JP2009168122A - 除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】除振性能を向上する除振装置およびその除振装置を有する露光装置を提供する。
【解決手段】被除振体1を駆動する駆動手段5と、基準体5と、前記基準体5を支持する支持手段6と、前記被除振体1と前記基準体5の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器7と、前記第1変位に基づいて前記駆動手段5を制御する第1制御器9と、を有する除振装置において、前記駆動手段5を支える基礎3と前記基準体5との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器8と、前記第2変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器10と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】被除振体1を駆動する駆動手段5と、基準体5と、前記基準体5を支持する支持手段6と、前記被除振体1と前記基準体5の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器7と、前記第1変位に基づいて前記駆動手段5を制御する第1制御器9と、を有する除振装置において、前記駆動手段5を支える基礎3と前記基準体5との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器8と、前記第2変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器10と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば、半導体素子あるいは液晶表示素子等のデバイスの製造におけるフォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置等に適した、除振装置に関する。
露光装置は、例えば半導体素子製造のフォトリソグラフィ工程で使用され、レチクル(原版)の回路パターンをシリコンウェハ上に露光・転写するための装置である。
半導体素子の高集積化の要求により、従来のステップ・アンド・リピート方式の露光装置から、現在ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が主流になっている。
これは、スリット状の照明光をレチクル一端から部分的に照射し、レチクルを保持するレチクルステージとウェハを保持するウェハステージを同期駆動させながら、回路パターン全体を投影光学系を介してウェハ(基板)上に露光していく走査式露光装置である。
これら露光装置では、基礎から装置に伝わる振動の絶縁のために、従来から除振装置が採用されている。
特に振動に敏感な投影光学系や各種計測系を搭載した定盤の支持装置として用いられ、微細な回路パターンの高精度な露光に寄与してきた。
除振装置の振動絶縁効果(除振性能と呼ばれる)を向上するには、被除振体の質量と支持手段のバネ定数で決まる固有値を極力小さくすればよいので、支持手段として空気バネが好適に採用される。
従来の除振装置の例を説明する。特許文献1は、被除振体の振動をセンサで検出し、制御弁を介して空気バネ内の空気圧を調整することにより振動制御を行なうもので、支持手段である空気バネをアクチュエータとしても用いた空気圧式のアクティブ除振装置である。
制御系は、被除振体に設置した加速度計や速度計の出力に基づいて、ダンピングと等価な力を発生させるフィードバック制御器を有する。
特許文献2は、基準物体と被除振対象の間の相対変位に基づいて、アクチュエータによりバネと等価な力を発生させるフィードバック制御器を有する。
基準物体は、基礎に対して被除振対象よりも低い固有値で支持されているので、被除振物体を基準物体に位置追従させることで、除振性能の向上を図っている。
特開平1−210634号公報
特開2005−294790号公報
半導体素子の高集積化の要求により、従来のステップ・アンド・リピート方式の露光装置から、現在ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が主流になっている。
これは、スリット状の照明光をレチクル一端から部分的に照射し、レチクルを保持するレチクルステージとウェハを保持するウェハステージを同期駆動させながら、回路パターン全体を投影光学系を介してウェハ(基板)上に露光していく走査式露光装置である。
これら露光装置では、基礎から装置に伝わる振動の絶縁のために、従来から除振装置が採用されている。
特に振動に敏感な投影光学系や各種計測系を搭載した定盤の支持装置として用いられ、微細な回路パターンの高精度な露光に寄与してきた。
除振装置の振動絶縁効果(除振性能と呼ばれる)を向上するには、被除振体の質量と支持手段のバネ定数で決まる固有値を極力小さくすればよいので、支持手段として空気バネが好適に採用される。
従来の除振装置の例を説明する。特許文献1は、被除振体の振動をセンサで検出し、制御弁を介して空気バネ内の空気圧を調整することにより振動制御を行なうもので、支持手段である空気バネをアクチュエータとしても用いた空気圧式のアクティブ除振装置である。
制御系は、被除振体に設置した加速度計や速度計の出力に基づいて、ダンピングと等価な力を発生させるフィードバック制御器を有する。
特許文献2は、基準物体と被除振対象の間の相対変位に基づいて、アクチュエータによりバネと等価な力を発生させるフィードバック制御器を有する。
基準物体は、基礎に対して被除振対象よりも低い固有値で支持されているので、被除振物体を基準物体に位置追従させることで、除振性能の向上を図っている。
除振性能を向上するには、被除振体の質量と支持手段のバネ定数で決まる固有値を極力小さくすればよいが、空気バネの場合、1〜3Hzが限度なので除振性能の向上には限界があった。
