JP2009117712A - 窒化物系化合物半導体装置 - Google Patents
窒化物系化合物半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009117712A JP2009117712A JP2007291152A JP2007291152A JP2009117712A JP 2009117712 A JP2009117712 A JP 2009117712A JP 2007291152 A JP2007291152 A JP 2007291152A JP 2007291152 A JP2007291152 A JP 2007291152A JP 2009117712 A JP2009117712 A JP 2009117712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- nitride
- compound semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 215
- -1 Nitride compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 33
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 51
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層2と、半導体層2上に配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、半導体層2上にソース電極3とドレイン電極4との間に配置された絶縁膜6と、絶縁膜6に設けられた開口部で半導体層2に接する有機半導体層7と、開口部の有機半導体層7上に配置されたゲート電極5とを備える。
【選択図】図1
Description
(1)酸化膜、窒化膜等で結晶表面をパッシベーションコーティングする。
本発明の第1の実施の形態に係る窒化物系化合物半導体装置は、図1に示すように、III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層2と、半導体層2上に配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、半導体層2上にソース電極3とドレイン電極4との間に配置された絶縁膜6と、絶縁膜6に設けられた開口部で半導体層2に接する有機半導体層7と、開口部の有機半導体層7上に配置されたゲート電極5とを備える。
図6〜図10に、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る窒化物系化合物半導体装置を示す。図6〜図10に示した窒化物系化合物半導体装置は、図1に示した窒化物系化合物半導体装置と有機半導体層7の配置が異なる。その他の構成については、図1に示す実施の形態と同様である。
本発明の第2の実施の形態に係る窒化物系化合物半導体装置は、図11に示すように、絶縁膜6及び有機半導体層7上に層間絶縁膜10が配置され、ゲート電極5とドレイン電極4間の上方の層間絶縁膜10上にフィールドプレート電極11が配置されていることが、図1と異なる点である。フィールドプレート電極11は、少なくともゲート電極5のドレイン端の上方を含んで配置される。その他の構成については、図1に示す第1の実施の形態と同様である。
本発明の第3の実施の形態に係る窒化物系化合物半導体装置は、図12に示すように、ゲート電極5とドレイン電極4間の半導体層2と絶縁膜6間に抵抗性ショットキーフィールドプレート(RESP)20が配置されていることが図1と異なる点である。RESP20は、半導体層2の主面にショットキー接触して配置される。その他の構成については、図1に示す第1の実施の形態と同様である。
上記のように、本発明は第1乃至第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2…半導体層
3…ソース電極
4…ドレイン電極
5…ゲート電極
6…絶縁膜
7、7a、7b…有機半導体層
10…層間絶縁膜
11…フィールドプレート電極
20…抵抗性ショットキーフィールドプレート(RESP)
21…バッファ層
22…キャリア走行層
23…キャリア供給層
60…開口部
221…2次元電子ガス層(2DEG層)
Claims (8)
- III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層上に配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された有機半導体層と、
前記有機半導体層上に配置されたゲート電極
とを備えることを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。 - III族窒化物系化合物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層上に配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けられた開口部で前記半導体層に接する有機半導体層と、
前記開口部の前記有機半導体層上に配置されたゲート電極
とを備えることを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。 - 前記有機半導体層が前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の窒化物系化合物半導体装置。
- 前記有機半導体層のドレイン端は前記ゲート電極のドレイン端よりも前記ドレイン電極側に延伸して形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化物系化合物半導体装置。
- 前記半導体層が、
キャリア供給層と、
前記キャリア供給層とヘテロ接合を形成するキャリア走行層
とを備え、前記キャリア走行層中の前記キャリア供給層との境界面近傍に2次元キャリアガス層が形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の窒化物系化合物半導体装置。 - 前記絶縁膜上に前記有機半導体層及び前記ゲート電極が延伸していることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の窒化物系化合物半導体装置。
- 前記絶縁膜がシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の窒化物系化合物半導体装置。
- 前記半導体層と前記絶縁膜間に、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に配置された抵抗性ショットキーフィールドプレートを更に備えることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか1項に記載の窒化物系化合物半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291152A JP5309532B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | 窒化物系化合物半導体装置 |
US12/244,046 US8008655B2 (en) | 2007-11-08 | 2008-10-02 | Nitride compound semiconductor device including organic semiconductor layer under gate electrode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007291152A JP5309532B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | 窒化物系化合物半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117712A true JP2009117712A (ja) | 2009-05-28 |
JP5309532B2 JP5309532B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=40622867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007291152A Expired - Fee Related JP5309532B2 (ja) | 2007-11-08 | 2007-11-08 | 窒化物系化合物半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8008655B2 (ja) |
JP (1) | JP5309532B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089677A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101458292B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2014-11-04 | 트랜스폼 재팬 가부시키가이샤 | 화합물 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2015008284A (ja) * | 2013-05-29 | 2015-01-15 | 株式会社豊田中央研究所 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置 |
KR20220117143A (ko) * | 2021-02-15 | 2022-08-23 | 한국전자통신연구원 | 고전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011204717A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sanken Electric Co Ltd | 化合物半導体装置 |
KR20110122525A (ko) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | 삼성전자주식회사 | Ldd 영역을 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터(hemt) 및 그 제조방법 |
