JP2009123773A - 半導体装置、及び半導体装置製造用マスクパターン - Google Patents
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Abstract
【課題】矩形状断面のコンタクトホールを有し、コンタクト抵抗を低減させて電気的特性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、少なくとも前記半導体基板の主面上において形成された絶縁層とを具え、前記絶縁層には、その厚さ方向に貫通し、前記半導体基板の前記主面上に到達するようにしてコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホールの、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が、矩形状となるようにして半導体装置を構成する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板と、少なくとも前記半導体基板の主面上において形成された絶縁層とを具え、前記絶縁層には、その厚さ方向に貫通し、前記半導体基板の前記主面上に到達するようにしてコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホールの、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が、矩形状となるようにして半導体装置を構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、矩形状断面のコンタクトホールを有する半導体装置、及びその半導体装置を製造するためのマスクパターンに関する。
従来の半導体装置においては、半導体基板の主面上に絶縁層を形成した後、この絶縁層に対してコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に導電層を形成するなどの手法によって、前記半導体基板と外部素子との電気的接続を図るようにしている。
上述したコンタクトホールは、所定のマスクパターンを用いたフォトリソグラフィによって、所定のレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして絶縁層に対してエッチング処理を施して形成する。この際、前記マスクパターンは、形成すべきコンタクトホールの断面形状に相応したパターンを有するように形成され、一般に前記コンタクトホールに相当する部分は、矩形状のパターンを有するようにして形成される。したがって、前記コンタクトホールも前記矩形状のパターンに相応して矩形状に形成されるべきであるが、一般には前記マスクパターンを介した光学的な干渉及び反射などの複雑な要件が絡み合って、実際には、円形状となってしまっていた。
このような円形状の断面を有するコンタクトホールでは、矩形状の断面を有するコンタクトホールと比較して断面積が縮小するので、例えばスタックコンタクトを形成する場合に、合わせずれに起因して、上下に位置するコンタクトホール同士の接続を良好に行うことができない場合があった。したがって、上下に位置するコンタクトホール内に導電層を形成した場合において、上下に位置する導電層同士の接続を良好に行うことができず、コンタクト抵抗が増大して、目的とする半導体装置の電気的特性が劣化してしまうという問題があった。
かかる問題に鑑みて、特許文献1においては、上下に位置するコンタクトホールの間に、半導体基板の主面と略平行となるような追加の導電層を設け、上下のコンタクトホールにおける合わせずれが生じた場合においても、前記追加の導電層によって各コンタクトホール内に形成した導電層の合わせずれに起因したコンタクト抵抗の増大を抑制するような試みがなされている。しかしながら、本方法では、追加の導電層を形成するという余分な工程が加わるので、半導体装置の製造工程が煩雑化するという問題があった。
また、特許文献2においては、下方に位置するコンタクトホールの、特に上方に位置するコンタクトホールと接触する部分における開口部の面積を拡大し、上下に位置するコンタクトホール内に形成した導電層の合わせずれを抑制してコンタクト抵抗を低減する試みがなされている。しかしながら、上述した開口部面積を拡大するために余分な工程が追加されるために、本方法においても半導体装置の製造工程が煩雑化するという問題があった。また、開口部面積を拡大しても、その大きさによっては十分なコンタクトを図ることができず、当初の目的を達成できない場合があった。
さらに、特許文献3及び4においては、コンタクトホールを形成する際のマスクパターンを工夫し、例えば、矩形状のメインパターンの4つの角部に矩形状の補助パターンを設け、このような形態のマスクパターンを用いることにより、矩形状の断面を有するコンタクトホールを形成することが試みられている。しかしながら、これらの方法においても、目的とする矩形状の断面を有するコンタクトホールを得ることはできず、上述したコンタクト抵抗の低減という目的を十分に達成することができないでいた。
特開平8−298286号
特開平10−308448号
USP5、707、765号
特開2004−54052号
本発明は、矩形状断面のコンタクトホールを有し、コンタクト抵抗を低減させて電気的特性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体基板と、少なくとも前記半導体基板の主面上において形成された絶縁層とを具え、前記絶縁層には、その厚さ方向に貫通し、前記半導体基板の前記主面上に到達するようにしてコンタクトホールが形成され、前記コンタクトホールの、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が、矩形状であることを特徴とする、半導体装置に関する。
また、本発明の他の態様は、半導体基板と、少なくとも前記半導体基板の主面上において順次に形成された第1の絶縁層及び第2の絶縁層とを具え、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層には、それらの厚さ方向に貫通するとともに互いに連通した第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールが形成され、前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールの一方において、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が矩形状であり、前記半導体基板の前記主面に沿って切った前記一方のコンタクトホールの断面積が他方のコンタクトホールの断面積よりも大きいことを特徴とする、半導体装置に関する。
さらに、本発明のその他の態様は、矩形状のメインパターンと、前記メインパターンの角部に設けられた矩形状の第1の補助パターンと、前記メインパターンの各辺の中央部に設けられた矩形状の第2の補助パターンと、を具えることを特徴とする、半導体装置製造用マスクパターンに関する。
上記態様によれば、矩形状断面のコンタクトホールを有し、コンタクト抵抗を低減させて電気的特性に優れた半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
(マスクパターン)
最初に、半導体装置のコンタクトホールを形成する際に使用するマスクパターンについて説明する。
最初に、半導体装置のコンタクトホールを形成する際に使用するマスクパターンについて説明する。
図1は、本実施形態のマスクパターンの概略形状を示す図である。図1に示すように、本実施形態におけるマスクパターン10は、略中央に位置する矩形状のメインパターン11と、このメインパターン11の4つの角部にそれぞれ位置する矩形状の第1の補助パターン12と、メインパターン11の各辺の中央にそれぞれ位置する同一寸法の矩形状の第2の補助パターン13とを含む。ここで、各パターンは光を遮蔽する領域を意味する。
第1の補助パターン12はそれぞれ同一寸法形状を有する。第1の補助パターン12のひとつの角部はメインパターン11の角部にメインパターン11の外側で接している。メインパターン11の角部に接している第1の補助パターン12の角部から延出する2辺は、それぞれメインパターン11の辺と一直線となるよう配置されている。各第1の補助パターン12は、第1の補助パターン12の中心どうしを結ぶ線分がメインパターン11の辺と平行となるよう配置されている。
第2の補助パターン13はそれぞれ同一寸法形状を有する。第2の補助パターン13のひとつの辺はメインパターン11の辺にメインパターン11の外側で接するよう配置されている。第2の補助パターン13のメインパターン11の辺に接している辺の中央はメインパターン11の辺中央に一致しており、第2の補助パターン13の中心はメインパターン11の中心から各辺に平行に延出される線分上に位置するよう配置されている。これによって、以下に説明する製造工程を経て半導体装置を製造する際に、矩形状断面を有するコンタクトホールの形成が可能となる。
したがって、コンタクトホールの半導体基板の主面に沿って切った場合の断面を矩形状とすることができ、例えば、スタックコンタクトを形成し、上下に位置するコンタクトホール内に導電層を形成した場合においても、矩形状の断面を有することによって断面積が増大し、上下コンタクトホールの合わせずれが発生した場合においても接触面積を稼ぐことができ、コンタクト抵抗の増大を抑制することができる。結果として、得られる半導体装置の電気的特性を良好な状態に保持することができる。
なお、上述したように、特許文献3及び4においては、例えばメインパターン11に対して第1の補助パターン12を設けたような構成のマスクパターンを作製しているが、本実施形態では、さらにメインパターン11の各辺の中央部に矩形状の第2の補助パターン13を設けている点で相違する。これによって、上記のように矩形状断面のコンタクトホールを形成することができる。これは、本発明者らが、膨大な実験を積み重ね、試行錯誤の結果見出したものである。
なお、図1において、メインパターン11、第1の補助パターン12及び第2の補助パターン13は、それぞれ正方形としているが、かかる形状は矩形状であれば特に限定されるものではなく、フォトリソグラフィの条件や、得ようとするコンタクトホールの形状、大きさなどに依存して適宜に設定することができる。
また、メインパターン11の1辺の長さをa、第1の補助パターン12の1辺の長さをbとした場合に、第1の補助パターン12の1辺の長さbは、メインパターン11の1辺の長さaの1/3以上1/2以下であることが好ましい。この場合、得ようとするコンタクトホールの断面積を設計値どおりに簡易に形成することができる。なお、第1の補助パターン12の1辺の長さbが、メインパターン11の1辺の長さaよりも小さくなりすぎると、第1の補助パターン12の作用効果が減少し、コンタクトホールの断面が円形状あるいは楕円形状になってしまう場合がある。
同様に、第2の補助パターン13の1辺の長さをcとした場合に、第2の補助パターン13の長さcは、メインパターン11の1辺の長さaの1/6以上1/5以下であることが好ましい。この場合も、得ようとするコンタクトホールの断面積を設計値どおりに簡易に形成することができる。なお、第2の補助パターン13の1辺の長さcが、メインパターン11の1辺の長さaよりも小さくなりすぎると、第2の補助パターン12の作用効果が減少し、コンタクトホールの断面が円形状あるいは楕円形状になってしまう場合がある。
(半導体装置)
次に、上述したマスクパターンを用いた半導体装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、一般的なMOS型トランジスタの製造方法について説明する。
次に、上述したマスクパターンを用いた半導体装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、一般的なMOS型トランジスタの製造方法について説明する。
図2〜図5は、第1の実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。図2に示すように、例えばシリコンなどからなる半導体基板21上にゲート絶縁膜22を介してゲート電極23を形成し、基板21の表層部分にソース領域24及びドレイン領域25をイオン注入などによって形成する。次いで、基板21の主面上に絶縁層26を形成する。
次いで、絶縁層26上に図示しないレジストを塗布した後、このレジスト上に図1に示すようなマスクパターン10を配置し、フォトリソグラフィを施して、所定のレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンを介してRIEなどを行い、絶縁層26を厚さ方向に基板21の表面が露出するまでエッチング処理を行い、図3に示すように、ゲート電極23、ソース領域24及びドレイン領域25に対するコンタクトホール27を形成する。なお、コンタクトホール27の、基板21の主面に沿った断面形状(上方から見た平面形状)は、図4に示すように、マスクパターン10に起因して矩形状となる。
次いで、図5に示すように、コンタクトホール27内に必要に応じて図示しないバリアメタルを形成した後、例えばCVD法などによって導電層28を形成し、その上面部分にパッド(金属配線)29を形成して目的とする半導体装置を得る。
なお、図4において、コンタクトホール27は完全な角型を呈しているが、その角部は完全な直角でなく、コンタクトホール27の1辺の長さをh1、直線部の長さをh2とした場合にh2/h1=0.8以上となるような、多少の曲率を有することができる。この場合は、上述したバリアメタルや導電層28の、コンタクトホール27内の角部に対する付着を良好に行うことができる。
図6〜10は、第2の実施形態における半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。なお、図2〜5に関する上記実施態様と同一あるいは類似の構成要素に関しては、同一の参照数字を用いている。
最初に、図2に示すようにして、例えばシリコンなどからなる半導体基板21上にゲート絶縁膜22を介してゲート電極23を形成し、基板21の表層部分にソース領域24及びドレイン領域25をイオン注入などによって形成する。次いで、基板21の主面上に絶縁層26を形成する。
次いで、絶縁層26上に図示しないレジストを塗布した後、このレジスト上に図1に示すようなマスクパターン10を配置し、フォトリソグラフィを施して、所定のレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンを介してRIEなどを行い、絶縁層26を厚さ方向に基板21の表面が露出するまでエッチング処理を行い、図3に示すように、ゲート電極23、ソース領域24及びドレイン領域25に対するコンタクトホール27を形成する。
次いで、図6に示すように、CVD法などによってコンタクトホール27を埋設するようにして導電層28を形成し、エッチバックすることによってコンタクトホール27内にのみ導電層28が残存するようにする(図7)。
次いで、図8に示すように、絶縁層26上に層間絶縁膜36を形成し、層間絶縁膜36上に図示しないレジストを塗布した後、このレジスト上に図1に示すようなマスクパターン10を配置し、フォトリソグラフィを施して、所定のレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンを介してRIEなどを行い、層間絶縁膜36を厚さ方向に導電層28が露出するまでエッチングし、コンタクトホール37を形成する(図9)。なお、コンタクトホール27及び37はスタックコンタクトを形成する。
次いで、図10に示すように、コンタクトホール37内に必要に応じて図示しないバリアメタルを形成した後、金属プラグ38をCVD法などによって形成する。さらに金属プラグ38に対して電気的に接続するようにして金属配線39を形成することによって、目的とする半導体装置を得る。
本実施形態では、コンタクトホール27及び37を形成する際に、図1に示すようなマスクパターンを用いているので、その断面は図4に示すように矩形状となる。したがって、上記のようにスタックコンタクトを形成した場合において、下方に位置する導電層28と上方に位置する金属プラグ38との接触面積を増大させることができるので、これらのコンタクト抵抗を低減することができ、上記半導体装置の電気的特性を良好な状態とすることができる。
なお、本実施形態では、コンタクトホール27及び37の双方ともに矩形状としているが、いずれか一方のみを矩形状とすることによっても、導電層28と金属プラグ38との接触面積を増大させることができる。したがって、これらのコンタクト抵抗を低減することができ、上記半導体装置の電気的特性を良好な状態とすることができる。
また、本実施形態では、コンタクトホール27及び37のいずれか一方の断面積を、他方の断面積よりも大きくすることができる。これによって、導電層28と金属プラグ38との接触面積をより増大させることができ、コンタクト抵抗をより効果的に低減して半導体装置の電気的特性を良好な状態に保持することができる。
(実施例1)
図11に、上記第1の実施形態で得た半導体装置のドレイン領域25と導電層28とのコンタクト抵抗の累積確率プロットを示す。なお、比較のために、特許文献1に記載のような従来型のマスクパターンを用いてスタックコンタクトを形成した場合のデータを示す。
図11に、上記第1の実施形態で得た半導体装置のドレイン領域25と導電層28とのコンタクト抵抗の累積確率プロットを示す。なお、比較のために、特許文献1に記載のような従来型のマスクパターンを用いてスタックコンタクトを形成した場合のデータを示す。
図11から明らかなように、本実施形態のように矩形状断面のコンタクトホールを有する場合は、従来の非矩形状(円形)断面のコンタクトホールを有する場合に比べて、コンタクト抵抗の累積確率はより低いコンタクト抵抗において高くなっており、コンタクト抵抗に優れていることが分かる。すなわち、上述した実施形態に従って、コンタクトホールを角型にすることによって、ドレイン領域25と導電層28との接触面積が増大し、コンタクト抵抗を低減できることが分かる。
(実施例2)
図12に、上記第2の実施形態で得たスタックコンタクトの合わせずれと、スタックコンタクトの抵抗歩留まりとの関係を示す。なお、比較のため、特許文献1に記載のような従来型のマスクパターンを用いてスタックコンタクトを形成した場合のデータを示す。なお、コンタクトホールの設計値は100nmとし、コンタクト抵抗の設計値は20Ωとし、この設計値から15%以内の変動を抵抗の許容値として歩留まりを求めた。
図12に、上記第2の実施形態で得たスタックコンタクトの合わせずれと、スタックコンタクトの抵抗歩留まりとの関係を示す。なお、比較のため、特許文献1に記載のような従来型のマスクパターンを用いてスタックコンタクトを形成した場合のデータを示す。なお、コンタクトホールの設計値は100nmとし、コンタクト抵抗の設計値は20Ωとし、この設計値から15%以内の変動を抵抗の許容値として歩留まりを求めた。
図12から明らかなように、本実施形態のように矩形状断面のコンタクトホールを有する場合は、従来の非矩形状(円形)断面のコンタクトホールを有する場合に比べて、同じコンタクトホールの合わせずれが生じても、その断面形状に起因して、上下導電層の接触面積が増大していることから、スタックコンタクトの抵抗歩留まりが高く、前記合わせずれに対するマージンが大きいことが分かる。
すなわち、上述した実施形態に従って、コンタクトホールを角型にすることによって、スタックコンタクトの抵抗歩留まりを向上できることが分かる。
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、半導体装置として一般的なMOS型のトランジスタのみについて示しているが、その他の半導体装置、例えばスタック型の半導体メモリなど、コンタクトホールの形成が要求される任意の半導体装置に対して適用することができる。
10 マスクパターン
11 メインマスクパターン
12 第1の補助マスクパターン
13 第2の補助マスクパターン
21 基板
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
24 ソース領域
25 ドレイン領域
26 絶縁層
27 コンタクトホール
28 導電層
29 パッド(金属配線)
36 層間絶縁膜
37 コンタクトホール
38 金属プラグ
39 金属配線
11 メインマスクパターン
12 第1の補助マスクパターン
13 第2の補助マスクパターン
21 基板
22 ゲート絶縁膜
23 ゲート電極
24 ソース領域
25 ドレイン領域
26 絶縁層
27 コンタクトホール
28 導電層
29 パッド(金属配線)
36 層間絶縁膜
37 コンタクトホール
38 金属プラグ
39 金属配線
Claims (5)
- 半導体基板と、
少なくとも前記半導体基板の主面上において形成された絶縁層とを具え、
前記絶縁層には、その厚さ方向に貫通し、前記半導体基板の前記主面上に到達するようにしてコンタクトホールが形成され、
前記コンタクトホールの、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が、矩形状であることを特徴とする、半導体装置。 - 半導体基板と、
少なくとも前記半導体基板の主面上において順次に形成された第1の絶縁層及び第2の絶縁層とを具え、
前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層には、それらの厚さ方向に貫通するとともに互いに連通した第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールが形成され、
前記第1のコンタクトホール及び前記第2のコンタクトホールの一方において、前記半導体基板の前記主面と略平行な方向に沿って切った断面が矩形状であり、前記半導体基板の前記主面に沿って切った前記一方のコンタクトホールの断面積が他方のコンタクトホールの断面積よりも大きいことを特徴とする、半導体装置。 - 前記コンタクトホールは角部において曲線部を有し、前記コンタクトホールの直線部の前記コンタクトホールの辺全体に対する割合は0.8以上であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 矩形状のメインパターンと、
前記メインパターンの角部に設けられた矩形状の第1の補助パターンと、
前記メインパターンの各辺の中央部に設けられた矩形状の第2の補助パターンと、
を具えることを特徴とする、半導体装置製造用マスクパターン。 - 前記第1の補助パターンの1辺の長さが、前記メインパターンの1辺の長さの1/3以上1/2以下であり、前記第2の補助パターンの1辺の長さが、前記メインパターンの長さの1/6以上1/5以下であることを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置製造用マスクパターン。
Priority Applications (2)
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