JP2009094157A - ヒートスプレッダ、半導体装置、電子機器、ヒートスプレッダの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を緩和させることが可能なヒートスプレッダ、このヒートスプレッダを搭載した半導体装置、及びこの半導体装置を搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】半導体素子2と半導体素子2を搭載する基板3との間に介在し、半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダ4を、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起した構成とする。このような構成のヒートスプレッダ4を半導体装置1に搭載することにより、ヒートスプレッダ4と半導体素子2との間に介する半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを確保する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体素子2と半導体素子2を搭載する基板3との間に介在し、半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダ4を、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起した構成とする。このような構成のヒートスプレッダ4を半導体装置1に搭載することにより、ヒートスプレッダ4と半導体素子2との間に介する半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを確保する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体素子とこの半導体素子を搭載する基板との間に介在し、半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダ、このヒートスプレッダを備える半導体装置、及びこの半導体装置を搭載した電子機器に関する。さらに、本発明は、半導体素子とこの半導体素子を搭載する基板との間に介在し、半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダの製造方法、及びヒートスプレッダを備える半導体装置の製造方法に関する。
図9は、従来例1に係る半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図10は、従来例1に係る半導体装置の製造方法を説明するための組立分解図である。
従来例1に係る半導体装置110は、Al又はCu等の金属合金からなる金属ベース131に絶縁層132が形成され、この絶縁層132の表面に回路配線133が設けられてなる基板130の上に、ヒートスプレッダ搭載用のはんだ152を介してヒートスプレッダ140が搭載され、さらに、このヒートスプレッダ140の上に半導体素子搭載用のはんだ151を介して半導体素子120が搭載された構成とされている。また、基板130の上の回路配線133は、アルミワイヤ160にて半導体素子120に電気的に接合されている。
また、従来例1に係る半導体装置110は、基板130の上にヒートスプレッダ搭載用のはんだ152を介してヒートスプレッダ140をセットし、さらに、半導体素子搭載用のはんだ151を介してヒートスプレッダ140の上に半導体素子120をセットした後、還元式加熱リフローによりはんだ接合を行い、アルミワイヤ160にて基板130の上の回路配線1133と半導体素子120を電気的に接合することにより製造される。
このように、従来例1に係る半導体装置110は、ヒートスプレッダ140を備えることにより、半導体素子120の放熱性を高めた構成とされているが、半導体素子120に使用されているSi等の半導体材料の線膨張係数と比べて基板130のAl又はCu等の金属ベース131の線膨張係数が大きいため、温度変化により基板130と半導体素子120との間に熱応力が発生していた。特に、少なくとも一辺が8mmを超えるような大型の半導体素子120では、この熱応力による影響が大きく、半導体素子120に割れが発生したり、半導体素子120を実装している半導体素子搭載用のはんだ151に亀裂が生じたりしていた。
そこで、例えば、屋外環境で使用する自動車や太陽電池システムといった環境変化の厳しいところで使用される半導体装置110として、以下に示す従来例2及び従来例3に係る半導体装置110が知られている。
図11は、従来例2に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
従来例2に係る半導体装置110は、従来例1に係る半導体装置110と同様の構成とされているが、従来例2に係る半導体装置110では、ヒートスプレッダ140として、熱膨張係数が極めて小さいインバー材148の両面がそれぞれCu材146,147で挟まれた複合材料が使用されており、これにより、半導体素子120に加わる熱応力が緩和される構成とされている(特許文献1及び特許文献2参照)。
図12は、従来例3に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
従来例3に係る半導体装置110は、従来例1に係る半導体装置110と同様の構成とされているが、従来例3に係る半導体装置110では、半導体素子120の周辺部下方の半導体素子搭載用のはんだ151の厚みWdが周辺部下方以外の半導体素子搭載用のはんだ151の厚みWeよりも厚くなるようにヒートスプレッダ140に溝部149が設けられており、熱応力による半導体素子120のクラックが防止された構成とされている(特許文献3参照)。
実開昭63−20448号公報
実開昭63−20449号公報
実開平2−146453号公報
しかしながら、従来例2に係る半導体装置110において使用されるヒートスプレッダ140は高価であり、厚みを薄くして使用されることが多いが、薄くするとインバー材148による効果が小さくなり、半導体素子120に加わる熱応力を十分に緩和させることができなかった。
また、従来例3に係る半導体装置110では、大型の半導体素子120を搭載する際に、はんだ151の表面張力やヒートスプレッダ140とはんだ151の濡れ性により半導体素子120の搭載位置がずれたり、半導体素子120の重みではんだ151が外に押し出されたりすることがあり、半導体素子搭載用のはんだ151の厚みを十分に確保することができず、半導体素子120に加わる熱応力を十分に緩和することができなかった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を緩和させることが可能なヒートスプレッダ、このヒートスプレッダを備える半導体装置、及びこの半導体装置が搭載されている電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明に係るヒートスプレッダの製造方法及び本発明に係る半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
本発明に係るヒートスプレッダは、半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間に介在し、前記半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダであって、前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部は中央部に対して隆起していることを特徴とする。
この構成により、ヒートスプレッダと半導体素子との間に介する実装用のはんだがヒートスプレッダの外側へ押し出されることを防止することができ、はんだの厚みを十分に確保することができる。つまり、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができる。
本発明に係るヒートスプレッダでは、前記素子搭載面を構成する第1の熱伝導層と、前記基板と対向する基板対向面を構成する第2の熱伝導層との間に前記第1及び第2の熱伝導層よりも線膨張係数が小さいインバー層が挟まれた層構造を有することが好ましい。
この構成により、より環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることが可能となる。
本発明に係るヒートスプレッダでは、前記第1及び第2の熱伝導層は、銅系合金からなることが好ましい。
この構成により、放熱性を高めることができる。
本発明に係るヒートスプレッダでは、前記中央部における厚みが0.5〜1.2mmであり、前記中央部における、前記第1の熱伝導層と前記インバー層と前記第2の熱伝導層との厚さの比率が1:1:1〜2:1:2であることが好ましい。
この構成により、高い放熱性を維持した状態で厚みを薄くすることができ、また、半導体素子を搭載する際におけるはんだの厚みを十分に確保して、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができる。
本発明に係るヒートスプレッダでは、前記素子搭載面及び前記基板対向面の少なくとも一方の面に、複数の溝部が設けられていることが好ましい。
この構成により、素子搭載面に溝部を設けた場合には、半導体素子に加わる熱応力を吸収することができ、また、半導体素子を搭載する際に半導体素子との間に配置される、実装用のはんだの厚みを部分的に薄くすることができるから、半導体素子の発熱量が大きい場合においても、ヒートスプレッダによる放熱性を維持することができる。
また、基板対向面に溝部を設けた場合には基板から加わる熱応力を吸収することができるから、素子搭載面と基板対向面の両方に溝部を設けた場合においては、より一層、半導体素子に加わる熱応力を緩和させることができる。
本発明に係るヒートスプレッダでは、前記基板対向面の端部は前記基板から離れるように傾斜する傾斜部を有することが好ましい。
この構成により、基板への実装において基板との間に配置される実装用のはんだの厚みを十分に確保することができるから、基板とヒートスプレッダの間に配置される実装用のはんだに発生する熱応力を緩和することができ、半導体素子に加わる熱応力を緩和させることができる。
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子を搭載する基板と、前記半導体素子及び前記基板の間に配置されるヒートスプレッダとを備える半導体装置であって、
前記ヒートスプレッダは、本発明に係るヒートスプレッダであることを特徴とする。
前記ヒートスプレッダは、本発明に係るヒートスプレッダであることを特徴とする。
この構成により、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができ、信頼性を向上させることが可能となる。
本発明に係る電子機器は、半導体装置を搭載した電子機器であって、前記半導体装置は、本発明に係る半導体装置であることを特徴とする。
この構成により、半導体素子に加わる熱応力が緩和された信頼性の高い半導体装置が搭載されることとなるから、信頼性の高い電子機器を提供することが可能となる。
本発明に係るヒートスプレッダの製造方法は、半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間に介在し、前記半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダの製造方法であって、ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程とを備えることを特徴とする。
この構成により、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができるヒートスプレッダを両面にはんだ箔が圧接された状態で製造することができる。
本発明に係るヒートスプレッダの製造方法では、熱伝導性を有する2つの熱伝導材の間に該熱伝導材よりも線膨張係数が小さいインバー材を挟んで前記ヒートスプレッダ材を製造するヒートプレッダ材製造工程を備えることが好ましい。
