JP2009129536A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101416740B1 (ko) * 2007-11-26 2014-07-09 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
JP5550386B2 (ja) * 2010-03-03 2014-07-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びメモリシステム
KR101692432B1 (ko) * 2010-12-23 2017-01-17 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
KR102707003B1 (ko) 2016-08-25 2024-09-19 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR102578153B1 (ko) 2016-08-25 2023-09-14 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR102743810B1 (ko) * 2019-06-10 2024-12-18 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
KR102665095B1 (ko) * 2019-11-28 2024-05-09 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. 메모리 장치의 데이터 읽기 속도 향상 방법
US20220230674A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-21 Macronix International Co., Ltd. Read operation method for non-volatile memory device to reduce disturbance
CN114420185A (zh) * 2021-12-02 2022-04-29 长江存储科技有限责任公司 存储器及其读取操作方法、存储器系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960000616B1 (ko) 1993-01-13 1996-01-10 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치
KR0169412B1 (ko) 1995-10-16 1999-02-01 김광호 불휘발성 반도체 메모리 장치
KR0169420B1 (ko) 1995-10-17 1999-02-01 김광호 불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로
KR100496797B1 (ko) 1997-12-29 2005-09-05 삼성전자주식회사 반도체메모리장치의프로그램방법
JP3829088B2 (ja) * 2001-03-29 2006-10-04 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7095653B2 (en) * 2003-10-08 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Common wordline flash array architecture
KR100632942B1 (ko) 2004-05-17 2006-10-12 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR100684873B1 (ko) * 2004-11-22 2007-02-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드라인 전압 제어 방법
KR100680462B1 (ko) 2005-04-11 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 핫 일렉트론 프로그램디스터브 방지방법
JP4851779B2 (ja) * 2005-11-11 2012-01-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びこれを搭載したメモリカード
JP2008052808A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータの読出方法並びにメモリカード
KR101416740B1 (ko) * 2007-11-26 2014-07-09 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법

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