JP2004327800A - エピタキシャルウエーハ製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコンウエーハの表面に50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハを製造する際に、ウエーハとサセプタの間のブリッジに起因するウエーハの破損を防止する。
【解決手段】エピタキシャル成長後に、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガス中で1000〜1180℃×15秒〜5分間の塩酸ガスエッチングを行うことにより、エピタキシャル成長でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジを除去する。塩酸ガスエッチングの後に水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行うことにより、塩酸ガスエッチングでエピタキシャル膜に生じたくもりを除去する。
【選択図】 図3
【解決手段】エピタキシャル成長後に、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガス中で1000〜1180℃×15秒〜5分間の塩酸ガスエッチングを行うことにより、エピタキシャル成長でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジを除去する。塩酸ガスエッチングの後に水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行うことにより、塩酸ガスエッチングでエピタキシャル膜に生じたくもりを除去する。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
エピタキシャル成長装置の一種として枚葉式装置がある。この装置は、横型加熱炉内の水平円盤型サセプタの上にウエーハを載せ、これを回転させながら、炉内水平方向に原料ガスを流通させることにより、ウエーハの上面にエピタキシャル膜を形成するものであり、ウエーハの大径化と共に多用されるようになり、300mmウエーハ対応装置でも主流と目されている。ここにおけるウエーハ加熱には通常ランプ加熱方式が採用される。
【0003】
枚葉式エピタキシャル成長装置では、エピタキシャル成長を必要とするウエーハの上面にのみ原料ガスを接触させることを目的として、ウエーハを収容する円形の凹部がサセプタの上面に設けられる。座ぐりと呼ばれるこの凹部内にウエーハを収容してエピタキシャル成長を行うことより、スティッキングなどと呼ばれるウエーハとサセプタの固着現象が抑制される。
【0004】
枚葉式エピタキシャル成長装置における横型サセプタの上面に設けられる凹部は基本的に1個であるが、大型の横型加熱炉内に大径の水平円盤型サセプタを配置し、その上面の回転中心回りに複数の凹部を設けて、複数枚のウエーハを同時処理することも考えられている。ここにおけるウエーハ加熱には通常、高周波加熱或いは抵抗加熱方式が採用される。
【0005】
ところで、エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transister )に代表されるパワーデバイスがある。パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハの製造では、エピタキシャル成長膜の厚みが厚く、100μm程度に達することも少なくない。このような厚膜形成処理では、サセプタ上のウエーハが凹部内に収容されているにもかかわらず、サセプタ内周面とウエーハ外周面との間が、ブリッジと呼ばれる両者に跨がった析出物により固着する現象が発生しやすい。
【0006】
ウエーハとサセプタの間にブリッジが形成されると、エピタキシャル成長後の降温工程でウエーハとサセプタの収縮量及び収縮速度の相違により、ウエーハ側ではウエーハのクラックや割れなどが発生し、サセプタ側ではSiCコートの剥がれといった問題が発生する。また、ブリッジが残ったまま降温が終了した場合でも、サセプタからウエーハを取り出すときに同様の問題が発生する危険性がある。
【0007】
ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を防止するために、ブリッジの発生を抑制する試みは数多くなされている。例えば特許文献1には、サセプタ凹部の底面外周部に溝を設ける技術やエピタキシャル成長速度を制御する技術が記載されている。また、目的は相違するものの、エピタキシャル成長後に水素ガスエッチングを行って、エピタキシャル膜の膜厚を均一化する方法は特許文献2に記載されている。
【0008】
【特許文献1】
特開2000−128694号公報
【0009】
【特許文献2】
特開2001−60580号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