この構成により、放熱性が高く、且つ環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることが可能なヒートスプレッダを製造することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間にヒートスプレッダを備える半導体装置の製造方法であって、ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程と、該成形工程により成形された前記ヒートスプレッダに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程と、該素子搭載工程により半導体素子が搭載された前記ヒートスプレッダを前記基板に搭載するヒートスプレッダ搭載工程とを備えることを特徴とする。
この構成により、両面にはんだ箔が圧接された状態にあるヒートスプレッダに半導体素子を搭載することができるから、ヒートスプレッダと半導体素子を接合させるために、ヒートスプレッダと半導体素子との間に実装用のはんだを配置する工程を省略することができる。同様に、両面にはんだ箔が圧接された状態にあるヒートスプレッダを基板に搭載することができるから、ヒートスプレッダと基板とを接合させるためにヒートスプレッダと半導体素子との間に実装用のはんだを配置する工程を省略することができる。
また、ヒートスプレッダの表面の酸化によるはんだの漏れ不良によるボイドの発生が低減され、ボイドによる放熱性の低下や熱応力によるはんだ部の亀裂発生が防止された、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。つまり、信頼性の高い半導体装置を簡単に製造することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間にヒートスプレッダを備える半導体装置の製造方法であって、ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程と、該成形工程により成形された前記ヒートスプレッダを前記基板に搭載するヒートスプレッダ搭載工程と、該ヒートスプレッダ搭載工程により前記基板へ搭載された前記ヒートスプレッダに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程とを備えることを特徴とする。
この構成により、両面にはんだ箔が圧接された状態にあるヒートスプレッダに半導体素子を搭載することができるから、ヒートスプレッダと半導体素子を接合させるために、ヒートスプレッダと半導体素子との間に実装用のはんだを配置する工程を省略することができる。同様に、両面にはんだ箔が圧接された状態にあるヒートスプレッダを基板に搭載することができるから、ヒートスプレッダと基板とを接合させるためにヒートスプレッダと半導体素子との間に実装用のはんだを配置する工程を省略することができる。
また、ヒートスプレッダの表面の酸化によるはんだの漏れ不良によるボイドの発生が低減され、ボイドによる放熱性の低下や熱応力によるはんだ部の亀裂発生が防止された、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。つまり、信頼性の高い半導体装置を簡単に製造することができる。
本発明に係るヒートスプレッダによれば、半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起しているから、ヒートスプレッダの外側へはんだが押し出されることを防止することができ、半導体素子との間に介する実装用のはんだの厚みを十分に確保することができる。つまり、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができる。
また、本発明に係る半導体装置によれば、本発明に係るヒートスプレッダが半導体素子と、半導体素子を搭載する基板との間に備えられているから、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和することができ、信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明に係る電子機器によれば、半導体素子に加わる熱応力が緩和された信頼性の高い本発明に係る半導体装置が搭載されるから、信頼性を向上させることが可能となる。
また、本発明に係るヒートスプレッダの製造方法によれば、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができるヒートスプレッダを両面にはんだ箔が圧接された状態で製造することができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、環境変化の厳しいところで半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができ、且つ両面にはんだ箔が圧接された状態にあるヒートスプレッダに半導体素子を搭載することができるから、信頼性の高い半導体装置を簡単に製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
なお、図1において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の断面部のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、主に、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされている。つまり、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。
また、半導体素子2とヒートスプレッダ4は、半導体素子搭載用のはんだ51により接合されており、ヒートスプレッダ4と基板3は、ヒートスプレッダ搭載用のはんだ52により接合されている。
基板3は、Al又はCu等の金属合金からなる金属ベース31に絶縁層32が形成され、さらに、絶縁層32の表面に回路配線33が設けられた構造とされている。また、回路配線33は、アルミワイヤ6にて半導体素子2に電気的に接合されている。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。つまり、中央部44に対して隆起している周縁部43により、半導体素子搭載用のはんだ51がヒートスプレッダ4の外側へ押し出されてしまうのを防止し、半導体素子2との間に配置される半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを十分に確保することができる構造とされている。
よって、本実施の形態に係る半導体装置1は、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4を搭載することにより、半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを十分に確保し、環境変化の厳しいところで半導体素子2に加わる熱応力を十分に緩和させることができる構成となっている。
<実施の形態2>
図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。また、図3は、図2のA部分を拡大した部分拡大断面図である。
図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。また、図3は、図2のA部分を拡大した部分拡大断面図である。
なお、図2及び図3において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の第1及び第2の熱伝導層46,47のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、実施の形態1に係る半導体装置1とほぼ同様の構成とされている。つまり、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされており、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。以下、実施の形態1と異なる点について主に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態1と同様に、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。
さらに、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、素子搭載面41を構成する第1の熱伝導層46と、基板3と対向する基板対向面42を構成する第2の熱伝導層47との間に、第1及び第2の熱伝導層46,47よりも線膨張係数が小さいインバー層48が挟まれた層構造を有する構成とされている。
つまり、本実施の形態に係る半導体装置1は、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4を搭載することで、実施の形態1に係る半導体装置1と比べ、より環境変化の厳しいところで半導体素子2に加わる熱応力を十分に緩和させることができる構成とされている。
なお、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4では、第1及び第2の熱伝導層46,47は、熱伝導性が高い銅系合金からなり、放熱性を高めた構成とされることが好ましい。
また、インバー層48は、線膨張係数が極めて小さいFe−Ni系合金からなり、環境変化の厳しいところで半導体素子2に加わる熱応力を確実に緩和させることが可能な構成とされていることが好ましい。また、Fe−Ni系合金における鉄及びニッケルの組成比は、例えば、鉄が64%で、ニッケルが36%であることが好ましい。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、中央部44における厚みWが0.5〜1.2mmの範囲において薄型化されてもよく、この場合には、中央部44における第1の熱伝導層46とインバー層48と第2の熱伝導層47との厚さの比率(Wa:Wb:Wc)を1:1:1〜2:1:2の範囲内として、高い放熱性を確保した状態で半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを十分に保ち、半導体素子2に加わる熱応力を十分且つ確実に緩和させることが可能な構成とすることが好ましい。
<実施の形態3>
図4は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図4は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
なお、図4において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の熱伝導層46,47のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、実施の形態1及び実施の形態2に係る半導体装置1とほぼ同様の構成とされている。つまり、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされており、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。以下、実施の形態1及び実施の形態2と異なる点について主に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態1及び実施の形態2と同様に、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態2と同様に、素子搭載面41を構成する第1の熱伝導層46と、基板3と対向する基板対向面42を構成する第2の熱伝導層47との間に、第1及び第2の熱伝導層46,47よりも線膨張係数が小さいインバー層48が挟まれた層構造を有する構成とされている。
さらに、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、素子搭載面41に複数の、具体的には4つの溝部49を備える構成とされている。
つまり、本実施の形態に係る半導体装置1は、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4を搭載することにより、半導体素子2に加わる熱応力をヒートスプレッダ4で吸収することが可能な構成とされるとともに、ヒートスプレッダ4に比べて熱伝導性が悪い半導体素子搭載用のはんだ51の厚みを部分的に薄くした構成とされており、これにより、実施の形態2及び実施の形態3に係る半導体装置1と比べて、より一層、半導体素子2に加わる熱応力が緩和される構成となっている。
<実施の形態4>
図5は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図5は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
なお、図5において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の第1及び第2の熱伝導層46,47のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、実施の形態1乃至実施の形態3に係る半導体装置1とほぼ同様の構成とされている。つまり、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされており、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。以下、実施の形態1乃至実施の形態3と異なる点について主に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態1乃至実施の形態3と同様に、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態2及び実施の形態3と同様に、素子搭載面41を構成する第1の熱伝導層46と、基板3と対向する基板対向面42を構成する第2の熱伝導層47との間に、第1及び第2の熱伝導層46,47よりも線膨張係数が小さいインバー層48が挟まれた層構造を有する構成とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態3と同様に、素子搭載面41に複数の、具体的には4つの溝部49を備える構成とされている。
さらに、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4において、基板3と対向する基板対向面42の端部は基板3から離れるように傾斜する傾斜部45を有する構成とされている。
つまり、本実施の形態に係る半導体装置1は、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4を搭載することにより、ヒートスプレッダ4と基板3との間に配置されているヒートスプレッダ搭載用のはんだ52の厚みを十分に確保し、基板3とヒートスプレッダ4の間に配置されているヒートスプレッダ搭載用のはんだ52に発生する熱応力を緩和させる構成となっており、実施の形態1乃至実施の形態3に係る半導体装置1と比べて、半導体素子2に加わる熱応力がより一層、緩和される構成となっている。
<実施の形態5>
図6は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図6は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
なお、図6において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の第1及び第2の熱伝導層46,47のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、実施の形態1乃至実施の形態4に係る半導体装置1とほぼ同様の構成とされている。つまり、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされており、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。以下、実施の形態1乃至実施の形態4と異なる点について主に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態1乃至実施の形態4と同様に、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態2乃至実施の形態4と同様に、素子搭載面41を構成する第1の熱伝導層46と、基板3と対向する基板対向面42を構成する第2の熱伝導層47との間に、第1及び第2の熱伝導層46,47よりも線膨張係数が小さいインバー層48が挟まれた層構造を有する構成とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態3及び実施の形態4と同様に、素子搭載面41に複数の、具体的には4つの溝部49を備える構成とされている。
さらに、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、基板3と対向する基板対向面42に複数の、具体的には5つの溝部49を備える構成とされており、基板3から加わる熱応力を吸収することができる構成とされている。
つまり、本実施の形態に係る半導体装置1は、素子搭載面41と基板対向面42の両方に溝部49が設けられた本実施の形態に係るヒートスプレッダ4を搭載することにより、実施の形態1乃至実施の形態3に係る半導体装置1と比べて、より一層、半導体素子2に加わる熱応力を緩和させることができる構成とされている。
<実施の形態6>
図7は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を説明するための組立分解図である。
図7は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の製造方法を説明するための組立分解図である。
なお、図7及び図8において、金属ベース31、回路配線33、半導体素子2、及びヒートスプレッダ4の第1及び第2の熱伝導層46,47のハッチングは、図の見易さを考慮し、省略している。
本実施の形態に係る半導体装置1は、実施の形態1乃至実施の形態5に係る半導体装置1とほぼ同様の構成とされている。つまり、半導体素子2と、半導体素子2を搭載する基板3と、半導体素子2及び基板3の間に配置されるヒートスプレッダ4とを備える構成とされており、半導体素子2と基板3との間に介在するヒートスプレッダ4により、半導体素子2から発せられた熱を放散させる構成とされている。以下、実施の形態1乃至実施の形態5と異なる点について主に説明する。
