JP2009134781A - 2層型光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】書き換え可能な2層型光記録媒体の記録容量を大きくする際に、L0層の記録感度を保ちつつ、L1層の信号出力(反射率差)を向上させる。
【解決手段】記録再生が可能な最短マーク長Lminが1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10であり、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層を有する書き換え可能な2層型光記録媒体であって、記録膜の膜厚Trec(nm)と反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たすようにする。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
【選択図】図2
【解決手段】記録再生が可能な最短マーク長Lminが1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10であり、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層を有する書き換え可能な2層型光記録媒体であって、記録膜の膜厚Trec(nm)と反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たすようにする。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
【選択図】図2
Description
この発明は、相変化材料からなる2層の情報層を有する書き換え可能な2層型光記録媒体に関する。
従来、特許文献1に示されるようなブルーレイ(商標)ディスク(以下BD)の2層型光記録媒体の記録容量は最大で50GB(1層当たり25GB)であった。しかしながら、より大記録容量の書き換え可能な2層型光記録媒体を実現したいという要望が出てきた。
これに対して、例えば、最も小さい記録マークのレーザー光の走査方向の長さである最短マーク長をより短くし、記録マークを高密度化する(線密度を高める)ことで大記録容量化を実現することが考えられる。線密度を高めると、最短マーク長が、従来のBDの0.149μmから、BD光学系の再生限界である0.119μmに近づいていくことになる。最短マーク長をLmin(μm)、レーザー光の波長をλ(μm)、対物レンズの開口数をNAとすると、λ/4NA<Lmin<λ/3.5NA、即ち、1<{Lmin/(λ/NA)}×4<4/3.5であるとき、最短マーク長の記録マークとスペースが変調信号中に連続すると、この記録マークとスペース列の再生信号の振幅が小さくなり、その信号出力及びCNR(Carrier to Noise Ratio)が急激に低下して、記録再生特性が悪化してしまう。特に、Lmin=0.119μmとすると、60GB(1層当たり30GB)の記録容量を実現することができるものの、レーザービーム照射によって1つ1つの最短マーク長の記録マークを識別することが不可能となり、記録マークのCNRが大幅に低下してしまう。2層の情報層のうち、レーザービームの光入射面側の情報層であるL1層は、半透明情報層であるため、もう一方の情報層であるL0層に比べて信号出力(記録マークとスペース列の再生信号振幅)が小さく、最短マーク長の記録マークのCNRが小さいため、線記録密度の向上はより難しい。
この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、BDの光学系において、1層30GB、2層60GBの書き換え可能な2層型光記録媒体を提供することを課題とする。
本発明者等は、鋭意研究の結果、第2の情報層であるL1層の記録膜及び反射膜の膜厚を高密度記録に最適な範囲内とすることで、第1の情報層であるL0層の記録感度を悪化させずにL1層の信号出力を高めることができ、1層30GB、2層60GBの書き換え可能な2層型光記録媒体を提供することができることを見出した。
即ち、以下の実施例により上記課題を解決することができる。
(1)レーザー光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとしたときに、記録再生が可能な最短マーク長Lminが
1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10
であり、第1の情報層と、前記第1の情報層の光入射面側に配置され、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層である第2の情報層と、を有する書き換え可能な2層型光記録媒体であって、前記記録膜の膜厚Trec(nm)と前記反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たすことを特徴とする2層型光記録媒体。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10
