JP2009130192A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高耐圧なトランジスタを、性能を劣化させることなく他のトランジスタと混載可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板10上にSTI11を形成し、STI11で画定された領域に、高耐圧トランジスタまたは他のトランジスタのゲート酸化膜13a,13b及びゲート電極14a,14bを形成し、高耐圧トランジスタのドレイン領域にイオン注入を行い、シリコン基板10を酸化し、ドレイン領域上に形成される熱酸化膜17aの膜厚を増速酸化させ、他の領域よりも厚く形成する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン基板10上にSTI11を形成し、STI11で画定された領域に、高耐圧トランジスタまたは他のトランジスタのゲート酸化膜13a,13b及びゲート電極14a,14bを形成し、高耐圧トランジスタのドレイン領域にイオン注入を行い、シリコン基板10を酸化し、ドレイン領域上に形成される熱酸化膜17aの膜厚を増速酸化させ、他の領域よりも厚く形成する。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、異なる耐圧のトランジスタを混載した半導体装置の製造方法に関する。
携帯電話などの移動通信機器の送信部分で用いられる高周波の電力増幅素子として、高耐圧のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)が用いられている。このトランジスタでは良好な高周波特性のみならず、ドレイン耐圧が大きいこと、低コストでCMOS(Complementary MOS)集積回路などのロジックトランジスタと同一チップに集積化することが期待されている。
高耐圧MOSFETにおいては、ドレイン側のゲート酸化膜の耐性が、耐圧を決める要因の一つとなっている。耐圧を向上させるためには、高電圧によってゲート酸化膜が破壊されないように、ゲート酸化膜厚を厚くすればよい(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、ゲート酸化膜を、単に厚くすることは、電流駆動能力を低下させトランジスタ性能を劣化させてしまうため望ましくない。
従来は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)プロセスを用いて高耐圧トランジスタ性能に影響するソース側のゲート酸化膜を薄くし、ドレイン側のみを厚くして耐圧を改善することが行われていた。
特開2006−66666号公報
従来は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)プロセスを用いて高耐圧トランジスタ性能に影響するソース側のゲート酸化膜を薄くし、ドレイン側のみを厚くして耐圧を改善することが行われていた。
しかし、半導体装置の微細化に伴い、近年では素子分離工程にLOCOSの代わりにトレンチ分離構造であるSTI(Shallow Trench Isolation)が用いられてきている。
STIを用いて高耐圧トランジスタをロジックトランジスタと混載する場合、たとえば、ゲートからSTIを介してドレイン領域を形成し、実効的にドレイン領域を広げることで耐性を上げることが考えられるが、エッチングやフォトレジストの除去工程などにおいて、ゲート酸化膜の側壁がむき出しになる場合が生じ、ゲート酸化膜を劣化させてしまう問題があった。
STIを用いて高耐圧トランジスタをロジックトランジスタと混載する場合、たとえば、ゲートからSTIを介してドレイン領域を形成し、実効的にドレイン領域を広げることで耐性を上げることが考えられるが、エッチングやフォトレジストの除去工程などにおいて、ゲート酸化膜の側壁がむき出しになる場合が生じ、ゲート酸化膜を劣化させてしまう問題があった。
上記の点を鑑みて、本発明者は、高耐圧なトランジスタを、性能を劣化することなく他のトランジスタと混載可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、以下のような工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に素子分離領域を形成する工程と、前記素子分離領域で画定された第1の領域に第1のゲート酸化膜と第1のゲート電極、第2の領域に第2のゲート酸化膜と第2のゲート電極を形成する工程と、前記第1の領域の前記第1のゲート電極のドレイン領域に第1の不純物を注入する工程と、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の両側の前記半導体基板表面を酸化し、前記第1の不純物を注入した領域を増速酸化させる工程と、前記第2の領域の前記第2のゲート電極の両側に第2の不純物を注入し、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、を有する。
また、以下のような工程を含む半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に素子分離領域を形成し、第1の領域と第2の領域を画定する工程と、前記第1の領域のドレイン領域に第1の不純物を注入する工程と、前記半導体基板表面を酸化し、前記第1の不純物を注入した領域を増速酸化させる工程と、前記酸化により形成された酸化膜をゲート酸化膜として、前記素子分離領域で画定された第1の領域に第1のゲート電極、第2の領域に第2のゲート電極を形成する工程と、前記第2の領域の前記第2のゲート電極の両側に第2の不純物を注入し、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、を有する。
高耐圧で、性能のよい高耐圧トランジスタを、通常耐圧のロジックトランジスタと混載した半導体装置が提供可能になる。
以下、本実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1及び図2は、第1の実施の形態の半導体装置の製造方法の各工程における断面図である。
図1及び図2は、第1の実施の形態の半導体装置の製造方法の各工程における断面図である。
まず、シリコン基板10に絶縁膜が充填されたSTI11を形成し、STI11で高耐圧トランジスタ形成領域12aと、他のトランジスタ形成領域12bを分離する。高耐圧トランジスタ形成領域12aは、高耐圧トランジスタを形成する領域であり、たとえば、nチャネル型の高耐圧MOSFETまたはpチャネル型の高耐圧MOSFETを形成する。他のトランジスタ形成領域12bは、たとえば、高耐圧トランジスタを制御する通常耐圧のロジックトランジスタ(nチャネル型MOSFETまたはpチャネル型MOSFET)を形成する領域である。
第1の実施の形態の半導体装置の製造方法では、STI11の形成後に、STI11で画定された各領域にそれぞれ、ゲート酸化膜13a,13b及びゲート電極14a,14bを形成する(図1(A))。ゲート酸化膜13a,13b及びゲート電極14a,14bは、たとえば、熱酸化により、シリコン酸化膜を3〜20nm程度形成し、その上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)により、ポリシリコンを、たとえば、80〜200nm程度堆積させ、その後、ゲート部以外の場所はエッチングして除去することで形成する。
次に、高耐圧トランジスタ形成領域12aのドレイン側を開口させたフォトレジスト15をマスクとして、高耐圧トランジスタのLDD(Lightly Doped Drain)領域16を形成するイオン注入を行う(図1(B))。このときのイオン注入は、後の熱酸化工程で、増速酸化が起こるようなドーズ量で行う。増速酸化は、シリコン基板において高濃度に不純物が導入された領域は、他の領域よりも熱酸化が速く進み、膜厚が厚くなる現象である。特許第3392595号公報によれば、シリコン基板の表面における不純物濃度が1×1019cm-3程度になると、シリコン酸化膜に増速酸化が、ほとんど生じなくなると報告している。
そこで、本実施の形態では不純物濃度が1×1019cm-3以上になるようなドーズ量でイオン注入を行う。耐圧確保のため、不純物濃度をあまり濃くできないことを考慮すると、たとえば、1×1013〜1×1015cm-2で行うことが好ましい。注入するイオンとしては、nチャネル型の高耐圧MOSFETを形成する場合にはP(リン)、As(砒素)などがあり、pチャネル型の高耐圧MOSFETを形成する場合にはB(ボロン)、BF2(フッ化ボロン)などがある。リンイオンを用いた場合、5〜50keVで行う。
なお、高耐圧トランジスタのドレイン領域は、耐圧をかせぐために、自身のソース領域や、他のソース及びドレイン領域よりも広く形成する。
次に、フォトレジスト15を除去した後、シリコン基板10に対して熱酸化を行い、ゲート電極14a,14bの両側に熱酸化膜17を形成する(図1(C))。このとき、高耐圧トランジスタ形成領域12aのドレイン部分(LDD領域16上)の熱酸化膜17aは、増速酸化により他の領域よりも膜厚が厚くなる。
次に、フォトレジスト15を除去した後、シリコン基板10に対して熱酸化を行い、ゲート電極14a,14bの両側に熱酸化膜17を形成する(図1(C))。このとき、高耐圧トランジスタ形成領域12aのドレイン部分(LDD領域16上)の熱酸化膜17aは、増速酸化により他の領域よりも膜厚が厚くなる。
耐圧という観点からドレイン部分の熱酸化膜17aの膜厚はゲート酸化膜13aよりも2倍程度以上の膜厚とすることが好ましい。ただし、厚すぎると、ソース側の膜厚も厚くなるので、トランジスタ性能を劣化させないためには、ゲート酸化膜13aの3倍程度以下とすることが好ましい。このような点を考慮して熱酸化の時間を設定する。
次に、他のトランジスタ形成領域12bを開口したフォトレジスト18を形成し、フォトレジスト18をマスクとして、他のトランジスタ形成領域12bのソース及びドレイン領域としてLDD領域19を形成する(図2(A))。このときのイオン注入は、たとえば、砒素イオンを用いて、1〜10keV、ドーズ量は1×1014〜5×1015cm-2程度で行う。
その後、酸化膜を堆積し、エッチングすることで側壁酸化膜20a,20bを形成する(図2(B))。この後は、図示を省略するが、高耐圧トランジスタのソース側のLDD領域を形成し、ソース及びドレイン領域に、イオン注入により深い不純物拡散層を形成し、活性化アニール、シリサイド工程、通常の配線工程などを行うことで、高耐圧トランジスタと、通常耐圧のロジックトランジスタを混載した半導体装置が完成する。
上記の方法によれば、簡単なプロセスで、高耐圧トランジスタのゲート酸化膜13aと接するドレイン側の熱酸化膜17aの膜厚をソース側より厚くすることができるため、高耐圧で、高周波特性の優れた性能のよい高耐圧トランジスタを、STI11を用いて通常耐圧のロジックトランジスタと混載した半導体装置が提供可能になる。これにより、高耐圧トランジスタを用いたパワーアンプと、その制御用ロジック回路の集積化を低コストで実現できる。
次に、第2の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。
