JP5349372B2 - 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の信号出力部の要部構成例を示す平面図であり、図2は、図1のBB’線断面図である。
図6は、本発明の実施形態2における固体撮像素子の信号出力部の要部構成例を示す平面図であり、図7は、図1のCC’線断面図である。なお、図6および図7では、図1および図2で用いた構成部材と同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付して説明する。
図10は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態1、2のいずれかの固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
2 電荷転送領域
3 フローティングディフュージョン部(FD部)
4 水平出力トランジスタ
5 リセットトランジスタ
6 出力回路
6a 初段トランジスタ
7 半導体基板
8 P型ウェル領域
9 不純物拡散領域
10 ゲート絶縁膜
11、11A、16、17 ゲート電極
12 層間絶縁膜
13 コンタクト
14 配線
15、15A 空洞部(または空間部)
18 リセットドレイン領域
19 フィールド酸化膜
21 空間閉塞層
22 空間形成層
23、23a、23b、23c、23d 開口部
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
Claims (17)
- 被写体からの入射光を光電変換して撮像する複数の受光部から電荷転送領域を通って電荷転送されてきた各信号電荷を順次蓄積して電圧検出するフローティングディフュージョン部と、該フローティングディフュージョン部で検出した検出電圧に応じて増幅して撮像信号を出力する信号出力回路とを有する固体撮像素子において、
該フローティングディフュージョン部に接続される該信号出力回路を構成するトランジスタのゲート電極の一部が、該半導体基板との間に空間部を有している固体撮像素子。 - 請求項1に記載の固体撮像素子において、前記空間部上を覆う空間形成層が設けられている固体撮像素子。
- 請求項2に記載の固体撮像素子において、前記空間形成層は、前記ゲート電極が兼用しているかまたは該ゲート電極以外の膜で構成されている固体撮像素子。
- 請求項3に記載の固体撮像素子において、前記空間形成層には、前記空間部を形成するための複数の開口部が形成されており、該複数の開口部は、平面視でマトリクス状に形成された複数の四角形および複数の円形、一または複数列に形成されたスリット形状のうちの少なくともいずれかを有している固体撮像素子。
- 請求項1に記載の固体撮像素子において、前記フローティングディフュージョン部と前記トランジスタの不純物拡散領域との間の基板表面部には素子分離絶縁層として前記空間部が形成されている固体撮像素子。
- 請求項1に記載の固体撮像素子において、前記トランジスタのゲート電極はポリシリコン配線材料により構成されている固体撮像素子。
- 請求項1に記載の固体撮像素子において、前記フローティングディフュージョン部の表面部に電気的に接続されたコンタクト手段により、前記トランジスタのゲート電極として機能する部分から延設された端部に電気的に接続されている固体撮像素子。
- 請求項1に記載の固体撮像素子を製造する固体撮像素子製造工程を有する固体撮像素子の製造方法であって、
該固体撮像素子製造工程は、
前記半導体基板上に空間形成層が形成されてその上に前記ゲート電極の一部が形成されているかまたは、該ゲート電極が該空間形成層を兼用しており、
該空間形成層またはゲート電極に複数の開口部を形成し、該複数の開口部が形成された空間形成層またはゲート電極をマスクとして、該複数の開口部を通して該半導体基板または該半導体基板に形成された下地層をエッチングして、該半導体基板に前記空間部を形成する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記固体撮像素子製造工程は、
前記半導体基板上に前記フローティングディフュージョン部となる不純物拡散領域を形成した基板上に空間形成層となる膜を堆積する工程と、
該空間形成層となる膜の一部に複数の開口部を形成する開口部形成工程と、
該複数の開口部が形成された空間形成層をマスクとして、該半導体基板の一部を該複数の開口部を通してエッチングして前記空間部を形成する空間部形成工程と、
該空間形成層上に、該複数の開口部を閉塞するための空間閉塞層となる膜を堆積する空間閉塞層堆積工程と、
ゲート絶縁膜を形成する領域の前記空間形成層および前記空間閉塞層となる膜をエッチング除去する空間形成層および空間閉塞層形成工程と、
該ゲート絶縁膜を形成した後に、該ゲート絶縁膜および該空間閉塞層上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
該ゲート絶縁膜および該ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
該層間絶縁膜に、該フローティングディフュージョン部の表面に電気的に接続すると共に該ゲート電極から延設された端部に電気的に接続するコンタクト手段を形成するコンタクト手段形成工程とを有する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項9に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記空間形成層は、SiO2材料またはSiN材料から構成されている固体撮像素子の製造方法。
- 請求項9に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記空間部を、前記開口部を通して、SF6ガスを含むガスを電離プラズマ状態で前記半導体基板の一部を等方エッチングすることによって形成する固体撮像素子の製造方法。
- 請求項9に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記空間閉塞層が前記複数の空間部内に入り込まないように前記開口部のサイズおよび前記空間閉塞層の材料を設定する固体撮像素子の製造方法。
- 請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記固体撮像素子製造工程は、
前記半導体基板上に素子分離領域のフィールド酸化膜を形成した後に、前記フローティングディフュージョン部となる不純物拡散領域を形成し、該フィールド酸化膜および該不純物拡散領域が形成された基板上にゲート絶縁膜を堆積する工程と、
該ゲート絶縁膜の所定領域上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
該ゲート電極に複数の開口部を形成する開口部形成工程と、
該複数の開口部が形成されたゲート電極をマスクとして、該ゲート電極下にある前記フィールド酸化膜または該半導体基板の一部をエッチングして前記空間部を形成する空間部形成工程と、
該ゲート絶縁膜および該ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
該層間絶縁膜に、該フローティングディフュージョン部の表面に接続すると共に該ゲート電極から延設された端部に電気的に接続するコンタクト手段を形成するコンタクト手段形成工程とを有する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記空間部を、前記開口部を通してHFに浸液することにより前記フィールド酸化膜を等方エッチングすることによって形成する固体撮像素子の製造方法。
- 請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記空間部を、前記開口部を通して、SF4ガスを含むガスを電離プラズマ状態で前記半導体基板の一部を等方エッチングすることによって形成する固体撮像素子の製造方法。
- 請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法において、前記フィールド酸化膜および前記ゲート絶縁膜はSiO2材料から構成されている固体撮像素子の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010052412A JP5349372B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010052412A JP5349372B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187751A JP2011187751A (ja) | 2011-09-22 |
JP5349372B2 true JP5349372B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=44793670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010052412A Expired - Fee Related JP5349372B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5349372B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6856974B2 (ja) | 2015-03-31 | 2021-04-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
WO2016158440A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63204744A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Sharp Corp | 半導体装置の配線構造 |
JP3600544B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2004-12-15 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004063878A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 電荷検出装置及び固体撮像装置 |
JP4215596B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2009-01-28 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
JP2005123449A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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2010
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JP2011187751A (ja) | 2011-09-22 |
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