であり、第1の情報層と、前記第1の情報層の光入射面側に配置され、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層である第2の情報層と、を有する書き換え可能な2層型光記録媒体であって、前記記録膜の膜厚Trec(nm)と前記反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たすことを特徴とする2層型光記録媒体。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
(2)前記第1の情報層の反射率RL0(%)が2.0%以上3.8%以下であり、かつ、前記第2の情報層の反射率RL1(%)とRL0との比RL1/RL0が1.70以上であることを特徴とする(1)に記載の2層型光記録媒体。
(3)前記第2の情報層の記録部分の反射率と未記録部分の反射率との差が3.1%以上であることを特徴とする(1)又は(2)に記載の2層型光記録媒体。
(4)前記第2の情報層の透過率が30%以上42%以下であることを特徴とする(1)乃至(3)のいずれかに記載の2層型光記録媒体。
この発明においては、L1層の記録膜及び反射膜の膜厚を高密度記録に最適な範囲内とすることで、L0層の記録感度を悪化させずにL1層の信号出力を高めることでき、1層30GB、2層60GBの書き換え可能な2層型光記録媒体を提供することが可能となる。
最良の形態に係る2層型光記録媒体は、第1の情報層と、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層である第2の情報層と、を有し、レーザー光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとしたときに、記録再生が可能な最短マーク長Lminが、1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10であり、第1の情報層の反射率RL0(%)が2.0%以上3.8%以下であり、かつ、第2の情報層の反射率RL1(%)とRL0との比RL1/RL0が1.70以上であり、第2の情報層の記録部分の反射率と未記録部分の反射率との差が2.8%以上であり、第2の情報層の透過率が30%以上42%以下であって、半透明情報層の記録膜の膜厚Trec(nm)と反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たす。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
本実施形態の光記録媒体は、L1層記録膜厚及び/又は反射膜の膜厚が厚く設定されているので、L1層の出力が高められ、信号品質を良好に維持することが可能となっている。また、L1層の光透過率が30%以上であるので、L0層にも必要最小限のレーザー光が十分に照射される。この結果、L0層とL1層の双方の記録・再生品質が高い状態で維持される。
また、本実施形態の光記録媒体は、L0層の反射率が2.0%以上に設定され、更にこのL0層の光透過率は略零に設定されるので、同L0層の出力不足が回避され、L0層の信号品質を高めることが可能となる。
特に、本実施形態の光記録媒体では、L0層及びL1層は相変化材料で構成されている。一般的に、光透過性が要求されるL1層において相変化材料を採用する場合、記録膜、反射膜が薄くなることから、信号出力が低下してしまう。そこで、本実施形態の光記録媒体では、L0層に悪影響を与えない範囲で、L1層の記録膜、反射膜の膜厚を厚くされている。具体的には、L0層は、反射膜が十分厚く冷却効果が高いため、十分な出力が確保できると共に記録マークの歪等が小さい。従って、再生時のノイズも低くすることができる。逆に、L1層は反射膜が薄いため、冷却効果が低くなり再結晶化の影響を受けてしまう。この結果、再生時の出力も小さくなり、且つ記録マークの不均一さによりノイズも大きくなる傾向がある。そこで本実施形態の光記録媒体では、L1層の記録膜、反射膜を厚くすることで信号出力を増大させ、SNR(Signal to Noise Ratio:信号に対するノイズの比率)を向上させている。このとき、L0層は、相対的に反射率が低下する傾向にあるが、先に説明したとおり、もともとの特性が良いことから、許容範囲内であれば実用に耐えうる記録・再生品質を得ることができる。一般的に、反射率があまりにも低くなると、システムノイズや外部ノイズ等の影響が急激に大きくなるので、本実施形態の光記録媒体では、L0層については反射率2%を下限値とすることで良好な特性を確保できるにしている。この結果、L1層の信号品質を大幅に向上させつつ、L0層の信号品質も適切に維持できる。
図3に、L1層の記録膜の膜厚を変えたときのL1層の透過率と信号出力を示す。図3においては、記録膜の膜厚をx(nm)、透過率をy(%)、信号出力をy´(mV)としたときに、以下の2式が成り立つ。
y=−3.6x+67 (V)
y´=32.75x−74.333 (VI)
y=−3.6x+67 (V)
y´=32.75x−74.333 (VI)
図3より、xの増加に伴いyが減少し、y´が増加していること、つまり、記録膜の膜厚を厚くすることで信号出力が増大し、透過率が低下していることが分かる。
半透明情報層(第2の情報層:L1層)の構成例としては、基板側から順に、第1誘電体膜、反射膜、保護層、記録膜、保護層、第2誘電体膜、放熱層を順次積層したものが挙げられる。
第1誘電体膜は、反射膜の保護及び光透過率調整のために設けられ、材料は特に限定されるものではなく、Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等から選ばれる少なくとも1種類の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物等が用いられる。具体的には、λ=405nmでの屈折率が2.1以上のものが好ましく、ZnS−SiO2、ZrO2、TiO2、などを主成分とする透明膜が好ましい。また、2つ以上の複数の誘電体膜を積層しても良い。膜厚は5nm以上60nm以下が好ましく、5nmより薄いと反射膜の保護が不十分であり、60nmより厚いと光透過率が好ましい範囲を外れる。
反射膜は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料としては好ましくはAg合金が用いられる。
記録膜の材料は特に限定されず、Sbを主成分とする材料系やGeTeを主成分とする材料形を用いても良い。Sbを主成分とする材料系では、Sb量が60at%以上85at%以下であり、Te、Ge、In、Sn、Bi、Ga、Al、Zn、Mg、Si、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mnから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む材料が好ましく、これらのうち、Te、Ge、In、V、Mnから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む材料が特に好ましい。具体的にはSbTeGeを主成分とし、更に、In、Mn、Vから選ばれる少なくとも1種類の元素を含むことが好ましい。この時、Sb量は60at%以上85at%以下、Te量は2at%以上15at%以下、Ge量は7at%以上18at%以下が好ましく、In、Mn、V量は、それぞれ1at%以上10at%以下が好ましい。GeTeを主成分とする材料系では、GeTeに、In、Bi、Snから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む材料が好ましい。
保護層は記録膜の保護及び結晶化速度の制御を行う。保護層の材料には、少なくともZrとCrとOを含むようにされており、少なくともZrO2とCr2O3から構成されている。Cr2O3の比率が高いと結晶化速度を高めることが可能となるが光透過率が低下してしまう。また、ZrO2の比率が高いと結晶化速度が低下してしまう。よって、好ましいZrO2量は30mol%以上95mol%以下であり、好ましいCr2O3量は10mol%以上80mol%以下である。
第2誘電体膜は光学特性の調整及び放熱層への制御を行う。材料は特に限定されないが、好ましくはZnSとSiO2の混合物から形成される。好ましいZnSとSiO2のモル比(ZnS:SiO2)は、50:50から90:10の間である。この範囲を外れると屈折率が変化し、光学特性の調整が困難となる。好ましい膜厚は5nm以上50nm以下である。5nmより薄いと光学特性の調整が困難となり、50nmより厚いと放熱性が低下する。
放熱層は記録膜からの放熱を制御し、記録膜の冷却効果を高めて正確にアモルファスマークを形成し易くするためのものである。材料は第2誘電体膜よりも熱伝導率が高いものが好ましく、AlN、SiN、Al2O3、TiO2やIn2O3、ZnOを主成分とする透明導電膜が好ましい。特に好ましい透明導電膜の主成分はAlNである。放熱層の好ましい膜厚は15nm以上150nm以下であり、20nm以上50nm以下が特に好ましい。放熱層の膜厚が15nmより薄いと放熱効果が低下し、150nmより厚いと生産性が低下してしまう。また、放熱層は、記録膜にSbを主成分とした材料系を用いた時にその効果を得ることができ、記録膜にGeTeを主成分とする材料系を用いた時には放熱層を形成しなくても良い。
以下、図1を参照して、本発明の実施例1に係る2層型光記録媒体10について詳細に説明する。
この2層型光記録媒体10は、基板12と、この基板12におけるレーザービームの光入射側(図1において上側)に設けられた第1の情報層であるL0層14と、このL0層よりも更に光入射側に設けられた第2の情報層であるL1層18と、を有してなり、L1層は、記録膜40及びこの記録膜40の両側に隣接して設けられた保護層38、保護層42を含んで構成されている。L1層18は半透明情報層である。
L0層14とL1層18の間にはスペーサー層16が設けられ、又、L1層18の光入射側にはカバー層20が設けられている。
L0層14は、基板12側から、膜厚100nmのAgからなる反射膜22と、膜厚6nmのGe−Al−Oからなる誘電体膜24と、膜厚14nmのZnS−SiO2からなる保護層26と、膜厚13nmのSbTeGeからなる記録膜28と、膜厚26nmのZnS−SiO2からなる保護層30と、膜厚42nmのAlNからなる放熱層32とを、この順でスパッタリングにより形成して構成されている。
L1層18は、スペーサー層16側から、膜厚5nmのZr−Cr−O膜からなる第1誘電体膜34と、Agからなる膜厚Tref(nm)の反射膜36と、膜厚4nmのZr−Cr−O膜からなる保護層38と、InSbTeGe(8:75:9:8at%)からなる膜厚Trec(nm)の記録膜40と、膜厚5nmのZr−Cr−O膜からなる保護層42と、ZnS−SiO2からなる膜厚15nmの第2誘電体膜44と、膜厚45nmのAlN膜からなる放熱層46とを、この順でスパッタリングにより形成して構成されている。
又、基板12は、厚さ1.1mmのポリカーボネートからなり、スペーサー層16は、厚さが25μmとされ、カバー層20は、紫外線硬化型樹脂を用いてスピンコート法により100μmの厚さとなるようにされている。このカバー層20は、L1層18を初期化機により全面結晶化させた後に形成される。
上記のような2層型光記録媒体10のL1層18の反射膜36の膜厚Trefを12nmとし、記録膜40の膜厚Trecを変えたサンプル1〜3を作成し、パルステック工業製評価機ODUを用いて、2倍速で情報を記録した。記録条件は、変調信号が(1、7)RLL(Run Length Limited)、レーザー波長λが405nm、対物レンズの開口数NAが0.85、クロック周波数fが132MHz、線速度LVが8.2m/sとなるように設定し、最短マーク長が124nm、L0層14及びL1層18の記録容量がそれぞれ30GBとなるようにした。
次に、サンプル1〜3をパルステック工業製PRML(Partial Response Maximum Likelihood)評価ユニットを用いて、1倍速で再生、評価した。PRML評価装置は拘束長4に設定した。
なお、1倍速のクロック周波数fは66MHz、線速度LVは4.1m/sである。
また、再生評価の指標としては、bER(bit Error Rate)を用いた。
結果を表1に示す。
bERの基準値は、1.0E−04であり、表1においては、これ以下のbERを○、これより大きい値のbERを×として判定した。L1層18、L0層14のbER判定がともにbERの基準値を下回っている場合に、総合判定を○とした。
表1から、Trecが7nmのサンプル2のみがL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
本発明の実施例2では、実施例1の2層型光記録媒体10のTrecとTrefを変えたサンプル4〜28を作成・評価した。本実施例では、L1層18の反射率RL1(%)、反射率差(%)、透過率(%)、bER及びL0層14の反射率RL0、bERを測定し、実施例1と同様にbERを判定した。また、RL1とRL0との比Ref(=RL1/RL0)を求めた。なお、L0層14において、あるトラックを記録した時のスペース部分(結晶部)の反射率をRL0(%)とし、L1層においても同様に、記録したトラックのスペース部分反射率をRL1(%)とした。また、反射率差とは、あるトラックを記録した時の、スペース部分(結晶部)の反射率とマーク部分(アモルファス部)の反射率の差分をいう。
Trecを4.5nm、6.0nm、8.0nm、9.5nm、10.5nm、11.5nmとしたときの結果を、それぞれ表2乃至表7に示す。
表2より、Trecが4.5nmであってTrefが20nm、25nmの場合にL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
表3より、Trecが6.0nmであってTrefが15nm、20nmの場合にL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
表4より、Trecが8.0nmであってTrefが10nm、15nmの場合にL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
表5より、Trecが9.5nmであってTrefが10nm、15nmの場合にL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
表6より、Trecが10.5nmであってTrefが10nmの場合にL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回っていることが分かった。
表7より、Trecが11.5nmの場合は、Trefの値を変えてもL1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回ることはないことが分かった。従って、Trecの上限は10.5nmであることが分かった。
次に、Trecを4.0nmとし、サンプルを作成したところ、反射膜36の厚さに関わらず、記録マークの消去が不可能であった。これは、記録膜40が薄いため、記録マークの消去に必要な熱量が蓄積されないことが原因と考えられる。従って、Trecの下限は4.5nmであることが分かった。
以上の結果をプロットした図を図2に示す。図2においては、記録膜厚Trec(nm)を横軸に、反射膜厚Tref(nm)を縦軸として、表2乃至表7中、総合判定が○だったときのTrecとTrefの組み合わせをOKと、総合判定が×だったときのTrecとTrefの組み合わせをNGとした。図2中、TrecとTrefの組み合わせ
(Trec,Tref)=(4.5,20),(4.5,25),(6.0,15),(8.0,10),(9.5,15),(10.5,10)の6点を結んだ領域内に含まれるTrecとTrefの組み合わせの場合に総合判定が○となる、つまり、L1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回ることが分かった。この領域は、以下の4式で表すことができる。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
(Trec,Tref)=(4.5,20),(4.5,25),(6.0,15),(8.0,10),(9.5,15),(10.5,10)の6点を結んだ領域内に含まれるTrecとTrefの組み合わせの場合に総合判定が○となる、つまり、L1層18、L0層14ともにbERの基準値を下回ることが分かった。この領域は、以下の4式で表すことができる。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV)
また、表2乃至表7中のサンプル、特にサンプル7、サンプル15から、TrecとTrefがこの領域内にあるとき、つまり総合判定が○となるTrecとTrefの組み合わせの場合は、L0層14の反射率RL0(%)が2.0%以上3.8%以下であり、かつ、L1層18の反射率RL1(%)とL0層14のRL0との比率Refが1.70以上であることが分かった。
さらに、表2乃至表7中のサンプル、特にサンプル10から、L1層18の反射率差が3.1%以上であることが分かった。
また、表2乃至表7中のサンプル、特にサンプル10及びサンプル15から、L1層18の透過率が30%以上42%以下であることが分かった。
10…2層型光記録媒体
12…基板
14…L0層(第1の情報層)
16…スペーサー層
18…L1層(第2の情報層)
20…カバー層
22、36…反射膜
24…誘導体膜
26、30、38、42…保護層
28、40…記録膜
32、46…放熱層
34…第1誘電体膜
44…第2誘電体膜
12…基板
14…L0層(第1の情報層)
16…スペーサー層
18…L1層(第2の情報層)
20…カバー層
22、36…反射膜
24…誘導体膜
26、30、38、42…保護層
28、40…記録膜
32、46…放熱層
34…第1誘電体膜
44…第2誘電体膜
Claims (4)
- レーザー光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとしたときに、記録再生が可能な最短マーク長Lminが
1<{Lmin/(λ/NA)}×4≦1.10
であり、第1の情報層と、前記第1の情報層の光入射面側に配置され、少なくとも記録膜と反射膜が設けられている半透明情報層である第2の情報層と、を有する書き換え可能な2層型光記録媒体であって、
前記記録膜の膜厚Trec(nm)と前記反射膜の膜厚Tref(nm)との関係が、以下の4式のうちいずれかを満たすことを特徴とする2層型光記録媒体。
4.5≦Trec≦6.0 かつ
−3.4×Terc+35≦Tref≦−2.0×Trec+34 (I)
6.0≦Trec≦8.0 かつ
−2.5×Trec+30≦Tref≦−2.0×Trec+34 (II)
8.0≦Trec≦9.5 かつ
10≦Tref≦−2.0×Trec+34 (III)
9.5≦Trec≦10.5 かつ
10≦Tref≦−5.0×Trec+62.5 (IV) - 請求項1において、
前記第1の情報層の反射率RL0(%)が2.0%以上3.8%以下であり、かつ、前記第2の情報層の反射率RL1(%)とRL0との比RL1/RL0が1.70以上であることを特徴とする2層型光記録媒体。 - 請求項1又は2において、
前記第2の情報層の記録部分の反射率と未記録部分の反射率との差が3.1%以上であることを特徴とする2層型光記録媒体。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記第2の情報層の透過率が30%以上42%以下であることを特徴とする2層型光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307887A JP2009134781A (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 2層型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307887A JP2009134781A (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 2層型光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009134781A true JP2009134781A (ja) | 2009-06-18 |
Family
ID=40866532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007307887A Withdrawn JP2009134781A (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 2層型光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009134781A (ja) |
-
2007
- 2007-11-28 JP JP2007307887A patent/JP2009134781A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110201 |