また、被除振対象よりも低い固有値で支持された基準物体に被除振体を位置追従させて除振性能の向上を図る場合でも、位置フィードバック制御器による除振帯域の拡大には限界があり、除振性能は必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、除振性能を向上することを例示的目的とする。
また、被除振対象よりも低い固有値で支持された基準物体に被除振体を位置追従させて除振性能の向上を図る場合でも、位置フィードバック制御器による除振帯域の拡大には限界があり、除振性能は必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、除振性能を向上することを例示的目的とする。
上記課題を解決するための本発明の除振装置は、被除振体を駆動する駆動手段と、基準体と、前記基準体を支持する支持手段と、前記被除振体と前記基準体の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器と、前記第1変位に基づいて前記駆動手段を制御する第1制御器と、を有する除振装置において、前記駆動手段を支える基礎と前記基準体との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器と、前記第2変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器と、を有することを特徴とする。
さらに、本発明の除振装置は、被除振体を駆動する駆動手段と、基準体と、前記基準体を支持する支持手段と、前記被除振体と前記基準体の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器と、前記第1変位に基づいて前記駆動手段を制御する第1制御器と、を有する除振装置において、前記駆動手段を支える基礎と前記基準体との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器と、前記第1変位と前記第2変位とから前記被除振体と前記駆動手段を支える基礎との間の相対変位である第3変位を算出し、前記第3変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器と、有することを特徴とする。
さらに、本発明の除振装置は、被除振体を駆動する駆動手段と、基準体と、前記基準体を支持する支持手段と、前記被除振体と前記基準体の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器と、前記第1変位に基づいて前記駆動手段を制御する第1制御器と、を有する除振装置において、前記駆動手段を支える基礎と前記基準体との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器と、前記第1変位と前記第2変位とから前記被除振体と前記駆動手段を支える基礎との間の相対変位である第3変位を算出し、前記第3変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器と、有することを特徴とする。
本発明によれば、例えば、除振性能を向上することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る除振装置の構成を示し、x方向一軸のみを取り出した振動モデルと制御系の構成を示している。
本実施例1においては振動が低減される被除振体1の空間の6自由度の運動方向について同じ制御系で構成されている。
x1は質量M1である被除振体1の絶対変位、x0は基礎3の絶対変位、x2は質量M2である基準体5の絶対変位を表わす。基準体5は振動による変位の基準となるものである。
図7に示される投影光学系121を搭載する鏡筒定盤131などの被除振体1は、空気バネなどから成る支持手段2によって基礎3から支持される。
この基礎3は、床130あるいは床130と振動的に絶縁されてない装置基台132を含む。
第1支持手段2の動特性は、ばね定数K1のバネと粘性係数C1のダンパで表現できる。
よって、被除振体1と第1支持手段2で決まる固有値は、f1=(1/2/π)・√(K1/M1)となる。
アクチュエータ4は被除振体1を駆動する駆動手段であり、空気バネやローレンツアクチュエータ、ボイスコイルモータ、電磁石などの力アクチュエータなどから成る。
アクチュエータ4のAは動特性を表し、空気バネの場合は積分特性あるいは一次遅れ特性、力アクチュエータの場合は比例ゲイン特性で表現することができる。
なお、支持手段2とアクチュエータ4を同一構成とすることができる。
基準体5は、空気バネあるいは力アクチュエータなどの第2支持手段6によって基礎3から支持される。
本実施例1においては振動が低減される被除振体1の空間の6自由度の運動方向について同じ制御系で構成されている。
x1は質量M1である被除振体1の絶対変位、x0は基礎3の絶対変位、x2は質量M2である基準体5の絶対変位を表わす。基準体5は振動による変位の基準となるものである。
図7に示される投影光学系121を搭載する鏡筒定盤131などの被除振体1は、空気バネなどから成る支持手段2によって基礎3から支持される。
この基礎3は、床130あるいは床130と振動的に絶縁されてない装置基台132を含む。
第1支持手段2の動特性は、ばね定数K1のバネと粘性係数C1のダンパで表現できる。
よって、被除振体1と第1支持手段2で決まる固有値は、f1=(1/2/π)・√(K1/M1)となる。
アクチュエータ4は被除振体1を駆動する駆動手段であり、空気バネやローレンツアクチュエータ、ボイスコイルモータ、電磁石などの力アクチュエータなどから成る。
アクチュエータ4のAは動特性を表し、空気バネの場合は積分特性あるいは一次遅れ特性、力アクチュエータの場合は比例ゲイン特性で表現することができる。
なお、支持手段2とアクチュエータ4を同一構成とすることができる。
基準体5は、空気バネあるいは力アクチュエータなどの第2支持手段6によって基礎3から支持される。
第2支持手段6の動特性は、ばね定数K2のバネと粘性係数C2のダンパで表現できる。
