JP2009117650A - 導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板100上に導電性パターン110を形成する工程と、導電性パターン110が形成された基板100を、基板100の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材120を導電性パターン110に押し付けて、導電性パターン110を基板100の表面に押し込む工程と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
図2は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第1の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
図3は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第2の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
図4は、本発明の微細流路構造体の製造方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
鏡面加工した厚さ1mm、一辺が20mmの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ500nmの線幅0.5mm、長さ15mmのMoで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
鏡面加工した厚さ1mm、一辺が20mmの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ500nmの線幅0.5mm、長さ15mmのMoで構成された1本のライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
鏡面加工した厚さ1mm、一辺が20mmの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ500nmの線幅0.5mm、長さ15mmのMoで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
110 導電性パターン
120 押圧部材
200 ガラス基板
210 導電性パターン
220 微細流路
Claims (7)
- 基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された基板を、前記基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記基板の表面に押し込む工程と、を備えることを特徴とする導電性パターンの形成方法。 - 前記基板は、ガラス基板で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の導電性パターンの形成方法。
- 前記押圧部材は、ガラス状カーボンで構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性パターンの形成方法。
- 第1の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第1の基板を、前記第1の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第1の基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンが押し込まれた前記第1の基板の表面に、第2の基板を接合する工程と、を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。 - 第1の基板及び第2の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された各々の基板を、前記各々の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記各々の基板上に形成された導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記各々の基板の表面に押し込む工程と、
前記各導電性パターンを対向させて、前記第1の基板の表面と前記第2の基板の表面とを接合する工程と、
を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。 - 前記第1の基板及び第2の基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項4または5に記載の積層基板の製造方法
- 第1のガラス基板上に導電性パターンを形成する工程と、
第2のガラス基板上に微細流路を形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第1のガラス基板を、前記第1のガラス基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧基板を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第1のガラス基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンと前記微細流路とを対向させて、前記第1のガラス基板の表面と前記第2のガラス基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする微細流路構造体の製造方法。
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