エピタキシャル成長処理においてウエーハとサセプタの間に発生するブリッジは、エピタキシャル膜の膜厚が厚くなるほど顕著となる。このため、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハを製造する場合のような厚膜エピタキシャル処理では、特許文献1に記載されているような対策を用いても、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を防止することが困難である。
【0011】
特に、加熱方式が高周波加熱或いは抵抗加熱方式の場合にブリッジが顕著化する傾向が見られる。その理由としては、これらの加熱方式では、サセプタの加熱昇温によりウエーハが加熱されるため、ウエーハ温度よりもサセプタ温度が高く、サセプタに付着したSiが溶融してウエーハ外周側に析出しやすくなることが考えられる。
【0012】
本発明の目的は、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハのような厚膜エピタキシャルウエーハを製造する場合の、ウエーハとサセプタの間のブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止できるエピタキシャルウエーハ製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者らは、ウエーハとサセプタの間に発生するブリッジについて多方面から検討を加えた。その結果、膜厚が50μm以上の厚膜エピタキシャルウエーハの場合は、ウエーハやサセプタの損傷が生じない程度にブリッジの発生を抑制することは極めて困難であり、その損傷を防止するためには、ブリッジの発生を無理に抑制するよりも、エピタキシャル成長プロセスで一旦発生したブリッジを降温プロセスまでに除去する方が、より合理的であるとの結論に達した。そして、そのブリッジの除去のためには、エピタキシャル成長後の塩酸ガスエッチング、とりわけ比較的軽微のエッチング処理が有効であるとの知見を得た。
【0014】
本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法は、かかる知見を基礎として開発されたものであり、シリコンウエーハの表面に50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハの製造方法において、エピタキシャル成長後に、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガス中で1000〜1180℃×15秒〜5分間の塩酸ガスエッチングを行うものである。
【0015】
本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法においては、エピタキシャル成長工程でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが、エピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチング工程で殆ど除去され、除去されないまでも相当に消耗する。このため、降温工程でのウエーハやサセプタの損傷が防止される。エピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチング工程では、ブリッジと共にエピタキシャル膜の表面もエッチングされるが、突起物であるブリッジに比べると、平面であるエピタキシャル膜面のエッチングレートは低く、前述のエッチング条件であれば問題となる膜面の消耗等は生じない。
【0016】
エピタキシャル成長での膜厚を50μm以上としたのは、50μm未満ではエピタキシャル成長でのブリッジの形成は軽微であり、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷が大きな問題にならないからである。本発明が特に有効な膜厚は80μm以上である。
【0017】
塩酸ガスエッチング処理でのエッチングガス中の塩酸ガス濃度を0.2〜5%(容積%)としたのは、0.2%未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、5%超ではウエーハ表面にくもりが発生するからである。
【0018】
またエッチング処理温度を1000〜1180℃としたのは1000℃未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、1180℃超では高温熱処理によるウエーハへのクラック発生が生じるからである。特に望ましいエッチング処理温度は下限については1060℃以上、上限については1140℃以下である。エッチング処理時間は15秒〜5分としたが、これは15秒未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、5分超では効果が飽和し、5分超のエッチングを実施してもブリッジ除去効果にさほど大きな影響を与えないからである。特に望ましい処理時間は下限については30秒以上、上限については3分以下である。
【0019】
エピタキシャル膜の表面に塩酸ガスエッチングを行うと、その表面にくもり(ヘイズ)が発生する。このくもりはウエーハ表面のラフネス悪化によるものである。したがって、塩酸ガスエッチングの後に、水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行い、エピタキシャル膜表面のくもりを除去することが望ましい。水素ガスベーク処理での処理温度が1000℃未満の場合はくもり取り効果が不十分であり、1180℃超の場合は高温熱処理にきいんんするクラックの増加が問題になる。特に望ましい温度は下限については1060℃以上、上限については1140℃以下である。処理時間は30秒未満の場合はくもり取り効果が不十分であることから30秒以上とし、60秒以上が特に好ましい。処理温度が長くなった場合は致命的な問題は生じないので、その上限は特に規定しないが、300秒超では効果が飽和するので、この点から300秒以下が望ましい。
【0020】
必要な膜厚を確保するために、塩酸ガスエッチングを挟んで2回のエピタキシャル成長を行うことが可能である。エピタキシャル成長処理を2回に分けることによるメリットは、エピタキシャル成長処理によって形成される膜厚が厚くなるほどウエーハとサセプタの間に形成されるブリッジはより強固なものとなり、塩酸ガスエッチングによってこれを完全に除去することが困難となることから、1回目のエピタキシャル成長処理によって発生するブリッジ部を塩酸ガスエッチングにより一旦除去することで2回目のエピタキシャル成長処理におけるブリッジ発生量を抑制することができる点にある。
【0021】
1回目と2回目の膜厚の関係については、1回目の膜厚を2回目の膜厚よりも厚くする方がブリッジ発生の抑制効果が大きい。これは、2回目の膜厚を大きくし過ぎると、2回目の成膜過程でブリッジが形成されてしまうからであり、2回目の成膜量を大きくする場合には、成膜終了後、再度、塩酸ガスエッチングを実施してもよい。
【0022】
なお、エピタキシャル成長後に塩酸エッチングを行うことは特許文献2に記載されているが、ここでの膜厚は20μm以下であり、ブリッジの解消に対する有効性も示されていない。しかも、膜厚が20μm以下のような通常厚のエピタキシャル成長の場合は、前述したとおり、エピタキシャル成長でのブリッジの形成は軽微であり、エピタキシャル成長後に塩酸エッチングを行わずとも、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷は大きな問題にならない。
【0023】
本発明は、ブリッジが顕著化する誘導加熱方式或いは抵抗加熱方式のエピタキシャル成長処理、そのなかでも特に、複数枚のウエーハを搭載する大径の水平円盤型サセプタを使用する複数枚同時処理に有効である。複数枚同時処理では、サセプタの回転に伴ってサセプタ上のウエーハに遠心力が生じ、サセプタの凹部内で偏って内周面に接近乃至接触することによりブリッジが発生しやすい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態に使用されるエピタキシャル成長装置の概略構成図で側面図、図2は同概略構成図で平面図である。
【0025】
ここに示されたエピタキシャル成長装置は、膜厚が50μm以上のパワーデバイス向け厚膜エピタキシャルウエーハの製造に使用される横型装置であり、チャンバー1内に水平設置された横型の反応管2を有している。反応管2内には、水平な円盤状のサセプタ3が長手方向の中央部に位置して設けられると共に、サセプタ3を長手方向の前後から挟むようにして水平な仕切り板6,6が設けられている。
【0026】
サセプタ3は、反応管2内に下方から挿入された支持軸4により水平に支持されており、支持軸4の回転により中心回りに回転駆動される。サセプタ3の上面には、座ぐりと呼ばれる複数の凹部7,7・・が設けられている。複数の凹部7,7・・は、ウエーハ8を水平に収容する構成になっており、サセプタ3の回転中心回りに等角配置されている。
【0027】
反応管2の下方には、サセプタ3上のウエーハ8,8・・を加熱する誘導加熱コイル5が、支持軸4を取り囲むようにして設けられている。誘導加熱コイル5はサセプタ3を誘導加熱し、これによりサセプタ3上のウエーハ8,8・・を加熱する。仕切り板6,6はサセプタ3と共同して反応管2内をサセプタ2より上側の空間と下側の空間とに区画し、上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させる。
【0028】
操業では、図3に示すように、先ず昇温過程を経てウエーハエッチングを行う。このエッチング工程では、サセプタ3の上に載置したシリコンウエーハ8,8・・を1060〜1180℃に加熱した状態で反応管2内に水素ガス又は塩酸ガスを含む水素ガスを通す。ウエーハエッチングが終わると、エピタキシャル成長工程(図3中にdepoと表現)に移行する。この工程では、シリコンウエーハ8,8・・を例えば1060〜1180℃に加熱した状態で反応管2内に原料ガス(例えばトリクロシランと水素の混合ガス)を通すことにより、シリコンウエーハ8,8・・の各表面にエピタキシャル膜を形成する。
【0029】
このエピタキシャル成長工程における膜厚は基本的に50μm以上であるが、エピタキシャル成長工程を2回に分ける場合は合計膜厚が50μm以上であればよいので、ここにおける膜厚は50μm未満となる場合もある。
【0030】
エピタキシャル成長工程が終わると、塩酸ガスエッチング工程に移行する。この工程では、シリコンウエーハ8,8・・を1000〜1180℃に加熱した状態で、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガスを反応管2内に通し、15秒〜5分間処理する。この塩酸ガスエッチングにより、先の厚膜エピタキシャル処理でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが除去される。
【0031】
塩酸ガスエッチング工程が終わると、ウエーハ表面のくもり取りを目的として、水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行う。エピタキシャル成長工程を2回に分ける場合は、この塩酸ガスエッチングの後に2回目のエピタキシャル成長を行い、ウエーハを降温する。
【0032】
このような操業によれば、1回目のエピタキシャル成長工程でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが、そのエピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチングにより除去され、2回目のエピタキシャル成長を行う場合も、1回目のエピタキシャル成長との間で膜厚が振り分けられ、2回目の膜厚が低減されるので、ブリッジの再発生は殆ど生じない。このため、降温過程でのブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷が防止される。
【0033】
本発明の実施例1として、誘導加熱方式で5枚同時処理式の横型エピタキシャル成長装置により、直径が200mmでp型の供試シリコンウエーハ(100)に100μmの厚膜エピタキシャル処理を行った後、塩酸ガスエッチングを行い、更にその後、水素ガスベークを行った。塩酸ガスエッチングでは、2%の塩酸ガスを含む水素ガスを使用し、処理温度1100℃(一定)で処理時間を変更した。また、水素ガスベーク条件は100%水素ガス雰囲気、処理温度1100℃(一定)、処理時間1分とした。
【0034】
降温後、サセプタから取り出したウエーハにおける不良発生率と、塩酸ガスエッチ処理での処理時間との関係を図4に示す。塩酸ガスエッチ時間が0の場合、即ちエピタキシャル成長後の塩酸ガスエッチを行わない場合、50%のウエーハに、ウエーハとサセプタ間のブリッジが原因と考えられるクラック、割れ、欠け、チップ不良の少なくとも一つが発生した。エピタキシャル成長後に塩酸ガスエッチを行うことにより、不良発生率が低減し、塩酸ガスエッチ時間が15秒以上で不良発生率は20%以下になる。
【0035】
水素ガスベーク時間がウエーハ表面のくもり(面あれ)に及ぼす影響を調査した。くもり(面あれ)は、集光灯下で目視によりチェックした。結果を表1に示す。水素ガスベーク時間が0、即ち水素ガスベークを行わない場合、水素ガスベークを行っても時間が10秒の場合は、くもり(面あれ)が認められた。しかし、30秒以上の水素ガスベークを行うことにより、くもり(面あれ)は取り除かれた。
【0036】
【表1】
【0037】
本発明の実施例2として、誘導加熱方式で5枚同時処理式の横型エピタキシャル成長装置により、前記供試シリコンウエーハの表面に90μmのエピタキシャル膜を形成した後、1100℃×60秒(2%HCl)の条件で塩酸ガスエッチングを行い、その後、30μmのエピタキシャル膜を形成することにより、総膜厚が120μmの厚膜エピタキシャルウエーハを製造した。塩酸ガスエッチングなしで120μmのエピタキシャル膜を一気に形成した場合、10枚中6枚のウエーハに、ウエーハとサセプタの間のブリッジが原因と考えられるクラックが発生したが、エピタキシャル成長処理の途中に塩酸ガスエッチングを挟むこと、即ちエピタキシャル成長処理を塩酸ガスエッチングの前後に振り分けることにより、120μmもの厚膜処理を行うにもかかわらず、この発生率は1枚/10枚に低減した。
【0038】
実施例1及び実施例2から分かるように、本発明はウエーハとサセプタの間のブリッジが発生しやすい厚膜のエピタキシャル処理を行うにもかかわらず、また誘導加熱方式で複数枚同時処理を行うにもかかわらず、そのブリッジによるウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止することができる。
【0039】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法は、エピタキシャル成長後に塩酸ガスエッチングを行うことにより、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハのような厚膜エピタキシャルウエーハを製造する場合の、ウエーハとサセプタの間のブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に使用されるエピタキシャル成長装置の概略構成図で側面図である。
