JP2009102482A - ヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とする重合体を含有する組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】耐熱性、酸素バリア性、透湿性、耐候性、可とう性に優れるポリイソブチレン系光硬化性組成物を提供する。
【解決手段】イソブチレン系重合体、アルケニル基を１つ有する加水分解性シリル基含有化合物、ヒドロシリル基を２つ以上有する化合物をヒドロシリル化反応させることによって新規イソブチレン系重合体組成物を得る。この重合体組成物に光酸発生剤を混合した組成物は、紫外線などの放射光を照射することによって耐熱性、酸素バリア性、透湿性、耐候性、可とう性に優れる硬化物となる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、耐熱性、酸素バリア性、透湿性、耐候性、可とう性に優れるポリイソブチレン系の組成物および該組成物を用いた電子材料用部材に関する。

硬化性材料には、湿気硬化性材料、熱硬化性材料、光硬化性材料等様々な硬化形式の材料があり、建築、自動車、エレクトロニクス、化学、医療等様々な分野において、接着剤やシーリング剤、粘着剤、塗料、コーティング剤、レジスト等として利用されている。硬化性材料の中で、分子末端に加水分解性シリル基を有するイソブチレン系重合体より得られる硬化物は主鎖構造が高耐熱性であることに加え、加水分解性シリル基の加水分解およびシロキサン縮合による架橋反応によって硬化が進行するため、主鎖の耐熱性を損なわない優れた特徴を有する。さらに透湿性、酸素バリア性、耐候性、可とう性などのバランスにも優れるため、上記用途に適している材料の１つであると考えられる。

一方、近年、上記の用途、特にエレクトロニクス分野では、製造プロセスにおける工程時間の短縮が望まれていることや、有機ＥＬや有機ＴＦＴなど製造工程内で高熱を与えることの困難なデバイスの製造検討が急増していることが要因となり、光硬化性材料の需要がとりわけ高まっている。したがって上記重合体にも光照射による硬化物の形成が望まれていた。上記重合体を主成分をとした光硬化性材料としては、分子末端にエポキシ基またはオキセタニル基を有する光硬化性組成物が開示されている（例えば特許文献１および２参照）。
国際公開第２００３／０８５０２４号パンフレット 国際公開第２００５／０２８５３７号パンフレット

本発明者らは、上記問題を解決するために検討を重ねた結果、イソブチレン系重合体の分子構造設計を工夫することによって、光励起による加水分解性シリル基の加水分解および縮合硬化反応を一般的な光硬化性材料と同等の時間で行えることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、耐熱性、酸素バリア性、透湿性、耐候性、可とう性に優れるポリイソブチレン系光硬化性組成物を提供することを目的とする。

本発明者は前記課題を解決するため、イソブチレン重合体の分子構造を新規に設計し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下の構成によるものである。

１）． （ａ）〜（ｃ）成分をヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とする重合体を含有する組成物。
（ａ）分子中にアルケニル基を少なくとも１つ有し、主鎖がイソブチレンを主体とする、数平均分子量５００〜１００，０００の重合体、（ｂ）アルケニル基を１つ有する加水分解性シリル基含有化合物、（ｃ）ヒドロシリル基を２つ以上有する化合物。

２）． （ａ）成分におけるアルケニル基が該化合物の分子末端に存在することを特徴とする、１）に記載の重合体を含有する組成物。

３）． （ａ）成分におけるアルケニル基がアリル基であることを特徴とする、１）または２）に記載の重合体を含有する組成物。

４）． （ａ）成分の主鎖構造がリビングカチオン重合によって製造される、１）〜３）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。

５）． （ｂ）成分の加水分解性シリル基がアルコキシシリル基であることを特徴とする、１）〜４）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。

６）． （ｃ）成分がヒドロシリル基を２つ以上有するシロキサン化合物であることを特徴とする、１）〜５）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。

７）． （ｃ）成分がヒドロシリル基を２つ以上有する環状シロキサン化合物であることを特徴とする、１）〜６）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。

８）． 以下の（ｉ）（ｉｉ）の手順を経て製造されることを特徴とする、１）〜７）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。
（ｉ）（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｘ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。
（ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ｂ）成分を（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する。

９）． 以下の（ｉ）（ｉｉ）の手順を経て製造されることを特徴とする、１）〜７）のいずれか１に記載の重合体を含有する組成物。
（ｉ）（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｚ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。
（ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ａ）成分を（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する。

１０）． 光酸発生剤を含むことを特徴とする１）〜９）のいずれか１に記載される重合体を含有する組成物。

１１）． 光酸発生剤がオニウム塩類であることを特徴とする、１０）に記載の硬化性組成物。

１２）． １）〜１１）のいずれか１に記載の化合物を用いて得られる電子材料用部材。

本発明によれば、耐熱性、酸素バリア性、透湿性、耐候性、可とう性に優れるポリイソブチレン系光硬化性組成物を提供することができる。

以下に、本発明について詳細に説明する。

＜（ａ）成分＞
本発明における（ａ）成分は、分子中にアルケニル基を少なくとも１つ有し、主鎖がイソブチレンを主体とする、数平均分子量５００〜１００，０００の重合体である。
（ａ）成分におけるアルケニル基は、ヒドロシリル化反応活性を有しているものであれば特に限定は無く、例えばビニル基、アリル基、プロペニル基などの脂肪族不飽和炭化水素基、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などの環式不飽和炭化水素基、メタクリル基などが挙げられる。