よって、基準体5と第1支持手段2で決まる固有値は、f2=(1/2/π)・√(K2/M2)となる。
基準体系5の固有値は、被除振体1の系よりも低く設定する必要がある。
すなわちf1>f2とする。この場合の理想的な支持として、K2=0とできれば、f2=0とできる。
このためには基準体5の変位に関わらず、基準体5の重量(M2×g;gは重力加速度)と反対向きに等しい合力を発生させればよい。
この反対向きに等しい合力を発生させる手段として、基準体5を支持する空気バネに一定圧力フィードバックを構成する手段、基準体5を支持するリニアモータなどの力アクチュエータに一定電流フィードバックを構成する手段、永久磁石にて支持する手段がある。
あるいは、それらの組み合わせを選択することができる。
第1検出器7は、被除振体1と基準体5の間の相対変位である第1変位を検出する手段である。
第1制御器9は、第1変位に基づいて、駆動手段であるアクチュエータ4を制御し、
アクチュエータ4によりバネと等価な力を発生させる手段であり、PIDフィードバック制御器が好適に用いられる。
r1は被除振体1の位置目標値(通常x1=0としたいのでr1=0に設定する)である。
また、第2検出器8は、駆動手段であるアクチュエータ4を支える基礎3と基準体5の間の相対変位である第2変位を検出する手段である。
第2制御器10は、第2変位に基づいて、駆動手段であるアクチュエータ4を駆動する手段である。
第2制御器10の動特性はH2であり、第2変位に基づいて、基礎3の変位が支持手段2を介して伝達して被除振体1に及ぼす図2に示される力外乱20を打ち消すようにアクチュエータ4を駆動するためのフィードフォワード制御器である。
よって、基準体5と第1支持手段2で決まる固有値は、f2=(1/2/π)・√(K2/M2)となる。
基準体系5の固有値は、被除振体1の系よりも低く設定する必要がある。
すなわちf1>f2とする。この場合の理想的な支持として、K2=0とできれば、f2=0とできる。
このためには基準体5の変位に関わらず、基準体5の重量(M2×g;gは重力加速度)と反対向きに等しい合力を発生させればよい。
この反対向きに等しい合力を発生させる手段として、基準体5を支持する空気バネに一定圧力フィードバックを構成する手段、基準体5を支持するリニアモータなどの力アクチュエータに一定電流フィードバックを構成する手段、永久磁石にて支持する手段がある。
あるいは、それらの組み合わせを選択することができる。
第1検出器7は、被除振体1と基準体5の間の相対変位である第1変位を検出する手段である。
第1制御器9は、第1変位に基づいて、駆動手段であるアクチュエータ4を制御し、
アクチュエータ4によりバネと等価な力を発生させる手段であり、PIDフィードバック制御器が好適に用いられる。
r1は被除振体1の位置目標値(通常x1=0としたいのでr1=0に設定する)である。
また、第2検出器8は、駆動手段であるアクチュエータ4を支える基礎3と基準体5の間の相対変位である第2変位を検出する手段である。
第2制御器10は、第2変位に基づいて、駆動手段であるアクチュエータ4を駆動する手段である。
第2制御器10の動特性はH2であり、第2変位に基づいて、基礎3の変位が支持手段2を介して伝達して被除振体1に及ぼす図2に示される力外乱20を打ち消すようにアクチュエータ4を駆動するためのフィードフォワード制御器である。
以下、本発明の実施例による除振性能の向上を伝達関数を用いて説明する。
図2は、図1に示した除振装置の制御系ブロック線図である。Sはラプラス演算子を示す。
先ず、図2を参照して第1変位(x1−x2)を算出すると以下になる。
図2は、図1に示した除振装置の制御系ブロック線図である。Sはラプラス演算子を示す。
先ず、図2を参照して第1変位(x1−x2)を算出すると以下になる。
即ち、C2→0、K2→0の極限において、x2は以下となる。
この時、第1支持手段2を伝達して被除振体1におよぼす力外乱(C1S+K1)x0 がちょうど相殺されて分子がゼロとなるので、振動伝達率(x1/x0)もゼロとすることができる。
しかし、実用上は完全な微分要素を実現できないので、H2を以下のように時定数T2 のローパスフィルタを何段か含む要素とし、Sに関して分母次数≧分子次数とする。
を小さくしていけば、第1支持手段2を伝達して被除振体1におよぼす力外乱(C1S+K1)x0
を打ち消せることがわかる。
これにより、振動伝達率(x1/x0)のゲインを小さくできるので、除振性能を向上する。
本実施例によれば、基礎3の変位が第1支持手段2を介して被除振体1に及ぼす力外乱を打ち消すようにアクチュエータ4を駆動するための制御系が構成される。
このため、除振性能を向上し、露光性能を向上する。
図3に本発明の実施例による除振性能の向上を示す数値シミュレーション結果である。
縦軸は、振動伝達率(x1/x0)で単位は[dB]、横軸は周波数[Hz]である。
図3に示される一点鎖線21は、第1制御器9と第2制御器10が共にOFFの時、破線22は第1制御器9のみONの時、実線23は更に第2制御器10がONの時の振動伝達率である。
このように本発明の実施例における第2制御器10により大幅に除振性能が向上する。
縦軸は、振動伝達率(x1/x0)で単位は[dB]、横軸は周波数[Hz]である。
図3に示される一点鎖線21は、第1制御器9と第2制御器10が共にOFFの時、破線22は第1制御器9のみONの時、実線23は更に第2制御器10がONの時の振動伝達率である。
このように本発明の実施例における第2制御器10により大幅に除振性能が向上する。
図4を参照して、本発明の実施例2に係る除振装置を説明する。
実施例1と異なり、基準体5は被除振体1の延長部1aから支持されている。この場合、基準体5の変位x2を算出すると以下になる。
実施例1と異なり、基準体5は被除振体1の延長部1aから支持されている。この場合、基準体5の変位x2を算出すると以下になる。
即ち、C2→0、K2→0の極限において、x2は以下となる。
図5、図6を参照して、本発明の実施例3に係る除振装置を説明する。
図6は本実施例3に係る除振装置の制御系ブロック線図である。
第2制御器10aは、第1変位と第2変位とから被除振体1と駆動手段であるアクチュエータ4を支える基礎3との間の相対変位である第3変位を算出し、この第3変位に基づいて駆動手段であるアクチュエータ4を制御する手段である。
第2制御器10aのH2への入力信号は、第1変位と第2変位から算出された第3変位(x1−x0)である。
図6を参照して第1変位(x1−x2)を算出すると以下になる。
図6は本実施例3に係る除振装置の制御系ブロック線図である。
第2制御器10aは、第1変位と第2変位とから被除振体1と駆動手段であるアクチュエータ4を支える基礎3との間の相対変位である第3変位を算出し、この第3変位に基づいて駆動手段であるアクチュエータ4を制御する手段である。
第2制御器10aのH2への入力信号は、第1変位と第2変位から算出された第3変位(x1−x0)である。
図6を参照して第1変位(x1−x2)を算出すると以下になる。
即ち、C2→0、K2→0の極限において、x2→0となる。よって、第1変位(x1−x2)は、以下のように実質的にx1になる。
この時、第1支持手段2を伝達して被除振体1におよぼす力外乱(C1S+K1)x0 がちょうど相殺されて分子がゼロとなるので、振動伝達率(x1/x0)もゼロとすることができる。
しかし、実用上は完全な微分要素を実現できないので、H2を以下のように時定数T2 のローパスフィルタを何段か含む要素とし、Sに関して分母次数≧分子次数とする。
を小さくしていけば、第1支持手段2を伝達して被除振体1におよぼす力外乱(C1s+K1)x0 を打ち消す。これにより、振動伝達率(x1/x0)のゲインを小さくできるので、除振性能を向上する。
図7は本発明の実施例に係る除振装置133が搭載されたステップ・アンド・スキャン露光装置の一実施例である。
レチクル101は6自由度の運動方向(X、Y、Zおよびθx、θy、θz方向)について駆動可能なレチクルステージ102に保持され、ウェハ111も6自由度の運動方向について駆動可能なウェハステージ112に保持されている。
ステージ位置を6自由度の運動方向に計測するレーザ干渉計103、113、ウェハ像面計測のためのフォーカスセンサ107が鏡筒定盤131に設置され、投影光学系121に対して両ステージは各々6自由度の運動方向について位置合わせが行われる。
投影光学系121を支持する鏡筒定盤131は、被除振体1に相当し、基準体5は基礎3と振動的に絶縁されてない装置基台部132から支持されている。
露光装置の動作中にレチクルステージ102とウェハステージ112を所定の位置、速度にて駆動するため、レーザ干渉計103、113での計測情報に基づいてリニアモータ104、114を駆動する制御器105、115を有する。
さらに、ウェハステージ112をマスタ、レチクルステージ102をスレーブとする、いわゆるマスタスレーブ方式の同期制御にて両ステージの相対位置ずれを低減する。
さらに、この時、上述の実施例1、2、3の除振装置を制御することによって、除振性能を向上し、微細なパターンの高精度な露光が達成される。
レチクル101は6自由度の運動方向(X、Y、Zおよびθx、θy、θz方向)について駆動可能なレチクルステージ102に保持され、ウェハ111も6自由度の運動方向について駆動可能なウェハステージ112に保持されている。
ステージ位置を6自由度の運動方向に計測するレーザ干渉計103、113、ウェハ像面計測のためのフォーカスセンサ107が鏡筒定盤131に設置され、投影光学系121に対して両ステージは各々6自由度の運動方向について位置合わせが行われる。
投影光学系121を支持する鏡筒定盤131は、被除振体1に相当し、基準体5は基礎3と振動的に絶縁されてない装置基台部132から支持されている。
露光装置の動作中にレチクルステージ102とウェハステージ112を所定の位置、速度にて駆動するため、レーザ干渉計103、113での計測情報に基づいてリニアモータ104、114を駆動する制御器105、115を有する。
さらに、ウェハステージ112をマスタ、レチクルステージ102をスレーブとする、いわゆるマスタスレーブ方式の同期制御にて両ステージの相対位置ずれを低減する。
さらに、この時、上述の実施例1、2、3の除振装置を制御することによって、除振性能を向上し、微細なパターンの高精度な露光が達成される。
次に、図8及び図9を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ3(ウェハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。
ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
図8は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ3(ウェハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。
ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
図9は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ13(電極形成)では、ウェハに電極を形成する。
ステップ14(イオン打込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。
ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
ステップ11(酸化)では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ13(電極形成)では、ウェハに電極を形成する。
ステップ14(イオン打込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ15(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。
ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
1:被除振体 2:第1支持手段 3:基礎
4:アクチュエータ 5:基準体 6:第2支持手段
7:第1検出器 8:第2検出器
9:第1制御器 10:第2制御器 10a:第2制御器
101:レチクル 102:レチクルステージ 103:レーザ干渉計
104:リニアモータ 111:ウェハ 112:ウェハステージ
113:レーザ干渉計 114:リニアモータ 121:投影光学系
122:照明光学系 130:床 131:鏡筒定盤
132:装置基台 133:除振装置
4:アクチュエータ 5:基準体 6:第2支持手段
7:第1検出器 8:第2検出器
9:第1制御器 10:第2制御器 10a:第2制御器
101:レチクル 102:レチクルステージ 103:レーザ干渉計
104:リニアモータ 111:ウェハ 112:ウェハステージ
113:レーザ干渉計 114:リニアモータ 121:投影光学系
122:照明光学系 130:床 131:鏡筒定盤
132:装置基台 133:除振装置
Claims (4)
- 被除振体を駆動する駆動手段と、
基準体と、
前記基準体を支持する支持手段と、
前記被除振体と前記基準体の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器と、
前記第1変位に基づいて前記駆動手段を制御する第1制御器と、を有する除振装置において、
前記駆動手段を支える基礎と前記基準体との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器と、
前記第2変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器と、
を有することを特徴とする除振装置。 - 被除振体を駆動する駆動手段と、
基準体と、
前記基準体を支持する支持手段と、
前記被除振体と前記基準体の間の相対変位である第1変位を検出する第1検出器と、
前記第1変位に基づいて前記駆動手段を制御する第1制御器と、を有する除振装置において、
前記駆動手段を支える基礎と前記基準体との間の相対変位である第2変位を検出する第2検出器と、
前記第1変位と前記第2変位とから前記被除振体と前記駆動手段を支える基礎との間の相対変位である第3変位を算出し、前記第3変位に基づいて前記駆動手段を制御する第2制御器と、
を有することを特徴とする除振装置。 - 基板を露光してパターンを転写する露光装置であって、
請求項1または2に記載の除振装置と、
前記除振装置により振動が低減される被除振体と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項3に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008006322A JP2009168122A (ja) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | 除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008006322A JP2009168122A (ja) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | 除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009168122A true JP2009168122A (ja) | 2009-07-30 |
Family
ID=40969530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008006322A Pending JP2009168122A (ja) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | 除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2009168122A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013036511A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Takenaka Komuten Co Ltd | 除振システム |
JP2016008619A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | キヤノン株式会社 | 振動制御装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
-
2008
- 2008-01-15 JP JP2008006322A patent/JP2009168122A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013036511A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Takenaka Komuten Co Ltd | 除振システム |
JP2016008619A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | キヤノン株式会社 | 振動制御装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US9599185B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-03-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Vibration control apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method |
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