【図2】同概略構成図で平面図である。
【図3】本発明の一実施形態を示すヒートパターン図である。
【図4】エピタキシャル処理後の塩酸ガスエッチ処理における処理時間と、サセプタから取り出したウエーハにおける不良発生率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 チャンバー
2 反応管
3 サセプタ
4 支持軸
5 誘導加熱コイル
6 仕切り板
7 凹部
8 ウエーハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
エピタキシャル成長装置の一種として枚葉式装置がある。この装置は、横型加熱炉内の水平円盤型サセプタの上にウエーハを載せ、これを回転させながら、炉内水平方向に原料ガスを流通させることにより、ウエーハの上面にエピタキシャル膜を形成するものであり、ウエーハの大径化と共に多用されるようになり、300mmウエーハ対応装置でも主流と目されている。ここにおけるウエーハ加熱には通常ランプ加熱方式が採用される。
【0003】
枚葉式エピタキシャル成長装置では、エピタキシャル成長を必要とするウエーハの上面にのみ原料ガスを接触させることを目的として、ウエーハを収容する円形の凹部がサセプタの上面に設けられる。座ぐりと呼ばれるこの凹部内にウエーハを収容してエピタキシャル成長を行うことより、スティッキングなどと呼ばれるウエーハとサセプタの固着現象が抑制される。
【0004】
枚葉式エピタキシャル成長装置における横型サセプタの上面に設けられる凹部は基本的に1個であるが、大型の横型加熱炉内に大径の水平円盤型サセプタを配置し、その上面の回転中心回りに複数の凹部を設けて、複数枚のウエーハを同時処理することも考えられている。ここにおけるウエーハ加熱には通常、高周波加熱或いは抵抗加熱方式が採用される。
【0005】
ところで、エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transister )に代表されるパワーデバイスがある。パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハの製造では、エピタキシャル成長膜の厚みが厚く、100μm程度に達することも少なくない。このような厚膜形成処理では、サセプタ上のウエーハが凹部内に収容されているにもかかわらず、サセプタ内周面とウエーハ外周面との間が、ブリッジと呼ばれる両者に跨がった析出物により固着する現象が発生しやすい。
【0006】
ウエーハとサセプタの間にブリッジが形成されると、エピタキシャル成長後の降温工程でウエーハとサセプタの収縮量及び収縮速度の相違により、ウエーハ側ではウエーハのクラックや割れなどが発生し、サセプタ側ではSiCコートの剥がれといった問題が発生する。また、ブリッジが残ったまま降温が終了した場合でも、サセプタからウエーハを取り出すときに同様の問題が発生する危険性がある。
【0007】
ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を防止するために、ブリッジの発生を抑制する試みは数多くなされている。例えば特許文献1には、サセプタ凹部の底面外周部に溝を設ける技術やエピタキシャル成長速度を制御する技術が記載されている。また、目的は相違するものの、エピタキシャル成長後に水素ガスエッチングを行って、エピタキシャル膜の膜厚を均一化する方法は特許文献2に記載されている。
【0008】
【特許文献1】
特開2000−128694号公報
【0009】
【特許文献2】
特開2001−60580号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
エピタキシャル成長処理においてウエーハとサセプタの間に発生するブリッジは、エピタキシャル膜の膜厚が厚くなるほど顕著となる。このため、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハを製造する場合のような厚膜エピタキシャル処理では、特許文献1に記載されているような対策を用いても、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を防止することが困難である。
【0011】
特に、加熱方式が高周波加熱或いは抵抗加熱方式の場合にブリッジが顕著化する傾向が見られる。その理由としては、これらの加熱方式では、サセプタの加熱昇温によりウエーハが加熱されるため、ウエーハ温度よりもサセプタ温度が高く、サセプタに付着したSiが溶融してウエーハ外周側に析出しやすくなることが考えられる。
【0012】