（ａ）成分の主鎖構造はイソブチレン系重合体であり、重合体の骨格をなす単量体単位が主としてイソブチレンからなる主鎖構造を意味する。この場合、単量体単位のすべてがイソブチレン単位から形成されていても良く、イソブチレンと共重合性を有する単量体単位を重合体中に好ましくは５０％（ 重量％、以下同様）未満、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下の範囲で含有していても良い。

但し、これら重合体骨格において、耐湿性、耐候性、耐熱性の観点から、芳香環以外の炭素− 炭素不飽和結合を実質的に含有せず、前記アルケニル基を除く主鎖を構成する繰り返し単位が飽和炭化水素から構成されることが特に好ましい。前記イソブチレンと共重合性を有する単量体単位としては、例えば炭素数４〜１２のオレフィン、ビニルエーテル、芳香族ビニル化合物、ビニルシラン類、アリルシラン類などが挙げられる。

それらの具体例としては、例えば１−ブテン、２−ブテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン、ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、ヘキセン、ビニルシクロヘキサン、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、スチレン、α−メチルスチレン、ジメチルスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−ヘキセニルオキシスチレン、ｐ−アリロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、β−ピネン、インデン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルトリメチルシラン、ジビニルジメトキシシラン、ジビニルジメチルシラン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、トリビニルメチルシラン、テトラビニルシラン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルトリメチルシラン、ジアリルジメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシランなどが挙げられる。

前記イソブチレン系重合体の数平均分子量（ＧＰＣ法、ポリスチレン換算）は、その取り扱いやすさ、硬化後のゴム弾性の点から５００〜１００，０００である。（ａ）成分の飽和炭化水素系重合体の分子量が５００より小さいと架橋点が多すぎるため硬化物が脆くなり好ましくない。また分子量が１００，０００より大きいと粘度が高くなるため、作業性が悪くなるため好ましくない。

本発明における（ａ）成分の製造方法としては、例えば、共有結合性ハロゲン、好ましくは共有結合性塩素基を有するイソブチレン系重合体にアルケニル基を導入する方法が挙げられる。共有結合性ハロゲン基を有するイソブチレン系重合体にアルケニル基を導入する具体的方法に特に制限はないが、例えば、アルケニルフェニルエーテル類とイソブチレン系重合体のハロゲン基との間でフリーデルクラフツ反応を行う方法、アリルトリメチルシランなどとイソブチレン系重合体のハロゲン基とをルイス酸存在下で置換反応させる方法、および種々のフェノール類とイソブチレン系重合体のハロゲン基とのフリーデルクラフツ反応を行い水酸基を導入した後に、さらに前記のアルケニル基導入方法を行う方法などが挙げられる。

また、（ａ）成分のアルケニル基含有イソブチレン系重合体を製造する他の方法としては、重合体の重合中にアルケニル基を導入する方法が挙げられる。重合体の重合中にアルケニル基を導入する方法としては、例えば、開始剤、連鎖移動剤、触媒の存在下で、イソブチレンを含むカチオン重合性単量体をカチオン重合させる反応系にアリルトリメチルシランを添加して、アリル末端を有するイソブチレン系重合体を製造する方法がある。ここで、例えば、開始剤兼連鎖移動剤として、ハロゲン原子および芳香環炭素に結合している炭素原子を有する化合物または第３級炭素原子に結合しているハロゲン原子を有する化合物を使用することができる。

触媒としてはルイス酸を使用することができる。同様に、１，９−デカジエンのような非共役ジエン類もしくはｐ−ヘキセニルオキシスチレンのようなアルケニルオキシスチレン類を重合反応系に添加する方法も可能である。ここで、カチオン重合触媒として用いられ得るルイス酸としては、一般式ＭＸ’ｎ（Ｍは金属原子、Ｘ’はハロゲン原子）で表される化合物（例えば、ＢＣｌ_３、Ｅｔ_２ＡｌＣｌ、ＥｔＡｌＣｌ_２、ＡｌＣｌ_３、ＳｎＣｌ_４、ＴｉＣｌ_４、ＶＣｌ_５、ＦｅＣｌ_３、およびＢＦ_３など）が挙げられるが、これらに限定されない。これらのルイス酸のうち、ＢＣｌ_３、ＳｎＣｌ_４、ＢＦ_３などが好ましく、さらに好ましくは、ＴｉＣｌ_４である。ルイス酸の使用量は開始剤兼連鎖移動剤のモル数に対し０．１〜１０倍が好ましく、さらに好ましくは２〜５倍である。

＜（ｂ）成分＞
本発明における（ｂ）成分は、アルケニル基を１つ有する加水分解性シリル基含有化合物である。

前記アルケニル基は、ヒドロシリル化反応活性を有しているものであれば特に限定は無く、例えばビニル基、アリル基、プロペニル基などの脂肪族不飽和炭化水素基、シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などの環式不飽和炭化水素基、メタクリル基などが挙げられる。これらの中でも、特に得られる化合物の耐熱性等の観点よりビニル基であることが好ましい。

前記加水分解性シリル基としては、特に限定は無いが、例えばメトキシシリル基、エトキシシリル基、プロポキシシリル基等のアルコキシシリル基；アセトキシシリル基；クロロシリル基、ブロモシリル基等のハロゲン化シリル基等が挙げられる。

本発明における（ｂ）成分としては、アルケニル基が加水分解性シリル基に直接結合しているものが好ましく、特に以下の式に示される化合物が好適に使用される。

Ｒ^１−Ｓｉ（Ｒ^２）_ｍ（Ｒ^３）_３−ｍ
（Ｒ^１は脂肪族不飽和炭化水素基、環式不飽和炭化水素基、芳香族不飽和炭化水素基、（メタ）アクリロイル基を表す。Ｒ^２はアルコキシ基、アセトキシ基、ハロゲン基を表す。Ｒ^３はアルキル基あるいはアリール基を表す。ｍは１〜３の整数である。）
Ｒ^１の脂肪族不飽和炭化水素基としてはビニル基、アリル基、プロペニル基が、環式不飽和炭化水素基としてはシクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基が、芳香族不飽和炭化水素基としてはスチリル基が、（メタ）アクリロイル基としてはアクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。Ｒ^２のアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、アリロキシ基が、ハロゲン基としてはクロロ基、ブロモ基が好ましい。Ｒ^３のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基が、アリール基としてはフェニル基、トリル基が好ましい。

特に得られる化合物の耐熱性等の観点より、Ｒ^１はビニル基であることが好ましく、Ｒ^２はメトキシ基、エトキシ基が好ましく、Ｒ^３はメチル基、フェニル基が好ましい。

具体例としては、クロロジメチルビニルシラン、ジクロロメチルビニルシラン、トリクロロビニルシラン、クロロメチルフェニルビニルシラン、ジクロロフェニルビニルシラン、アリルクロロジメチルシラン、アリルジクロロメチルシラン、アリルトリクロロシラン、アリルクロロメチルフェニルシラン、アリルジクロロフェニルシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、アリロキシジメチルビニルシラン、ジアリロキシメチルビニルシラン、トリアリロキシビニルシラン、プロポキシジメチルビニルシラン、ジプロポキシメチルビニルシラン、トリプロポキシビニルシラン、イソプロポキシジメチルビニルシラン、ジイソプロポキシメチルビニルシラン、トリイソプロポキシビニルシラン、ブトキシジメチルビニルシラン、ジブトキシメチルビニルシラン、トリブトキシビニルシラン、イソブトキシジメチルビニルシラン、ジイソブトキシメチルビニルシラン、トリイソブトキシビニルシラン、アリルメトキシジメチルシラン、アリルジメトキシメチルシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルエトキシジメチルシラン、アリルジエトキシメチルシラン、アリルトリエトキシシラン、アセトキシジメチルビニルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、トリアセトキシビニルシラン、アリルアセトキシジメチルシラン、アリルジアセトキシメチルシラン、アリルトリアセトキシシラン、メトキシジフェニルビニルシラン、ジメトキシフェニルビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、エトキシジフェニルビニルシラン、ジエトキシフェニルビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、アリロキシジフェニルビニルシラン、ジアリロキシフェニルビニルシラン、トリアリロキシビニルシラン、プロポキシジフェニルビニルシラン、ジプロポキシフェニルビニルシラン、トリプロポキシビニルシラン、イソプロポキシジフェニルビニルシラン、ジイソプロポキシフェニルビニルシラン、トリイソプロポキシビニルシラン、ブトキシジフェニルビニルシラン、ジブトキシフェニルビニルシラン、トリブトキシビニルシラン、イソブトキシジフェニルビニルシラン、ジイソブトキシフェニルビニルシラン、トリイソブトキシビニルシランなどが挙げられる。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を併せて用いてもよい。

＜（ｃ）成分＞
本発明における（ｃ）成分は、ヒドロシリル基を２つ以上有する化合物である。

（ｃ）成分は、含まれるヒドロシリル基が（ａ）成分および（ｂ）成分のアルケニル基とヒドロシリル化反応を起こすものであれば特に限定は無いが、中でもシロキサン化合物が好ましく、環状シロキサン化合物を用いることが耐熱性、反応性、製造における除去のしやすさ等の観点より好ましい。また、メチル基、エチル基、あるいはフェニル基がケイ素原子に直接結合した構造を有する（環状）シロキサン化合物が好ましい。これらの例としては例えば、

（Ｒ^４〜Ｒ^４０は炭素数１〜８のアルキル基、またはアリール基を表し、Ｒ^４〜Ｒ^４０はそれぞれ同じでもよいし、異なっていてもよい。またｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｕは０〜１０００の整数、ｓ、ｔは２〜１０００の整数、ｖは３〜１０の整数、ｗは０〜１０の整数である。）が挙げられる。

Ｒ^４〜Ｒ^４０としてはメチル基、エチル基、あるいはフェニル基であることが耐熱性等の観点より好ましい。

また、これらの中でも、特に環状シロキサン化合物を用いることが耐熱性、反応性、製造における除去のしやすさ等の観点より好ましい。

＜製造方法＞
本発明の重合体は、（ａ）成分および（ｂ）成分のアルケニル基と（ｃ）成分のヒドロシリル基がヒドロシリル化により結合することで形成される。化合物の製造方法に特に限定は無いが、
（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分を同時に混合して製造する方法、あるいは下記（１）あるいは（２）の方法が好ましい方法として例示できる。

（１）
（ｉ）（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｘ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。
（ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ｂ）成分を（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する。

（２）
（ｉ）（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｚ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。

（ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ａ）成分を（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する。

上記に例示した方法の中では（１）の方法が好ましい。また、Ｘ、Ｙ、Ｚの関係は、３０≧Ｙ／Ｚ＞１、２０≧Ｚ／Ｘ＞１であることがより好ましい。

反応温度は３０〜１５０℃で行うことが好ましく、より好ましくは５０〜１２０℃である。反応温度が低すぎるとヒドロシリル化反応が進行しにくいため好ましくない。一方、反応温度が高すぎるとヒドロシリル化反応の制御が難しくまた、反応溶媒が蒸発してしまい反応溶液が高粘度化し、反応が不均一になり好ましくない。

本発明の化合物の製造において、必要に応じて（ａ）〜（ｃ）成分を有機溶媒に溶解させて使用してもよい。溶媒としては、使用する組成物を均一に溶解できるものが好ましく、さらには大気圧下における沸点が３０℃から２５０℃であるもの、特には５０℃から２２０℃であるものが好ましい。

具体的には例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼン。

メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン。

アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン。

トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン、エチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルカーボネート。

酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール。

プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、１，３−プロパンスルトン等を挙げることができる。これらは単独で使用してもよいし２種以上を併用することもできる。

この中で特に好ましいものとしては、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンが挙げられる。

ヒドロシリル化反応の際は、遷移金属触媒が通常用いられる。遷移金属触媒としては、例えば、白金−オレフィン錯体、塩化白金酸、白金の単体、担体（アルミナ、シリカ、カーボンブラック等）に固体白金を担持させたもの；白金−ビニルシロキサン錯体、例えば、Ｐｔ_n（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯＳｉＭｅ_２Ｖｉ）_ｎ、Ｐｔ〔（ＭｅＶｉＳｉＯ）_４〕_ｍ；白金−ホスフィン錯体、例えば、Ｐｔ（ＰＰｈ_３）_４、Ｐｔ（ＰＢｕ_３）_４；白金−ホスファイト錯体、例えば、Ｐｔ〔Ｐ（ＯＰｈ）_３〕_４、Ｐｔ〔Ｐ（ＯＢｕ）_３〕_４（式中、Ｍｅはメチル基、Ｂｕはブチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を表し、ｍ、ｎは整数を表す）、Ｐｔ（ａｃａｃ）₂、また、Ａｓｈｂｙらの米国特許第３１５９６０１及び３１５９６６２号明細書中に記載された白金−炭化水素複合体、並びにＬａｍｏｒｅａｕｘらの米国特許第３２２０９７２号明細書中に記載された白金アルコラ−ト触媒も挙げられる。

また、白金化合物以外の触媒の例としては、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ_３）_３、ＲｈＣｌ_３、Ｒｈ／Ａl_２Ｏ_３、ＲｕＣｌ_３、ＩｒＣｌ_３、ＦｅＣｌ_３、ＡｌＣｌ_３、ＰｄＣｌ_２・２Ｈ_２Ｏ、ＮｉＣｌ_２、ＴｉＣｌ_４、等が挙げられる。これらの触媒は単独で使用してもよく、２種以上併用しても構わない。触媒活性の点から塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体、Ｐｔ（ａｃａｃ）_２等が好ましい。ヒドロシリル化に用いる触媒の量はアルケニル基１ｍｏｌに対して白金が１０^−７〜１０^−３ｍｏｌの割合で用いられることが好ましい。

＜光酸発生剤＞
次に光酸発生剤について説明する。光酸発生剤とは、可視光、紫外線、赤外線、Ｘ線、α線、β線、γ線等の活性エネルギー線を照射することにより、酸性活性物質放出し、架橋性シリル基を架橋させることができる化合物である。 光酸発生剤により発生する酸のｐＫａは、限定はされないが、好ましくは、３未満、さらに好ましくは、１未満である。

本発明の組成物に使用できる光酸発生剤としては、公知の光酸発生剤を使用することができる。例えば、特開２０００−１６４８号公報、特表２００１−５１５５３３号公報、ＷＯ２００２−８３７６４において好適とされている各種の化合物を挙げることができるが、本発明は特にこれらに限定されるわけではない。

本発明において好ましく使用できる光酸発生剤としては、スルホン酸誘導体、オニウム塩類、カルボン酸エステル類が挙げられる。

本発明で使用できるスルホン酸誘導体としては例えば、ジスルホン類、ジスルホニルジアゾメタン類、ジスルホニルメタン類、スルホニルベンゾイルメタン類、トリフルオロメチルスルホネート誘導体などのイミドスルホネート類、ベンゾインスルホネート類、１−オキシ−２−ヒドロキシ−３−プロピルアルコールのスルホネート類、ピロガロールトリスルホネート類、ベンジルスルホネート類を挙げることができる。具体的には、ジフェニルジスルホン、ジトシルジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（クロルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシリルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）メタン、ベンゾイントシラート、１、２−ジフェニル−２−ヒドロキシプロピルトシラート、１、２−ジ（４−メチルメルカプトフェニル）−２−ヒドロキシプロピルトシラート、ピロガロールメチルスルホネート、ピロガロールエチルスルホネート、２，６−ジニトロフェニルメチルトシラート、オルト−ニトロフェニルメチルトシラート、パラ−ニトロフェニルトシラートなどを挙げることができる。

本発明で使用できるカルボン酸エステルとしては１、８−ナフタレンジカルボン酸イミドメチルスルホネート、１、８−ナフタレンジカルボン酸イミドトシルスルホネート、１、８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメチルスルホネート、１、８−ナフタレンジカルボン酸イミドカンファースルホネート、コハク酸イミドフェニルスルホネート、コハク酸イミドトシルスルホネート、コハク酸イミドトリフルオロメチルスルホネート、コハク酸イミドカンファースルホネート、フタル酸イミドトリフルオロスルホネート、シス−５−ノルボルネン−エンド−２，３−ジカルボン酸イミドトリフルオロメチルスルホネートなどを挙げることができる。

