いられる露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを照射するための照明光学系と、該照明光学系がマスクを照射することにより形成されたパターン像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影するための投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターン像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、EUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光として使用するEUV露光装置の開発が行われている。
ところで、現在、EUV露光装置に搭載される照明光学系及び投影光学系は、反射型の光学素子にてそれぞれ構成されている。また、マスクについても反射型のマスクが採用される。さらに、EUV光は、殆どの物質に吸収されることから、EUV露光装置は、内部が真空雰囲気に設定されたチャンバ内に設置されていた(例えば特許文献1参照)。
特開2005−276932号公報
しかしながら、EUV露光装置全体をチャンバ内に設置する構成では、装置全体が大型化すると共に、比較的大きな真空ポンプを使用しなければならない問題があった。また、EUV露光装置のメンテナンスは、チャンバ内の真空雰囲気を一旦解消してから行わなければならず、また、メンテナンス終了後には、チャンバ内を再び真空雰囲気にする必要がある。したがって、EUV露光装置のメンテナンスには、多大な労力や時間がかかってしまう問題もあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、チャンバの小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図1〜図10に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置は、光源(12)から射出された光(EL)が被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)を照射することにより、感光性材料が塗布された基板(W)にパターン像を転写する露光装置(11)であって、前記光(EL)の光路である開口部(21,24)が前記被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)に対向する位置に配置されたチャンバ(18)と、該チャンバ(18)と前記被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)との間に配置され、磁力発生部(40A,41A,42A、40B,41B,42B)に保持される磁性流体を含む少なくとも1つの包囲部(43A,44A、43B,44B)により前記チャンバ(18)内の雰囲気を維持する維持装置(36A、36B)とを備えたことを要旨とする。
本発明の露光装置は、光源(12)から射出された光(EL)が被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)を照射することにより、感光性材料が塗布された基板(W)にパターン像を転写する露光装置(11)であって、前記光(EL)の光路である開口部(21,24)が前記被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)に対向する位置に配置されたチャンバ(18)と、該チャンバ(18)と前記被照射面(26,31,29,34,Ra,Wa)との間に配置され、磁力発生部(40A,41A,42A、40B,41B,42B)に保持される磁性流体を含む少なくとも1つの包囲部(43A,44A、43B,44B)により前記チャンバ(18)内の雰囲気を維持する維持装置(36A、36B)とを備えたことを要旨とする。
上記構成によれば、チャンバと被照射面との間には、磁力発生部材に保持される磁性流体を含む包囲部が形成されており、該包囲部によりチャンバ内の雰囲気の維持が図られている。すなわち、本発明の露光装置は、装置の一部分のみがチャンバ内に収容された構成であるため、装置全体がチャンバ内に収容される従来の構成に比してチャンバを小型化することができる。また、チャンバの外部に配置された部分のメンテナンスは、チャンバ内の雰囲気を維持した状態で実行できる。したがって、チャンバの小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明によれば、チャンバの小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる。
以下に、本発明を具体化した一実施形態について図1〜図8に基づき説明する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が「5nm〜100nm」程度の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。この露光装置11は、露光光源12と、照明光学系13と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ14と、投影光学系15と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ16とを備えている。なお、本実施形態の露光光源12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が「5〜20nm(例えば13.5nm)」となるEUV光を射出する。
図1に示すように、本実施形態の露光装置11は、波長が「5nm〜100nm」程度の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いるEUV露光装置である。この露光装置11は、露光光源12と、照明光学系13と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを保持するレチクルステージ14と、投影光学系15と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを保持するウエハステージ16とを備えている。なお、本実施形態の露光光源12としては、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源は、波長が「5〜20nm(例えば13.5nm)」となるEUV光を射出する。
また、露光装置11には、露光光源12のY方向側(図1における右側)に配置された第1チャンバ17と、該第1チャンバ17のY方向側に配置され、第1チャンバ17内と内部が連通する第2チャンバ18と、各チャンバ17,18内を真空雰囲気にするための真空ポンプ19とが設けられている。そして、照明光学系13は第1チャンバ17内に収容されると共に、投影光学系15は第2チャンバ18内に収容されている。その一方で、レチクルステージ14は、各チャンバ17,18の外部であって且つ第2チャンバ18のZ方向側(図1における上側)に配置されると共に、ウエハステージ16は、各チャンバ17,18の外部であって且つ第2チャンバ18の反Z方向側(図1における下側)に配置されている。
第1チャンバ17における露光光源12側の側面には、該露光光源12から出力された露光光ELを内部に入射させるための図示しない入射用開口部が形成されている。また、第1チャンバ17における第2チャンバ18側の側面には、露光光ELを第1チャンバ17外に射出させるための図示しない射出用開口部が形成されている。すなわち、入射用開口部を介して第1チャンバ17内に入射した露光光ELは、照明光学系13を構成する図示しない反射型の光学素子に反射され、射出用開口部から第1チャンバ17外に射出される。なお、本実施形態の露光装置11は、露光光源12から第1チャンバ17までの露光光ELの光路が真空雰囲気となるように構成されている。
第2チャンバ18における第1チャンバ17側の側面には、第1チャンバ17の射出用開口部から射出された露光光ELを第2チャンバ18内に入射させるための第1開口部20が形成されている。また、第2チャンバ18におけるレチクルステージ14側の側面には、開口形状が略円形状をなす第2開口部21が形成されている。また、第2チャンバ18内における第2開口部21近傍には、第2開口部21を開閉させるための開閉装置22が設けられている。この開閉装置22の駆動に基づき第2開口部21が開状態である場合、第1開口部20を介して第2チャンバ18内に入射した露光光ELは、第2チャンバ18内に収容された折り返し用の反射ミラー23により第2開口部21側に導かれ、該第2開口部21から射出されてレチクルRのパターン面Raを照射する。そして、レチクルRのパターン面Raに反射された露光光ELは、第2開口部21を介して再び第2チャンバ18内に入射する。
第2チャンバ18におけるウエハW側の側面には、開口形状が略円形状をなす第3開口部24が形成されている。また、第2チャンバ18内における第3開口部24近傍には、第3開口部24を開閉させるための開閉装置25が設けられている。この開閉装置25の駆動に基づき第3開口部24が開状態である場合、第2開口部21を介して第2チャンバ18内に入射した露光光ELは、投影光学系15を構成する図示しない複数枚(例えば6枚)の反射型の光学素子に順番に反射されて第3開口部24から射出される。そして、この露光光ELがウエハWの被照射面Waを照射することにより、該被照射面Wa上には、レチクルR上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影転写される。
レチクルステージ14は、レチクルRを保持するための保持面26を有するレチクルホルダ27と、該レチクルホルダ27をY方向に所定ストロークで移動させるための移動機構28とを備えている。レチクルホルダ27には、レチクルRを真空吸着するための図示しない真空チャックが設けられている。また、レチクルホルダ27における保持面26のY方向側及び反Y方向側には、保持面26に保持されたレチクルRのパターン面Raと略面一となる退避時被照射面29がそれぞれ形成されている。なお、略面一とは、真に面一であることだけではなく、ほぼ同一平面上であることも含む。また、レチクルホルダ27の保持面26及び退避時被照射面29は、純鉄や珪素鋼板などの軟質磁性材料にてそれぞれ形成されている。
また、移動機構28は、レチクルホルダ27に保持されたレチクルRをX方向、Z方向、θy方向(即ち、Y軸周りの回転方向)、θx方向(即ち、X軸周りの回転方向)及びθz方向(即ち、Z軸周りの回転方向)にも微少量だけ移動させることが可能である。なお、本実施形態のレチクルRは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄板、該薄板の表面側に形成された反射層及び該反射層上に形成された吸収層を備え、該吸収層に上記パターンが形成されている。
ウエハステージ16は、図示しない気体静圧軸受などにより、XY平面に沿って配置されたウエハステージベース30上で浮上した状態で配置されている。このようなウエハステージ16は、ウエハWを保持するための保持面31を有するウエハホルダ32と、該ウエハホルダ32をY方向に所定ストロークで移動させるための移動機構33とを備えている。ウエハホルダ32には、ウエハWを真空吸着するための図示しない真空チャックが設けられている。また、ウエハホルダ32における保持面31のY方向側及び反Y方向側には、保持面31に保持されたウエハWの被照射面Waと略面一となる退避時被照射面34がそれぞれ形成されている。なお、ウエハホルダ32の保持面31及び退避時被照射面34は、純鉄や珪素鋼板などの軟質磁性材料にてそれぞれ形成されている。
また、移動機構33は、ウエハホルダ32に保持されたウエハWをX方向、Z方向、θy方向、θx方向及びθz方向にも微少量だけ移動させることが可能である。
第2チャンバ18におけるZ方向側の側面とレチクルホルダ27との間のクリアランス35a内には、第2チャンバ18外の気体が第2開口部21を介して第2チャンバ18内に流入することを規制して第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持する第1維持装置36Aが設けられている。同様に、第2チャンバ18における反Z方向側の側面とウエハホルダ32との間のクリアランス35b内には、第2チャンバ18外の気体が第3開口部24を介して第2チャンバ18内に流入することを規制して第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持するための第2維持装置36Bが設けられている。
第2チャンバ18におけるZ方向側の側面とレチクルホルダ27との間のクリアランス35a内には、第2チャンバ18外の気体が第2開口部21を介して第2チャンバ18内に流入することを規制して第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持する第1維持装置36Aが設けられている。同様に、第2チャンバ18における反Z方向側の側面とウエハホルダ32との間のクリアランス35b内には、第2チャンバ18外の気体が第3開口部24を介して第2チャンバ18内に流入することを規制して第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持するための第2維持装置36Bが設けられている。
次に、第1維持装置36Aについて図2〜図5に基づき説明する。なお、図2〜図5では、第1維持装置36Aの構成を詳細に図示するため、クリアランス35aが実際の大きさよりも大きく図示されている。
図2は、本実施形態における第1維持装置36Aの断面図である。図3は、本実施形態における第1維持装置36Aの上面図(一例として、図2におけるレチクルステージ14及びレチクルRがない状態で、図2の紙面の上側(Z方向)から見た平面図)である。
図2及び図3に示すように、第1維持装置36Aは、第2開口部21の開口形状に対応した形状のリング磁石40A(即ち、永久磁石)を備え、該リング磁石40Aは、その内郭形状が第2開口部21の開口形状よりも大きくなるように形成されている。また、リング磁石40Aは、ラジアル(即ち、放射状)方向に磁気特性を強めたリング磁石であって、その径方向内側がN極になる一方、その径方向外側がS極になるように着磁されている。そして、リング磁石40Aは、第2チャンバ18におけるZ方向側の側面に取付けられている。
リング磁石40Aの径方向内側には、外郭形状がリング磁石40Aの内郭形状と略同一になると共に内郭形状が第2開口部21の開口形状よりも大きいリング状の第1磁性部材41Aが設けられている。また、リング磁石40Aの径方向外側には、内郭形状がリング磁石40Aの外郭形状と略同一となるリング状の第2磁性部材42Aが設けられている。これら各磁性部材41A,42Aは、純鉄や珪素鋼板などの軟質磁性材料にてそれぞれ形成されており、それぞれの先端(Z方向側の端部であって、図2における上端)がリング磁石40Aの先端よりもレチクルステージ14側に配置されている。ただし、各磁性部材41A,41Bの先端は、レチクルRに当接しない。
そして、第2チャンバ18とレチクルホルダ27との間のクリアランス35a内には、図2にて破線で示すように、第2開口部21から射出された露光光ELの光路を包囲する磁界が形成される。そのため、第1磁性部材41Aの先端がN極になる一方、第2磁性部材42Aの先端がS極になる。なお、クリアランス35a内において磁界が形成された領域のことを、「磁性領域」というものとする。
上記クリアランス35a内の磁性領域には、各磁性部材41A,42Aに個別に保持される磁性流体により、互いに大きさの異なる複数(本実施形態では2つ)の包囲部43A,44Aが構成されている。具体的には、各包囲部43A,44Aのうち径方向内側に位置する第1包囲部43Aは、第1磁性部材41Aに保持される磁性流体により構成される一方、径方向外側に位置する第2包囲部44Aは、第2磁性部材42Aに保持される磁性流体により構成されている。なお、「磁性流体」とは、極めて微細な強磁性体である酸化鉄などの粉体、界面活性剤及び有機溶媒などのベース液から構成されている。このような磁性流体内では、界面活性剤が粉体同士の凝集を拒む働きをするため、粉体がベース液内で安定して分散している。
そして、レチクルRがレチクルホルダ27に保持されている場合、各包囲部43A,44Aは、レチクルRのパターン面Raにそれぞれ密接する。その一方で、レチクルRがレチクルホルダ27に保持されていない場合、図4に示すように、各包囲部43A,44Aは、レチクルホルダ27の保持面26にそれぞれ密接する。また、移動機構28の駆動に基づき保持面26がY方向や反Y方向に退避移動して退避時被照射面29が露光光ELに照射される場合、図5に示すように、各包囲部43A,44Aは、レチクルホルダ27の退避時被照射面29にそれぞれ密接する。すなわち、各包囲部43A,44Aは、第2開口部21を介して射出された露光光ELに照射される被照射領域よりも大きくなるように形成されている。
第1磁性部材41Aの径方向内側には、外郭形状が第1磁性部材41Aの内郭形状と略同一となると共に内郭形状が第2開口部21の開口形状よりも大きいリング状の第1調整部材45Aが設けられている。また、第2磁性部材42Aの径方向外側には、内郭形状が第2磁性部材42Aの外郭形状と略同一となるリング状の第2調整部材46Aが設けられている。また、リング磁石40Aの先端上には、断面略「コ」字状をなす第3調整部材47Aが設けられている。これら各調整部材45A〜47Aは、それぞれの先端が各磁性部材41A,42Aよりもレチクルステージ14側に位置するようにそれぞれ形成されている。なお、各調整部材45A〜47Aの先端は、レチクルホルダ27に保持されるレチクルRに当接しない。
第2チャンバ18のZ方向側の側面上であって且つ第1調整部材45Aの径方向内側には、図示しない電源回路から電圧が印加された場合に磁力を発生する複数(本実施形態では4つ)の電磁石48Aが周方向に沿って等間隔をおいて配設されている。同様に、第2チャンバ18におけるZ方向側の側面上であって且つ第2調整部材46Aの径方向外側には、図示しない電源回路から電圧が印加された場合に磁力を発生する複数(本実施形態では4つ)の電磁石48Aが周方向に沿って等間隔をおいて配設されている。すなわち、各電磁石48Aは、電源回路から電圧が印加された場合、例えば、レチクルステージ14の移動によってレチクルRに付着した磁性流体を吸引回収可能にそれぞれ形成されている。
次に、第2維持装置36Bについて図6〜図8に基づき説明する。なお、図6〜図8では、第2維持装置36Bの構成を詳細に図示するため、クリアランス35bが実際の大きさよりも大きく図示されている。
図6に示すように、第2維持装置36Bは、第1維持装置36Aと略同一構成を有している。すなわち、第2維持装置36Bは、第3開口部24の開口形状に対応した形状のリング磁石40Bを備え、該リング磁石40Bは、その内郭形状が第3開口部24の開口形状よりも大きくなるように形成されている。例えば、このリング磁石40Bは、その径方向内側がN極になる一方、その径方向外側がS極になるように着磁されている。そして、リング磁石40Bは、第2チャンバ18における反Z方向側の側面に取付けられている。
リング磁石40Bの径方向内側には、外郭形状がリング磁石40Bの内郭形状と略同一となると共に内郭形状が第3開口部24の開口形状よりも大きいリング状の第1磁性部材41Bが設けられている。また、リング磁石40Bの径方向外側には、内郭形状がリング磁石40Bの外郭形状と略同一となるリング状の第2磁性部材42Bが設けられている。そのため、第2チャンバ18とウエハホルダ32との間のクリアランス35b内において第3開口部24から射出された露光光ELの光路外であって且つ該光路を包囲する領域(「磁性領域」ともいう。)には、図6にて破線で示されるような磁界が形成される。このようなクリアランス35b内の磁性領域には、第1磁性部材41Bに保持される磁性流体により第1包囲部43Bが形成されると共に、第2磁性部材42Bに保持される磁性流体により第2包囲部44Bが形成されている。
そして、ウエハWがウエハホルダ32に保持されている場合、各包囲部43B,44Bは、ウエハWの被照射面Waにそれぞれ密接する。その一方で、ウエハWがウエハホルダ32に保持されていない場合、図7に示すように、各包囲部43B,44Bは、ウエハホルダ32の保持面31にそれぞれ密接する。また、移動機構33の駆動に基づき保持面31がY方向や反Y方向に退避移動して退避時被照射面34が露光光ELに照射される場合、図8に示すように、各包囲部43B,44Bは、ウエハホルダ32の退避時被照射面34にそれぞれ密接する。すなわち、各包囲部43B,44Bは、第3開口部24を介して射出された露光光ELに照射される被照射領域よりも大きくなるようにそれぞれ形成されている。
第1磁性部材41Bの径方向内側には、リング状の第1調整部材45Bが設けられると共に、第2磁性部材42Bの径方向外側には、リング状の第2調整部材46Bが設けられている。また、リング磁石40B上には、第3調整部材47Bが設けられている。これら各調整部材45B〜47Bは、それぞれの先端がウエハホルダ32に保持されるウエハWに当接しない程度に接近するようにそれぞれ形成されている。
また、第2チャンバ18の反Z方向側の側面上であって且つ第1磁性部材41Bの径方向内側には、図示しない電源回路から電圧が印加された場合に磁力を発生する複数(本実施形態では4つ)の電磁石48Bが周方向に沿って等間隔をおいて設けられている。同様に、第2チャンバ18の反Z方向側の側面上であって且つ第2磁性部材42Bの径方向外側には、図示しない電源回路から電圧が印加された場合に磁力を発生する複数(本実施形態では4つ)の電磁石48Bが周方向に沿って等間隔をおいて設けられている。すなわち、各電磁石48Bは、電源回路から電圧が印加された場合、例えば、ウエハステージ16の移動によってウエハWに付着した磁性流体を吸引回収可能にそれぞれ形成されている。
次に、各維持装置36A,36Bの作用について、移動機構28,33の駆動に基づきレチクルR及びウエハWがY方向に移動する際の作用を中心に以下説明する。
さて、レチクルRのパターン面Ra及びウエハWの被照射面Waが露光光ELに照射されている場合、レチクルRのパターン面Raにおける露光光ELの被照射領域は、各包囲部43A,44Aによって2重に包囲される。同様に、ウエハWの被照射面Waにおける露光光ELの被照射領域は、各包囲部43B,44Bによって2重に包囲される。そのため、第2開口部21からレチクルRに向けて射出された露光光EL及びレチクルRにて反射された露光光ELの各光路は、それぞれの雰囲気が第2チャンバ18内の真空雰囲気と同等になる。同様に、第3開口部24からウエハWに向けて照射された露光光ELの光路は、その雰囲気が第2チャンバ18内の雰囲気と同等になる。
さて、レチクルRのパターン面Ra及びウエハWの被照射面Waが露光光ELに照射されている場合、レチクルRのパターン面Raにおける露光光ELの被照射領域は、各包囲部43A,44Aによって2重に包囲される。同様に、ウエハWの被照射面Waにおける露光光ELの被照射領域は、各包囲部43B,44Bによって2重に包囲される。そのため、第2開口部21からレチクルRに向けて射出された露光光EL及びレチクルRにて反射された露光光ELの各光路は、それぞれの雰囲気が第2チャンバ18内の真空雰囲気と同等になる。同様に、第3開口部24からウエハWに向けて照射された露光光ELの光路は、その雰囲気が第2チャンバ18内の雰囲気と同等になる。
この状態で各移動機構28,33の駆動に基づきレチクルステージ14及びウエハステージ16が同期してY方向に移動したとする。すると、第1維持装置36Aでは、各包囲部43A,44Aを構成する磁性流体は、レチクルRのY方向への移動に関係なく、各磁性部材41A,42Aに保持され続ける。また、各調整部材45A〜47Aにより各包囲部43A,44Aの形状が不必要に変形することが抑制される。さらに、各調整部材45A〜47Aにより各包囲部43A,44Aを構成する磁性流体の一部が各包囲部43A,44Aから離脱することが、抑制される。そのため、レチクルRが第2チャンバ18に対してY方向に相対移動しても、第2開口部21から射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気は、真空雰囲気に維持される。
また、第2維持装置36Bでは、各包囲部43B,44Bを構成する磁性流体は、ウエハWのY方向への移動に関係なく、各磁性部材41B,42Bに保持され続ける。また、各調整部材45B〜47Bにより各包囲部43B,44Bの形状が不必要に変形することが抑制される。そのため、ウエハWが第2チャンバ18に対してY方向に相対移動しても、第3開口部24から射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気は、真空雰囲気に維持される。すなわち、本実施形態の露光装置11を用いたリソグラフィ工程中では、レチクルR及びウエハWの各被照射領域近傍の雰囲気が各維持装置36A,36Bによって真空雰囲気に維持されるため、ウエハWには適切なパターン像が投影転写される。
しかも、レチクルRやウエハWを交換するためにレチクルRやウエハWをY方向に退避移動させた場合、レチクルホルダ27やウエハホルダ32において保持面26,31よりも反Y方向側に形成された退避時被照射面29,34に各包囲部43A,44A,43B,44Bが密接する。そのため、第2チャンバ18内の真空雰囲気が確実に維持される。
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
(1)第2チャンバ18とレチクルRのパターン面Raとの間には、磁性部材41A,42Aに保持される磁性流体を含む包囲部43A,44Aが形成されており、該包囲部43A,44Aにより第2チャンバ18内の雰囲気の維持が図られている。また、第2チャンバ18とウエハWの被照射面Waとの間には、磁性部材41B,42Bに保持される磁性流体を含む包囲部43B,44Bが形成されており、該包囲部43B,44Bにより第2チャンバ18内の雰囲気の維持が図られている。すなわち、本実施形態の露光装置11は、装置の一部分のみがチャンバ17,18内に収容された構成であるため、装置全体がチャンバ内に収容される従来の構成に比してチャンバを小型化することができる。また、チャンバ17,18の外部に配置されたレチクルステージ14及びウエハステージ16のメンテナンスは、チャンバ17,18内の真空雰囲気を維持した状態で実行できる。したがって、チャンバ17,18の小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる。
(1)第2チャンバ18とレチクルRのパターン面Raとの間には、磁性部材41A,42Aに保持される磁性流体を含む包囲部43A,44Aが形成されており、該包囲部43A,44Aにより第2チャンバ18内の雰囲気の維持が図られている。また、第2チャンバ18とウエハWの被照射面Waとの間には、磁性部材41B,42Bに保持される磁性流体を含む包囲部43B,44Bが形成されており、該包囲部43B,44Bにより第2チャンバ18内の雰囲気の維持が図られている。すなわち、本実施形態の露光装置11は、装置の一部分のみがチャンバ17,18内に収容された構成であるため、装置全体がチャンバ内に収容される従来の構成に比してチャンバを小型化することができる。また、チャンバ17,18の外部に配置されたレチクルステージ14及びウエハステージ16のメンテナンスは、チャンバ17,18内の真空雰囲気を維持した状態で実行できる。したがって、チャンバ17,18の小型化を図り、装置全体の小型化及び装置のメンテナンス性の容易化に貢献できる。
(2)また、レチクルRやウエハWがチャンバ17,18外に配置された構成であっても、レチクルRやウエハWを照射する露光光ELの光路近傍の雰囲気は、維持装置36A,36Bによって真空雰囲気に維持される。そのため、ウエハWの被照射面Waに対して適切なパターン像を投影転写できる。
(3)各包囲部43A,44A,43B,44Bは、それぞれの内郭形状が開口部21,24の開口形状よりも大きくなるように形成される。そのため、第2チャンバ18内の雰囲気を確実に維持できる。
(4)レチクルRやウエハWを照射する露光光ELの光路は、包囲部43A,44A,43B,44Bによって2重に包囲される。そのため、1つの包囲部にて包囲する場合に比して効果的に第2チャンバ18外に射出された露光光ELの光路近傍の真空雰囲気の維持を図ることができる。
(5)調整部材45A〜47A,45B〜47Bにより磁性流体の磁性部材41A,42A,41B,42Bに対する不必要な移動(磁性流体の一部が離脱することを含む)が抑制され、各包囲部43A,44A,43B,44Bの形状の維持が好適に図られる。そのため、各包囲部43A,44A,43B,44Bが包囲する空間内に、各包囲部43A,44A,43B,44Bの不必要な変形に起因して気体が流入してしまうことを回避できる。
(6)また、径方向で互いに隣り合う包囲部43A,44A,43B,44Bの間に第3調整部材47A,47Bが配置されているため、包囲部43A,44A,43B,44B間での磁性流体の移動を抑制できる。
(7)各包囲部43A,44A,43B,44Bの径方向内側及び径方向外側には、複数の電磁石48A,48Bがそれぞれ配置されている。そのため、移動機構28,33の駆動に基づくレチクルRやウエハWの移動時に各電磁石48A,48Bに電圧を印加することにより、包囲部43A,44A,43B,44Bから離脱してレチクルRやウエハWに付着してしまった磁性流体を各電磁石48A,48Bによって吸引回収できる。したがって、磁性流体が付着した状態のレチクルRやウエハWが露光光ELに照射されることを回避でき、ウエハWへの適切なパターン像の投影転写に貢献できる。
(8)レチクルホルダ27やウエハホルダ32がレチクルRやウエハWを保持していない場合には、レチクルホルダ27の保持面26やウエハホルダ32の保持面31が被照射面となり、これら保持面26に各包囲部43A,44A,43B,44Bが密接することになる。そのため、レチクルホルダ27やウエハホルダ32がレチクルRやウエハWを保持していない場合であっても、各包囲部43A,44A,43B,44Bによって第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持できる。
(9)移動機構28,33の駆動に基づき保持面26,31がY方向や反Y方向に退避移動した場合、レチクルホルダ27やウエハホルダ32の退避時被照射面29,34に各包囲部43A,44A,43B,44Bが密接することになる。そのため、レチクルホルダ27やウエハホルダ32の保持面26,31が被照射領域からY方向や反Y方向に退避移動した場合であっても、各包囲部43A,44A,43B,44Bによって第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持できる。
(10)レチクルホルダ27及びウエハホルダ32の各保持面26,31は、磁性材料にて形成されている。そのため、各包囲部43A,44A,43B,44Bを構成する磁性流体は、磁性を帯びているため、対向する保持面26,31側に引き寄せられる。その結果、磁性流体を含む各包囲部43A,44A,43B,44Bは、磁性部材41A,42A,41B,42Bと保持面26,31との間に配置されるレチクルRやウエハWに密接する。したがって、各包囲部43A,44A,43B,44Bによって囲まれた空間の真空雰囲気を確実に保持できる。
(11)また、レチクルホルダ27及びウエハホルダ32は、各チャンバ17,18外に配置されている。そのため、レチクルホルダ27及びウエハホルダ32には、静電チャックよりも強力にレチクルRやウエハWを吸引可能な真空チャックを設けることができる。そのため、リソグラフィ工程でレチクルRやウエハWがレチクルホルダ27やウエハホルダ32に対して不必要に移動することが回避され、ウエハWに対してパターン像を的確に投影転写できる。
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、レチクルホルダ27やウエハホルダ32の保持面26,31は、強磁性体から形成されたものであってもよい。同様に、退避時被照射面29,34についても、強磁性体から形成されたものであってもよい。
・実施形態において、レチクルホルダ27やウエハホルダ32の保持面26,31は、強磁性体から形成されたものであってもよい。同様に、退避時被照射面29,34についても、強磁性体から形成されたものであってもよい。
・また、レチクルホルダ27及びウエハホルダ32の保持面26,31は、非磁性材料から形成されたものであってもよい。同様に、退避時被照射面29,34についても、非磁性材料から形成されたものであってもよい。
・実施形態において、レチクルホルダ27は、退避時被照射面29を設けない構成であってもよい。この場合、保持面26を被照射領域から退避させる場合には、開閉装置22によって第2開口部21を閉塞させることが望ましい。
同様に、ウエハホルダ32は、退避時被照射面34を設けない構成であってもよい。この場合、保持面31を被照射領域から退避させる場合には、開閉装置25によって第3開口部24を閉塞させることが望ましい。
・実施形態において、移動機構28,33は、Y方向及び反Y方向にレチクルホルダ27やウエハホルダ32を移動可能な構成であれば、レチクルホルダ27やウエハホルダ32を他の方向に移動させることが不能な構成であってもよい。
また、移動機構28,33を設けない構成であってもよい。この場合、レチクルRやウエハWを交換する場合、作業者による手動で交換を行うことが望ましい。
・実施形態において、レチクルRやウエハWが軟質磁性材料にて形成されたものである場合には、リング磁石40A,40B及び各磁性部材41A,41A,42B,42Bをレチクルホルダ27やウエハホルダ32側に設けてもよい。この場合、第2チャンバ18のZ方向側の側面や反Z方向側の側面を軟質磁性材料にて形成することが望ましい。
・実施形態において、レチクルRやウエハWが軟質磁性材料にて形成されたものである場合には、リング磁石40A,40B及び各磁性部材41A,41A,42B,42Bをレチクルホルダ27やウエハホルダ32側に設けてもよい。この場合、第2チャンバ18のZ方向側の側面や反Z方向側の側面を軟質磁性材料にて形成することが望ましい。
・実施形態において、第1調整部材45A,45Bの径方向内側には、4つ以外の任意数(例えば6つ)の電磁石48A,48Aを設けてもよい。また、第2調整部材46A,46Bの径方向内側には、4つ以外の任意数(例えば1つ)の電磁石48B,48Bを設けてもよい。
・実施形態において、レチクルRやウエハWに付着した磁性流体を回収するための回収装置は、例えば、リング状をなす電磁石48A,48Bであってもよい。すなわち、包囲部44Aと第2開口部21との間に配置される電磁石48Aは、図9に示すように、第2開口部21の外郭を囲むように形成された電磁石であってもよい。また、包囲部44Aの外周領域に配置される電磁石48Aは、包囲部44Aの外郭を囲むように形成された電磁石であってもよい。同様に、電磁石48Bについても、図9に示す電磁石48Aと略同一に形成される。
また、回収装置は、永久磁石であってもよい。
・実施形態において、第2チャンバ18のZ方向側の側面や反Z方向側の側面には、レチクルRやウエハWに付着した磁性流体を回収するための回収装置を設けなくてもよい。
・実施形態において、第2チャンバ18のZ方向側の側面や反Z方向側の側面には、レチクルRやウエハWに付着した磁性流体を回収するための回収装置を設けなくてもよい。
・実施形態において、径方向において互いに隣り合う包囲部43A,43A,44B,44B同士の間には、第3調整部材47A,47Bを設けなくてもよい。
・また、第1包囲部43A,43Bの径方向内側には、第1調整部材45A,45Bを設けなくてもよい。
・また、第1包囲部43A,43Bの径方向内側には、第1調整部材45A,45Bを設けなくてもよい。
・また、第2包囲部44A,44Bの径方向外側には、第2調整部材46A,46Bを設けなくてもよい。
・実施形態において、各維持装置36A,36Bは、互いに大きさの異なる3つ以上の複数(例えば4つ)の包囲部を設けた構成であってもよい。
・実施形態において、各維持装置36A,36Bは、互いに大きさの異なる3つ以上の複数(例えば4つ)の包囲部を設けた構成であってもよい。
また、各維持装置36A,36Bは、包囲部を1つだけ設けた構成であってもよい。
・実施形態において、包囲部43A,43A,44B,44Bは、第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持可能であると共に、チャンバ18外に射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気を真空雰囲気に設定可能で、かつ、その露光光ELの光路外であれば、それぞれの内郭形状が第2開口部21や第3開口部24の開口形状よりも小さくてもよい。
・実施形態において、包囲部43A,43A,44B,44Bは、第2チャンバ18内の真空雰囲気を維持可能であると共に、チャンバ18外に射出された露光光ELの光路近傍の雰囲気を真空雰囲気に設定可能で、かつ、その露光光ELの光路外であれば、それぞれの内郭形状が第2開口部21や第3開口部24の開口形状よりも小さくてもよい。
・実施形態において、各包囲部43A,43A,44B,44Bの形状は、第2開口部21や第3開口部24の形状に対応した形状であれば、任意の形状であってもよい。例えば、第2開口部21や第3開口部24の開口形状が四角形状である場合、各包囲部43A,43A,44B,44Bは、四角環状であることが望ましい。
・実施形態において、各包囲部43A,43A,44B,44Bの形状は、第2開口部21や第3開口部24の形状に対応していなくてもよい。例えば、各包囲部43A,43A,44B,44Bは、第2開口部21や第3開口部24の開口形状が円形状であっても、四角環状をなすものであってもよい。
・実施形態において、リング磁石40A,40Bは、それぞれの径方向内側がS極である一方、それぞれの径方向外側がN極となるように着磁されたものであってもよい。
・実施形態において、維持装置36A,36Bは、リング磁石40A,40Bが磁性流体を直接保持して包囲部43A,43A,44B,44Bを形成可能な構成であってもよい。
・実施形態において、維持装置36A,36Bは、リング磁石40A,40Bが磁性流体を直接保持して包囲部43A,43A,44B,44Bを形成可能な構成であってもよい。
・実施形態において、磁力発生部を構成する磁石は、包囲部43A,43A,44B,44Bを環状に形成可能であれば、任意の形状であってもよい。すなわち、磁力発生部は、複数の磁石からなる構成であってもよい。
・実施形態において、リング磁石40A,40Bは、電磁石であってもよい。
・実施形態において、各チャンバ17,18を、一体のチャンバに置き換えてもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・実施形態において、各チャンバ17,18を、一体のチャンバに置き換えてもよい。
・実施形態において、露光装置11は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置11は、液晶表示素子(LCD)などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
・実施形態の露光装置11は、マスクと基板とが相対移動した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパ、及び、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式のステッパを問わず適用することができる。
・実施形態において、EUV光を出力可能な露光光源12として、放電型プラズマ光源を用いてもよい。
・実施形態において、露光装置11は、EB(Electron Beam )を露光光ELとして用いる露光装置であってもよい。この場合、チャンバ17,18内には、光学素子として電子光学系(例えば、電磁レンズや静電レンズなど)が配置されるか、又は一つも光学素子を配置しないこともある。
・実施形態において、露光装置11は、EB(Electron Beam )を露光光ELとして用いる露光装置であってもよい。この場合、チャンバ17,18内には、光学素子として電子光学系(例えば、電磁レンズや静電レンズなど)が配置されるか、又は一つも光学素子を配置しないこともある。
・実施形態において、露光光源12は、例えばg線(436nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等を出力可能な光源であってもよい。また、露光光源12は、DFB半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(またはエルビウムとイッテルビウムの双方)がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。これらのような露光光源12を用いた場合には、各チャンバ17,18内を、窒素などの不活性ガスが充填された雰囲気に設定してもよい。
また、各チャンバ17,18内が非真空雰囲気に設定されている場合には、チャンバ17,18内の雰囲気を維持可能であれば、各包囲部43A,43A,44B,44Bの先端と被照射面(レチクルRのパターン面RaやウエハWの被照射面Wa)との間に隙間があってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置11によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図10は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS101(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS102(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクルRなど)を製作する。一方、ステップS103(基板製造ステップ)において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板(シリコン材料を用いた場合にはウエハWとなる。)を製造する。
次に、ステップS104(基板処理ステップ)において、ステップS101〜ステップS104で用意したマスクと基板とを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS105(デバイス組立ステップ)において、ステップS104で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップS105には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS106(検査ステップ)において、ステップS105で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図11は、半導体デバイスの場合におけるステップS104の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS111(酸化ステップ)おいては、基板の表面を酸化させる。ステップS112(CVDステップ)においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップS113(電極形成ステップ)においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS114(イオン打込みステップ)においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップS111〜ステップS114のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS115(レジスト形成ステップ)において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップS116(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置11)によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップS117(現像ステップ)において、ステップS116にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップS118(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS119(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップS118及びステップS119において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
11…露光装置、12…露光光源、14…保持装置としてのレチクルステージ、16…保持装置としてのウエハステージ、18…第2チャンバ、21…第2開口部、22,25…開閉装置、23…光学素子としての反射ミラー、24…第3開口部、26,31…被照射面としての保持面、28,33…移動機構、29,34…被照射面としての退避時被照射面、36A,36B…維持装置、40A,40B…磁力発生部としてのリング磁石、41A,41B,42A,42B…磁力発生部としての磁性部材、43A,43B,44A,44B…包囲部、45A〜47A,45B〜47B…調整部材、48A,48B…回収装置としての電磁石、EL…露光光、R…被照射物体、マスクとしてのレチクル、Ra…被照射面としてのパターン面、W…基板、被照射物体としてのウエハ、Wa…被照射面。
Claims (22)
- 光源から射出された光が被照射面を照射することにより、感光性材料が塗布された基板にパターン像を転写する露光装置であって、
前記光の光路である開口部が前記被照射面に対向する位置に配置されたチャンバと、
該チャンバと前記被照射面との間に配置され、磁力発生部に保持される磁性流体を含む少なくとも1つの包囲部により前記チャンバ内の雰囲気を維持する維持装置と
を備えた露光装置。 - 前記包囲部は、前記開口部から前記被照射面に向けて射出された前記光の光路外に配置され、該光路を包囲する請求項1に記載の露光装置。
- 前記包囲部は、その内郭形状が前記被照射面の被照射領域より大きい形状である請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
- 前記包囲部は、その内郭形状が前記開口部の開口形状より大きい形状である請求項2又は請求項3に記載の露光装置。
- 前記維持装置は、互いに大きさの異なる複数の前記包囲部を有する請求項1〜請求項4のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記維持装置は、前記包囲部を構成する磁性流体の流動を調整する調整部材を有する請求項1〜5のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記包囲部の近傍に配置され、前記磁性流体を回収するための回収装置をさらに備えた請求項1〜請求項6のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記回収装置は、前記開口部と前記包囲部との間に配置され、前記開口部の外郭を囲むように形成される請求項7に記載の露光装置。
- 前記回収装置は、前記包囲部の外周領域に配置され、前記包囲部の外郭を囲むように形成される請求項7又は請求項8に記載の露光装置。
- 前記磁力発生部は、前記チャンバに取付けられている請求項1〜請求項9のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記被照射面を有する被照射物体を保持するための保持面を有する保持装置をさらに備えた請求項1〜請求項10のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記保持面は、前記保持装置が前記被照射物体を非保持状態である場合に、前記被照射面として機能する請求項11に記載の露光装置。
- 前記保持面を前記チャンバに対して相対移動させる移動機構をさらに備えた請求項11又は請求項12に記載の露光装置。
- 前記保持装置は、前記移動機構の駆動に基づき前記開口部から射出された前記光の光路から該光路外に前記保持面が退避移動した場合に、前記被照射面として機能する退避時被照射面を有する請求項13に記載の露光装置。
- 前記保持面は、磁性材料にて形成されている請求項11〜請求項14のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記保持装置は、所定のパターンが形成されたマスクを前記被照射物体として保持する請求項11〜請求項15のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記保持装置は、前記基板を前記被照射物体として保持する請求項11〜請求項15のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記チャンバ内の雰囲気は、真空雰囲気に設定されている請求項1〜請求項17のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記チャンバの前記開口部を開閉させるための開閉装置をさらに備えた請求項1〜請求項18のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記チャンバ内には、少なくとも1つの光学素子が収容されている請求項1〜請求項19のうち何れか一項に記載の露光装置。
- 前記光は、EUV光である請求項1〜請求項20のうち何れか一項に記載の露光装置。
- リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項1〜請求項21のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
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