JP2009111292A - エピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims abstract description 275
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 107
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 93
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことにより、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスを流入させるエピタキシャルウェーハの製造方法とする。
【選択図】 図1
Description
また、エピタキシャル成長装置の一種として枚葉式装置が知られている。この装置は、エピ成長炉内のサセプタ上にウェーハを載せて回転させながら、エピ成長炉内水平方向にシリコンソースガスを流通させることにより、ウェーハの上面にエピタキシャル層を形成するものである。
このようなエピタキシャル成長装置のエピ成長炉には、エピタキシャル成長を行なっている間、所望の抵抗率と成長速度を実現すべく設定された流量にて、ドーパントガスとシリコンソースガスが水素ガスなどのキャリアガスとともに流入される。また、エピタキシャル成長装置のエピ成長炉には、エピタキシャル成長を行っている間以外は、キャリアガスのみが流入されている。
また、エピタキシャル層のエピタキシャル成長を中断した部分の抵抗率の上昇が抑制されたエピタキシャル層を形成することができるエピタキシャルウェーハの製造装置を提供することを目的とする。
上述したエピタキシャルウェーハの製造方法においては、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハを前記エピ成長炉内から一旦取り出すことができる。
また、上述したエピタキシャルウェーハの製造方法においては、1200℃以上の温度でエピタキシャル成長させることができる。
また、上述したエピタキシャルウェーハの製造方法では、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内に流入させるドーパントガスの流量を、前記エピタキシャル成長を中断する前と同じとすることができる。
また、上記エピタキシャルウェーハの製造方法では、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内に流入させるドーパントガスの流量を、前回のエピタキシャル成長時に形成されたエピタキシャル層から前記エピ成長炉内に外方拡散する分のドーパントに相当する量とすることができる。
また、上述したエピタキシャルウェーハの製造方法では、前記ウェーハがシリコンウェーハであるものとすることができる。
また、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハを前記エピ成長炉内から一旦取り出すことで、炉内クリーニングレシピを運転してエピ成長炉内の汚れを除去したり、エピタキシャル成長によって形成されたブリッジを除去することができる。結果的に、均一な抵抗率を有し、かつ、従来一回のエピタキシャル層形成工程では成膜できなかった厚みを有するエピタキシャル層が形成されたウェーハを得ることができる。
また、上記エピタキシャルウェーハの製造方法では、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内に流入させるドーパントガスの流量を、前回のエピタキシャル成長時に形成されたエピタキシャル層から前記エピ成長炉内に外方拡散する分のドーパントに相当する量とすることができ、エピタキシャル層の抵抗率を一定にすることができる。
「第1実施形態」
図7は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造装置の一例である多角錐エピタキシャル成長装置を説明するための構成図である。図7に示すエピタキシャル成長装置は、いわゆるシリンダ型の気相成長装置であり、密閉空間となる石英製で鐘型のエピ成長炉110を備え、エピ成長炉110内には、上面に開閉自在に設けられた蓋体とともに上昇および下降するサセプタ111がハンガー12を介して吊り下げられている。
その後、サセプタ111を回転させながら、ヒータ122によってエピ成長炉110内を1000〜1250℃のエピタキシャル成長温度まで昇温し、ドーパントガスとシリコンソースガスとをキャリアガスとともに、所望の抵抗率と成長速度を実現すべく設定された流量にてエピ成長炉110内に流入し、エピタキシャル成長(第1のエピタキシャル成長)を行う。
シリコンソースガスとしては、SiH4,SiH2Cl2,SiHCl3,SiCl4を用いることができる。
キャリアガスとしては、H2ガス、Arガス等を用いることができる。
また、1200℃以上の温度でエピタキシャル成長させることで、埋め込み拡散層付エピタキシャルウェーハを製造する場合など、エピタキシャル層表面のパターンが崩れることを防ぎつつ、エピタキシャル成長させることができる。
ここで、第1のエピタキシャル成長によってブリッジが形成された場合には、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、ブリッジを除去する。また、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハをエピ成長炉110内から一旦取り出し、炉内クリーニングレシピによりエピ成長炉110内の汚れを除去する。
ここで、クリーニングレシピとは、エピ成長炉110内の温度を600〜850〜900〜1100℃、にした状態で、0.1〜3%のHClガス等を含むガスを15〜120秒間、好ましくは30秒間供給して炉内に付着したシリコン等を排除し、その後、水素、Ar等のガスを供給することにより、HClガス(クリーニングガス)の影響をなくすという工程をおこなうことができる。
そして、第2のエピタキシャル成長により、10〜30μm程度の所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長を行った後、ドーパントガスとシリコンソースガスとキャリアガスの供給を止めてエピタキシャル成長を終了し、エピ成長炉110内の温度がウェーハ取り出し可能になるまでエピ成長炉110内の温度を降下させる。
図1および図2は、本発明のエピタキシャルウェーハの製造装置の一例である枚葉式エピタキシャル成長装置を説明するための図である。図1および図2に示すエピタキシャル成長装置は、上ドーム部7と下ドーム部9とこれらの間に設けられた中リング部8とからエピ成長炉1が構成され、エピ成長炉1内には、ウェーハ12を保持するサセプタ11が、エピ成長炉1内を上部を構成するガス流路2とチャンバ内下部3にウェーハ12で分けるように設けられている。
中リング部8は、厚みを有する略円筒形状石英部材とされ、その上面が平面状とされる。中リング部8には、ガス流路2の上流側と下流側となる位置で上面外周側に、底面82,83が略水平面とされかつ外周と同心の垂直曲面84,85を有する切欠86,87が設けられている。この切欠86,87は、中リング部8の径方向に均一な寸法を有し、中リング部8の周方向には、ガス流路2の幅方向にウェーハ12の径寸法と同程度かやや大きい程度に設定されており、これにより、ガス流供給口のガス流路2幅方向に、ウェーハ12全面にガスを供給可能とされている。
また、ガス排出口には、排気側整流部材13が接続され、この排気側整流部材13には図示しないガス排気手段が接続されている。
まず、エピタキシャル層を成長させるウェーハ12を用意する。ウェーハ12としては、第1実施形態と同様のもの用いることができる。
その後、第1実施形態と同様にして第1のエピタキシャル成長を行う。そして、第1のエピタキシャル成長によってブリッジが形成された場合には、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、ブリッジを除去する。また、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハをエピ成長炉1内から一旦取り出し、炉内クリーニングレシピによりエピ成長炉1内の汚れを除去する。
ここで、クリーニングレシピとは、第1実施形態と同様のもの用いることができる。
そして、第2のエピタキシャル成長により、10〜30μm程度の所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長を行った後、ドーパントガスとシリコンソースガスとキャリアガスの供給を止めてエピタキシャル成長を終了し、エピ成長炉1内の温度がウェーハ取り出し可能になるまでエピ成長炉1内の温度を降下させる。
図7に示すエピタキシャル成長装置を用いて、面方位<100>の埋め込み拡散層付エピタキシャルシリコンウェーハを構成する30μmのエピタキシャル層を、2回のエピタキシャル成長を行なうことにより形成した。図3および図4は、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法で用いるエピタキシャル成長レシピを説明するための図であり、図3は実験例1の1回目のエピタキシャル成長を説明するための図であり、図4は実験例1の2回のエピタキシャル成長を説明するための図である。
ここで、第1のエピタキシャル成長によって形成されたブリッジを除去した。また、エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハをエピ成長炉110内から一旦取り出し、炉内クリーニングレシピをおこなってエピ成長炉内の汚れを除去した。
その後、図4に示すように、エピ成長炉1内へのドーパントガスの流入を1分間一旦停止させた。
なお、第1のエピタキシャル成長後、第2のエピタキシャル成長を開始するまでの時間(エピタキシャル成長を中断した時間)は、1分であった。
そして、第2のエピタキシャル成長により、膜厚が15μmとなるまでエピタキシャル成長を行って第2エピタキシャル層を形成した後、ドーパントガスとシリコンソースガスとキャリアガスの供給を止めてエピタキシャル成長を終了し、エピ成長炉110内の温度がシリコンウェーハ取り出し可能になるまでエピ成長炉110内の温度を降下させた。
図5に示すように、第1エピタキシャル層および第2エピタキシャル層の深さ方向における抵抗率は一定であった。すなわち、第1エピタキシャル層と第2エピタキシャル層と境界部分であるエピタキシャル成長を中断した部分における抵抗率の上昇は生じなかった。
また、得られたエピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層表面のパターンは、崩れていなかった。
従来のエピタキシャル成長装置を用いて、面方位<100>の埋め込み拡散層付エピタキシャルシリコンウェーハを構成する30μmのエピタキシャル層を、2回のエピタキシャル成長を行なうことにより形成した。実験例2で用いるエピタキシャル成長レシピは、2回とも図3に示すものである。
その後、エピ成長炉内のサセプタにウェーハWを再度保持させて、図3に示す第1のエピタキシャル成長と同じ第2のエピタキシャル成長により、膜厚が15μmとなるまでエピタキシャル成長を行って第2エピタキシャル層を形成した後、ドーパントガスとシリコンソースガスとキャリアガスの供給を止めてエピタキシャル成長を終了し、エピ成長炉内の温度がシリコンウェーハ取り出し可能になるまでエピ成長炉内の温度を降下させた。
なお、第1のエピタキシャル成長後、第2のエピタキシャル成長を開始するまでの時間(エピタキシャル成長を中断した時間)は、1分であった。
図6に示すように、第1エピタキシャル層および第2エピタキシャル層の深さ方向における抵抗率は、ほぼ一定であった。しかし、第1エピタキシャル層と第2エピタキシャル層と境界部分であるエピタキシャル成長を中断した部分で抵抗率は上昇しており、高抵抗率領域が形成された。
Claims (7)
- エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことにより、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスを流入させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記エピタキシャル成長を中断して再開するまでの間に、エピタキシャルウェーハを前記エピ成長炉内から一旦取り出すことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 1200℃以上の温度でエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内に流入させるドーパントガスの流量を、前記エピタキシャル成長を中断する前と同じにすることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内に流入させるドーパントガスの流量を、前回のエピタキシャル成長時に形成されたエピタキシャル層から前記エピ成長炉内に外方拡散する分のドーパントに相当する量とすることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記ウェーハがシリコンウェーハであることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- エピタキシャル成長を行なうエピ成長炉を備えたエピタキシャルウェーハの製造装置において、
前記エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことによりウェーハ上にエピタキシャル層を成長させる場合、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスが流入されることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007284475A JP5272377B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007284475A JP5272377B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111292A true JP2009111292A (ja) | 2009-05-21 |
JP5272377B2 JP5272377B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=40779440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007284475A Active JP5272377B2 (ja) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5272377B2 (ja) |
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JP5272377B2 (ja) | 2013-08-28 |
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