JP2009151891A - 磁気デバイスの製造方法 - Google Patents
磁気デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009151891A JP2009151891A JP2007330536A JP2007330536A JP2009151891A JP 2009151891 A JP2009151891 A JP 2009151891A JP 2007330536 A JP2007330536 A JP 2007330536A JP 2007330536 A JP2007330536 A JP 2007330536A JP 2009151891 A JP2009151891 A JP 2009151891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- target
- magnetic
- orientation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1ターゲットT1をスパッタする前に、Arを用いたプラズマを基板Sの表面に照射し、基板Sの表面を洗浄した。そして、基板Sと第1ターゲットT1との間の距離が第1ターゲットT1から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Sに、膜厚が5nm〜20nmのMgO層を形成した。
【選択図】図3
Description
Nature Mater.3(2004)868 Applied Physics Letter 88,192508(2006)
磁気デバイスの製造方法であって、前記酸化マグネシウム層を形成する工程と、前記磁性層を形成する工程とを交互に繰り返すことを要旨とする。
電源26からの高周波電力を受けて、ステージ24に載置される基板Sの表面へ負のバイアス電位を印加する。
るため、MgO層の(001)面方位への配向性が乱れてしまう。
sより大きく、X線ロッキングカーブの半値幅が4.5°以下である状態を言う。
表面に熱酸化膜(SiO2膜)を有した直径8インチのSiウェハを、基板Sとして用いた。そして、基板Sを前処理部13へ搬送し、処理室本体21にArを導入して、処理室本体21の圧力を0.074Paに維持した。
グカーブの半値幅とを図4に示す。
実施例1と同じく、表面に熱酸化膜(SiO2膜)を有した直径8インチのSiウェハを、基板Sとして用いた。そして、基板Sの表面に上記実施例1と同様の洗浄処理を施し、その後、基板Sを配向層形成部14へ搬送した。
基板Sの表面への洗浄処理を施すことなく、その他の条件を実施例1と同じくして、比較例1のMgO層を得た。そして、比較例1のMgO層について、実施例1と同じく、out‐of‐plane‐X線回折を測定した。
成膜圧力を実施例1よりも高く設定し、その他の条件を実施例1と同じくして、比較例2のMgO層を得た。そして、実施例1と同じく、各比較例2のMgO層について、out‐of‐plane‐X線回折を測定した。各比較例2から得たMgO(200)面方位の回折ピークについて、それぞれピーク強度と、ロッキングカーブの半値幅とを図4に示す。
基板SにMgO層を形成することなく、その他の条件を実施例2と同じくして、Co2MnSi/Taからなる積層膜を得た。次いで、実施例2と同じく、1×10−4Pa以下に減圧された真空槽へ基板Sを搬送し、基板Sの面内へ磁界中における熱処理を1時間だけ施すことによって、比較例3を得た。なお、この際、基板Sの温度を、室温、300℃、及び400℃に変更し、複数の異なる比較例3を得た。
Siの(200)面方位への配向性を強くする。
次に、磁気デバイスの製造装置10を用いたハードディスクドライブ(HDD:Hard Disk Drive )の製造方法について以下に説明する。図7は、HDDに搭載される磁気ディスク40の要部を示す断面図である。
次に、磁気デバイスの製造装置10を用いた磁気メモリの製造方法について以下に説明する。図8は、磁気メモリ50の要部を示す断面図である。
(1)上記実施形態では、第1ターゲットT1をスパッタする前に、Arを用いたプラズマを基板Sの表面に照射し、基板Sの表面を洗浄した。そして、基板Sと第1ターゲットT1との間の距離が第1ターゲットT1から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Sに、膜厚が5nm〜20nmのMgO層を形成した。
・上記実施形態においては、スパッタガスをArに具体化したが、これに限らず、例えば、スパッタガスを、NeやKr等の希ガスに具体化しても良い。
Claims (4)
- 希ガスを用いて第1ターゲットをスパッタすることにより基板の表面に酸化マグネシウム層を形成する工程と、第2ターゲットをスパッタして前記酸化マグネシウム層に磁性層を積層する工程と、前記磁性層を加熱する工程とを備えた磁気デバイスの製造方法であって、
前記酸化マグネシウム層を形成する工程は、
前記第1ターゲットをスパッタする前に、希ガスを用いたプラズマを前記基板の表面に照射して前記基板の表面を洗浄し、
前記基板と前記第1ターゲットとの間の距離が第1ターゲットから放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される前記基板に、膜厚が5nm〜20nmの酸化マグネシウム層を形成することを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 請求項1に記載の磁気デバイスの製造方法であって、
前記酸化マグネシウム層を形成する工程は、
前記基板と前記第1ターゲットとの間の距離を200mmに設定すると共に、前記希ガスとしてアルゴンガスを用いて成膜圧力を0.01Pa〜0.02Paに設定することを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 請求項1又は2に記載の磁気デバイスの製造方法であって、
前記第1ターゲットと前記第2ターゲットとが共通する真空槽に配置されることを特徴とする磁気デバイスの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気デバイスの製造方法であって、
前記酸化マグネシウム層を形成する工程と、前記磁性層を形成する工程とを交互に繰り返すことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007330536A JP5101266B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 磁気デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007330536A JP5101266B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 磁気デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009151891A true JP2009151891A (ja) | 2009-07-09 |
JP2009151891A5 JP2009151891A5 (ja) | 2010-11-11 |
JP5101266B2 JP5101266B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=40920847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007330536A Expired - Fee Related JP5101266B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 磁気デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5101266B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011030826A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 株式会社 アルバック | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2011058073A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2013082961A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置 |