JP5739774B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-06-24 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
JP2013229493A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Sharp Corp | Iii族窒化物半導体積層基板およびiii族窒化物半導体電界効果トランジスタ |
JP6194769B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-09-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN114026699B (zh) * | 2021-09-07 | 2023-04-14 | 英诺赛科(苏州)科技有限公司 | 半导体装置和其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140576A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2007214483A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Sanken Electric Co Ltd | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
JP2007227885A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Cree Inc | ミリメートル波動作のための窒化物ベースのトランジスタ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4385206B2 (ja) | 2003-01-07 | 2009-12-16 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
KR100647710B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 평판표시 장치 |
US7524373B2 (en) * | 2006-01-30 | 2009-04-28 | University Of Iowa Research Foundation | Apparatus and semiconductor co-crystal |
WO2008018271A1 (fr) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | transistor organique en couche mince et SA méthode de fabrication |
KR101475097B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2014-12-23 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP5148211B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2013-02-20 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
KR100907255B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-07-10 | 한국전자통신연구원 | 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치 |
KR20100057074A (ko) * | 2007-09-26 | 2010-05-28 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 박막 트랜지스터 |
-
2007
- 2007-11-08 JP JP2007291152A patent/JP5309532B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-02 US US12/244,046 patent/US8008655B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140576A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2007214483A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Sanken Electric Co Ltd | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
JP2007227885A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Cree Inc | ミリメートル波動作のための窒化物ベースのトランジスタ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089677A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR101458292B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2014-11-04 | 트랜스폼 재팬 가부시키가이샤 | 화합물 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2015008284A (ja) * | 2013-05-29 | 2015-01-15 | 株式会社豊田中央研究所 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置 |
KR20220117143A (ko) * | 2021-02-15 | 2022-08-23 | 한국전자통신연구원 | 고전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 |
KR102612031B1 (ko) | 2021-02-15 | 2023-12-11 | 한국전자통신연구원 | 고전자 이동도 트랜지스터 소자 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8008655B2 (en) | 2011-08-30 |
JP5309532B2 (ja) | 2013-10-09 |
US20090121217A1 (en) | 2009-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5309532B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体装置 | |
JP5487550B2 (ja) | 電界効果半導体装置及びその製造方法 | |
TWI464873B (zh) | Compound semiconductor device | |
US8907349B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP6174874B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4691060B2 (ja) | GaN系半導体素子 | |
JP6133191B2 (ja) | 窒化物半導体装置、ダイオード、および電界効果トランジスタ | |
JP5526470B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体装置 | |
JP2008306130A (ja) | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2010153493A (ja) | 電界効果半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012175018A (ja) | 化合物半導体装置 | |
US20110233538A1 (en) | Compound semiconductor device | |
JP2017073506A (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008211089A (ja) | 化合物半導体装置及びそれを用いたドハティ増幅器 | |
JP2013247196A (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
JP5655424B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP2012204351A (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JP2023001273A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2010171416A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法 | |
JP2009267155A (ja) | 半導体装置 | |
WO2013161478A1 (ja) | 窒化物系半導体素子 | |
WO2014108945A1 (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
JP2013062494A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP6225584B2 (ja) | 半導体装置の評価方法、並びに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2010199481A (ja) | 電界効果半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |