JP2009098128A - 液処理装置および処理液供給方法 - Google Patents

液処理装置および処理液供給方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009098128A
JP2009098128A JP2008219340A JP2008219340A JP2009098128A JP 2009098128 A JP2009098128 A JP 2009098128A JP 2008219340 A JP2008219340 A JP 2008219340A JP 2008219340 A JP2008219340 A JP 2008219340A JP 2009098128 A JP2009098128 A JP 2009098128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
supply
liquid
chemical
unit
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008219340A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5198187B2 (ja
Inventor
Yuji Kamikawa
川 裕 二 上
Shigenori Kitahara
原 重 徳 北
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008219340A priority Critical patent/JP5198187B2/ja
Priority to TW97135006A priority patent/TWI410287B/zh
Priority to US12/232,458 priority patent/US8491726B2/en
Priority to DE102008048890A priority patent/DE102008048890A1/de
Priority to KR1020080094029A priority patent/KR101348437B1/ko
Publication of JP2009098128A publication Critical patent/JP2009098128A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5198187B2 publication Critical patent/JP5198187B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

【課題】2種類以上の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に迅速かつ正確に薬液の濃度を測定することができ、かつ、比較的薄い濃度の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に正確に薬液の濃度を測定すること。
【解決手段】液処理装置は、処理液によって被処理体を処理する処理部80と、処理部80に連結され、当該処理部80に処理液を案内する供給路1と、供給路1に溶媒を供給する溶媒供給部7と、供給路1に薬液供給路6を介して薬液を供給し、溶媒によって希釈された薬液を生成する薬液供給部5と、を備えている。供給路1のうち薬液供給路6が連結された連結箇所25a,35a,45aの下流側に、溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定する測定部10が設けられている。供給路1のうち測定部10が設けられた測定箇所10aの下流側に、追加薬液供給路3を介して前記薬液とは異なる追加薬液を供給する追加薬液供給部11が連結されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、処理液に含まれる薬液の濃度を測定するとともに、当該処理液によって被処理体を処理する液処理装置および処理液を被処理体へ供給する処理液供給方法に関する。
従来から、被処理体である半導体ウエハ(以下、ウエハとも呼ぶ)を洗浄する際には、溶媒である純水にNHOH(水酸化アンモニウム)と過酸化水素水を加えたアンモニア過水(SC1)や、溶媒である純水に塩酸と過酸化水素水を加えた塩酸過水(SC2)や、フッ酸を純水で希釈した希フッ酸などが用いられている。
ここで、アンモニア過水(SC1)は主にウエハに付着したパーティクルを除去するために用いられ、塩酸過水は主にウエハの金属汚染を除去するために用いられ、希フッ酸は主にウエハの汚染を除去するために用いられる。
このようなアンモニア過水(SC1)や塩酸過水(SC2)や希フッ酸といった処理液に含まれる薬液の濃度を測定するために、処理液の導電率を測定する方法や、処理液を通過する光の透過率(処理液の吸光度)を測定する方法が知られている(特許文献1、特許文献2および特許文献3参照)。
特開昭62−8040号公報 特開平10−154683号公報 特開2005−189207号公報
しかしながら、上述のように、アンモニア過水(SC1)にはNHOHと過酸化水素水の二つの薬液が含有されており、また同様に、塩酸過水(SC2)には塩酸と過酸化水素水の二つの薬液が含有されている。
このため、これらの処理液の導電率を測定して薬液の濃度を測定する場合には、一方の薬液による導電効果と他方の薬液による導電効果が混ざってしまうので、各薬液の正確な濃度を測定することは困難である。他方、これらの処理液の光の透過率(処理液の吸光度)を測定して薬液の濃度を測定する場合には、各々の薬液の濃度を正確に測定することができるが、測定時間がかかってしまう。
ところで、比較的濃い濃度の薬液を含有する処理液を用いる場合であり、供給される薬液の量が多い場合には、供給される薬液の流量を直接測定することによって、当該薬液の濃度を測定することができる。しかしながら、比較的薄い濃度の薬液を含有する処理液を用いる場合には、供給される薬液の量が少ないため、供給される薬液の流量を正確に測定することは非常に困難である。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、2種類以上の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に迅速かつ正確に薬液の濃度を測定することができ、かつ、比較的薄い濃度の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に正確に薬液の濃度を測定することができる液処理装置および処理液を被処理体へ供給する処理液供給方法を提供することを目的とする。
本発明による液処理装置は、
溶媒と薬液とを混合することによって生成される処理液を用いて被処理体を処理する液処理装置であり、
処理液によって被処理体を処理する処理部と、
処理部に連結され、当該処理部に処理液を案内する供給路と、
供給路に溶媒を供給する溶媒供給部と、
供給路に薬液供給路を介して薬液を供給し、溶媒によって希釈された薬液を生成する薬液供給部と、
供給路のうち薬液供給路が連結された連結箇所の下流側に設けられ、溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定する測定部と、
供給路のうち測定部が設けられた測定箇所の下流側に連結され、追加薬液供給路を介して前記薬液とは異なる追加薬液を供給する追加薬液供給部と、
を備えている。
このように、供給路のうち薬液供給路が連結された連結箇所の下流側に導電率を測定する測定部が設けられ、供給路のうち測定部が設けられた測定箇所の下流側に、追加薬液供給路を介して前記薬液とは異なる追加薬液を供給する追加薬液供給部が連結されているので、2種類以上の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に、迅速かつ正確に薬液の濃度を測定することができる。また、洗浄液が比較的薄い濃度の薬液を含有する場合であり供給される薬液の量が少ない場合であっても、導電率を測定する測定部により供給された薬液の量を正確に測定することができる。
本発明による液処理装置において、追加薬液供給部は、追加薬液として過酸化水素を供給することが好ましい。
本発明による液処理装置において、測定部によって測定された導電率に基づいて、薬液供給部から供給された薬液の濃度を算出する計算部と、計算部によって算出された薬液の濃度に基づいて、薬液供給部から供給される薬液の量を調整する調整部と、をさらに備えていることが好ましい。
このような構成によって、薬液供給部から供給される薬液の濃度を随時調整することができ、当該薬液の濃度を迅速に適切な濃度にすることができる。
本発明による液処理装置において、供給路のうち薬液供給路が連結された連結箇所と測定部が設けられた測定箇所との間に設けられ、溶媒と薬液とを混ぜ合わせて均一にする濃度均一部をさらに備えたことが好ましい。
このような構成によって、測定部は、溶媒によって希釈された薬液の導電率を精度良く測定することができるとともに、測定結果を迅速に提供することができる。
上述のような液処理装置において、測定部は、溶媒によって希釈された薬液が当該測定部を通過してから0.5秒以内に導電率の測定結果を提供することが好ましい。
本発明による処理液供給方法は、
溶媒と薬液とを混合することによって生成される処理液を被処理体へ供給する処理液供給方法であり、
供給路に溶媒を供給する溶媒供給工程と、
供給路に薬液を供給し、溶媒によって希釈された薬液を生成する薬液供給工程と、
溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定することによって、前記薬液供給工程で供給された薬液の濃度を測定する測定工程と、
溶媒によって希釈された薬液に、前記薬液とは異なる追加薬液を供給して処理液を生成する追加薬液供給工程と、
前記処理液を被処理体へ供給する基板処理工程と、
を備えている。
このような方法によれば、溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定することによって薬液供給工程で供給された薬液の濃度を測定した後、溶媒によって希釈された薬液に追加薬液を供給して処理液を生成するので、2種類以上の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に、迅速かつ正確に薬液の濃度を測定することができる。また、洗浄液が比較的薄い濃度の薬液を含有する場合であり供給される薬液の量が少ない場合であっても、導電率を測定する測定部により供給された薬液の量を正確に測定することができる。
本発明によれば、溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定した後、当該薬液とは異なる追加薬液を供給するので、2種類以上の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に迅速かつ正確に薬液の濃度を測定することができ、かつ、比較的薄い濃度の薬液を含有する処理液の濃度を測定する際に正確に薬液の濃度を測定することができる。
発明を実施するための形態
実施の形態
以下、本発明に係る液処理装置および処理液供給方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1は本発明の実施の形態による液処理装置を示す概略構成図である。
本実施の形態による液処理装置は、溶媒と薬液とを混合することによって生成される処理液を用いて被処理体である半導体ウエハ(以下、ウエハWとも呼ぶ)を処理するためのものである。
図1に示すように、液処理装置は、処理液によってウエハWを処理する処理部80と、処理部80に連結され、当該処理部80に処理液を案内する供給路1と、供給路1に溶媒を供給する溶媒供給部7と、供給路1に薬液供給路6を介して薬液を供給する薬液供給部5と、を備えている。
このうち、処理部80は、ケーシング81と、ケーシング81内に設けられ、ウエハWを保持する保持部82と、保持部82によって保持されたウエハWの表面(上面)に処理液を供給する処理液供給部83と、当該ウエハWの裏面(下面)に処理液を供給する裏面処理液供給部84と、を有している。
また、図1に示すように、薬液供給部5は、フッ酸を供給するフッ酸供給部21と、塩酸を供給する塩酸供給部31と、NHOH(水酸化アンモニウム)を供給するNHOH供給部41とを有している。
また、図1に示すように、薬液供給路6は、フッ酸供給部21から供給されるフッ酸を供給路1に導くフッ酸供給路25と、塩酸供給部31から供給される塩酸を供給路1に導く塩酸供給路35と、NHOH供給部41から供給されるNHOHを供給路1に導くNHOH供給路45とを有している。
また、図1に示すように、フッ酸供給部21に連結されたフッ酸供給路25には、当該フッ酸供給路25を流れるフッ酸の流量を調整するフッ酸レギュレータ22が設けられている。同様に、塩酸供給部31に連結された塩酸供給路35には、当該塩酸供給路35を流れる塩酸の流量を調整する塩酸レギュレータ32が設けられ、NHOH供給部41に連結されたNHOH供給路45には、当該NHOH供給路45を流れるNHOHの流量を調整するNHOHレギュレータ42が設けられている。
また、図1に示すように、フッ酸供給路25は、フッ酸レギュレータ22の下流側において開閉自在のフッ酸供給バルブ24を介して連結箇所25aで供給路1に連結されている。同様に、塩酸供給路35は、塩酸レギュレータ32の下流側において開閉自在の塩酸供給バルブ34を介して連結箇所35aで供給路1に連結され、NHOH供給路45は、NHOHレギュレータ42の下流側において開閉自在のNHOH供給バルブ44を介して連結箇所45aで供給路1に連結されている。
また、図1に示すように、溶媒供給部7は、供給路1に純水(DIW)を供給するDIW供給部61と、供給路1に加熱部66aによって加熱された純水(DIW)を供給する加熱DIW供給部66と、を有している。
また、図1に示すように、供給路1のDIW供給部61の下流側には、供給路1内を流れる純水の流量を調整する純水レギュレータ62が設けられている。また、この純水レギュレータ62の下流側には、供給路1内を流れる純水の流量を測定する純水流量計63が設けられている。また、同様に、供給路1の加熱DIW供給部66の下流側には、供給路1内を流れる加熱された純水の流量を調整する加熱純水レギュレータ67が設けられており、この加熱純水レギュレータ67の下流側には、供給路1内を流れる加熱された純水の流量を測定する加熱純水流量計68が設けられている。また、純水流量計63と加熱純水流量計68の下流側には、開閉自在の純水供給バルブ64が設けられている。
なお、図1に示すように、純水流量計63は後述する制御部50の調整部52に接続され、この調整部52は純水レギュレータ62に接続されている。また同様に、加熱純水流量計68は制御部50の調整部52に接続され、この調整部52は加熱純水レギュレータ67に接続されている。
また、供給路1のうち、薬液供給路6(フッ酸供給路25、塩酸供給路35およびNHOH供給路45)が連結された連結箇所25a,35a,45aの下流側には、溶媒である純水によって希釈された薬液の導電率を測定する測定部10が設けられている。
また、図1に示すように、測定部10には、測定部10によって測定された導電率に基づいて、薬液供給部5から供給された薬液の濃度を算出する計算部51が接続されている。また、この計算部51には、計算部51によって算出された薬液の濃度に基づいて、薬液供給部5(フッ酸供給部21、塩酸供給部31およびNHOH供給部41)から供給される薬液の量をレギュレータ(フッ酸レギュレータ22、塩酸レギュレータ32およびNHOHレギュレータ42)を用いて調整する調整部52が接続されている。なお、これら計算部51および調整部52は、制御部50を構成している。
また、図1に示すように、供給路1のうち測定部10が設けられた測定箇所10aの下流側の連結箇所3aでは、追加薬液供給路3を介して薬液供給部5から供給される薬液のいずれとも異なる過酸化水素(追加薬液)を供給する過水供給部(追加薬液供給部)11が連結されている。
また、図1に示すように、追加薬液供給路3には、追加薬液供給路3内を流れる過酸化水素の流量を調整する過水レギュレータ12が設けられている。また、この過水レギュレータ12の下流側には、追加薬液供給路3内を流れる過酸化水素の流量を測定する過水流量計13が設けられている。なお、過水流量計13は制御部50の調整部52に接続され、この調整部52には、過水レギュレータ12が接続されている。
また、図1に示すように、過水供給部11と過水レギュレータ12との間には、過水貯蔵タンク17が連結されている。そして、第一過水供給バルブ15を開け第二過水供給バルブ16を閉じることによって、過水供給部11から過水貯蔵タンク17に過酸化水素を供給することができ、他方、第二過水供給バルブ16を開け第一過水供給バルブ15を閉じることによって、過水貯蔵タンク17に貯留された過酸化水素水を基板処理装置に向かって供給することができる。
また、過水貯蔵タンク17には、窒素供給路79を介して、この過水貯蔵タンク17内に貯蔵されている過酸化水素に所定の圧力を加えるための窒素供給部71が連結されている。なお、窒素供給部71と過水貯蔵タンク17との間の窒素供給路79には、窒素供給部71から供給される窒素の量を調整する窒素レギュレータ72が設けられている。
また、図1に示すように、窒素レギュレータ72の下流側には、窒素を過水貯蔵タンク17に供給するための窒素供給バルブ75と、窒素を外部へ排出するための窒素排出バルブ76が設けられている。また、窒素排出バルブ76は、窒素を外部へ排出する排出口(図示せず)に連通されている。
そして、過水貯蔵タンク17に窒素を供給して過水貯蔵タンク17内の過酸化水素を供給路1に供給する場合には、窒素供給バルブ75が開けられ窒素排出バルブ76が閉じられる。なお、このとき、第一過水供給バルブ15は閉じられ、第二過水供給バルブ16と過水供給バルブ14は開けられている。
他方、過水貯蔵タンク17から窒素を排出して過水貯蔵タンク17内に追加薬液供給部11から過酸化水素を供給する場合には、窒素供給バルブ75が閉じられ窒素排出バルブ76が開けられる。なお、このとき、第一過水供給バルブ15は開けられ、第二過水供給バルブ16は閉じられている。
また、供給路1のうち薬液供給路6が連結された連結箇所25a,35a,45aと、測定部10が設けられた測定箇所10aとの間には、溶媒と薬液とを混ぜ合わせて均一にするスタティックミキサーのような濃度均一管(濃度均一部)90が設けられている。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
まず、洗浄液として、純水により比較的薄い濃度に希釈されたNHOHを用いる場合(例えば、NHOH:純水=1:100)があり、それについて説明する。
まず、純水供給バルブ64を開けて、供給路1に溶媒である純水を供給する(溶媒供給工程)。このとき、純水流量計63によって供給路1内を流れる純水の流量を測定するとともに、測定された純水の流量に基づく調整部52からの指示に従って、純水レギュレータ62によって供給路1内を流れる純水の流量を調整する。また同様に、加熱純水流量計68によって供給路1内を流れる加熱された純水の流量を測定するとともに、測定された加熱された純水の流量に基づく調整部52からの指示に従って、加熱純水レギュレータ67によって供給路1内を流れる加熱された純水の流量を調整するとともに、供給路1内を流れる純水(DIW供給部61から供給される純水と加熱DIW供給部から供給される加熱された純水との混合液)の温度を調整する。
次に、NHOH供給バルブ44を開けて、供給路1に薬液であるNHOHをNHOH供給路45を介して供給する(薬液供給工程)。
次に、NHOHは、純水とともにスタティックミキサーのような濃度均一管90に達し、当該濃度均一管90によって、純水と混ぜ合わされて均一にされる(均一化工程)。
次に、測定部10によって、純水によって希釈されたNHOHの導電率が測定される(測定工程)。ここで、上述のように濃度均一管90によって、NHOHと純水とが混ぜ合わされて均一にされるので、測定部10は、純水によって希釈されたNHOHの導電率を精度良く測定することができる。また、このようにNHOHと純水とが混ぜ合わされて均一にされるので、測定部10は、測定結果を後述する計算部51に迅速に提供することができ、好ましくは、純水によって希釈されたNHOHが通過してから0.5秒以内に、導電率の測定結果を計算部51に提供することができる測定部10を設けるのがよい。
次に、制御部50の計算部51によって、測定部10で測定された導電率に基づいて希釈されたNHOHの濃度が算出される。その後、この計算部51によって、算出された希釈後のNHOHの濃度と、純水流量計63と加熱純水流量計68とから導き出された純水の流量とによって、NHOH供給部41から供給されたNHOHの濃度が算出される(算出工程)。
このように洗浄液として純水により比較的薄い濃度に希釈されたNHOHを用いる場合には、NHOH供給部41から供給されるNHOHの量は非常に少ない。このため、例え供給路45上に流量計を配置したとしても、その流量を正確に測定することができない。その為、純水により希釈された後のNHOHの正確な濃度が分からない。これに対して、本実施の形態によれば、NHOHを純水で希釈して、容量の大きくなった薬液(希釈後のNHOH)の濃度を導電率を測定する測定部10を用いて測定する。このため、このようにNHOH供給部41から供給されるNHOHの量が非常に少ない場合であっても、NHOH供給部41から供給されたNHOHの量を正確に測定することができる。
また、測定部10は、希釈後のNHOHの光の透過率(NHOHの吸光度)を測定するのではなく、その導電率を測定している。このため、光の透過率を測定する場合と比較して、迅速にNHOHの濃度を検知することができる。
上述のように計算部51によってNHOH供給部41から供給されたNHOHの濃度が算出されると、制御部50の調整部52によって、算出されたNHOHの濃度に基づいて、NHOHレギュレータ42が調整される。このため、NHOH供給部41から供給路1に供給されるNHOHの濃度を随時調整することができ、当該NHOHの濃度を迅速に適切な濃度にすることができる。
次に、純水によって希釈されたNHOHが、処理部80の処理液供給部83と裏面処理液供給部84に供給される(基板処理工程)。ここで、上述のように正確に算出されたNHOH濃度に基づいて適切な濃度に調整されたNHOHが、ウエハWに供給されるので、ウエハWを精度良く処理することができる。
(アンモニア過水(SC1)による処理)
次に、洗浄液として比較的濃い濃度のNHOHを含む(例えば、アンモニア水:過酸化水素水:水=1:1:5(容量比)となるようにして生成した)アンモニア過水(SC1)を用いて、ウエハWを洗浄する場合について説明する。
まず、純水供給バルブ64を開けて、供給路1に溶媒である純水を供給する(溶媒供給工程)。このとき、純水流量計63によって供給路1内を流れる純水の流量を測定するとともに、測定された純水の流量に基づく調整部52からの指示に従って、純水レギュレータ62によって供給路1内を流れる純水の流量を調整する。また同様に、加熱純水流量計68によって供給路1内を流れる加熱された純水の流量を測定するとともに、測定された加熱された純水の流量に基づく調整部52からの指示に従って、加熱純水レギュレータ67によって供給路1内を流れる加熱された純水の流量を調整するとともに、供給路1内を流れる純水(DIW供給部61から供給される純水と加熱DIW供給部から供給される加熱された純水との混合液)の温度を調整する。
次に、NHOH供給バルブ44を開けて、供給路1に薬液であるNHOHをNHOH供給路45を介して供給する(薬液供給工程)。
このとき、第二過水供給バルブ16と過水供給バルブ14を開けて、過水貯蔵タンク17に貯留された過酸化水素水を、供給路1に供給する(追加薬液供給工程)。
なお、このとき、窒素供給バルブ75は開けられているが窒素排出バルブ76は閉じられており、窒素供給部71から供給される窒素ガスの圧力によって、過水貯蔵タンク17内に貯留された過酸化水素には、所定の圧力が加わっている。このように比較的容量の小さな過水貯蔵タンク17内に過酸化水素水を貯蔵し、当該過酸化水素水に窒素ガスによる圧力を加えることによって過酸化水素水を供給するので、供給される過酸化水素水の量を容易に調整することができる。
次に、測定部10によって、純水によって希釈されたNHOHの導電率が測定される(測定工程)。次に、制御部50の計算部51によって、測定部10で測定された導電率に基づいて希釈されたNHOHの濃度が算出される。その後、この計算部51によって、算出された希釈後のNHOHの濃度と、純水流量計63と加熱純水流量計68とから導き出された純水の流量とによって、NHOH供給部41から供給されたNHOHの濃度が算出される(算出工程)。
このように、本実施の形態によれば、測定部10によって、過酸化水素が加わることない状態で、NHOH供給部41から供給されたNHOHの導電率を検出することができる。このため、過酸化水素による導電効果が加わることがなく、NHOHによる導電効果のみに由来する導電率を測定することができ、NHOHの濃度を正確に算出することができる。
なお、従来のようにNHOHと過酸化水素とを混合した状態で導電率を測定する場合には、NHOH供給部から供給されるNHOHの量が少量であればあるほど、過酸化水素に由来する導電効果が大きく寄与することとなる。このため、本実施の形態に示すように、NHOHによる導電効果のみに由来する導電率を測定することができるということは、NHOH供給部から供給されるNHOHの供給量が少量であればあるほど従来の方法と比較して有益なものである。
また、測定部10は、希釈後のNHOHの光の透過率(NHOHの吸光度)を測定するのではなく、その導電率を測定している。このため、光の透過率を測定する場合と比較して、迅速にNHOHの濃度を検知することができる。
上述のように計算部51によってNHOH供給部41から供給されたNHOHの濃度が算出されると、制御部50の調整部52によって、算出されたNHOHの濃度に基づいて、NHOHレギュレータ42が調整される。このため、NHOH供給部41から供給路1に供給されるNHOHの濃度を随時調整することができ、当該NHOHの濃度を迅速に適切な濃度にすることができる。
他方、過水貯蔵タンク17から放出された過酸化水素水は、上述のように測定部10において希釈後のNHOHの濃度を測定し、算出部51でNHOH供給部41から供給されたNHOHの濃度を算出し、調整部52でNHOHの供給量を調整している間、過水流量計13によって過水供給路3内を流れる流量が測定されるとともに、その流量が測定された過酸化水素水の流量に基づく調整部52からの指示に従って、過水レギュレータ12によって調整される。
次に、上述のように適切な濃度に希釈されたNHOHに、上述のように流量の調整された過酸化水素水が混合され、供給路1内で、処理液であるアンモニア過水(SC1)が生成される。
そして、このアンモニア過水(SC1)が、処理部80の処理液供給部83と裏面処理液供給部84に供給される(基板処理工程)。ここで、上述のように正確に算出されたNHOH濃度に基づいて適切な濃度に調整されたアンモニア過水(SC1)が、ウエハWに供給されるので、ウエハWを精度良く処理することができる。
すなわち、先に説明したNHOH供給部41から供給されるNHOHの量が非常に少ない処理の場合も、NHOHと過酸化水素と純水とを混合する比較的薬液量の多い処理の場合も、正確に処理液濃度が測定できる。
(塩酸過水(SC2)による処理)
処理液として塩酸過水(SC2)を用いてウエハWを洗浄する場合は、上述したアンモニア過水(SC1)による処理とほぼ同一である。すなわち、NHOH供給バルブ44を開閉する代わりに、塩酸供給バルブ34を開閉すればよく、その他の点は、アンモニア過水(SC1)による処理とほぼ同一である。このため、詳細な説明は省略する。
本実施の形態によれば、洗浄液として比較的薄い濃度に希釈された塩酸を用いる場合であり、塩酸供給部31から供給される塩酸の量が非常に少ない場合であっても、塩酸を純水で希釈して、容量の大きくなった薬液(希釈後の塩酸)の濃度を導電率を測定する測定部10を用いて測定することができる。このため、塩酸供給部31から供給された塩酸の量を正確に測定することができる。
また、塩酸過水(SC2)を用いてウエハWを洗浄する場合であっても、過酸化水素が加わることない状態で、塩酸供給部31から供給された塩酸の導電率を検出することができる。このため、過酸化水素による導電効果が加わることがなく、塩酸による導電効果のみに由来する導電率を検出することができ、塩酸の濃度を正確に算出することができる。この結果、処理部80に正確な量の塩酸を供給することができ、ウエハWを正確な塩酸濃度からなる塩酸過水(SC2)によって処理することができる。
なお、測定部10は、希釈後の塩酸の光の透過率(塩酸の吸光度)を測定するのではなく、その導電率を測定している。このため、光の透過率を測定する場合と比較して、迅速に塩酸の濃度を検知することができる。
(希フッ酸による処理)
処理液として希フッ酸を用いてウエハWを洗浄する場合もやはり、過酸化水素水を用いない点を除けば、上述したアンモニア過水(SC1)による処理とほぼ同一である。すなわち、NHOH供給バルブ44と過水供給バルブ14を開閉する代わりに、フッ酸供給バルブ24を開閉すればよく、その他の点は、アンモニア過水(SC1)による処理とほぼ同一であるので、詳細な説明は省略する。
なお、希フッ酸を用いてウエハWを洗浄する場合には、追加薬液である過酸化水素水を用いないため、純水によって希釈された希フッ酸が処理液となる。
本発明の実施の形態による液処理装置を示す概略構成図。
符号の説明
1 供給路
5 薬液供給部
6 薬液供給路
7 溶媒供給部
10 測定部
10a 測定箇所
11 追加薬液供給部
21 フッ酸供給部
25 フッ酸供給路
25a 連結箇所
31 塩酸供給部
35 塩酸供給路
35a 連結箇所
41 NHOH供給部
45 NHOH供給路
45a 連結箇所
50 制御部
51 計算部
52 調整部
61 DIW供給部
66 加熱DIW供給部
80 処理部
90 濃度均一管(濃度均一部)
W ウエハ(被処理体)

Claims (6)

  1. 溶媒と薬液とを混合することによって生成される処理液を用いて被処理体を処理する液処理装置において、
    処理液によって被処理体を処理する処理部と、
    処理部に連結され、当該処理部に処理液を案内する供給路と、
    供給路に溶媒を供給する溶媒供給部と、
    供給路に薬液供給路を介して薬液を供給し、溶媒によって希釈された薬液を生成する薬液供給部と、
    供給路のうち薬液供給路が連結された連結箇所の下流側に設けられ、溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定する測定部と、
    供給路のうち測定部が設けられた測定箇所の下流側に連結され、追加薬液供給路を介して前記薬液とは異なる追加薬液を供給する追加薬液供給部と、
    を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 追加薬液供給部は、追加薬液として過酸化水素を供給することを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  3. 測定部によって測定された導電率に基づいて、薬液供給部から供給された薬液の濃度を算出する計算部と、
    計算部によって算出された薬液の濃度に基づいて、薬液供給部から供給される薬液の量を調整する調整部と、をさらに備えたこと特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の液処理装置。
  4. 供給路のうち薬液供給路が連結された連結箇所と測定部が設けられた測定箇所との間に設けられ、溶媒と薬液とを混ぜ合わせて均一にする濃度均一部をさらに備えたこと特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液処理装置。
  5. 測定部は、溶媒によって希釈された薬液が当該測定部を通過してから0.5秒以内に導電率の測定結果を提供すること特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液処理装置。
  6. 溶媒と薬液とを混合することによって生成される処理液を被処理体へ供給する処理液供給方法において、
    供給路に溶媒を供給する溶媒供給工程と、
    供給路に薬液を供給し、溶媒によって希釈された薬液を生成する薬液供給工程と、
    溶媒によって希釈された薬液の導電率を測定することによって、前記薬液供給工程で供給された薬液の濃度を測定する測定工程と、
    溶媒によって希釈された薬液に、前記薬液とは異なる追加薬液を供給して処理液を生成する追加薬液供給工程と、
    前記処理液を被処理体へ供給する基板処理工程と、
    を備えたことを特徴とする処理液供給方法。
JP2008219340A 2007-09-26 2008-08-28 液処理装置および処理液供給方法 Active JP5198187B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008219340A JP5198187B2 (ja) 2007-09-26 2008-08-28 液処理装置および処理液供給方法
TW97135006A TWI410287B (zh) 2007-09-26 2008-09-12 液處理裝置及處理液供給方法
US12/232,458 US8491726B2 (en) 2007-09-26 2008-09-17 Liquid processing apparatus and process liquid supplying method
DE102008048890A DE102008048890A1 (de) 2007-09-26 2008-09-25 Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung und Bearbeitungsflüssigkeitszuführverfahren
KR1020080094029A KR101348437B1 (ko) 2007-09-26 2008-09-25 액처리 장치 및 처리액 공급 방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007249371 2007-09-26
JP2007249371 2007-09-26
JP2008219340A JP5198187B2 (ja) 2007-09-26 2008-08-28 液処理装置および処理液供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009098128A true JP2009098128A (ja) 2009-05-07
JP5198187B2 JP5198187B2 (ja) 2013-05-15

Family

ID=40701260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008219340A Active JP5198187B2 (ja) 2007-09-26 2008-08-28 液処理装置および処理液供給方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5198187B2 (ja)
TW (1) TWI410287B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140063436A (ko) * 2012-11-15 2014-05-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5203435B2 (ja) * 2010-09-17 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置
US10780461B2 (en) * 2015-05-15 2020-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Methods for processing substrate in semiconductor fabrication
US10935896B2 (en) 2016-07-25 2021-03-02 Applied Materials, Inc. Cleaning solution mixing system with ultra-dilute cleaning solution and method of operation thereof

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS608040A (ja) * 1983-06-27 1985-01-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 熱収縮チユ−ブ作製方法
JPS60165560A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Tokyo Electric Power Co Inc:The 導電率測定方法
JPS628040A (ja) * 1985-07-05 1987-01-16 Hitachi Ltd 洗浄装置
JPS62215066A (ja) * 1986-03-14 1987-09-21 東洋紡績株式会社 薬液処理装置
JPH08136451A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Nec Corp 薬液組成モニタ方法およびその装置
JPH0933469A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Nec Corp 薬液組成モニタ方法およびその装置
JPH1070101A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法ならびに製造装置、洗浄方法ならびに洗浄装置、加工装置、流体混合用配管、および、洗浄用液体供給部材
JPH10154683A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000208471A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水の調製装置
JP2005189207A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびそれに用いられる処理液濃度測定装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6799883B1 (en) * 1999-12-20 2004-10-05 Air Liquide America L.P. Method for continuously blending chemical solutions
TW447026B (en) * 2000-05-24 2001-07-21 Nagase & Co Ltd Substrate surface treating apparatus
US7451774B2 (en) * 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS608040A (ja) * 1983-06-27 1985-01-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 熱収縮チユ−ブ作製方法
JPS60165560A (ja) * 1984-02-08 1985-08-28 Tokyo Electric Power Co Inc:The 導電率測定方法
JPS628040A (ja) * 1985-07-05 1987-01-16 Hitachi Ltd 洗浄装置
JPS62215066A (ja) * 1986-03-14 1987-09-21 東洋紡績株式会社 薬液処理装置
JPH08136451A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Nec Corp 薬液組成モニタ方法およびその装置
JPH0933469A (ja) * 1995-07-20 1997-02-07 Nec Corp 薬液組成モニタ方法およびその装置
JPH1070101A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法ならびに製造装置、洗浄方法ならびに洗浄装置、加工装置、流体混合用配管、および、洗浄用液体供給部材
JPH10154683A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000208471A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Kurita Water Ind Ltd 電子材料用洗浄水の調製装置
JP2005189207A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびそれに用いられる処理液濃度測定装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140063436A (ko) * 2012-11-15 2014-05-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2014099530A (ja) * 2012-11-15 2014-05-29 Ebara Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
TWI637793B (zh) * 2012-11-15 2018-10-11 日商荏原製作所股份有限公司 基板洗淨裝置及基板洗淨方法
US10373845B2 (en) 2012-11-15 2019-08-06 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR102065957B1 (ko) 2012-11-15 2020-01-14 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
TWI696502B (zh) * 2012-11-15 2020-06-21 日商荏原製作所股份有限公司 基板洗淨裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5198187B2 (ja) 2013-05-15
TWI410287B (zh) 2013-10-01
TW200930469A (en) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7731161B2 (en) Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water
US6766818B2 (en) Chemical concentration control device
JP5521372B2 (ja) フッ素ガスのin−situガス混合および希釈システム
JP6290762B2 (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
US8727323B2 (en) Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water
US7784998B2 (en) Method for liquid mixing supply
JP5198187B2 (ja) 液処理装置および処理液供給方法
CN110168713A (zh) 用于产生包括其中溶解有氨气的去离子水的导电液体的系统和方法
KR19980081288A (ko) 미소 전자 소자 산업에 사용되는 초순도 화학 물질 희석용시스템
KR101263537B1 (ko) 사용 지점 공정 제어 블렌더 시스템 및 상응 방법
US8491726B2 (en) Liquid processing apparatus and process liquid supplying method
WO2018179503A1 (ja) 規定濃度水の供給方法及び装置
JP2008175729A (ja) 試料計測システム
JP4253914B2 (ja) ガス溶解洗浄水の評価装置
JP2006250697A (ja) 過酸化水素ガス滅菌処理システムと同システムにおける過酸化水素ガス濃度の検出装置および検出方法
JP2015162671A (ja) 希釈薬液供給装置、基板液処理装置及び流量制御方法
JP2023038642A (ja) 半導体製造用液体供給装置
JP2018078343A (ja) 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法
SG189963A1 (en) Dissolved nitrogen concentration monitoring method, substrate cleaning method, and substrate cleaning apparatus
JP2020145217A (ja) 流体評価用装置及び基板処理装置
CN114365269A (zh) 稀药液供给装置
US20040261818A1 (en) Method and apparatus for determining liquid flow rate
TW202200511A (zh) 稀薄溶液製造裝置
JP2003347250A (ja) 過酸化水素低下分を補充する方法及び該方法に使用する装置
KR20150050232A (ko) 용액의 메탈에 대한 온라인 모니터링 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100802

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130206

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5198187

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250