本発明の目的は、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハのような厚膜エピタキシャルウエーハを製造する場合の、ウエーハとサセプタの間のブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止できるエピタキシャルウエーハ製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者らは、ウエーハとサセプタの間に発生するブリッジについて多方面から検討を加えた。その結果、膜厚が50μm以上の厚膜エピタキシャルウエーハの場合は、ウエーハやサセプタの損傷が生じない程度にブリッジの発生を抑制することは極めて困難であり、その損傷を防止するためには、ブリッジの発生を無理に抑制するよりも、エピタキシャル成長プロセスで一旦発生したブリッジを降温プロセスまでに除去する方が、より合理的であるとの結論に達した。そして、そのブリッジの除去のためには、エピタキシャル成長後の塩酸ガスエッチング、とりわけ比較的軽微のエッチング処理が有効であるとの知見を得た。
【0014】
本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法は、かかる知見を基礎として開発されたものであり、シリコンウエーハの表面に50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハの製造方法において、エピタキシャル成長後に、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガス中で1000〜1180℃×15秒〜5分間の塩酸ガスエッチングを行うものである。
【0015】
本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法においては、エピタキシャル成長工程でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが、エピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチング工程で殆ど除去され、除去されないまでも相当に消耗する。このため、降温工程でのウエーハやサセプタの損傷が防止される。エピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチング工程では、ブリッジと共にエピタキシャル膜の表面もエッチングされるが、突起物であるブリッジに比べると、平面であるエピタキシャル膜面のエッチングレートは低く、前述のエッチング条件であれば問題となる膜面の消耗等は生じない。
【0016】
エピタキシャル成長での膜厚を50μm以上としたのは、50μm未満ではエピタキシャル成長でのブリッジの形成は軽微であり、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷が大きな問題にならないからである。本発明が特に有効な膜厚は80μm以上である。
【0017】
塩酸ガスエッチング処理でのエッチングガス中の塩酸ガス濃度を0.2〜5%(容積%)としたのは、0.2%未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、5%超ではウエーハ表面にくもりが発生するからである。
【0018】
またエッチング処理温度を1000〜1180℃としたのは1000℃未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、1180℃超では高温熱処理によるウエーハへのクラック発生が生じるからである。特に望ましいエッチング処理温度は下限については1060℃以上、上限については1140℃以下である。エッチング処理時間は15秒〜5分としたが、これは15秒未満ではエッチングによるブリッジ除去効果が不十分であり、5分超では効果が飽和し、5分超のエッチングを実施してもブリッジ除去効果にさほど大きな影響を与えないからである。特に望ましい処理時間は下限については30秒以上、上限については3分以下である。
【0019】
エピタキシャル膜の表面に塩酸ガスエッチングを行うと、その表面にくもり(ヘイズ)が発生する。このくもりはウエーハ表面のラフネス悪化によるものである。したがって、塩酸ガスエッチングの後に、水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行い、エピタキシャル膜表面のくもりを除去することが望ましい。水素ガスベーク処理での処理温度が1000℃未満の場合はくもり取り効果が不十分であり、1180℃超の場合は高温熱処理にきいんんするクラックの増加が問題になる。特に望ましい温度は下限については1060℃以上、上限については1140℃以下である。処理時間は30秒未満の場合はくもり取り効果が不十分であることから30秒以上とし、60秒以上が特に好ましい。処理温度が長くなった場合は致命的な問題は生じないので、その上限は特に規定しないが、300秒超では効果が飽和するので、この点から300秒以下が望ましい。
【0020】
必要な膜厚を確保するために、塩酸ガスエッチングを挟んで2回のエピタキシャル成長を行うことが可能である。エピタキシャル成長処理を2回に分けることによるメリットは、エピタキシャル成長処理によって形成される膜厚が厚くなるほどウエーハとサセプタの間に形成されるブリッジはより強固なものとなり、塩酸ガスエッチングによってこれを完全に除去することが困難となることから、1回目のエピタキシャル成長処理によって発生するブリッジ部を塩酸ガスエッチングにより一旦除去することで2回目のエピタキシャル成長処理におけるブリッジ発生量を抑制することができる点にある。
【0021】
1回目と2回目の膜厚の関係については、1回目の膜厚を2回目の膜厚よりも厚くする方がブリッジ発生の抑制効果が大きい。これは、2回目の膜厚を大きくし過ぎると、2回目の成膜過程でブリッジが形成されてしまうからであり、2回目の成膜量を大きくする場合には、成膜終了後、再度、塩酸ガスエッチングを実施してもよい。
【0022】
なお、エピタキシャル成長後に塩酸エッチングを行うことは特許文献2に記載されているが、ここでの膜厚は20μm以下であり、ブリッジの解消に対する有効性も示されていない。しかも、膜厚が20μm以下のような通常厚のエピタキシャル成長の場合は、前述したとおり、エピタキシャル成長でのブリッジの形成は軽微であり、エピタキシャル成長後に塩酸エッチングを行わずとも、ブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷は大きな問題にならない。
【0023】
本発明は、ブリッジが顕著化する誘導加熱方式或いは抵抗加熱方式のエピタキシャル成長処理、そのなかでも特に、複数枚のウエーハを搭載する大径の水平円盤型サセプタを使用する複数枚同時処理に有効である。複数枚同時処理では、サセプタの回転に伴ってサセプタ上のウエーハに遠心力が生じ、サセプタの凹部内で偏って内周面に接近乃至接触することによりブリッジが発生しやすい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態に使用されるエピタキシャル成長装置の概略構成図で側面図、図2は同概略構成図で平面図である。
【0025】
ここに示されたエピタキシャル成長装置は、膜厚が50μm以上のパワーデバイス向け厚膜エピタキシャルウエーハの製造に使用される横型装置であり、チャンバー1内に水平設置された横型の反応管2を有している。反応管2内には、水平な円盤状のサセプタ3が長手方向の中央部に位置して設けられると共に、サセプタ3を長手方向の前後から挟むようにして水平な仕切り板6,6が設けられている。
【0026】
サセプタ3は、反応管2内に下方から挿入された支持軸4により水平に支持されており、支持軸4の回転により中心回りに回転駆動される。サセプタ3の上面には、座ぐりと呼ばれる複数の凹部7,7・・が設けられている。複数の凹部7,7・・は、ウエーハ8を水平に収容する構成になっており、サセプタ3の回転中心回りに等角配置されている。
【0027】
反応管2の下方には、サセプタ3上のウエーハ8,8・・を加熱する誘導加熱コイル5が、支持軸4を取り囲むようにして設けられている。誘導加熱コイル5はサセプタ3を誘導加熱し、これによりサセプタ3上のウエーハ8,8・・を加熱する。仕切り板6,6はサセプタ3と共同して反応管2内をサセプタ2より上側の空間と下側の空間とに区画し、上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させる。
【0028】
操業では、図3に示すように、先ず昇温過程を経てウエーハエッチングを行う。このエッチング工程では、サセプタ3の上に載置したシリコンウエーハ8,8・・を1060〜1180℃に加熱した状態で反応管2内に水素ガス又は塩酸ガスを含む水素ガスを通す。ウエーハエッチングが終わると、エピタキシャル成長工程(図3中にdepoと表現)に移行する。この工程では、シリコンウエーハ8,8・・を例えば1060〜1180℃に加熱した状態で反応管2内に原料ガス(例えばトリクロシランと水素の混合ガス)を通すことにより、シリコンウエーハ8,8・・の各表面にエピタキシャル膜を形成する。
【0029】
このエピタキシャル成長工程における膜厚は基本的に50μm以上であるが、エピタキシャル成長工程を2回に分ける場合は合計膜厚が50μm以上であればよいので、ここにおける膜厚は50μm未満となる場合もある。
【0030】
エピタキシャル成長工程が終わると、塩酸ガスエッチング工程に移行する。この工程では、シリコンウエーハ8,8・・を1000〜1180℃に加熱した状態で、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガスを反応管2内に通し、15秒〜5分間処理する。この塩酸ガスエッチングにより、先の厚膜エピタキシャル処理でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが除去される。
【0031】
塩酸ガスエッチング工程が終わると、ウエーハ表面のくもり取りを目的として、水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行う。エピタキシャル成長工程を2回に分ける場合は、この塩酸ガスエッチングの後に2回目のエピタキシャル成長を行い、ウエーハを降温する。
【0032】
このような操業によれば、1回目のエピタキシャル成長工程でウエーハとサセプタの間に形成されたブリッジが、そのエピタキシャル成長工程に続く塩酸ガスエッチングにより除去され、2回目のエピタキシャル成長を行う場合も、1回目のエピタキシャル成長との間で膜厚が振り分けられ、2回目の膜厚が低減されるので、ブリッジの再発生は殆ど生じない。このため、降温過程でのブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷が防止される。
