JP2009169431A - 立方晶系光学系における複屈折の補正 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光学系は、共通の光軸に沿って揃えられ、固有複屈折の影響を最小限に抑えかつ軽減されたリターダンスの系を作るように結晶格子が相互に配向した複数の立方晶系光学要素を含む。光学系の正味リターダンスは、個々の要素の固有複屈折が相殺されるように各要素が配向しているので、各光学要素のリターダンス寄与の和よりも小さい。一実施形態では、2つの[110]立方晶系光学要素が、リターダンスを軽減するように相互にクロッキングされ、[100]立方晶系光学要素と一緒に使用される。様々な複屈折要素、波長板、及びそれらの組合せは、さらに残留リターダンス及び波面収差の補正を可能にする。
【選択図】図1
Description
少なくとも2つの立方晶系光学要素を有するレンズ系を設け、応力誘起複屈折を少なくとも1つの光学要素に与えて残留リターダンスの変化を小さくすることによって、固有複屈折によって生じるリターダンス収差を軽減する方法及び装置を提供する。
図6は、固有複屈折の影響を軽減する基本技術を示すために用いられる光学系の例示的な構成を示している。この例示的な光学系は、開口数0.707で焦点の方へ集束し、各要素において45°の最大光線角度を与える収差のない光ビームから成っている。ビームは、曲率半径としてビームの焦点40と同心の曲率半径が指定された3つの立方晶系要素42、44、46を通過する。立方晶系要素42、44、46はそれぞれ、厚さ43、45、47を有している。例示的な実施形態では、各厚さ43、45、47は5mmであり、立方晶系要素42、44、46は、内容が引用によって本明細書に組み込まれるD. Krahmer, "Intrinsic Birefringence in CaF2(CaF2における固有複屈折)," Calcium Fluoride Birefringence Workshop, Intl SEMATECH, 2001年7月18日で提案されたように波長157nmで測定されたフッ化カルシウムの固有複屈折に対応する複屈折値ne−no=−12×10-7を有すると仮定することができる。この例示的な構成では、要素は、固有複屈折によって生じるリターダンス収差以外の波面収差を集束ビームにもたらすことはない。この例の場合、波長は157.63nmであり、常屈折率は1.5587と仮定される。
この実施形態は、図6に示されている例示的な光学系に適用することができる。本発明の実施形態1では、最初の2つの要素46、44は、[110]立方晶系結晶格子方向に沿って配向させられ、第3の要素42は、[100]格子方向に沿って配向させられる。ただし、他の例示的な実施形態では要素のこの特定の順序を変更することができる。さらに、第1の要素46及び第2の要素44の[110]結晶格子は、光軸に垂直な平面内で互いに対して90°回転させられている。光軸の周りでのこの回転は「クロッキング(clocking)」として知られている。
例示的な実施形態2によれば、本発明は、少なくとも4つの[110]光学要素及び少なくとも1つの[100]光学要素を用いることによってリターダンスを軽減する装置を提供する。図10に示されている図示の実施形態では、本発明は、それぞれの[110]結晶軸を系の光軸に沿わせた4つの要素と、その[100]結晶軸を系の光軸に沿わせた1つの要素とを有する装置を提供する。
それぞれ図6及び10に示されている例示的なレンズ構成に対応する第1及び第2の例示的な実施形態に適用される固有複屈折の影響を補償するのに用いられる基本原則は、他の例示的な実施形態でフォトリソグラフィに用いられるような他の様々な高性能多開口数光学系における固有複屈折効果の影響を補償するように拡張することができる。この原則は、屈折レンズ系と反射屈折レンズ系の両方に適用され、新しいレンズ系を構成する際または公知のレンズ規定を改善するために用いることができる。
固有複屈折の補償技術を適用する第3の例示的な実施形態については、フォトリソグラフィに用いられる例示的な全屈折投影レンズに関連して説明することができる。このような例示的なレンズは、内容が引用によって本明細書に組み込まれる、Y. Omuraのヨーロッパ特許第1139138号の第5の実施形態で与えられている。この例示的なレンズは図15の概略図に示されている。この例示的なシステムは、中心波長193.3nmで動作するように構成され、開口数0.75で4×縮小を行い、27.5mmの像視野直径を有している。この例示的な構造は、フッ化カルシウム及び溶融シリカで構成された6個の非球面表面を有する20個の要素Eを使用するが、以下の基線(baseline)計算では、各要素が−12×10-7の固有複屈折を有すると仮定する。
固有複屈折の補償技術を適用する第4の例示的な実施形態については、他の例示的な全屈折投影レンズに関連して説明することができる。このような例示的なレンズはフォトリソグラフィに用いることができ、特に、半導体製造産業で用いることができる。このような例示的なレンズは、Y. Omuraへのヨーロッパ特許第1139138A1号で開示された第7の実施形態で与えられている。この例示的なレンズは図1に示されている。このレンズは、中心波長193.3nmで動作するように設計され、開口数0.75で4×縮小を行い、27.5mmの像視野直径を有している。この設計は、フッ化カルシウム及び溶融シリカで構成された3個の非球面表面を有する28個の光学要素を使用するが、本発明の原則を示すのに用いられる以下の計算では、各要素は−12×10-7の固有複屈折を有すると仮定する。他の例示的な実施形態によれば、いくつかのレンズ要素を非立方晶系材料で形成するか、または非立方晶系材料で形成された追加のレンズ要素を使用することができる。乾燥溶融シリカのような様々な適切な非立方晶系材料を使用することができる。
固有複屈折の補償技術を適用する第5の例示的な実施形態については、偏光ビームスプリッタを用いるフォトリソグラフィ用の投影レンズなどの反射屈折光学系に関連して説明することができる。このような例示的なレンズは、内容が引用によって本明細書に組み込まれるY. Omuraの米国特許第6081382号の第2の実施形態として開示されている。この例示的なレンズは、図34の概略図に示されている。このシステムは有利なことに、中心波長λo=193.3nm及び開口数0.80で動作する。画像視野は8×25mm矩形スリット視野であり、レンズは4×縮小を行う。例示的な実施形態では、すべてのレンズが溶融シリカで構成されているが、他の例示的な実施形態では他の材料を用いることができる。
図45は、応力誘起複屈折を含む要素を用いて固有複屈折の影響を軽減する基本的な技術を実証するのに用いられる光学系の例示的な構成を示している。この図示の光学系は、集束ビームの焦点310と同心の2つの立方晶系光学要素から成っている。ビームは、曲率半径が焦点310と同心になるように指定された2つの立方晶系要素302及び306を通過する。立方晶系光学要素302及び306はそれぞれ厚さ304及び308を有している。例示的な実施形態では、厚さ304及び308はそれぞれ5mmであってよく、立方晶系要素302及び306は、波長157nmで測定されたフッ化カルシウムの固有複屈折に対応する複屈折値ne−no=−12×10-7を有すると仮定することができる。立方晶系光学要素302及び306はそれぞれ、共通の光軸312に沿って揃えられ、光軸312の周りを相対的に90°クロッキングされた[110]立方晶系光学要素であってよい。他の例示的な実施形態によれば、各要素の相対クロッキングを変えることができ、各要素の結晶配向を変えることができ、かつ追加の要素を含めることができる。
Claims (81)
- 光学系であって、
それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられ、前記光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの結晶格子が前記光軸の周りで相互に回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と、
その[100]格子方向が前記共通の光軸に沿わせて揃えられた少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素と、
を含み、
前記[100]立方晶系光学要素は、前記光学系内の前記光軸からずれた位置におけるリターダンスを軽減するように配向させられた光学系。 - 前記回転させられた[110]立方晶系光学要素は、前記[110]立方晶系光学要素のそれぞれのリターダンス寄与の和よりも小さい正味の光学系リターダンスを生じさせる、請求項1に記載の光学系。
- [110]立方晶系光学要素は、前記それぞれの[110]立方晶系光学要素のピーク固有複屈折ローブが相互に回転させられるように配向させられている、請求項1に記載の光学系。
- 前記[110]立方晶系光学要素は同じ材料で形成されている、請求項1に記載の光学系。
- 前記各[110]立方晶系光学要素はフッ化カルシウムで形成されている、請求項1に記載の光学系。
- 前記共通の光軸に沿って揃えられた他の光学要素をさらに有する、請求項1に記載の光学系。
- 前記他の光学要素のうちの少なくとも1つは非立方晶系材料で形成されている、請求項6に記載の光学系。
- 前記他の光学要素のうちの1つは、その[110]結晶格子方向を前記共通の光軸に沿わせて揃えられた他の[110]立方晶系光学要素を有し、前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素はそれぞれ第1の固有複屈折値を有し、前記他の[110]立方晶系光学要素は、前記第1の固有複屈折値と符号が反対の第2の固有複屈折値を有し、前記他の[100]立方晶系光学要素と前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素は、前記光学系内のリターダンスを軽減するように配向させられている、請求項6に記載の光学系。
- 前記各[100]立方晶系光学要素は、前記少なくとも1つの[110]立方晶系光学要素と同じ材料で形成されている、請求項1に記載の光学系。
- 前記他の光学要素のうちの少なくとも1つは、その[111]格子方向を前記共通の光軸に沿わせて揃えられた[111]立方晶系光学要素を有し、各[111]立方晶系光学要素は前記光学系内のリターダンス変化を小さくするように配向させられている、請求項6に記載の光学系。
- 系のリターダンスを補償するように前記共通の光軸に沿って揃えられた応力複屈折要素をさらに有する、請求項1に記載の光学系。
- 前記応力複屈折要素は、一定の複屈折値を有する倍率要素を有する、請求項11に記載の光学系。
- 前記応力複屈折要素は、a)一軸性結晶材料で形成されるか、またはb)応力誘起複屈折を含む、請求項12に記載の光学系。
- 前記応力複屈折要素は、要素内を通って線形にまたは二次的に変化する複屈折を有する被応力要素を有する、請求項11に記載の光学系。
- 前記応力複屈折要素は、前記光軸に直交する軸に沿って変化する応力複屈折値を有する、請求項11に記載の光学系。
- 前記光学系内のリターダンスを軽減するように前記共通の光軸に沿って配置された波長板をさらに有する、請求項1に記載の光学系。
- 前記波長板は、a)一軸性結晶要素で形成されるか、またはb)応力誘起複屈折を含む、請求項16に記載の光学系。
- 前記[110]立方晶系光学要素、[100]立方晶系光学要素、及び前記他の光学要素のうちの少なくとも1つは、曲率が非対称的に変化する表面を含む、請求項6に記載の光学系。
- 前記表面はトロイダル表面を有する、請求項18に記載の光学系。
- 前記[110]立方晶系光学要素、[100]立方晶系光学要素、及び前記他の光学要素のうちの前記少なくとも1つは、屈折率の変化による前記光学系の非点収差を軽減するように位置させられている、請求項6に記載の光学系。
- 前記少なくとも1つの[110]立方晶系光学要素のうちの2つは、前記共通の光軸の周りで相互に90°回転させられ、前記[100]立方晶系光学要素のうちの少なくとも1つは、前記少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素のピーク複屈折ローブが前記共通の光軸の周りで実質的に45°回転させられるように、前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素の[110]結晶軸に沿った局所複屈折軸の方向に関して、回転させられている、請求項1に記載の光学系。
- 前記他の光学要素は、十分な数の他の[100]立方晶系光学要素を含み、前記他の[100]立方晶系光学要素のうちの少なくとも1つは、前記光学系における非回転対称的な欠陥を補償するように前記他の[100]立方晶系光学要素のうちの別の光学要素に対して回転させられている、請求項6に記載の光学系。
- 前記少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素は、前記光学系における正味のリターダンスを最小限に抑えるように前記光軸の周りで相互に回転させられた少なくとも2つの[100]立方晶系光学要素を含む、請求項1に記載の光学系。
- 前記光学系は、少なくとも1つの反射面をさらに含む反射屈折系である、請求項1に記載の光学系。
- 1つの前記反射面は、非点収差を軽減するように印加される非対称応力を含む、請求項24に記載の光学系。
- 前記反射屈折系は、立方晶系材料で形成され前記共通の光軸にほぼ沿って揃えられた[100]格子方向を含むビームスプリッタであって、前記ビームスプリッタのピーク複屈折ローブが、前記光学系に与えられる光の入力偏光方向にほぼ垂直またはほぼ平行になるようにされている、請求項24に記載の光学系。
- 前記反射屈折系は、立方晶系材料で形成され前記光軸にほぼ沿って揃えられた[110]格子方向を含むビームスプリッタであって、前記光軸に沿う前記ビームスプリッタのピーク複屈折ローブが、前記光学系に与えられる光の入力偏光方向にほぼ垂直またはほぼ平行になるようにされている、請求項24に記載の光学系。
- 前記光学系の光源と、ビームスプリッタと、少なくとも1つの波長板と、物体側と、像側とをさらに有し、前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素は前記ビームスプリッタの前記物体側に位置させられている、請求項24に記載の光学系。
- 前記ビームスプリッタの前記像側に少なくとも2つの他の[110]立方晶系光学要素及び少なくとも1つの他の[100]立方晶系光学要素をさらに有し、各他の[110]立方晶系光学要素は、それぞれ、その[110]格子方向が前記光軸に沿って揃えられており、各他の[100]立方晶系光学要素は、それぞれ、その[100]格子方向が前記光軸に沿って揃えられ、かつ系のリターダンスを軽減するように配向させられている、請求項28に記載の光学系。
- 前記光学系の光源と、ビームスプリッタと、少なくとも1つの波長板と、物体側と、像側とをさらに有し、前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素及び前記少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素は、前記ビームスプリッタの前記像側に位置させられている、請求項24に記載の光学系。
- 前記共通の光軸に沿って揃えられ、前記光学系内のリターダンス変化を軽減するように印加される応力誘起複屈折を含む、少なくとも1つの他の光学要素をさらに有する、請求項24に記載の光学系。
- 光源とマスクパターンとをさらに有し、前記マスクパターンは、前記光学系を通して前記光源が前記マスクパターンを投影できるように位置させられている、請求項1に記載の光学系。
- 前記光源はエキシマレーザを有する、請求項32に記載の光学系。
- 前記光源は、約157nmと約193nmの一方の波長を有する光を放出することができる、請求項32に記載の光学系。
- 前記マスクパターンが投影されるように位置させられた基板と、248nm以下の波長を有する光を放出できる光源とをさらに有する、請求項32に記載の光学系。
- 前記[110]立方晶系光学要素及び前記[100]立方晶系光学要素のうちの少なくとも1つは、前記光学系の残留リターダンスを補償するための応力誘起複屈折を含む、請求項1に記載の光学系。
- 前記応力誘起複屈折は半径方向に変化する、請求項36に記載の光学系。
- 請求項1に記載の光学系を含むフォトリソグラフィツール。
- 請求項7に記載の光学系を含むフォトリソグラフィツール。
- 請求項29に記載の光学系を含むフォトリソグラフィツール。
- 集光器光学系と、レチクルとフォトマスクの一方の上に形成されたマスクパターンと、基板と、光源と、をさらに有し、前記フォトリソグラフィツールは前記マスクパターンを、前記光学系を通して前記基板上に投影するように構成されている、請求項38に記載のフォトリソグラフィツール。
- 集光器光学系と、レチクルとフォトマスクの一方の上に形成されたマスクパターンと、基板と、光源と、をさらに有し、前記フォトリソグラフィツールは前記マスクパターンを、前記光学系を通して前記基板上に投影するように構成されている、請求項39に記載のフォトリソグラフィツール。
- 集光器光学系と、レチクルとフォトマスクの一方の上に形成されたマスクパターンと、基板と、光源と、をさらに有し、前記フォトリソグラフィツールは前記マスクパターンを、前記光学系を通して前記基板上に投影するように構成されている、請求項40に記載のフォトリソグラフィツール。
- 前記光源は、248nm以下の波長を有する光を生成する、請求項41に記載のフォトリソグラフィツール。
- 前記光源は、248nm以下の波長を有する光を生成し、偏光を生成することができる、請求項43に記載のフォトリソグラフィツール。
- 光学系であって、
それぞれの[110]結晶軸が共通の光軸に沿わせて揃えられた4つの[110]立方晶系光学要素と、
その[100]結晶軸が前記共通の光軸に沿わせて揃えられた[100]立方晶系光学要素と、を有し、
前記[110]立方晶系光学要素と前記[100]立方晶系光学要素は、相互に、前記光学系の中心視野点における正味のリターダンスが実質的にゼロになるように、配向させられている、光学系。 - 基板上に形成され、回路パターンを含む半導体装置であって、前記回路パターンはそれぞれ、
投影光学系を含むリソグラフィシステムであって、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿って揃えられ、かつ、投影光学系内のリターダンスを軽減するように、相互に回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と、その[100]格子方向が前記共通の光軸に沿って揃えられ、かつ、前記投影光学系内のオフアクシス半径方向リターダンス変化を小さくするように配向させられた少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素と、を有するリソグラフィシステムと、
マスクパターンを有するフォトマスクと、
前記マスクパターンを、前記投影光学系を通して前記基板上に投影させることができる光源と、
によって形成される半導体装置。 - 前記半導体装置は集積回路を有し、前記回路パターンは、前記基板上に形成された複数の異なる層内に形成されている、請求項47に記載の半導体装置。
- 光学系におけるリターダンスを軽減する方法であって、
レンズ規定を有し、共通の光軸に沿って揃えられた複数の原光学要素を含み、第1の正味のリターダンスを有するレンズ系を設けることと、
前記レンズ規定を維持しつつ、前記原光学要素の少なくとも1つを少なくとも2つの小要素に分割することを有し、