一般に、スルホン酸誘導体およびカルボン酸エステルは、酸を遊離するために、加熱ステップ(５０℃〜１００℃)を取ることが好ましい。

本発明で使用できるオニウム塩としては、テトラフルオロボレート（ＢＦ_４ ⁻）、ヘキサフルオロホスフェート（ＰＦ_６ ⁻）、ヘキサフルオロアンチモネート（ＳｂＦ_６ ⁻）、ヘキサフルオロアルセネート（ＡｓＦ_６ ⁻）、ヘキサクロルアンチモネート（ＳｂＣｌ_６ ⁻）、テトラフェニルボレート、テトラキス（トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラキス（ペンタフルオロメチルフェニル）ボレート、過塩素酸イオン（ＣｌＯ_４ ⁻）、トリフルオロメタンスルフォン酸イオン（ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻）、フルオロスルフォン酸イオン（ＦＳＯ_３ ⁻）、トルエンスルフォン酸イオン、トリニトロベンゼンスルフォン酸アニオン、トリニトロトルエンスルフォン酸アニオン等のアニオンを有するスルホニウム塩またはヨードニウム塩を使用することができる。

スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアシルネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオベンジル)ボレート、メチルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、メチルジフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、ジメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルナフチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリトイルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、アニシルジフェニルスルホニウムヘキサヘキサフルオルアンチモネート、４−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、４−クロロフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリス(４−フェノキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ(４−エトキシフェニル)メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセチルフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−アセチルフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、トリス(４−チオメトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ(メトキシスルホニルフェニル)メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ(メトキシナフチル)メチルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジ(メトキシナフチル)メチルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、ジ(カルボメトキシフェニル)メチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、(４−オクチルオキシフェニル)ジフェニルスルホニウムテトラキス(３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリス(ドデシルフェニル)スルホニウムテトラキス(３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル)ボレート、４−アセトアミドフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−アセトアミドフェニルジフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、ジメチルナフチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、フェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、１０−メチルフェノキサチイニウムヘキサフルオロホスフェート、５−メチルチアントレニウムヘキサフルオロホスフェート、１０−フェニル−９，９−ジメチルチオキサンテニウムヘキサフルオロホスフェート、１０−フェニル−９−オキソチオキサンテニウムキサンテニウムテトラフルオロボレート、１０−フェニル−９−オキソチオキサンテニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、５−メチル−１０−オキソチアトレニウムテトラフルオロボレート、５−メチル−１０−オキソチアトレニウムテトラキス(ペンタフルオロベンジル)ボレート、および５−メチル−１０，１０−ジオキソチアトレニウムヘキサフルオロホスフェートなどが挙げられる。

本発明において使用できるヨードニウム塩としては、（４−ｎ−デシロキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、〔４−（２−ヒドロキシ−ｎ−テトラデシロキシ）フェニル〕フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、〔４−（２−ヒドロキシ−ｎ−テトラデシロキシ）フェニル〕フェニルヨードニウムトリフルオロスルホネート、〔４−（２−ヒドロキシ−ｎ−テトラデシロキシ）フェニル〕フェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、〔４−（２−ヒドロキシ−ｎ−テトラデシロキシ）フェニル〕フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメチルスルフォネート、ジ（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジ（ドデシルフェニル）ヨードニウムトリフラート、ジフェニルヨードニウムビスルフェート、４，４’−ジクロロジフェニルヨードニウムビスルフェート、４，４’−ジブロモジフェニルヨードニウムビスルフェート、３，３’−ジニトロジフェニルヨードニウムビスルフェート、４，４’−ジメチルジフェニルヨードニウムビスルフェート、４，４’−ビススクシンイミドジフェニルヨードニウムビスルフェート、３−ニトロジフェニルヨードニウムビスルフェート、４，４’−ジメトキシジフェニルヨードニウムビスルフェート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウムテトラキス（３，５−ビス−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、米国特許第５，５５４，６６４号に開示されている（トリルクミル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４）_２Ｉ−（ＳＯ_２ＣＦ_３）_３、米国特許第５，５１４，７２８号に開示されている（Ｃ_６Ｈ_５）_２Ｉ−Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４、および米国特許第５，３４０，８９８号に開示されているものなどが挙げられる。

その他のオニウム塩としては、芳香族ジアゾニウム塩を使用することができ、例えばｐ−メトキシベンゼンジアゾニウム・ヘキサフルオロアンチモネートなどを使用することができる。

本発明において使用できる、商業的に入手できるオニウム塩としては、サンエイドＳＩ−６０、ＳＩ−８０、ＳＩ−１００、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−Ｌ１４５、ＳＩ−Ｌ１５０、ＳＩ−Ｌ１６０、ＳＩ−Ｌ１１０、ＳＩ−Ｌ１４７（以上、三新化学工業（株）製）、ＵＶＩ−６９５０、ＵＶＩ−６９７０、ＵＶＩ−６９７４、ＵＶＩ−６９９０（以上、ユニオンカーバイド社製）、アデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１５１、ＳＰ−１７０、ＳＰ−１７１、ＳＰ−１７２（以上、旭電化工業（株）製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ２６１、Ｉｒｇａｃｕｒｅ２５０（チバスペシャルティケミカルズ（株）製）、ＣＩ−２４８１、ＣＩ−２６２４、ＣＩ−２６３９、ＣＩ−２０６４（以上、日本曹達（株）製）、ＣＤ−１０１０、ＣＤ−１０１１、ＣＤ−１０１２（以上、サートマー社製）、ＤＳ−１００、ＤＳ−１０１、ＤＡＭ−１０１、ＤＡＭ−１０２、ＤＡＭ−１０５、ＤＡＭ−２０１、ＤＳＭ−３０１、ＮＡＩ−１００、ＮＡＩ−１０１、ＮＡＩ−１０５、ＮＡＩ−１０６、ＳＩ−１００、ＳＩ−１０１、ＳＩ−１０５、ＳＩ−１０６、ＰＩ−１０５、ＮＤＩ−１０５、ＢＥＮＺＯＩＮ ＴＯＳＹＬＡＴＥ、ＭＢＺ−１０１、ＭＢＺ−３０１、ＰＹＲ−１００、ＰＹＲ−２００、ＤＮＢ−１０１、ＮＢ−１０１、ＮＢ−２０１、ＢＢＩ−１０１、ＢＢＩ−１０２、ＢＢＩ−１０３、ＢＢＩ−１０９（以上、みどり化学（株）製）、ＰＣＩ−０６１Ｔ、ＰＣＩ−０６２Ｔ、ＰＣＩ−０２０Ｔ、ＰＣＩ−０２２Ｔ（以上、日本化薬（株）製）、ＩＢＰＦ、ＩＢＣＦ（三和ケミカル（株）製）ＣＤ１０１２（サートマー社製）、ＩＢＰＦ、ＩＢＣＦ（以上、三和ケミカル（株）製）、ＢＢＩ−１０１、ＢＢＩ−１０２、ＢＢＩ−１０３、ＢＢＩ−１０９（以上、みどり化学（株）製）、ＵＶＥ１０１４（ゼネラルエレクトロニクス社製）、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ−ＰＩ２０７４（ローディア社製）、ＷＰＩ−１１３、ＷＰＩ−１１６（和光純薬（株）製）等を挙げることができる。また、Ｊ． Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐａｒｔ Ａ：ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．３１， １４７３−１４８２(１９９３)， Ｊ． Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐａｒｔ Ａ：ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．３１， １４８３−１４９１(１９９３)において記述されている方法により製造できるジアリールヨードニウム塩を使用することもできる。

以上にあげた光酸発生剤は、１種のみまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。

このような塩を使用した組成物は、静電気支援塗料に十分な導電性を提供することができ、また、静電吹付、電気吹付、および静電気支援を用いた連続液体適用(たとえば、ロール塗布などによる)などを使用して塗布するのに好適である。このような塩を使用する場合、一般に、さらなる導電性増強剤は必要ではないが、これらの好ましい塩と共に使用してもよい。

本発明の組成物は光酸発生剤を使用するため、熱過敏性基材を含む用途に好適である。酸の遊離を促進するために、増感剤を補足することもできる。増感剤の添加量は特に限定はされないが、本発明の化合物１００重量部に対して０．０１〜１重量部が好ましい。本発明に使用できる適当な増感剤の例としては、Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｃｕｒｉｎｇ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第２巻、Ｆｏｕａｓｓｉｅｒ ａｎｄ Ｒａｂｅｋ編，Ｅｌｓｅｖｉｅｒ ＳｃｉｅｎｃｅＰｕｂｈｓｈｅｒｓ ＬＴＤ，１９９３の第１３章に記載されているものなどがある。

具体例としては、アントラセン、ピレン、ペリレンなどの芳香族炭化水素、ベンゾフェノン、キサントン、チオキサントン、ミヒラーケトン、９，１０−フェナントラキノンなどの芳香族ケトン、エオシン、ケトクマリン、アクリジン染料、芳香族アミン、芳香族３級アミン、クマリン、イソベンゾフラン、およびこれらの誘導体があげられる。

本発明の組成物における光酸発生剤の含有量は、特に制限はないが、硬化性の点から、本発明の化合物１００重量部に対して０．０１〜１０.０重量部であることが好ましく、また、硬化物の物性バランスの点から０．０２〜５．０重量部であることがさらに好ましい。光酸発生剤の量が少ないと、十分に硬化した硬化物が得られない。また、光酸発生剤の量が多いと、色が硬化物に残ったり、急硬化のために着色や、耐熱性や耐光性を損なったりするため、好ましくない。

本発明の組成物は用途に応じて、効果を損なわない範囲で有機溶媒に溶解させて使用してもよい。溶媒としては、使用する組成物を均一に溶解できるものが好ましく、さらには大気圧下における沸点が３０℃から２５０℃であるもの、特には５０℃から２２０℃である物が好ましい。

具体的には例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼン。

メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン。

アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン、エチルエーテル、ｉ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジエチルカーボネート。

酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール。

プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、１，３−プロパンスルトン等を挙げることができる。これらは単独で使用してもよいし２種以上を併用することもできる。

この中で特に好ましいものとしては、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンが挙げられる。

本発明の硬化性組成物には、任意成分として効果を損なわない範囲で用途に応じて水を添加してもよい。本発明に用いる硬化性組成物には、任意成分として効果を損なわない範囲でシランカップリング剤を添加してもよい。シランカップリング剤としては、例えば次式に示される化合物が好適に用いられる。

Ｒ^４１−Ｓｉ（ＯＲ^４２）_３
（上式においてＲ^４１は、炭素数１〜３０の炭化水素基、メタクリロイル基、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアナート基、カルボキシル基、炭素数１〜３０のアミノアルキル基、アミノ基、メルカプト基あるいはハロゲン基等を表す。Ｒ^４２は炭素数１〜８のアルキル基、またはアリール基を表す。）Ｒ^４２のアリール基はフェニル基またはトリル基が好ましい。

本発明に用いる硬化性組成物には、上記必須成分に加え、任意成分として本発明の効果を妨げない範囲で、必要に応じ増量剤として粉砕石英、炭酸カルシウム、カーボンなどの充填剤を添加してもよい。

本発明の硬化性組成物には、必要に応じて着色剤、耐熱性向上剤などの各種添加剤や反応制御剤、離型剤あるいは充填剤用分散剤などを任意で添加することができる。この充填剤用分散剤としては、例えば、ジフェニルシランジオール、各種アルコキシシラン、カーボンファンクショナルシラン、シラノール基含有低分子量シロキサンなどが挙げられる。

本発明の硬化性組成物を難燃性、耐火性にするために二酸化チタン、炭酸マンガン、Ｆｅ_２Ｏ_３、フェライト、マイカ、ガラス繊維、ガラスフレークなどの公知の添加剤を添加してもよい。なお、これら任意成分は、本発明の効果を損なわないように最小限の添加量に止めることが好ましい。

本発明に用いる硬化性組成物は、上記した成分をロール、バンバリーミキサー、ニーダーなどの混練機を用いたり、遊星式攪拌脱泡機を用いて均一に混合し、必要に応じ加熱処理を施したりすることにより得ることができる。

本発明の硬化性組成物は、成形体として使用することができる。成形方法としては、押出成形、圧縮成形、ブロー成形、カレンダー成形、真空成形、発泡成形、射出成形、液状射出成形、注型成形などの任意の方法を使用することができる。

本発明による硬化性組成物から得られる成形体は、主鎖構造が耐熱性、透湿性、耐候性、可とう性に優れている。また結合部分は加水分解性シリル基の加水分解および縮合によりシロキサン結合を形成しており、一般的な光硬化性材料に比べて結合部分の耐熱性が高い。

本発明の硬化性組成物は、電子材料用部材として用いることができる。ここで言う電子材料は、例えば以下の用途への適用が可能である。

まずディスプレイ材料分野では、液晶表示装置周辺材料における基板材料、カラーフィルター、ブラックマトリックス、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム、カラーＰＤＰ（プラズマディスプレイ）における封止剤、反射防止フィルム、光学補正フィルム、ハウジング材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤。

ＬＥＤ表示装置に使用されるＬＥＤ素子におけるモールド材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤。

プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）ディスプレイにおける基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイにおける前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤。

フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）における各種フィルム基板、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤。

プロジェクションテレビの投射レンズ、保護フィルム、封止剤、接着剤などが例示される。光センシング機器のレンズ用材料、封止剤、接着剤、フィルム。
等の用途が例示される。

光記録分野では、ＶＤ（ビデオディスク）、ＣＤ／ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ／ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ／ＭＤ、ＰＤ（相変化ディスク）、光カード用のディスク基板材料、ピックアップレンズ、保護フィルム、封止剤、接着剤が例示される。

光学機器分野では、スチールカメラのレンズ用材料、ファインダプリズム、ターゲットプリズム、ファインダーカバー、受光センサー部が例示される。また、ビデオカメラの撮影レンズ、ファインダーが例示される。

光部品分野では、光通信システムでの光スイッチ周辺のファイバー材料、レンズ、導波路、素子の封止剤、接着剤などが例示される。光コネクタ周辺の光ファイバー材料、フェルール、封止剤、接着剤などが例示される。光受動部品、光回路部品ではレンズ、導波路、ＬＥＤ素子の封止剤、接着剤などが例示される。光電子集積回路（ＯＥＩＣ）周辺の基板材料、ファイバー材料、素子の封止剤、接着剤などが例示される。

光ファイバー分野では、装飾ディスプレイ用照明・ライトガイドなど、工業用途のセンサー類、表示・標識類など、また通信インフラ用および家庭内のデジタル機器接続用の光ファイバーが例示される。

半導体集積回路周辺材料分野では、ＬＳＩ、超ＬＳＩ材料用のマイクロリソグラフィー用のレジスト材料が例示される。

有機エレクトロニクス周辺材料分野では、有機ＥＬ周辺材料での素子封止剤、基板コーティング剤等が例示される。また有機ＴＦＴ周辺材料での素子封止剤、基板コーティング、有機半導体の保護材等が例示される。

自動車・輸送機分野では、自動車用のランプリフレクタ、ベアリングリテーナー、ギア部分、耐蝕コート、スイッチ部分、ヘッドランプ、エンジン内部品、電装部品、各種内外装品、駆動エンジン、ブレーキオイルタンク、自動車用防錆鋼板、インテリアパネル、内装材、保護・結束用ワイヤーネス、燃料ホース、自動車ランプ、ガラス代替品が例示される。また、鉄道車輌用の複層ガラスが例示される。また、航空機の構造材の靭性付与剤、エンジン周辺部材、保護・結束用ワイヤーネス、耐蝕コートが例示される。

建築分野では、内装・加工用材料、電気カバー、シート、ガラス中間膜、ガラス代替品、太陽電池周辺材料が例示される。農業用では、ハウス被覆用フィルムが例示される。

次世代の光・電子機能有機材料としては、次世代ＤＶＤ、有機ＥＬ素子周辺材料、有機フォトリフラクティブ素子、光−光変換デバイスである光増幅素子、光演算素子、有機太陽電池周辺の基板材料、ファイバー材料、素子の封止剤、接着剤などが例示される。

次に本発明の組成物を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

硬化に用いる紫外線照射装置（フュージョン製、ＬＣ−６Ｂ）は、照射距離は５３．３ｍｍ、照射出力１００％、コンベアスピード１ｍ／分に設定し、この条件で光照射を２回行った。積算光量は３０００ｍＪ／ｃｍ^２で、照射時間は概ね３０秒程度である。

透過率は紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５６０）を用い、測定した。

１％重量減少温度は熱重量測定装置（島津製作所製、ＴＧＡ−５０）を用いて測定した。測定は、測定温度上限は５００℃、昇温速度は毎分２０℃の条件で、窒素雰囲気下にて行った。

透湿係数はガス・蒸気透過率測定装置（ＧＴＲテック社製、ＧＴＲ−３０ＸＡ）を用い、測定方法は差圧法、差圧は1気圧、測定温度は４０℃、水槽湿度は９０％で、キャリアガスは酸素を用いて測定した。

（実施例１）
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン９．６ｇ（４０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、イソブチレン重合体（カネカ製、ＥＰ２００−Ａ、数平均分子量５，０００）２０ｇ（４ｍｍｏｌ）、エチルシクロヘキサン４０ｇ、白金ビニルシロキサン錯体（エヌ・イー・ケムキャット製、Ｐｔ−ＶＴＳＣ−３．０Ｘ）５μＬの混合溶液をその反応液にゆっくり滴下した。滴下終了後、６０℃で２時間反応させた。反応終了後、溶媒および未反応成分を留去し残った反応物を再びエチルシクロヘキサン４０ｇに溶解させた。

この溶液にトリメトキシビニルシラン（信越シリコーン製、ＬＳ−８１５）４．３ｇ（２９ｍｍｏｌ）を滴下し、６０℃で７時間反応させた。反応終了後、溶媒および未反応成分を留去し、目的重合体を得た。得られた重合体１．０ｇに光酸発生剤（和光純薬製、ＷＰＩ−１１６）０．０２ｇを加え目的組成物を作製した。本組成物をトルエン１．０ｇで希釈した溶液をスピンコート法によってガラス基板上に塗布した後、紫外線照射装置により、紫外線照射を行い、厚さ１０μｍの硬化物を得た。

この硬化物は無色透明で、４００ｎｍにおける透過率は９５％であった。また、１％重量減少温度は２５７℃と高く、耐熱性に優れている。透湿係数は６．８×１０^−１３ｇ・ｃｍ／（ｃｍ^２・ｓ・ｃｍＨｇ）であった。

（実施例２）
実施例１におけるトリメトキシビニルシランをジメトキシメチルビニルシラン（東京化成製）３．８ｇ（２９ｍｍｏｌ）に変えた点以外は実施例１と同様にして厚さ１１μｍの硬化物を得た。この硬化物は無色透明で、４００ｎｍにおける透過率は８７％であった。

（実施例３）
実施例１におけるトリメトキシビニルシランをメトキシジメチルビニルシラン（信越シリコーン製、ＬＳ−８０５）３．４ｇ（２９ｍｍｏｌ）に変えた点以外は実施例１と同様にして厚さ９μｍの硬化物を得た。この硬化物は無色透明で、４００ｎｍにおける透過率は８８％であった。

（比較例１）
イソブチレン重合体（カネカ製、ＥＰ−１００Ｓ）１．０ｇに光酸発生剤（和光純薬製、ＷＰＩ−１１６）０．０２ｇを加え目的組成物を作成した。本組成物をトルエン２．０ｇで希釈した溶液をスピンコート法によってガラス基板上に塗布した後、放射線照射装置により、組成物へ紫外線照射を行ったが、塗膜は硬化しなかった。

以上、本発明の構造からなる重合体を含む組成物は光照射によって硬化させることが可能で、組成物から得られる光硬化物は透明性、耐熱性、透湿性に優れる効果を有する。

Claims (12)

1. （ａ）〜（ｃ）成分をヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とする重合体を含有する組成物。
   （ａ）分子中にアルケニル基を少なくとも１つ有し、主鎖がイソブチレンを主体とする、数平均分子量５００〜１００，０００の重合体、（ｂ）アルケニル基を１つ有する加水分解性シリル基含有化合物、（ｃ）ヒドロシリル基を２つ以上有する化合物。
2. （ａ）成分におけるアルケニル基が該化合物の分子末端に存在することを特徴とする、請求項１に記載の重合体を含有する組成物。
3. （ａ）成分におけるアルケニル基がアリル基であることを特徴とする、請求項１または２に記載の重合体を含有する組成物。
4. （ａ）成分の主鎖構造がリビングカチオン重合によって製造される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
5. （ｂ）成分の加水分解性シリル基がアルコキシシリル基であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
6. （ｃ）成分がヒドロシリル基を２つ以上有するシロキサン化合物であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
7. （ｃ）成分がヒドロシリル基を２つ以上有する環状シロキサン化合物であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
8. 以下の（ｉ）（ｉｉ）の手順を経て製造されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
   （ｉ）（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｘ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。
   （ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ｂ）成分を（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する
9. 以下の（ｉ）（ｉｉ）の手順を経て製造されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の重合体を含有する組成物。
   （ｉ）（ｂ）成分のアルケニル基の数（Ｚ）と（ｃ）成分のヒドロシリル基の数（Ｙ）の比が５０≧（Ｙ／Ｚ）＞１となる割合で各成分を仕込んでヒドロシリル化反応させた後、反応液から未反応の（ｃ）成分を除去する。
   （ｉｉ）（ｉ）で得られた反応物に（ａ）成分を（ａ）成分のアルケニル基の数（Ｘ）が２０≧（Ｚ／Ｘ）＞０となる割合で仕込んでヒドロシリル化反応させた後、未反応の（ｂ）成分を除去する。
10. 光酸発生剤を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載される重合体を含有する組成物。
11. 光酸発生剤がオニウム塩類であることを特徴とする、請求項１０に記載の硬化性組成物。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物を用いて得られる電子材料用部材。