【0033】
本発明の実施例1として、誘導加熱方式で5枚同時処理式の横型エピタキシャル成長装置により、直径が200mmでp型の供試シリコンウエーハ(100)に100μmの厚膜エピタキシャル処理を行った後、塩酸ガスエッチングを行い、更にその後、水素ガスベークを行った。塩酸ガスエッチングでは、2%の塩酸ガスを含む水素ガスを使用し、処理温度1100℃(一定)で処理時間を変更した。また、水素ガスベーク条件は100%水素ガス雰囲気、処理温度1100℃(一定)、処理時間1分とした。
【0034】
降温後、サセプタから取り出したウエーハにおける不良発生率と、塩酸ガスエッチ処理での処理時間との関係を図4に示す。塩酸ガスエッチ時間が0の場合、即ちエピタキシャル成長後の塩酸ガスエッチを行わない場合、50%のウエーハに、ウエーハとサセプタ間のブリッジが原因と考えられるクラック、割れ、欠け、チップ不良の少なくとも一つが発生した。エピタキシャル成長後に塩酸ガスエッチを行うことにより、不良発生率が低減し、塩酸ガスエッチ時間が15秒以上で不良発生率は20%以下になる。
【0035】
水素ガスベーク時間がウエーハ表面のくもり(面あれ)に及ぼす影響を調査した。くもり(面あれ)は、集光灯下で目視によりチェックした。結果を表1に示す。水素ガスベーク時間が0、即ち水素ガスベークを行わない場合、水素ガスベークを行っても時間が10秒の場合は、くもり(面あれ)が認められた。しかし、30秒以上の水素ガスベークを行うことにより、くもり(面あれ)は取り除かれた。
【0036】
【表1】
【0037】
本発明の実施例2として、誘導加熱方式で5枚同時処理式の横型エピタキシャル成長装置により、前記供試シリコンウエーハの表面に90μmのエピタキシャル膜を形成した後、1100℃×60秒(2%HCl)の条件で塩酸ガスエッチングを行い、その後、30μmのエピタキシャル膜を形成することにより、総膜厚が120μmの厚膜エピタキシャルウエーハを製造した。塩酸ガスエッチングなしで120μmのエピタキシャル膜を一気に形成した場合、10枚中6枚のウエーハに、ウエーハとサセプタの間のブリッジが原因と考えられるクラックが発生したが、エピタキシャル成長処理の途中に塩酸ガスエッチングを挟むこと、即ちエピタキシャル成長処理を塩酸ガスエッチングの前後に振り分けることにより、120μmもの厚膜処理を行うにもかかわらず、この発生率は1枚/10枚に低減した。
【0038】
実施例1及び実施例2から分かるように、本発明はウエーハとサセプタの間のブリッジが発生しやすい厚膜のエピタキシャル処理を行うにもかかわらず、また誘導加熱方式で複数枚同時処理を行うにもかかわらず、そのブリッジによるウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止することができる。
【0039】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明のエピタキシャルウエーハ製造方法は、エピタキシャル成長後に塩酸ガスエッチングを行うことにより、パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハのような厚膜エピタキシャルウエーハを製造する場合の、ウエーハとサセプタの間のブリッジに起因するウエーハやサセプタの損傷を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に使用されるエピタキシャル成長装置の概略構成図で側面図である。
【図2】同概略構成図で平面図である。
【図3】本発明の一実施形態を示すヒートパターン図である。
【図4】エピタキシャル処理後の塩酸ガスエッチ処理における処理時間と、サセプタから取り出したウエーハにおける不良発生率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1 チャンバー
2 反応管
3 サセプタ
4 支持軸
5 誘導加熱コイル
6 仕切り板
7 凹部
8 ウエーハ
Claims (3)
- シリコンウエーハの表面に50μm厚以上のエピタキシャル膜を有する厚膜エピタキシャルウエーハの製造方法において、エピタキシャル成長後に、0.2〜5%の塩酸ガスを含む水素ガス中で1000〜1180℃×15秒〜5分間の塩酸ガスエッチングを行うことを特徴とするエピタキシャルウエーハ製造方法。
- 前記塩酸ガスエッチングの後に水素ガス中で1000〜1180℃×30秒以上の水素ガスベークを行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハ製造方法。
- 前記塩酸ガスエッチングを挟んで2回のエピタキシャル成長を行うことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハ製造方法。
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