各小要素は、立方晶系材料で形成され、前記光軸に沿って揃えられ、前記小要素は、前記第1の正味リターダンスよりも小さい正味のリターダンスを生じさせるように配向させられたそれぞれの結晶格子を有する、方法。 - 前記分割は、それぞれの[110]立方晶系結晶格子方向が前記光軸に沿って位置し、それぞれの結晶格子が前記光学系内のリターダンスを軽減するように相互に配向させられるように、1つの前記光学要素を揃えられた2つの[110]小要素に分割することを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記分割は、それぞれの[100]立方晶系結晶格子方向が前記光軸に沿って位置し、それぞれの結晶格子が前記光学系内のリターダンスを軽減するように相互に配向させられるように、1つの前記光学要素を揃えられた2つの[100]小要素に分割することを含む、請求項49に記載の方法。
- 前記分割は、その[110]立方晶系結晶格子方向が前記光軸に沿って揃えられている[110]小要素と、その[100]立方晶系結晶格子方向が前記光軸に沿って揃えられている[100]小要素とに前記原光学要素の1つを分割することを含み、前記レンズ系を設けることは、少なくとも1つの他の前記原光学要素が立方晶系光学要素であることを含む、請求項49に記載の方法。
- 少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素とを含む複数の光学要素を設けることと、
前記少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素が、それぞれの[100]結晶軸を共通の光軸に沿わせて揃えられ、前記少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素が、その[100]結晶軸を前記共通の光軸に沿わせて揃えられる、前記複数の光学要素を前記共通の光軸に沿って揃えることと、
前記各[110]立方晶系光学要素の三次元結晶格子がほぼまったく同等に揃えられたときに生じる系のリターダンスと比べて軽減されたリターダンスを生じさせるように、前記[110]立方晶系光学要素のうちの少なくとも1つを前記光軸の周りで回転させることと、
前記光学系内のオフアクシスリターダンス変化を小さくするように前記[100]立方晶系光学要素を配向させることと、
を含む、光学系におけるリターダンスを軽減する方法。 - 半導体装置を形成する方法であって、
光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられ、かつ相互に回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と、その[100]格子方向が前記共通の光軸に沿わせて揃えられ、前記光学系内のオフアクシスリターダンス変化を小さくするように配向させられた少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素と、を有する前記光学系を含むリソグラフィツールを設けることと、
マスクパターン及び基板を前記光学系に対して一定の位置に位置させることと、
光源を照明させ、それによって前記マスクパターンを前記光学系を通して前記基板上に投影させることと、
を含む、方法。 - 前記マスクパターンはレチクル上に形成され、前記基板は、その上に感光性コーティングを有し、
前記マスクパターン及び基板を位置させることは、前記レチクルを前記光学系の物体視野に配置し、前記半導体ウェハを前記光学系の像視野に配置することを含み、
前記照明することは、前記感光性コーティングに露光パターンを形成することを含む、請求項54に記載の方法。 - 前記露光パターンを現像することと、前記現像されたパターンを前記半導体ウェハ内にエッチングすることとをさらに含む、請求項55に記載の方法。
- 前記半導体ウェハは、その上に形成されたフィルムを含み、前記フィルム上に前記感光性コーティングが形成されており、
前記方法は、前記露光パターンを現像することと、前記現像されたパターンを前記フィルム内にエッチングすることとをさらに含む、請求項55に記載の方法。 - 照明することは、248nm以下の波長を有する光を生成することを含む、請求項54に記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィツールを設けることは、前記光学系が少なくとも1つの反射面をさらに含む反射屈折系であることを含む、請求項54に記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィツールを設けることは、前記反射屈折系がビームスプリッタと少なくとも1つの波長板とをさらに含むことを含み、前記照明することは、偏光を生成することをさらに含む、請求項59に記載の方法。
- 前記フォトリソグラフィツールを設けることは、前記光学系が、平均屈折率の変化による前記光学系の非点収差を軽減するように、前面と背面との少なくとも一方が曲率の非対称的な変化を有する少なくとも1つの前記光学要素を含むことを含む、請求項54に記載の方法。
- 前記照明することは、エキシマレーザに発光させることを含む、請求項54に記載の方法。
- 光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられかつ相互に回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と、光学要素の[100]格子方向が前記共通の光軸に沿わせて揃えられ、前記光学系内のオフアクシスリターダンス変化を小さくするように配向させられた少なくとも1つの[100]立方晶系光学要素と、を有する光学系を含むリソグラフィツールを設けることと、
マスクパターン及び基板を前記光学系に対して一定の位置に位置させることと、
光源を照明させ、それによって前記マスクパターンを前記光学系を通して前記基板上に投影させることと、
を含むプロセスにしたがって形成される半導体装置。 - 前記プロセスは、
前記位置させることは、前記マスクパターンがレチクル上に形成されることと、前記基板が、その上に感光性コーティングを有する半導体ウェハであることを含み、
前記照明することが前記感光性コーティングに露光パターンを形成することを含み、
前記プロセスは、前記露光パターンを現像することをさらに含む、請求項63に記載の半導体装置。 - 前記照明することは、前記光源に248nm以下の波長を有する光を放出させることを含む、請求項63に記載の半導体装置。
- 前記プロセスは、前記基板と前記基板上に形成された膜との一方に、前記現像されたパターンを移すことをさらに含む、請求項63に記載の半導体装置。
- 前記基板と前記基板上に形成された膜との一方に前記現像されたパターンを移すことは、エッチングを含む、請求項66に記載の半導体装置。
- 前記照明することは、エキシマレーザに発光させることを含む、請求項63に記載の半導体装置。
- 前記位置させることは、前記レチクルを前記光学系の物体視野に配置し、前記半導体ウェハを前記光学系の像視野に配置することを含む、請求項64に記載の半導体装置。
- 光学系であって、
前記光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられ、かつそれぞれの結晶格子が相互に前記光軸の周りを回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素と、
前記[110]立方晶系光学要素の残留リターダンスを補償するように、前記共通の光軸に沿って揃えられ、応力誘起複屈折を含む他の光学要素と、を含む光学系。 - 前記他の光学要素は非立方晶系材料で形成されている、請求項70に記載の光学系。
- 前記応力誘起複屈折は、前記他の光学要素内で半径方向に変化する、請求項70に記載の光学系。
- 光学系であって、
前記光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられ、かつそれぞれの結晶格子が相互に前記光軸の周りを回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素を含み、
前記[110]立方晶系光学要素の少なくとも1つは、残留リターダンス変化を補償するように応力誘起複屈折を含む、光学系。 - 前記[110]立方晶系光学要素のうちの少なくとも2つは、相互に前記共通の光軸の周りをほぼ90°回転させられている、請求項73に記載の光学系。
- 前記応力誘起複屈折は、大きさが中心から縁部へと大きくなる、請求項73に記載の光学系。
- 請求項73に記載の光学系を含むフォトリソグラフィツール。
- 前記共通の光軸に沿って揃えられた光学要素と、集光器光学系と、レチクル及びフォトマスクの一方の上に形成されたマスクパターンと、基板と、光源とをさらに有し、前記フォトリソグラフィツールは前記マスクパターンを前記光学系を通して前記基板上に投影するように構成されている、請求項76に記載のフォトリソグラフィツール。
- 前記光源は、248nm以下の波長を有する光を生成する、請求項77に記載のフォトリソグラフィツール。
- 半導体装置を形成する方法であって、
光学系内のリターダンスを軽減するように、それぞれの[110]格子方向が共通の光軸に沿わせて揃えられ、かつそれぞれの結晶格子が相互に前記光軸の周りで回転させられた少なくとも2つの[110]立方晶系光学要素を有し、前記[110]立方晶系光学要素の少なくとも1つは、リターダンス変化を補償するように応力誘起複屈折を含む、光学系を含むフォトリソグラフィツールを設けることと、
マスクパターン及び基板を前記光学系に対して一定の位置に位置させることと、
光源を照明させ、それによって前記マスクパターンを前記光学系を通して前記基板上に投影させることと、を含む方法。 - 前記マスクパターンはレチクル上に形成され、前記基板は、その上に感光性コーティングを有し、
前記位置させることは、前記レチクルを前記光学系の物体視野に配置し、前記半導体ウェハを前記光学系の像視野に配置することを含み、
前記照明することは、前記感光性コーティングに露光パターンを形成することを含み、
前記方法は、前記露光パターンを現像することを更に含む、請求項79に記載の方法。
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