図3及び図4は、第2の実施の形態の半導体装置の製造方法の各工程における断面図である。
図3及び図4は、第2の実施の形態の半導体装置の製造方法の各工程における断面図である。
まず、シリコン基板30に絶縁膜が充填されたSTI31を形成し、高耐圧トランジスタ形成領域32aと、他のトランジスタ形成領域32bを画定する(図3(A))。次に、第1の実施の形態と異なり、高耐圧トランジスタ形成領域32aにおいて、高耐圧トランジスタのドレインとする領域を開口したフォトレジスト33を形成し、増速酸化に必要なドーズ量でイオン注入を行い、LDD領域34を形成する(図3(B))。このときのドーズ量など、製造条件は第1の実施の形態と同様である。
次に、フォトレジスト33を除去した後、シリコン基板30に対して熱酸化を行い、熱酸化膜35を形成する(図4(A))。このとき、高耐圧トランジスタ形成領域32aのドレイン部分(LDD領域34上)の熱酸化膜35は、増速酸化により他の領域よりも膜厚が厚くなる。
耐圧という観点からドレイン部分の熱酸化膜35の膜厚は、ゲート酸化膜と用いる他の領域の膜厚よりも2倍程度以上の膜厚とすることが好ましい。ただし、厚すぎると、ソース側の膜厚も厚くなるので、トランジスタ性能を劣化させないためには、他の領域の膜厚の3倍程度以下とすることが好ましい。このような点を考慮して熱酸化の時間を設定する。
その後、形成したLDD34領域に合わせて、熱酸化膜35上に、高耐圧トランジスタのゲート電極36aを形成する。それと同時に、他のトランジスタ形成領域32bにも、同様にゲート電極36bを形成する(図4(B))。
この後は、第1の実施の形態の図2と同様の工程を行い、他のトランジスタ形成領域32bのLDD領域、側壁酸化膜を形成し、ソース及びドレイン領域を形成するためのイオン注入、活性化アニール、シリサイド工程、通常の配線工程などを行うことで、高耐圧トランジスタと、通常耐圧のロジックトランジスタを混載した半導体装置が完成する。
上記の方法によっても、第1の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様の効果を得ることができる。さらに、第2の実施の形態の半導体装置の製造方法では、ゲート電極36aをLDD領域34に合わせて形成する必要があるが、一部で増速酸化される熱酸化膜35を、高耐圧トランジスタ及び通常耐圧のロジックトランジスタのゲート酸化膜として用いることができるので、第1の実施の形態よりも工程数を少なくすることができる。
なお、上記では、1つの高耐圧トランジスタと、通常耐圧のロジックトランジスタを混載した例を示したが、それぞれが複数あってもよいことはいうまでもない。
10 シリコン基板
11 STI
12a 高耐圧トランジスタ形成領域
12b 他のトランジスタ形成領域
13a,13b ゲート酸化膜
14a,14b ゲート電極
15,18 フォトレジスト
16,19 LDD領域
17,17a 熱酸化膜
20a,20b 側壁酸化膜
11 STI
12a 高耐圧トランジスタ形成領域
12b 他のトランジスタ形成領域
13a,13b ゲート酸化膜
14a,14b ゲート電極
15,18 フォトレジスト
16,19 LDD領域
17,17a 熱酸化膜
20a,20b 側壁酸化膜
Claims (5)
- 半導体基板上に素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離領域で画定された第1の領域に第1のゲート酸化膜と第1のゲート電極、第2の領域に第2のゲート酸化膜と第2のゲート電極を形成する工程と、
前記第1の領域の前記第1のゲート電極のドレイン領域に第1の不純物を注入する工程と、
前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極の両側の前記半導体基板表面を酸化し、前記第1の不純物を注入した領域を増速酸化させる工程と、
前記第2の領域の前記第2のゲート電極の両側に第2の不純物を注入し、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記増速酸化により形成された前記第1の領域の酸化膜が、前記第2の領域に形成された酸化膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の不純物は、1×1013cm-2乃至1×1015cm-2のドーズ量で注入することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のゲート酸化膜と前記第2のゲート酸化膜の膜厚が同じであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に素子分離領域を形成し、第1の領域と第2の領域を画定する工程と、
前記第1の領域のドレイン領域に第1の不純物を注入する工程と、
前記半導体基板表面を酸化し、前記第1の不純物を注入した領域を増速酸化させる工程と、
前記酸化により形成された酸化膜をゲート酸化膜として、前記素子分離領域で画定された第1の領域に第1のゲート電極、第2の領域に第2のゲート電極を形成する工程と、
前記第2の領域の前記第2のゲート電極の両側に第2の不純物を注入し、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2007
- 2007-11-26 JP JP2007304591A patent/JP2009130192A/ja active Pending
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