JP2009170789A - 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】受光部上に設けられた反射防止膜42と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜4で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜41の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望の反射防止膜42の膜厚になるように形成する。これにより、シリコン窒化膜4の成膜が1回で済む。
【選択図】図3
【解決手段】受光部上に設けられた反射防止膜42と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜4で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜41の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望の反射防止膜42の膜厚になるように形成する。これにより、シリコン窒化膜4の成膜が1回で済む。
【選択図】図3
Description
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この製造方法により作製された固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、セキュリティカメラ、車載用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。
上述した従来の固体撮像素子では、CCDやCMOSイメージャなどの画素部におけるフォトダイオード上の反射防止技術として、SiON膜を反射防止膜として用いて、SiON膜の成膜時に酸素と窒素の含有比率を下層から上層にむけて変化させることにより、膜の屈折率を段階的に変化させて、従来のものよりもシリコン表面やその上のシリコン酸化膜表面で入射光が反射するのを抑えてフォトダイオードへの入射光量を増やし、フォトダイオードでより高い感度を得る技術が特許文献1に提案されている。
また、この特許文献1の従来技術として、フォトダイオード上をシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層構造にして、従来のものよりも反射を大幅に抑制させることが開示されている。この場合、シリコン基板上にゲート絶縁膜となる薄いシリコン酸化膜が形成され、この薄いシリコン酸化膜上に屈折率がシリコン酸化膜よりも、大きくシリコン基板よりも小さい薄い反射防止膜となるシリコン窒化膜が形成されている。シリコン酸化膜はその屈折率がおおよそ1.45である。シリコン窒化膜はおおよそ2.0程度である。シリコン窒化膜は膜厚をtとし、屈折率をnとすると、350/(4n)nm≦t≦450/(4n)nm程度に設定される。これらのシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜は暗電流を防止するために形成される。
即ち、シリコン窒化膜の膜厚t(nm)を、350 /(4n)nm<t<450 / (4n)nmと反射防止有効膜厚に定義することができる。この場合、nはシリコン窒化膜の屈折率である。
また、特許文献2には、半導体基板上に、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜およびシリコン窒化膜をこの順に積層して用いることにより、多重干渉効果を利用して短波長感度を向上させることができ、十分良好なカラー画像を得ることができることが開示されている。
特開2003−229562号公報
特開昭60−177778号公報
しかしながら、上記従来の構成では、いずれも、この膜厚で反射防止膜としてシリコン窒化膜を形成する場合について記載されているものの、CMOS型固体撮像素子のように画素部周辺回路を有する場合に、一旦、画素部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜を形成した後に、別途、その前後の工程でその周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するため、膜厚の異なるシリコン窒化膜を反射防止膜用とゲートサイドウォール膜用との2回に分けてそれぞれ個別にそれぞれ成膜する必要があって、成膜工程が増える。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、画素部上の反射防止膜とその周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とをシリコン窒化膜を共通にして形成することにより、製造工程の簡略化を図ることができる固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子において、該受光部上に設けられた反射防止膜と、該トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた1層のシリコン窒化膜で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられたシリコン窒化膜と、その上のSiON膜との2層で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜との2層で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜と前記SiON膜との2層で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子におけるゲートサイドウォール膜は、前記低濃度のシリコン窒化膜と前記高濃度のシリコン窒化膜との2層で構成されている。
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜の膜厚は、前記ゲートサイドウォール膜の膜厚を得るために必要な成膜厚さよりも薄い膜厚に設定されている。
さらに、本発明の固体撮像素子における反射防止膜は、その膜厚をt(nm)とし、30nm<t<150nmの反射防止有効膜厚範囲内に設定されている。
さらに、本発明の固体撮像素子における周辺回路は、前記一または複数の受光部の周辺回路および該受光部毎の周辺回路のうちの少なくともいずれかである。
さらに、本発明の固体撮像素子における周辺回路は、CCD電荷転送路で電荷転送された信号電荷を電荷電圧変換して増幅出力する出力トランジスタを有する。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子の製造方法において、該トランジスタのゲートサイドウォール膜と、該受光部上に設けられる反射防止膜とをこの順に、同時に成膜される共通の窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
