JP2009158822A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
   前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率を測定し、
   第１の反射率と第２の反射率を基準として、
   前記反射率が前記第１の反射率未満である場合には前記半導体層の一部が非溶融状態にあると判断し、
   前記反射率が前記第１の反射率以上、前記第２の反射率未満である場合には前記半導体層の一部が部分溶融状態にあると判断し、
   前記反射率が前記第２の反射率以上である場合には前記半導体層の一部が完全溶融状態にあると判断する半導体層の評価方法であって、
   前記第１の反射率は、前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面が溶融状態にある場合の反射率であり、
   前記第２の反射率は、前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面が溶融状態にある場合の反射率であることを特徴とする半導体層の評価方法。
2. 基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
   前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率の経時変化を測定し、
   前記反射率が変化しない段階では、前記半導体層の一部が非溶融状態にあると判断し、
   前記反射率が変化する段階では、前記半導体層の一部が部分溶融状態にあると判断し、
   前記反射率の変化が飽和した段階では、前記半導体層の一部が完全溶融状態にあると判断することを特徴とする半導体層の評価方法。
3. 基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
   前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率の経時変化を測定し、
   第１の反射率を基準として、
   前記反射率の最大値が前記第１の反射率未満である場合には前記半導体層が所望の溶融状態に達していないと判断し、
   前記反射率の最大値が前記第１の反射率以上の一定範囲にある場合には前記半導体層が前記所望の溶融状態に達したと判断し、
   前記反射率の最大値が前記一定範囲を超えた場合には前記半導体層が前記所望の溶融状態を超える溶融状態に達したと判断することを特徴とする半導体層の評価方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記参照光は、固体状態の前記半導体層にその一部が吸収される光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記参照光は、３００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長の光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記参照光は、前記半導体層の溶融状態を変化させない強度の光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記半導体層は単結晶半導体層であることを特徴とする半導体層の評価方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体層の評価方法を用いて前記レーザー光の照射条件を決定し、該決定した照射条件を用いて前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
9. 請求項１又は請求項２に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記部分溶融状態又は前記完全溶融状態にあると判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
10. 請求項３に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記所望の溶融状態に達したと判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
11. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体層の評価方法を用いて前記レーザー光の照射条件を決定し、該決定した照射条件を用いて前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１又は請求項２に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記部分溶融状態又は前記完全溶融状態にあると判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項３に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記所望の溶融状態に達したと判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体装置の作製方法。