本実施の形態に係る半導体装置1に搭載されている本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態1乃至実施の形態5と同様に、半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起する構造とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、実施の形態2乃至実施の形態5と同様に、素子搭載面41を構成する第1の熱伝導層46と、基板3と対向する基板対向面42を構成する第2の熱伝導層47との間に、第1及び第2の熱伝導層46,47よりも線膨張係数が小さいインバー層48が挟まれた層構造を有する構成とされている。
また、本実施の形態に係るヒートスプレッダ4において、基板3と対向する基板対向面42の端部は、実施の形態4と同様に、基板3から離れるように傾斜する傾斜部45を有する構成とされている。
このような本実施の形態に係るヒートスプレッダ4は、その製造工程において、ヒートスプレッダ材4の両面にはんだ箔51,52を圧接する圧接工程と、圧接工程によりはんだ箔51,52が両面に圧接されたヒートスプレッダ材4を打ち抜いて半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起したヒートスプレッダ4を成形する成形工程とが備えられることにより、両面にはんだ箔51,52が圧接された状態で製造される。
なお、このようなヒートスプレッダ4の製造工程において、ヒートスプレッダ材4は、熱伝導性を有する2つの熱伝導材46,47の間に熱伝導材よりも線膨張係数が小さいインバー材48を挟んでヒートスプレッダ材4を製造するヒートプレッダ材製造工程により製造される。
さらに、本実施の形態に係る半導体装置1は、その製造工程において、ヒートスプレッダ材4の両面にはんだ箔51,52を圧接する圧接工程と、圧接工程によりはんだ箔51,52が両面に圧接されたヒートスプレッダ材4を打ち抜いて半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起したヒートスプレッダ4を成形する成形工程と、成形工程により成形されたヒートスプレッダ4に半導体素子2を搭載する素子搭載工程と、素子搭載工程により半導体素子2が搭載されたヒートスプレッダ4を基板3に搭載するヒートスプレッダ搭載工程とが備えられることにより製造される。
なお、上記した本実施の形態に係る半導体装置1の製造方法は、素子搭載工程の後にヒートスプレッダ搭載工程とを備える構成とされているが、ヒートスプレッダ搭載工程の後に素子搭載工程を備えて本実施の形態に係る半導体装置1を製造してもよい。
すなわち、本実施の形態に係る半導体装置1は、ヒートスプレッダ材4の両面にはんだ箔51,52を圧接する圧接工程と、圧接工程によりはんだ箔51,52が両面に圧接されたヒートスプレッダ材4を打ち抜いて半導体素子2が搭載される素子搭載面41の周縁部43が中央部44に対して隆起したヒートスプレッダ4を成形する成形工程と、成形工程により成形されたヒートスプレッダ4を基板3に搭載するヒートスプレッダ搭載工程と、ヒートスプレッダ搭載工程により基板3へ搭載されたヒートスプレッダ4に半導体素子2を搭載する素子搭載工程とにより製造することができる。
なお、上記した本実施の形態に係る製造方法は、実施の形態1乃至実施の形態6に係るヒートスプレッダ4及び半導体装置1の製造にそれぞれ、適用することができる。
<実施の形態7>
本実施の形態に係る電子機器(不図示)は、実施の形態1乃至実施の形態6のいずれか1つに記載した半導体装置を搭載した電子機器である。半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができる信頼性の高い半導体装置が搭載されていることから、信頼性の高い電子機器とすることができる。
本実施の形態に係る電子機器(不図示)は、実施の形態1乃至実施の形態6のいずれか1つに記載した半導体装置を搭載した電子機器である。半導体素子に加わる熱応力を十分に緩和させることができる信頼性の高い半導体装置が搭載されていることから、信頼性の高い電子機器とすることができる。
例えば、本発明に係る半導体装置は、エアコン、冷蔵庫、自動車(太陽電池)といった環境変化の厳しいところで使用される電子機器に搭載された場合に大きな効果を奏する。
なお、本発明は、上述した実施の形態1乃至実施の形態7に示した構成に限定されるものではなく、本発明の範囲内で変更を施すことが可能である。
1 半導体装置
2 半導体素子
3 基板
31 金属ベース
32 絶縁層
33 回路配線
4 ヒートスプレッダ(ヒートスプレッダ材)
41 素子搭載面
42 基板対向面
43 周縁部
44 中央部
45 傾斜部
46 第1の熱伝導層(熱伝導材)
47 第2の熱伝導層(熱伝導材)
48 インバー層(インバー材)
49 溝部
51、52 はんだ(はんだ箔)
6 アルミワイヤ
W 中央部の厚み
Wa 中央部における第1の熱伝導層の厚み
Wb 中央部におけるインバー層の厚み
Wc 中央部における第2の熱伝導層の厚み
2 半導体素子
3 基板
31 金属ベース
32 絶縁層
33 回路配線
4 ヒートスプレッダ(ヒートスプレッダ材)
41 素子搭載面
42 基板対向面
43 周縁部
44 中央部
45 傾斜部
46 第1の熱伝導層(熱伝導材)
47 第2の熱伝導層(熱伝導材)
48 インバー層(インバー材)
49 溝部
51、52 はんだ(はんだ箔)
6 アルミワイヤ
W 中央部の厚み
Wa 中央部における第1の熱伝導層の厚み
Wb 中央部におけるインバー層の厚み
Wc 中央部における第2の熱伝導層の厚み
Claims (12)
- 半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間に介在し、前記半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダであって、
前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部は中央部に対して隆起していることを特徴とするヒートスプレッダ。 - 請求項1に記載のヒートスプレッダであって、
前記素子搭載面を構成する第1の熱伝導層と、前記基板と対向する基板対向面を構成する第2の熱伝導層との間に前記第1及び第2の熱伝導層よりも線膨張係数が小さいインバー層が挟まれた層構造を有することを特徴とするヒートスプレッダ。 - 請求項2に記載のヒートスプレッダであって、
前記第1及び第2の熱伝導層は、銅系合金からなることを特徴とするヒートスプレッダ。 - 請求項2又は請求項3に記載のヒートスプレッダであって、
前記中央部における厚みが0.5〜1.2mmであり、
前記中央部における、前記第1の熱伝導層と前記インバー層と前記第2の熱伝導層との厚さの比率が1:1:1〜2:1:2であることを特徴とするヒートスプレッダ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載のヒートスプレッダであって、
前記素子搭載面及び前記基板対向面の少なくとも一方の面に、複数の溝部が設けられていることを特徴とするヒートスプレッダ。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載のヒートスプレッダであって、
前記基板対向面の端部は前記基板から離れるように傾斜する傾斜部を有することを特徴とするヒートスプレッダ。 - 半導体素子と、該半導体素子を搭載する基板と、前記半導体素子及び前記基板の間に配置されるヒートスプレッダとを備える半導体装置であって、
前記ヒートスプレッダは、請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載のヒートスプレッダであることを特徴とする半導体装置。 - 半導体装置を搭載した電子機器であって、
前記半導体装置は、請求項7に記載の半導体装置であることを特徴とする電子機器。 - 半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間に介在し、前記半導体素子から発せられた熱を放散させるヒートスプレッダの製造方法であって、
ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、
該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程と
を備えることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。 - 請求項9に記載のヒートスプレッダの製造方法であって、
熱伝導性を有する2つの熱伝導材の間に該熱伝導材よりも線膨張係数が小さいインバー材を挟んで前記ヒートスプレッダ材を製造するヒートプレッダ材製造工程
を備えることを特徴とするヒートスプレッダの製造方法。 - 半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間にヒートスプレッダを備える半導体装置の製造方法であって、
ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、
該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程と、
該成形工程により成形された前記ヒートスプレッダに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程と、
該素子搭載工程により半導体素子が搭載された前記ヒートスプレッダを前記基板に搭載するヒートスプレッダ搭載工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体素子と該半導体素子を搭載する基板との間にヒートスプレッダを備える半導体装置の製造方法であって、
ヒートスプレッダ材の両面にはんだ箔を圧接する圧接工程と、
該圧接工程によりはんだ箔が両面に圧接された前記ヒートスプレッダ材を打ち抜いて前記半導体素子が搭載される素子搭載面の周縁部が中央部に対して隆起した前記ヒートスプレッダを成形する成形工程と、
該成形工程により成形された前記ヒートスプレッダを前記基板に搭載するヒートスプレッダ搭載工程と、
該ヒートスプレッダ搭載工程により前記基板へ搭載された前記ヒートスプレッダに前記半導体素子を搭載する素子搭載工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2007261119A Pending JP2009094157A (ja) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | ヒートスプレッダ、半導体装置、電子機器、ヒートスプレッダの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011035219A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Kobe Steel Ltd | 複合放熱板 |
JP2013069959A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Nissan Motor Co Ltd | パワーモジュールの冷却構造 |
JP2013161854A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
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WO2015080161A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-04 | 株式会社神戸製鋼所 | ベース板及びベース板を備えた半導体装置 |
-
2007
- 2007-10-04 JP JP2007261119A patent/JP2009094157A/ja active Pending
Cited By (9)
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KR101922783B1 (ko) * | 2013-11-29 | 2018-11-27 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 베이스판, 및 베이스판을 구비한 반도체 장치 |
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