また、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するサイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第1ゲートサイドウォール膜を該第1窒化膜から形成する第1サイドウォール膜形成工程と、該一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第2ゲートサイドウォール膜を該第1ゲートサイドウォール膜上に該第2窒化膜から形成する第2サイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第1窒化膜および該第2窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、該第1窒化膜上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を該第1窒化膜および該第2窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第1窒化膜および第2窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた1層のシリコン窒化膜である。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第1窒化膜としてのシリコン窒化膜と、その上の前記第2窒化膜としてのSiON膜との2層構造である。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法における反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第1窒化膜としての窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の前記第2窒化膜としての窒素が高濃度のシリコン窒化膜との2層構造である。
さらに、本発明の固体撮像素子の製造方法において、前記反射防止膜および前記サイドウォール膜の形成はそれぞれエッチング処理により行う。
本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
本発明においては、受光部上に設けられた反射防止膜と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜の膜厚分のシリコン窒化膜をまず形成し、その後で、画素部(受光部)上のみ開口したマスクを用いて、画素部(受光部)上にのみ、所望の反射防止膜厚になるように形成する。このように、ゲートサイドウォール膜の膜厚と反射防止膜の膜厚とが異なる場合であっても、共通のシリコン窒化膜の成膜が1回で済み、従来の2回に比べて製造工程の簡略化を図ることが可能となる。
以上により、例えばCMOS型固体撮像素子などのように受光部とその周辺回路の両方を有する従来の半導体装置では、受光部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜とその受光部の周辺回路のゲートサイドウォール膜として用いるシリコン窒化膜とを両者必要膜厚が異なるために、従来は2回に分けてシリコン窒化膜を成膜していたが、本発明によれば、受光部上に設けられた反射防止膜と、受光部周辺回路のゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されるため、1回のシリコン窒化膜の成膜により両者を形成できて、製造工程を簡略化することができる。
以下に、本発明の固体撮像素子およびその製造方法の実施形態1〜4、および本発明の固体撮像素子およびその製造方法の実施形態1〜4を撮像部に用いた電子情報機器の実施形態5について、図面を参照しながら詳細に説明する。
(実施形態1)
本実施形態1の固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体表面または半導体基板表面に設けられており、また、この一または複数の受光部の周辺部または各受光部の周辺部に周辺回路が設けられている。本実施形態1の固体撮像素子の特徴構成は、各受光部とその周辺回路を同時に製造する際に、各受光部上に設けられた反射防止膜と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されている。このゲートサイドウォール膜は、トランジスタが確実にオン・オフ動作を行うように、また、トランジスタに所定の電流が流れるようにソース・ドレイン間距離を設定している。厚いシリコン窒化膜が必要なトランジスタサイドウォール膜を先に形成し、その後、反射防止に適した薄いシリコン窒化膜となるようにシリコン窒化膜を薄膜化する固体撮像素子の製造方法の実施形態1について図1〜図4を参照して詳細に説明する。
本実施形態1の固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体表面または半導体基板表面に設けられており、また、この一または複数の受光部の周辺部または各受光部の周辺部に周辺回路が設けられている。本実施形態1の固体撮像素子の特徴構成は、各受光部とその周辺回路を同時に製造する際に、各受光部上に設けられた反射防止膜と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されている。このゲートサイドウォール膜は、トランジスタが確実にオン・オフ動作を行うように、また、トランジスタに所定の電流が流れるようにソース・ドレイン間距離を設定している。厚いシリコン窒化膜が必要なトランジスタサイドウォール膜を先に形成し、その後、反射防止に適した薄いシリコン窒化膜となるようにシリコン窒化膜を薄膜化する固体撮像素子の製造方法の実施形態1について図1〜図4を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図1の窒化膜成膜工程に示すように、2次元状でマトリクス状に撮像領域(画素部)に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域(複数の受光部)の周辺に設けられ、各受光部毎の周辺回路を駆動するためのドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板1または半導体領域上の全面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜2が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン3がゲート酸化膜2上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン3およびゲート酸化膜2上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上にシリコン窒化膜4を成膜する。このシリコン窒化膜4は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン3を形成後、後述するゲートサイドウォール膜41と反射防止膜42となる。このときのシリコン窒化膜4の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
ここで、シリコン窒化膜4の成膜は、低圧CVD法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜41のゲートサイドウォール幅A(厚さ)が30〜120nmとなるように、シリコン窒化膜4の成膜厚さを50〜200nmとする。
図2は、本発明の実施形態1に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図2のゲートサイドウォール膜形成工程に示すように、複数の受光部または各受光部上をレジスト膜5でマスクして、その周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41を形成する。即ち、撮像領域(画素部)に形成された複数の受光部のシリコン窒化膜4a上をレジスト膜5によりマスキングすると共にその周辺回路上を開口して、シリコン窒化膜4をエッチング時間でエッチング除去してエッチング量(膜厚)を制御することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜41を所定幅(所定厚さ)に形成する。
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。
ここで、ゲートサイドウォール膜41のゲートサイドウォール幅A(厚み)は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの6割程度になる。例えば100nmの厚さでシリコン窒化膜4を成膜すると、ゲートサイドウォール膜41のゲートサイドウォール幅A(厚み)は、60nmとなる。
図3は、本発明の実施形態1に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図3の反射防止膜形成工程に示すように、各受光部上のみを開口したレジスト膜6を用いて、シリコン窒化膜4を反射防止膜42として所定膜厚に形成する。即ち、周辺回路側をレジスト膜6でマスキングし、シリコン窒化膜4をエッチング除去するエッチング時間を制御して、反射を抑える所望膜厚の反射防止膜42を形成する。なお、レジスト膜6のアライメント精度を考慮してシリコン窒化膜4aの端部を含むように周辺回路側をレジスト膜6でマスキングする。
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。なお、この場合は、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
その後、図4に示すようにレジスト膜6を除去する。これによって、反射防止膜42と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41とをシリコン窒化膜4を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。このようにして、本実施形態1の固体撮像素子を製造することができる。
この場合のシリコン窒化膜4を材料膜とする反射防止膜42の膜厚t(nm)は、350/(4n)nm<t<450/(4n)nmの反射防止有効範囲内に設定することができる。但し、nはシリコン窒化膜の屈折率である。即ち、シリコン窒化膜4を材料膜とする反射防止膜42は、その膜厚をt(nm)とし、30nm<t<150nmの反射防止有効膜厚範囲内に設定する。
このように、本実施形態1の固体撮像素子の製造方法は、トランジスタのゲートサイドウォール膜41と、受光部上に設けられる反射防止膜42とをこの順に、同時に成膜される共通のシリコン窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有している。
本実施形態1の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜(例えばゲート酸化膜)と、さらにその上に反射防止膜42となるシリコン窒化膜を有する。このシリコン窒化膜4(SiN膜)が、画素部周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のゲートサイドウォール膜41の役目も果たしている。
以上により、本実施形態1によれば、受光部上に設けられた反射防止膜42と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜4で形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜41の膜厚分のシリコン窒化膜を先に形成し、その後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、前述した反射防止有効膜厚になるように反射防止膜42を形成する。これにより、シリコン窒化膜4の成膜が1回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との2回に分けて行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。
(実施形態2)
上記実施形態1では、反射防止膜としてゲート酸化膜2上に1層のシリコン窒化膜(SiN膜)を形成したが、本実施形態2では、ゲート酸化膜2上を、反射防止膜としてシリコン窒化膜(SiN膜)とその上のSiON膜との2層構造とする場合について説明する。このように、シリコン窒化膜(SiN膜)上にSiON膜を積層すると反射をさらに効率よく抑えることができる。
上記実施形態1では、反射防止膜としてゲート酸化膜2上に1層のシリコン窒化膜(SiN膜)を形成したが、本実施形態2では、ゲート酸化膜2上を、反射防止膜としてシリコン窒化膜(SiN膜)とその上のSiON膜との2層構造とする場合について説明する。このように、シリコン窒化膜(SiN膜)上にSiON膜を積層すると反射をさらに効率よく抑えることができる。
図5は、本発明の実施形態2に係る固体撮像素子の製造方法における窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図5の窒化膜成膜工程に示すように、2次元的にマトリクス状に撮像領域(画素部)に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された増幅トランジスタやリセットトランジスタを含む信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域(画素部)の周辺に設けられた受光部毎の周辺回路を駆動するための多数のトランジスタを含むドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板11上の全面にゲート酸化膜12が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン13がゲート酸化膜12上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン13およびゲート酸化膜12上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上にシリコン窒化膜14(SiN膜)を所定膜厚に成膜する。このシリコン窒化膜14は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン13を形成後、後述するゲートサイドウォール膜141aと反射防止膜のシリコン窒化膜142a(SiN膜)となる。このときのシリコン窒化膜14(SiN膜)の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
ここで、シリコン窒化膜14の成膜は、低圧CVD法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜141aのゲートサイドウォール幅A’として30〜120nm(幅15〜60nm)の略半分となるように、シリコン窒化膜14の成膜厚さは50〜200nmの略半分(膜厚25〜100nm)としてもよい。
図6は、本発明の実施形態2に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図6のゲートサイドウォール膜形成工程において、複数の受光部または各受光部上のシリコン窒化膜142a(SiN膜)上をレジスト膜15でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜141aを形成する。即ち、撮像領域(画素部)に形成された複数の受光部上のシリコン窒化膜142a(SiN膜)上をレジスト膜15によりマスキングすると共に周辺回路上を開口して、シリコン窒化膜14(SiN膜)をエッチング除去することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜141aを形成する。
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。
ここで、ゲートサイドウォール膜141aのゲートサイドウォール幅A’(厚み)は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの6割程度になる。
また同様に、複数の受光部および周辺回路の領域上のSiN膜上にSiON膜を所定膜厚に成膜する。複数の受光部または各受光部上のSiON膜14a上を同様のレジスト膜15でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜141bを形成する。したがって、ゲートサイドウォール膜141aのゲートサイドウォール幅A’(厚み)とゲートサイドウォール膜141bのゲートサイドウォール幅A”(厚み)との合計がゲートサイドウォール幅Aとなる。ここでは、ゲートサイドウォール幅A’とゲートサイドウォール幅A”とが同等である。
図7は、本発明の実施形態2に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図7の反射防止膜形成工程に示すように、受光部上のみを開口したレジスト膜16を用いて、シリコン窒化膜142a(SiN膜)とその上のSiON膜142bとの2層構造を反射防止膜142として所定膜厚に形成する。即ち、周辺回路部側をレジスト膜16でマスキングし、SiON膜142bを時間制御でエッチング除去して、反射を抑える所望膜厚の反射防止膜142を形成する。なお、図7では、エッチング除去後のSiON膜142bの膜厚と、シリコン窒化膜142a(SiN膜)の膜厚とが同等の膜厚のように、ここでは図示し易いように図示しているが、実際は、エッチング除去後のSiON膜142bの膜厚はエッチング除去した分だけ薄くなっている。
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。なお、この場合、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
その後、図8に示すようにレジスト膜16を除去する。これによって、2層膜の反射防止膜142と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜141a,141bとをシリコン窒化膜14およびSiON膜を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。このようにして、本実施形態2の固体撮像素子を製造することができる。
この場合のシリコン窒化膜14とSiON膜の2層膜を材料膜とする反射防止膜142の合計膜厚t(nm)は、それぞれの膜厚の合計であって、反射防止が有効な所定の膜厚範囲内に設定することができる。
本実施形態2の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜(例えばゲート酸化膜2)と、さらにその上に反射防止膜となるシリコン窒化膜142a(SiN膜)と、さらにその上に反射防止膜となるSiON膜142bとを有する。これらのシリコン窒化膜142a(SiN膜)とSiON膜142bとの2層膜が、周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のサイドウォール膜141a、141bの役目も果たしている。
以上により、本実施形態2によれば、受光部上にシリコン酸化膜2を介して設けられたシリコン窒化膜142a(SiN膜)とSiON膜142bの2層膜からなる反射防止膜142と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜141a、141bとが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜14(SiN膜)とSiON膜の2層膜から形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜141a、141bの合計膜厚分のシリコン窒化膜14(SiN膜)とSiON膜との2層膜をそれぞれ先に形成し、その各後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望膜厚の反射防止膜142の各構成膜になるように形成する。これにより、窒化膜(SiN膜)とSiON膜との2層膜の成膜が各1回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との2回に分けて行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、窒化膜(SiN膜)とSiON膜との2層膜を連続して形成してから、ゲートサイドウォール膜を一括して形成し、その後に、所望膜厚の反射防止膜142になるように形成することもできる。この場合には、さらに製造工程を簡略化することができる。また、このように、反射防止膜が2層構造の場合には2種類の厚さのゲートサイドウォール膜を形成することもできる。
(実施形態3)
上記実施形態1では、反射防止膜としてシリコン酸化膜2上に1層のシリコン窒化膜(SiN膜)を形成したが、本実施形態3では、シリコン酸化膜2上を、反射防止膜として窒素が低濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)とその上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)との2層構造とする場合について説明する。このように、窒素が濃度が高濃度ほど屈折率が大きくなるものと考えられ、低濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)上に高濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)を積層すると、上記実施形態2の場合と同様に反射をさらに効率よく抑えることができる。
上記実施形態1では、反射防止膜としてシリコン酸化膜2上に1層のシリコン窒化膜(SiN膜)を形成したが、本実施形態3では、シリコン酸化膜2上を、反射防止膜として窒素が低濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)とその上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)との2層構造とする場合について説明する。このように、窒素が濃度が高濃度ほど屈折率が大きくなるものと考えられ、低濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)上に高濃度のシリコン窒化膜(SiN膜)を積層すると、上記実施形態2の場合と同様に反射をさらに効率よく抑えることができる。
図9は、本発明の実施形態3に係る固体撮像素子の製造方法におけるシリコン窒化膜成膜工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図9の窒化膜成膜工程に示すように、2次元状でマトリクス状に撮像領域(画素部)に複数の受光部が形成されており、各受光部毎の周辺に形成された増幅トランジスタやリセットトランジスタを含む信号読み出し回路などの周辺回路や、撮像領域(画素部)の周辺に設けられた受光部毎の周辺回路を駆動するための多数のトランジスタを含むドライバ回路などの周辺回路が配設された半導体基板21上の全面にゲート酸化膜22が形成されている。この周辺回路のトランジスタのゲートポリシリコン23がゲート酸化膜22上の適所に設けられている。これらのゲートポリシリコン23およびゲート酸化膜22上、即ち、複数の受光部および周辺回路の領域上に窒素が低濃度のシリコン窒化膜24(SiN膜)を所定膜厚に成膜する。この窒素が低濃度のシリコン窒化膜24は、周辺回路の各トランジスタのゲートポリシリコン23を形成後、後述するゲートサイドウォール膜241aと反射防止膜の低濃度のシリコン窒化膜242aとなる。このときの低濃度のシリコン窒化膜24(SiN膜)の膜厚はゲートサイドウォール膜形成上必要な膜厚とする。
ここで、低濃度のシリコン窒化膜24の成膜は、低圧CVD法でもよいが、拡散炉でもよく、ゲートサイドウォール膜241aのゲートサイドウォール幅A’として30〜120nm(幅15〜60nm)の略半分となるように、シリコン窒化膜24の成膜厚さは50〜200nmの略半分(膜厚25〜100nm)とすることができる。
図10は、本発明の実施形態3に係る固体撮像素子の製造方法におけるゲートサイドウォール膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図10のゲートサイドウォール膜形成工程に示すように、複数の受光部または各受光部上の低濃度のシリコン窒化膜24a上をレジスト膜25でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜241aを形成する。即ち、撮像領域(画素部)に形成された複数の受光部上の低濃度のシリコン窒化膜24a上をレジスト膜25によりマスキングすると共に周辺回路上を開口して、低濃度のシリコン窒化膜24(SiN膜)をエッチング除去することによりトランジスタのゲートサイドウォール膜241aを形成する。
この場合、エッチングはドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。
ここで、ゲートサイドウォール膜241aのゲートサイドウォール幅A’(厚み)は、ポリ膜厚にもよるが、概略的に成膜厚さの6割程度になる。
また同様に、複数の受光部およびその周辺回路の領域上の低濃度のSiN膜242a上に高濃度のSiN膜を所定膜厚に成膜する。複数の受光部または各受光部上の低濃度のSiN膜242a上を同様のレジスト膜25でマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜241bを形成する。したがって、ゲートサイドウォール膜241aのゲートサイドウォール幅A’(厚み)とゲートサイドウォール膜241bのゲートサイドウォール幅A”(厚み)との合計がゲートサイドウォール幅Aとなる。ここでは、ゲートサイドウォール幅A’とゲートサイドウォール幅A”とが同等のように図示している。
図11は、本発明の実施形態3に係る固体撮像素子の製造方法における反射防止膜形成工程を示す画素部およびその周辺回路の縦断面図である。
図11の反射防止膜形成工程に示すように、受光部上のみを開口したレジスト膜6を用いて、低濃度のシリコン窒化膜242a(低濃度のSiN膜)と高濃度のシリコン窒化膜242b(高濃度のSiN膜)との2層構造を反射防止膜242として所定合計膜厚に形成する。即ち、周辺回路部側をレジスト膜26でマスキングし、高濃度のシリコン窒化膜242b(高濃度のSiN膜)を時間制御でエッチング除去して、反射を抑えるのに有効な所望合計膜厚の反射防止膜242を形成する。
この場合も、ドライエッチングであって、そのエッチング条件は、圧力が20〜200mTorr、温度が摂氏25〜100度、パワーが100〜800W、ガス種がC4F8/O2/Ar、または、CF4/CHF3/O2/Ar、流量は上記C4F8、CF4、CHF3、O2は5〜50sccm、Arは100〜500sccmである。なお、この場合は、ドライエッチングに代えてウェットエッチングであってもよい。
その後、図12に示すようにレジスト膜26を除去する。これによって、2層膜の反射防止膜242と周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜241a,241bとを低濃度のシリコン窒化膜24および高濃度のシリコン窒化膜を共通材料膜にして形成することができて、製造工程の簡略化を図ることができる。本実施形態3の固体撮像素子を製造することができる。
この場合の低濃度のシリコン窒化膜24と高濃度のシリコン窒化膜の2層膜を材料膜とする反射防止膜242の合計膜厚t(nm)は、それぞれの膜厚の合計であって、反射防止が有効な所定の膜厚範囲内に設定することができる。
本実施形態3の固体撮像素子は、画素部上に薄膜のシリコン酸化膜(例えばゲート酸化膜22)と、さらにその上に反射防止膜となる低濃度のシリコン窒化膜242a(SiN膜)と、さらにその上に反射防止膜となる高濃度のシリコン窒化膜242b(SiN膜)とを有する。これらの低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜が、周辺に形成する様々な回路を構成するトランジスタのゲート部のサイドウォール膜241a、241bの役目も果たしている。
以上により、本実施形態3によれば、受光部上にゲート酸化膜22を介して設けられた低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜からなる反射防止膜242と、この受光部の周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜241a,241bとが、同時に成膜された共通の低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜から形成されているため、膜厚の厚いゲートサイドウォール膜241a,241bの合計膜厚分の低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜を先に別々に形成し、その各後で、画素部上のみ開口したマスクを用いて、所望合計膜厚の反射防止膜242の各構成膜になるように形成する。これにより、低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜の成膜が各1回で済み、従来、反射防止膜形成用とイオン注入のバリアとなるゲートサイドウォール膜形成用との2回に分けてそれぞれ行っていたのに比べて製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、低濃度と高濃度の窒化膜(SiN膜)の2層膜を連続して形成してから、ゲートサイドウォール膜を一括して形成し、その後に、所望膜厚の反射防止膜242になるように形成することもできる。
なお、上記実施形態1の反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程では、一または複数の受光部およびその周辺回路の領域上にシリコン窒化膜4を成膜する窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部またはこの複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜41を形成するサイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いてシリコン窒化膜4を反射防止膜42として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している。これに限らず、上記実施形態2、3の反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程では、一または複数の受光部および周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタの第1ゲートサイドウォール膜を該第1窒化膜から形成する第1サイドウォール膜形成工程と、一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路のトランジスタの第2ゲートサイドウォール膜を第1ゲートサイドウォール膜上に第2窒化膜から形成する第2サイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いて第1窒化膜および第2窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している場合、または、一または複数の受光部および周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、第1窒化膜上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、一または複数の受光部または複数の受光部の各受光部上をマスクして、周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を第1窒化膜および該第2窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、受光部上のみを開口したマスクを用いて第1窒化膜および第2窒化膜を反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有している場合のいずれでもよい。
(実施形態4)
上記実施形態1〜3では、CMOS型固体撮像素子の場合について説明しており、各受光部の周辺部に設けられる周辺回路としては、電荷転送トランジスタ、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタ(選択トランジスタを含んでもよい)からなる読み出し回路があり、また、複数の受光部(撮像領域)の周辺部に設けられる周辺回路としては、この読み出し回路を制御するドライバ回路がある。本実施形態4では、CCD型固体撮像素子の場合について説明する。
上記実施形態1〜3では、CMOS型固体撮像素子の場合について説明しており、各受光部の周辺部に設けられる周辺回路としては、電荷転送トランジスタ、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタ(選択トランジスタを含んでもよい)からなる読み出し回路があり、また、複数の受光部(撮像領域)の周辺部に設けられる周辺回路としては、この読み出し回路を制御するドライバ回路がある。本実施形態4では、CCD型固体撮像素子の場合について説明する。
上記実施形態1〜3の受光部に反射防止膜を設ける点については、本実施形態4の場合も同様であるが、異なるのは、周辺回路部のトランジスタとして、各受光部から読み出されて垂直転送され、その後、水平転送されて電荷検出部の信号出力トランジスタで増幅されて撮像信号として出力されるが、この信号出力トランジスタのゲートにゲートサイドウォール膜を形成する点である。このように、本発明をCCD型固体撮像素子に適用して本実施形態4とすることができる。
なお、ここで、CMOS型固体撮像素子とCCD型固体撮像素子の特徴について簡単に説明する。
CMOS型固体撮像素子は、CCD型固体撮像素子のように、垂直転送部により各受光部からの信号電荷をそれぞれ電荷転送し、垂直転送部からの信号電荷を水平転送部により水平方向に電荷転送するCCDを使用せず、メモリデバイスのようにアルミニュウム配線などで構成される選択制御線によって、画素毎に受光部から信号電荷を読み出してそれを電圧変換し、その変換電圧に応じて信号増幅した撮像信号を、選択された画素から順次読み出すようになっている。一方、CCD型固体撮像素子は、CCDの駆動のために正負の複数の電源電圧を必要とするが、CMOS型固体撮像素子は、単一電源で駆動が可能であり、CCD型固体撮像素子に比べ、低消費電力化や低電圧駆動が可能である。さらに、CCD型固体撮像素子の製造には、CCD独自の製造プロセスを用いているために、CMOS回路で一般的に用いられる製造プロセスをそのまま適用することが難しい。これに対して、CMOS型固体撮像素子は、CMOS回路で一般的に用いられる製造プロセスを使用しているために、表示制御用のドライバー回路や撮像制御用のドライバー回路、DRAMなどの半導体メモリ、論理回路などの製造で多用されているCMOSプロセスにより、周辺回路として、論理回路やアナログ回路、アナログデジタル変換回路などを同時に形成してしまうことができる。つまり、CMOS型固体撮像素子は、半導体メモリ、表示制御用のドライバー回路および撮像制御用のドライバー回路と同一の半導体チップ上に形成することが容易であり、また、その製造に対しても、半導体メモリや表示制御用のドライバー回路および撮像制御用のドライバー回路と生産ラインを共有することが容易にできる。
(実施形態5)
図13は、本発明の実施形態5として、本発明の実施形態1〜4のいずれかの固体撮像素子を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
(実施形態5)
図13は、本発明の実施形態5として、本発明の実施形態1〜4のいずれかの固体撮像素子を含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
図13において、本実施形態5の電子情報機器90は、上記実施形態1の固体撮像素子10、上記実施形態2の固体撮像素子20、上記実施形態3の固体撮像素子30および上記実施形態4の固体撮像素子40のいずれかからの撮像信号を各種信号処理してカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印字用に所定の信号処理した後に印字データをプリントアウトする画像出力装置95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示手段93と、通信手段94と、プリンタなどの画像出力装置95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。
この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。
したがって、本実施形態5によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力装置95により良好にプリントアウト(印刷)したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。
なお、上記実施形態1〜4では、特に説明しなかったが、受光部上に設けられた反射防止膜と、トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されていれば、製造工程の簡略化を図ることができる本発明の目的を達成することができる。
以上のように、本発明の好ましい実施形態1〜5を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1〜5に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1〜5の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
本発明は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する半導体素子で構成された固体撮像素子およびその製造方法、この製造方法により作製された固体撮像素子を、画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばセキュリティカメラ、デジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、例えばCMOS型固体撮像素子などのように受光部とその周辺回路の両方を有する従来の半導体装置では、受光部上の反射防止膜であるシリコン窒化膜とその受光部の周辺回路のゲートサイドウォール膜として用いるシリコン窒化膜とを両者必要膜厚が異なるために、従来は2回に分けてシリコン窒化膜を成膜していたが、本発明によれば、受光部上に設けられた反射防止膜と、受光部周辺回路のゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通のシリコン窒化膜で形成されるため、1回のシリコン窒化膜の成膜により両者を形成できて、製造工程を簡略化することができる。
1、11、21 半導体基板
2、12、22 ゲート酸化膜
3、13、23 ゲートポリシリコン
4、4a、14、142a シリコン窒化膜
14a、142b SiON膜
24、242a 窒素が低濃度のシリコン窒化膜
24a、242b 窒素が高濃度のシリコン窒化膜
41、141a、141b、241a、241b ゲートサイドウォール膜
42、142、242 反射防止膜
5、15、25、6、16、26 レジスト膜
10、20、30、40 固体撮像素子
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力装置
2、12、22 ゲート酸化膜
3、13、23 ゲートポリシリコン
4、4a、14、142a シリコン窒化膜
14a、142b SiON膜
24、242a 窒素が低濃度のシリコン窒化膜
24a、242b 窒素が高濃度のシリコン窒化膜
41、141a、141b、241a、241b ゲートサイドウォール膜
42、142、242 反射防止膜
5、15、25、6、16、26 レジスト膜
10、20、30、40 固体撮像素子
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力装置
Claims (20)
- 入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子において、
該受光部上に設けられた反射防止膜と、該トランジスタのゲートサイドウォール膜とが、同時に成膜された共通の窒化膜で形成されている固体撮像素子。 - 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた1層のシリコン窒化膜で構成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられたシリコン窒化膜と、その上のSiON膜との2層で構成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の窒素が高濃度のシリコン窒化膜との2層で構成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記ゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜で構成されている請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記ゲートサイドウォール膜は、前記シリコン窒化膜と前記SiON膜との2層で構成されている請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記ゲートサイドウォール膜は、前記低濃度のシリコン窒化膜と前記高濃度のシリコン窒化膜との2層で構成されている請求項4に記載の固体撮像素子。
- 前記反射防止膜の膜厚は、前記ゲートサイドウォール膜の膜厚を得るために必要な成膜厚さよりも薄い膜厚に設定されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記反射防止膜は、その膜厚をt(nm)とし、30nm<t<150nmの反射防止有効膜厚範囲内に設定されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記周辺回路は、前記一または複数の受光部の周辺回路および該受光部毎の周辺回路のうちの少なくともいずれかである請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記周辺回路は、CCD電荷転送路で電荷転送された信号電荷を電荷電圧変換して増幅出力する出力トランジスタを有する請求項1に記載の固体撮像素子。
- 入射光を光電変換して信号電荷を生成する一または複数の受光部が半導体領域表面または半導体基板表面に設けられ、トランジスタを有する周辺回路が設けられた固体撮像素子の製造方法において、
該トランジスタのゲートサイドウォール膜と、該受光部上に設けられる反射防止膜とをこの順に、同時に成膜される共通の窒化膜を用いて形成する反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程を有する固体撮像素子の製造方法。 - 前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタのゲートサイドウォール膜を形成するサイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第1ゲートサイドウォール膜を該第1窒化膜から形成する第1サイドウォール膜形成工程と、
該一または複数の受光部および該周辺回路の領域上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路のトランジスタの第2ゲートサイドウォール膜を該第1ゲートサイドウォール膜上に該第2窒化膜から形成する第2サイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第1窒化膜および該第2窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記反射防止膜およびサイドウォール膜形成工程は、
前記一または複数の受光部および前記周辺回路の領域上に第1窒化膜を成膜する第1窒化膜成膜工程と、
該第1窒化膜上に第2窒化膜を成膜する第2窒化膜成膜工程と、
該一または複数の受光部または該複数の受光部の各受光部上をマスクして、該周辺回路部のトランジスタのゲートサイドウォール膜を該第1窒化膜および該第2窒化膜から形成するサイドウォール膜形成工程と、
該受光部上のみを開口したマスクを用いて該第1窒化膜および第2窒化膜を該反射防止膜として所定膜厚に形成する反射防止膜形成工程とを有する請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた1層のシリコン窒化膜である請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第1窒化膜としてのシリコン窒化膜と、その上の前記第2窒化膜としてのSiON膜との2層構造である請求項14または15に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記反射防止膜は、前記受光部上にシリコン酸化膜を介して設けられた前記第1窒化膜としての窒素が低濃度のシリコン窒化膜と、その上の前記第2窒化膜としての窒素が高濃度のシリコン窒化膜との2層構造である請求項14または15に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記反射防止膜および前記サイドウォール膜の形成はそれぞれエッチング処理により行う請求項12〜15のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法。
- 請求項1〜11に記載の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器。
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