CN106715749A (zh) * | 2014-09-24 | 2017-05-24 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107530926A (zh) * | 2015-04-17 | 2018-01-02 | 三菱化学株式会社 | 纤维增强复合材料成型品及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273141A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-18 | Akita Pref Gov | 薄膜磁気記録媒体 |
JP2004272997A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2005092918A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Japan Science & Technology Agency | アモルファス軟磁性膜を有する垂直磁気記録媒体 |
-
2007
- 2007-12-21 JP JP2007330536A patent/JP5101266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273141A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-18 | Akita Pref Gov | 薄膜磁気記録媒体 |
JP2004272997A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2005092918A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Japan Science & Technology Agency | アモルファス軟磁性膜を有する垂直磁気記録媒体 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011030826A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | 株式会社 アルバック | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2011058073A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP5596694B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-09-24 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法 |
JP2013082961A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ装置 |
CN106715749A (zh) * | 2014-09-24 | 2017-05-24 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
EP3199661A4 (en) * | 2014-09-24 | 2018-03-21 | ULVAC, Inc. | Sputtering device |
CN106715749B (zh) * | 2014-09-24 | 2019-02-12 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5101266B2 (ja) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5139498B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
US8810974B2 (en) | Magnetic sensor stack body, method of forming the same, film formation control program, and recording medium | |
US8993351B2 (en) | Method of manufacturing tunneling magnetoresistive element | |
JP5336591B2 (ja) | 磁気センサ積層体、その成膜方法、成膜制御プログラムおよび記録媒体 | |
US8488373B2 (en) | Spin injection layer robustness for microwave assisted magnetic recording | |
US8669122B2 (en) | Method for producing a magnetic tunnel junction and magnetic tunnel junction thus obtained | |
JP2009302550A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造装置 | |
TWI475646B (zh) | 磁性元件之製造方法、磁性元件之製造裝置、及磁性元件 | |
JP5101266B2 (ja) | 磁気デバイスの製造方法 | |
JPWO2012090395A1 (ja) | 製造装置 | |
JP2013197524A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
KR20090074074A (ko) | 자기 기억 장치 | |
US20080316656A1 (en) | Magnetic head and method of manufacturing the magnetic head | |
JP5190316B2 (ja) | 高周波スパッタリング装置 | |
JP6353901B2 (ja) | 磁性材料 | |
JP2003218427A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 | |
JP4885769B2 (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置 | |
CN111373559A (zh) | 对来自图案化的磁穿隧结的侧壁材料的高温挥发 | |
US10910557B2 (en) | Apparatus and methods of fabricating a magneto-resistive random access memory (MRAM) device | |
CN104600194B (zh) | 提高磁性膜AMR的金属Ta成膜方法 | |
JP2008103026A (ja) | 金属保護膜の形成方法及び金属保護膜の成膜システム | |
JP2010080812A (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法 | |
JP2011081873A (ja) | 垂直磁気記録媒体用記録層、垂直磁気記録媒体、及び強磁性金属膜の作製方法 | |
JP2001195736A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2006134913A (ja) | Ru膜形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100929 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100929 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120911 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120926 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5101266 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |