JP2009104947A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009104947A JP2009104947A JP2007276663A JP2007276663A JP2009104947A JP 2009104947 A JP2009104947 A JP 2009104947A JP 2007276663 A JP2007276663 A JP 2007276663A JP 2007276663 A JP2007276663 A JP 2007276663A JP 2009104947 A JP2009104947 A JP 2009104947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma processing
- inductive coupling
- processing apparatus
- impedance matching
- shaped metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title abstract 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 96
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 96
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 96
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 26
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 複数のコイル14〜16に対して独立してマッチングボックス21〜23と、RF電源17〜19とを接続して高周波を印加することでプラズマを発生・形成させる場合、各コイル14〜16の間に設置導体としての帯状金属製リングを配置することにより、各コイル14〜16間での電磁結合を阻害・軽減し、マッチングボックス21〜23の故障を防止しつつ、正確なインピーダンス整合を保障し、かつ、最外周のコイル16の外側には帯状金属製リングを敢えて配置しないようにすることで損失を低減させることも可能となった。
【選択図】 図1
Description
特許文献1では、複数の同心円状のコイルユニットを真空チャンバの天井側に配置するとともに、この複数のコイルユニットに対して一括して高周波を印加するRF電源が備えられている。また、各コイルユニットの外周側を覆うようにRFシールドを配置している。同公報では、このシールドは磁性体としての鉄素材で形成したり、アルミニウム素材で形成すると開示している。
一般的に、マッチングボックスはRF電源とコイルユニットとの間で入射波と反射波とを検知して、最も反射波が生じないようにさせるためのインピーダンス整合を動的に行なう。しかし、上述したような電磁結合が生じると、インピーダンス整合をしようとしても外的な要因を解消できないため、マッチングボックスは制御できなくなる。
特許文献1に示すものでは、複数のコイルユニットに対して一つのRF電源から一括して高周波を印加しており、そのままでは上述したRF電源の独立化の問題を解消しえるものではない。従って、RF電源やマッチングボックスの個別化で生じる課題を解決するには至らない。
また、特許文献2に示すものでも、同様の問題が生じる。
さらに、特許文献1及び特許文献2に示すものでは、最大径のコイルユニットの外周側にもRFシールドを配置しているが、各コイルユニットにRF電源を接続すると、外周側のRFシールドに流れる電流による損失が発生する。各コイルユニットに対して供給する電力が大きいほどこの損失も大きくなるため、最大径のコイルユニットの外周側に配置したRFシールドによって生じる電流損失が非常に大きいという課題もあった。
上記発明の構成によれば、真空チャンバに付設された複数の誘導結合素子に対してインピーダンス整合手段を介して複数の電力供給手段が個別に高周波を印加する。複数の誘導結合素子からは交番電磁界が発生されるが、各誘導結合素子の間には電磁結合軽減手段が設けられているので、各誘導結合素子の相互間では電磁結合が殆ど生じない。このため、各インピーダンス整合手段は、他からの影響を受けることなく誘導結合素子と電力供給手段の間での入射波と反射波との関係だけに基づいてインピーダンス整合を行なうことになる。
インピーダンス整合手段は、現実の製品としてはマッチングボックスと呼ばれていることが多いが、その機能としてインピーダンス整合を行なうものであれば名称を問わない。
インピーダンス整合手段を備えるにあたり、二つの態様が現実的である。一つめは、インピーダンス整合手段が単体で存在し、上記誘導結合素子と上記電力供給手段との各対の間に介在される場合であり、二つめは、インピーダンス整合手段が上記電力供給手段内に組み込まれている場合である。
電磁結合でインピーダンス整合手段が本来の制御を行えなくなるのは、他の電力供給手段から電磁結合で供給されるエネルギーが原因である。従って、誘導結合素子間の電磁結合の軽減は、インピーダンス整合手段と電力供給手段との対毎に行なう必要がある。
このような環境を鑑みると、上記インピーダンス整合手段は、上記電力供給手段と対をなして介在され、上記電磁結合軽減手段は、このインピーダンス整合手段に接続される上記誘導結合素子の組ごとに設けるという構成も可能である。
各誘導結合素子は、このインピーダンス整合手段と電力供給手段との対に対して一対一で配設することも可能であるし、まとめて複数の誘導結合素子に対して一対のインピーダンス整合手段と電力供給手段を設けることも可能である。
電磁結合軽減手段は、他の電力供給手段から印加される高周波で生じる交番電磁界により、誘導結合素子間で生じる電磁結合を軽減するものであり、一般的には接地された良導体が該当する。その具体的な例として、上記電磁結合軽減手段を、帯状金属製リングで構成することが可能である。
電磁結合を調整する一例として、上記帯状金属製リングは、部位によって幅が太い部分と細い部分とがあるように構成することができる。
また、他の一例として、上記帯状金属製リングは、部位によって幅方向への切り込みを有するように構成することができる。
いずれの場合も、接地導体の幅が広がれば空間中で電位が接地電位に近くなる部分が大きくなるし、接地導体の幅が狭まれば空間中で電位が接地電位に近くなる部分が小さくなる。これによって各誘導結合素子間での電磁結合の度合いは大きくもなるし、小さくもなる。むろん、切り込みは接地導体を小さくすることになる。従って、これらによっても均一性の一調整手段とすることができる。
この具体的な構成については、以下、図面にもとづいてより詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置を概略図により示している。
また、真空チャンバ本体部12には、プラズマ維持に適した真空圧を確保するための真空ポンプが接続されており、図示しない貫通口を介して排気している。
プラズマ用ガスは、プラズマ発生用ガスと処理ガスとから構成され、上記環状溝の天井面に配設されたノズルを介して外部のガスユニットからプラズマ発生空間31〜33に供給され、さらに、プラズマ処理空間11内へと送給されるようになっている。プラズマ発生用ガスにはアルゴン等の不活性で化学反応しないものが用いられ、処理ガスとしては、CF系ガスやシランガス等の反応ガスに適量の希釈ガスを混合させたもの等が供給されるようになっている。
コイル14〜16は、2ターンのコイルであり、非常に狭くならざるをえないコイル収容溝34〜36内にあって内周側壁面近傍に寄り添うように配置されている。また、帯状金属製リング44,45については、同コイル収容溝34,35内にあって外周側壁面近傍に寄り添うように配置されている。コイル14〜16は、必ずしも2ターンである必要はなく、諸条件によっては1ターン又は3ターン以上のコイルとすることも可能である。
一方、プラズマ処理空間11には、被処理物51を乗載するカソード部24が設置され、このカソード部24は真空チャンバ本体部12の内底に植設された図示しないサポートによって支持されるとともに、マッチングボックス25を介してRF電源26に接続されている。
マッチングボックスは、RF電源と負荷との間に直列に介在される固定インダクタンスL1,L2と、容量を変更可能であって固定インダクタンスL2の前段と後段とでそれぞれグランドとの間に接続されるバリコンC1,C2と、所定の制御信号を出力する検出器Dとで構成してある。
検出器DはRF電源から供給される電圧と電流のインピーダンス、及び該電圧と電流の位相差とを検出するものであり、検出されたインピーダンスと位相差とに基づいてバリコンC1,C2の容量を調整すべく制御信号を出力する。
図3に示すマッチングボックスの場合は、RF電源と分離しており、コイル14〜16とRF電源17〜19の間に独立して介在されている。しかしながら、マッチングボックス自体はインピーダンス整合を行うという意味で、RF電源と一体化して実現することも可能である。この意味で、前者は、マッチングボックスが上記誘導結合素子と上記電力供給手段との各対の間に介在されている場合に相当し、後者は、マッチングボックスが上記電力供給手段内に組み込まれている場合に相当する。
図4は、最も基礎的な構成の帯状金属製リングであり、全周にわたって一定幅の帯板状金属板から形成されている。帯状金属製リングは接地導体をコイル14〜16の間に配置することで各コイル14〜16が発生させる交番電磁界が同接地導体を超えた反対側に位置する別のコイル14〜16に影響を及ぼし、いわゆる電磁結合が生じることを軽減する。各交番電磁界によって生じる空間上の電界強度は接地導体の存在によって少なからず影響を受ける。従って、接地導体の形状、例えば幅や厚さなどは導電界強度の分布を調整するのに役立つ。
各コイル14〜16はその内側に位置するプラズマ発生空間31〜33に交番電磁界を作用させてプラズマ発生用ガスをプラズマ化する。所定の空間内でプラズマ化させるに要するエネルギーが一定値以上であることからも、プラズマ発生空間31〜33が大きくなればなるほど必要とする電力は大きくなる。すなわち、コイル14〜16においても内周側から外周側に向かうほど必要とする電力は大きくなり、RF電源17〜19が供給する電力も同様に大きくなっている。この電力比は、概ね、1:(2〜3):(5〜6)という比となっている。
しかしながら、本発明ではあくまでもコイル14〜16の間にのみ配置し、最外周のコイル16の外側には配置しない。従来のいずれの技術も、最外周に接地導体を配置しないというものはない。また、最外周に接地導体を配置しないことで減らせる損失は非常に大きいといえ、その効果は絶大である。
例えば、帯状金属製リング44,45を配置した場合、上述した損失の存在により、1000Wattの電力供給時にコイル16に流れる電流値は10mTorrの場合も100mTorrの場合も約8.5Aである。
この実験結果からも、コイル14〜16の相互間での電磁結合を軽減または防止させつつ、電流損失を極めて低減できることが実証されている。
次に、上記構成からなる本実施形態の動作を説明する。
従って、コイル14〜16の間に帯状金属製リング44,45を配置するために、同コイル14〜16と帯状金属製リング44,45とは図1に示すように配置している。すなわち、コイル14〜16はコイル収容溝34〜36における内周側壁面近傍に寄り添うように配置されている。また、帯状金属製リング44,45はコイル収容溝34,35における外周側壁面近傍に寄り添うように配置されている。そして、両者は接触することなく配置されている。
・上記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって上記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が上記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用することは本発明の一実施例として開示されるものである。
11…プラズマ処理空間
12…真空チャンバ本体部
13…真空チャンバ蓋部
14〜16…コイル(誘導結合素子)
17〜19…RF電源(電力供給手段)
21〜23…マッチングボックス
24…カソード部
25…マッチングボックス
26…RF電源
31〜33…プラズマ発生空間(プラズマ発生用環状溝)
34〜36…コイル収容溝
44,45…帯状金属製リング
51…被処理物
D…検出器
C1,C2…バリコン
L1,L2…インダクタンス
Claims (13)
- プラズマ処理空間の形成された真空チャンバと、
この真空チャンバに付設された複数の誘導結合素子と、
これら複数の誘導結合素子に対して個別に高周波を印加する複数の電力供給手段と、
上記誘導結合素子に対して高周波を印加する際のインピーダンス整合を行なう複数のインピーダンス整合手段と、
上記複数の誘導結合素子の間に設けられた電磁結合軽減手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 上記インピーダンス整合手段は、上記誘導結合素子と上記電力供給手段との各対の間に介在されていることを特徴とする上記請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 上記インピーダンス整合手段は、上記電力供給手段内に組み込まれていることを特徴とする上記請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 上記インピーダンス整合手段は、上記電力供給手段と対をなして介在され、
上記電磁結合軽減手段は、このインピーダンス整合手段に接続される上記誘導結合素子の組ごとに設けられていることを特徴とする上記請求項1〜請求項3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 一組の上記インピーダンス整合手段と上記電力供給手段とに対して、複数の上記誘導結合素子が接続され、この複数の上記誘導結合素子を一組として一つの上記電磁結合軽減手段が対応していることを特徴とする上記請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 一組の上記インピーダンス整合手段と上記電力供給手段とに対して、一つの上記誘導結合素子が接続され、この一つの上記誘導結合素子に対応して一つの上記電磁結合軽減手段が対応していることを特徴とする上記請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 上記電磁結合軽減手段は、最外周の上記誘導結合素子の外側には配置されていないことを特徴とする上記請求項1〜請求項6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 上記電磁結合軽減手段は、帯状金属製リングで構成されることを特徴とする上記請求項1〜請求項7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 上記帯状金属製リングは、部位によって幅が異なる形状であり、上記誘導結合素子間の電磁結合の度合いを調整することを特徴とする上記請求項8に記載のプラズマ処理装置。
- 上記帯状金属製リングは、部位によって幅が太い部分と細い部分とがあることを特徴とする上記請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 上記帯状金属製リングは、部位によって幅方向への切り込みを有することを特徴とする上記請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 上記複数の誘導結合素子は、同心円状の複数のコイルで構成され、
上記真空チャンバは、真空チャンバ蓋部と、真空チャンバ本体部とから構成され、同真空チャンバ蓋部には、真空チャンバの外側に面する側に上記複数のコイルを収容可能な複数の同心円状のコイル収容溝が形成されるとともに、真空チャンバの内側に面する側であって上記溝の内側には複数の同心円状のプラズマ発生用環状溝が形成され、
上記帯状金属製リングは、上記コイル収容溝内で上記誘導結合素子間に介在されるように配置されることを特徴とする上記請求項8〜請求項11のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 上記コイル収容溝は、略水平に形成される底面と、それぞれ略垂直に形成される内周側壁面と外周側壁面とを有し、上記コイルは、同内周側壁面近傍に配置され、上記帯状金属製リングは、同外周側壁面近傍に配置されることを特徴とする上記請求項12に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007276663A JP5139029B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007276663A JP5139029B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009104947A true JP2009104947A (ja) | 2009-05-14 |
JP5139029B2 JP5139029B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=40706410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007276663A Active JP5139029B2 (ja) | 2007-10-24 | 2007-10-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5139029B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120031560A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
CN102893705A (zh) * | 2010-05-14 | 2013-01-23 | 应用材料公司 | 使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源 |
CN114303227A (zh) * | 2020-11-20 | 2022-04-08 | 株式会社爱发科 | 高频电力电路、等离子处理装置、及等离子处理方法 |
WO2022107407A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 株式会社アルバック | 高周波電力回路、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235395A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置 |
JP2000058296A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2003031504A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した半導体装置 |
JP2004031566A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Yac Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004039719A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Japan Science & Technology Corp | プラズマ装置、プラズマ制御方法及びプラズマ処理基体 |
JP2005285564A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006073354A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
-
2007
- 2007-10-24 JP JP2007276663A patent/JP5139029B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235395A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ発生装置 |
JP2007088509A (ja) * | 1996-02-22 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | 誘導結合プラズマ・リアクタとその方法 |
JP2000058296A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Foi:Kk | プラズマ処理装置 |
JP2003031504A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した半導体装置 |
JP2004031566A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Yac Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2004039719A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Japan Science & Technology Corp | プラズマ装置、プラズマ制御方法及びプラズマ処理基体 |
JP2005285564A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006073354A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102893705A (zh) * | 2010-05-14 | 2013-01-23 | 应用材料公司 | 使用磁场集中器的具有金属喷淋头的电感应式等离子体源 |
JP2013533575A (ja) * | 2010-05-14 | 2013-08-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Bフィールド集中装置を使用する金属シャワーヘッドを備える誘導性プラズマ源 |
JP2016122654A (ja) * | 2010-05-14 | 2016-07-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Bフィールド集中装置を使用する金属シャワーヘッドを備える誘導性プラズマ源 |
US20120031560A1 (en) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP2012038461A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
CN114303227A (zh) * | 2020-11-20 | 2022-04-08 | 株式会社爱发科 | 高频电力电路、等离子处理装置、及等离子处理方法 |
JP7052162B1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-04-11 | 株式会社アルバック | 高周波電力回路、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
WO2022107407A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 株式会社アルバック | 高周波電力回路、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
KR20220070425A (ko) * | 2020-11-20 | 2022-05-31 | 가부시키가이샤 알박 | 고주파 전력 회로, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR102475206B1 (ko) | 2020-11-20 | 2022-12-07 | 가부시키가이샤 알박 | 고주파 전력 회로, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
CN114303227B (zh) * | 2020-11-20 | 2023-02-24 | 株式会社爱发科 | 高频电力电路、等离子处理装置、及等离子处理方法 |
US11665809B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-05-30 | Ulvac, Inc. | High-frequency power circuit, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5139029B2 (ja) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100938784B1 (ko) | 복수의 권선들을 갖는 코일을 구비하는 유도성 플라즈마프로세서 및 플라즈마 밀도의 제어방법 | |
TWI618455B (zh) | 用於電漿處理之感應耦合電漿源 | |
JP4057547B2 (ja) | Icpアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置 | |
JP4904202B2 (ja) | プラズマ反応器 | |
US5759280A (en) | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux | |
US20150068682A1 (en) | Power deposition control in inductively coupled plasma (icp) reactors | |
JP2011103346A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20040168771A1 (en) | Plasma reactor coil magnet | |
JP2010238981A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006221852A (ja) | 誘導結合型プラズマ発生装置 | |
US6527912B2 (en) | Stacked RF excitation coil for inductive plasma processor | |
JP2007524963A (ja) | プラズマ生成装置及び方法並びに可変デューティサイクルの高周波駆動回路 | |
KR100753868B1 (ko) | 복합형 플라즈마 반응기 | |
JP5139029B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7101546B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
TWI553693B (zh) | An inductance coil and inductively coupled plasma processing device | |
KR20080037917A (ko) | 다중 안테나를 갖는 유도 결합 플라즈마 반응기 및 이를위한 다중 안테나 구동 시스템 | |
EP1988565A2 (en) | Methods to eliminate m-shape etch rate profile in inductively coupled plasma reactor | |
CN116994935A (zh) | 用于电感等离子体源的改进的静电屏蔽件 | |
KR100806522B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 반응기 | |
KR101682881B1 (ko) | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 | |
KR100845891B1 (ko) | 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기 | |
KR100845912B1 (ko) | 다중 루프 코어 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마반응기 | |
JP2002124399A (ja) | プラズマ生成装置 | |
US10381197B2 (en) | Transformer, plasma processing apparatus, and plasma processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100922 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121023 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5139029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |