JP2009087793A - 凸形スパイラルコンタクタ、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半田ペーストが凸形スパイラル状接触子の支持部の側面を越えて上面まで這い上がってしまうのを防止する。
【解決手段】金属メッキで形成された凸形のスパイラル状接触子２と、このスパイラル状接触子２の支持部２ａと、この支持部２ａの下面２ａａに二段メッキ部２ｂと、を備え、半田レジスト１３を貼付もしくは塗布することによってランド１５上に形成される溝１３ａを備えた実装基板６上のランド１５に、二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａを半田ペーストを介在させて電気的に接続する凸形スパイラルコンタクタ。また、二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａ、または二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａに対応するランド１５上を梨地処理した梨地部を備える。
【選択図】図５

Description

小型化、薄型化に対応可能な凸形スパイラル状接触子を複数配置した凸形スパイラルコンタクタ、及び凸形スパイラルコンタクタの製造方法に関し、この凸形スパイラル状接触子の支持部の下面に二段メッキ部を備えたことによって半田接合時の半田ペーストの這い上がりを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器を形成する凸形のスパイラル状接触子を用いた凸形スパイラルコンタクタ、及びその製造方法に関する。

半導体集積回路（ＩＣ）の多機能化、高性能化に伴い、ＩＣを搭載する電子部品は、さまざまなニーズにより変遷し、進化してきた。
図１０は、従来のスパイラルコンタクタの平面図である。図１０に示すように、スパイラル状接触子２、２…が複数配置されたスパイラルコンタクタ２０の平面図である。
スパイラルコンタクタ２０を構成するスパイラル状接触子２は、平面視ではスパイラル形状をし、側面視では凸形をしており、複数のスパイラル状接触子２，２…が絶縁基板上に配置されている。このスパイラル状接触子２は渦巻き状の接触子を有し、先端をフリーとした１本からなり、先端から根元に近づくにしたがってスパイラル状接触子２の渦巻き部の幅が広くなるように形成されている（特許文献１参照）。

図１１は、図１０に示す凸形スパイラルコンタクタを構成する複数の凸形のスパイラル状接触子２の１つである。図１１の（ａ）は凸形のスパイラル状接触子の概略図、図１１の（ｂ）はその平面図、図１１の（ｃ）はその側面図を示すとともに、（ｂ）に示すＩ−Ｉ線の断面図である。図１１の（ａ）に示すように、凸形のスパイラル状接触子２の底面には、スパイラル状接触子２を安定的に支持する支持部２ａを備えている。図１１の（ｃ）に示すように、スパイラル状接触子２は、実装基板６上のランド１５上に載置され実装基板６上のランド１５上に半田接合されるときに、半田ペースト１１は、スパイラル状接触子２の支持部２ａの側面と下面によって半田接合される。

特願２００７―１８７７０５号

しかしながら、実装基板６上のランド１５上に半田接合されるときに、半田ペースト１１は、スパイラル状接触子２の支持部２ａの側面を這い上がり、さらに、スパイラル状接触子２の上面まで盛り上がってしまうため、すなわち、スパイラル状接触子２の上面に半田ペーストが付着するため、スパイラル状接触子のばね性や接合強度などの性能が安定しない可能性があった。

本発明は、小型化、薄型化に対応可能な凸形スパイラル状接触子を複数配置した凸形スパイラルコンタクタ、及び凸形スパイラルコンタクタの製造方法に関し、半田ペーストが凸形スパイラル状接触子の支持部の側面を越えて上面まで這い上がってしまうのを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器を形成する凸形のスパイラル状接触子を用いた凸形スパイラルコンタクタ、及びその製造方法を提供することを課題とする。

請求項１に係る発明の凸形スパイラルコンタクタ（１）は、凸形のスパイラル状接触子（２）が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、第１の金属メッキで形成された凸形のスパイラル状接触子（２）と、前記凸形のスパイラル状接触子（２）の支持部（２ａ）と、前記支持部（２ａ）の下面（２ａａ）に、前記下面（２ａａ）の領域よりも小さい領域に第２の金属メッキで形成された二段メッキ部（２ｂ）と、を備え、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を実装基板（６）上の所定のランド（１５）に載置して、半田ペーストを介在させて電気的に接続することを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、前記ランド（１５）上の少なくとも一部を除いた前記実装基板（６）上に半田レジスト（１３）を貼付もしくは塗布することによって前記ランド（１５）上に形成される溝（１３ａ）と、前記溝（１３ａ）の底面（１５ａ）に半田ペースト（１１）を貼付もしくは塗布することによって前記半田ペースト（１１）に形成される上面（１１ａ）と、を備え、前記上面（１１ａ）に前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を載置して半田リフローすることによって、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）と前記ランド（１５）とを電気的に接続することを特徴とする。なお、半田レジスト（１３）とは、絶縁性の樹脂である。

請求項３に係る発明は、請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）の、幅及び奥行きは、それぞれ、前記溝（１３ａ）の、幅及び奥行きよりも小さく、前記二段メッキ部（２ｂ）を前記溝に挿入して、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）と前記ランド（１５）とを電気的に接続することを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、前記溝（１３ａ）には、半田ペースト（１１）が前記溝（１３ａ）を埋めるように設けられ、前記半田ペースト（１１）の前記上面（１１ａ）が前記半田レジスト（１３）の表面と同一面に形成されることを特徴とする。

請求項５に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタであって、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）には、この接合面（２ｂａ）を梨地処理した梨地部を備えることを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）に対応する前記ランド（１５）上には、このランド（１５）を梨地処理した梨地部（１５ａ）を備えることを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、前記支持部（２ａ）の下面（２ａａ）と、前記半田レジスト（１３）の上面（１３ｂ）との間には、間隙を有することを特徴とする。

請求項８に係る発明は、凸形スパイラル状接触子（２）が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、Ｃｕ箔（３）を用意する第１工程と、前記Ｃｕ箔（３）の上に第1のフォトレジスト（７）を貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子（２）のパターンを有する第1のフォトマスク（８）を被せる第２工程と、前記フォトマスク（８）に露光・現像を行う第３工程と、前記Ｃｕ箔（３）の露出面（３ａ）に第１の金属メッキを施し、スパイラル状接触子（２）を成形する第４工程と、前記第１の金属メッキおよび前記第１のフォトレジスト（７）の上に、さらに第２のフォトレジスト（７´）を貼付もしくは塗布する第５工程と、前記第２のフォトレジスト（７´）の上に二段メッキ部のパターンを有する第２のフォトマスク（８´）を被せる第６工程と、前記第２のフォトマスク（８´）に露光・現像を行う第７工程と、前記第１の金属メッキの露出面（２ａａ）に第２の金属メッキを施し、前記二段メッキ部（２ｂ）を形成する第８工程と、前記第1、第２のフォトレジスト（７、７´）を除去する第９工程と、上下反転させて、前記Ｃｕ箔（３）の裏面に第３のフォトレジスト（７´´）を貼付もしくは塗布し、穴（３ｂ）を開けるための第３のフォトマスク（８´´）を被せる第１１工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記第３のフォトマスク（８´´）に露光・現像を行う第１２工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面から前記Ｃｕ箔（３）にエッチングで穴（３ｂ）を開ける第１３工程と、前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記第３のフォトレジスト（７´´）を除去する第１４工程と、前記スパイラル状接触子（２）の一方に凸形工具（１４）を配置し、前記スパイラル状接触子（２）を一方から前記凸形工具（１４）で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１５工程と、前記凸形のスパイラル状接触子（２）を支持する二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を粘着テープ（１０）に貼付する第１６工程と、前記Ｃｕ箔（３）をエッチングで除去する第１７工程と、
を含むことを特徴とする。

請求項９に係る発明の凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、請求項８に記載された前記第１７工程の後に、前記凸形のスパイラル状接触子（２）を前記粘着テープ（１０）から取り外し、実装基板（６）上のランド（１５）に位置決めし、前記凸形のスパイラル状接触子（２）の二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を、前記ランド（１５）の上面（１５ａ）上に形成される半田ペースト（１１）の上面（１１ａ）に載置した後、半田リフローして接合する第１９（ａ）、１９（ｂ）、及び１９（ｃ）工程の何れかの工程、を含むことを特徴とする。

請求項１０に係る発明の凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、請求項８に記載された前記第８工程と前記第１０工程との間に、前記第２の金属メッキの接合面（２ｂａ）に梨地部を形成する第９工程を含むことを特徴とする。

請求項１１に係る発明の凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、請求項８に記載された前記第１７工程と、請求項９に記載された前記第１９（ｂ）工程との間に、前記ランド（１５）の上面に梨地部（１５ａ）を形成する第１８工程を含むことを特徴とする。

請求項１に係る発明によれば、支持部の下面の領域よりも小さい領域に第２の金属メッキで形成された二段メッキ部を備えることによって、支持部の下面が武者返しのように外側に反ったような形状になっており、二段メッキ部の接合面を実装基板に接合するときに半田ペーストが支持部の下面で這い上がりを抑えられ、スパイラル状接触子の上面や側面への半田ペーストの盛り上がりや食み出しを防止することができ、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化や薄型化に対応可能である。

請求項２に係る発明によれば、実装基板の配線のランド上に、半田レジストによって形成された溝を備えることによって、二段メッキ部を実装基板の上面の溝に落とし込むことになるため、スパイラル状接触子の実装基板への位置決めが容易となり、さらに半田接合時の半田ペーストの這い上がりを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化、薄型化に対応可能である。

請求項３に係る発明によれば、二段メッキ部の接合面の、幅及び奥行きは、それぞれ、溝の、幅及び奥行きよりも小さいため、二段メッキ部を溝に挿入することができて、セルの位置決めを容易にすることができると共に、半田接合時の半田ペーストは支持部の下面によって、半田ペーストの這い上がりや、はみ出しが抑制され、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化、薄型化に対応可能である。

請求項４に係る発明によれば、半田ペーストが溝を埋めるように設けられ、その表面が半田レジストの表面と同一高さに設けられているため、二段メッキ部の位置決めが少しのずれにも対応可能であり、半田接合時の半田ペーストの這い上がりを防止すると共に、半田接合強度を向上させ、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化、薄型化に対応可能である。

請求項５に係る発明によれば、二段メッキ部の接合面が梨地処理されているため、半田接合時の接合強度を高くすると共に、半田ペーストの這い上がりを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化、薄型化に対応可能である。

請求項６に係る発明によれば、二段メッキ部の接合面に対応するランド上には、梨地処理がなされているため、半田接合時の接合強度を高くすると共に、半田ペーストの這い上がりを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化、薄型化に対応可能である。

請求項７に係る発明によれば、二段メッキの接合部がランド上の半田ペーストに当接することによってスパイラル状接触子の上下方向の位置決めが行われ、支持部の下面と、半田レジストの上面は接触しないため、スパイラル状接触子の上面や側面への半田ペーストの盛り上がりや食み出しを防止することができ、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化や薄型化に対応可能である。

請求項８に係る発明によれば、Ｃｕ箔を用意する第１工程と、Ｃｕ箔の上に第1のフォトレジストを貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子のパターンを有する第1のフォトマスクを被せる第２工程と、フォトマスクに露光・現像を行う第３工程と、Ｃｕ箔の露出面に第１の金属メッキを施し、スパイラル状接触子を成形する第４工程と、第１の金属メッキおよび第１のフォトレジストの上に、さらに第２のフォトレジストを貼付もしくは塗布する第５工程と、第２のフォトレジストの上に二段メッキ部のパターンを有する第２のフォトマスクを被せる第６工程と、第２のフォトマスクに露光・現像を行う第７工程と、第１の金属メッキの露出面に第２の金属メッキを施し、二段メッキ部を形成する第８工程と、第1、第２のフォトレジストを除去する第１０工程と、上下反転させて、Ｃｕ箔の裏面に第３のフォトレジストを貼付もしくは塗布し、穴を開けるための第３のフォトマスクを被せる第１１工程と、Ｃｕ箔の裏面の第３のフォトマスクに露光・現像を行う第１２工程と、Ｃｕ箔の裏面からＣｕ箔にエッチングで穴を開ける第１３工程と、Ｃｕ箔の裏面の第３のフォトレジストを除去する第１４工程と、スパイラル状接触子の一方に凸形工具を配置し、スパイラル状接触子を一方から凸形工具で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１５工程と、凸形のスパイラル状接触子を支持する二段メッキ部の接合面を粘着テープに貼付する第１６工程と、Ｃｕ箔をエッチングで除去する第１７工程とにより凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

請求項９に係る発明によれば、第１７工程の後に、凸形のスパイラル状接触子を粘着テープから取り外し、実装基板上のランドに位置決めし、凸形のスパイラル状接触子の二段メッキ部の接合面を、実装基板の上面を形成する半田ペースト上に載置し半田リフローして接合する第１９（ａ）、１９（ｂ）、及び１９（ｃ）工程の何れかの工程を含むことにより凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

請求項１０に係る発明によれば、請求項８に記載された第８工程と第１０工程との間に、第２の金属メッキの接合面に梨地部を形成する第９工程を含むことによって、凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

請求項１１に係る発明によれば、請求項８に記載された第１７工程と、請求項９に記載された第１９（ｂ）工程との間に、ランドの上面に梨地部を形成する第１８工程を含むことによって、凸形スパイラルコンタクタの製造方法を提供することができる。

本発明の実施の形態については、図面を参照しながら詳細に説明する。
＜第１実施の形態＞
図１、図２、図３、及び図４は、本発明の第１実施の形態を説明するための工程図である。図１に示すように、第１工程（ａ）は、Ｃｕ箔３を用意する。Ｃｕ箔３の厚みは、例えば、０．０８ｍｍとしたが、これに限定されるものではない。
第２工程（ｂ）は、Ｃｕ箔３の上にフォトレジスト（第１のフォトレジスト）７を貼付もしくは塗布し、その上にフォトマスク（第１のフォトマスク）８を被せる。このフォトマスク８の形状は、図８に示すスパイラル形状接触子２の部分以外を黒塗りにした模様になっている。
第３工程（ｃ）は、露光・現像を行う。
第４工程（ｄ）は、金属メッキ（第１の金属メッキ）をする。この金属メッキは、例えば、ニッケルＮｉ合金メッキを用いたが、これに限定されるものではない。
第５工程（ｅ）は、第１の金属メッキおよび第１のフォトレジスト７の上に、さらにフォトレジスト（第２のフォトレジスト）７´を貼付もしくは塗布する。
第６工程（ｆ）は、第２のフォトレジスト７´の上に二段メッキ部のパターンを有するフォトマスク（第２のフォトマスク）８´を被せる。
第７工程（ｇ）は、露光・現像を行う。
第８工程（ｈ）は、第１の金属メッキの露出面２ａａに第２の金属メッキを施し、二段メッキ部２ｂを形成する。この第２の金属メッキは第１の金属メッキと同一材料である。
第９工程（ｉ）は、第２の金属メッキ（二段メッキ部２ｂ）の表面（接合面）２ｂａに梨地処理を施して梨地部２ｂａを形成する。なお、後述するように、この二段メッキ部２ｂの接合面に梨地処理を行わずに、ランド１５側に梨地処理を行うようにしても良い。

次に、図２に示すように、第１０工程（ｊ）は、第１、第２のフォトレジスト７、７´を除去する。
第１１工程（ｋ）は、上下反転させて、Ｃｕ箔３の裏面に第３のフォトレジスト７´´を貼付もしくは塗布し、穴３ｂを開けるための第３のフォトマスク８´´を被せる。
第１２工程（ｌ）は、露光・現像を行う。
第１３工程（ｍ）は、第３のフォトレジスト７´´に覆われていないところのＣｕ箔３にエッチングで穴３ｂを開ける。
第１４工程（ｎ）は、Ｃｕ箔３の裏面の第３のフォトレジスト７´´を除去する。

続いて、図３に示すように、
第１５工程（ｏ）は、スパイラル状接触子２の下方に凸形工具１４を配置し、スパイラル状接触子２を下方から凸形工具１４で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする。このアニールフォーミングは、例えば、２００℃で加熱し、焼きなまし処理を行い、内部応力を除去する。ここで２００℃としたが、これに限定されるものではない。
第１６工程（ｐ）は、凸形のスパイラル状接触子２を支持する二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａを粘着テープ１０に貼付する。
第１７工程（ｑ）は、Ｃｕ箔３をエッチングで除去する。
第１８工程（ｒ）は本実施形態では適用しないので説明を省略する。

次に、図４に示すように、
第１９（ａ）工程は、凸形のスパイラル状接触子２を粘着テープ１０から取り外し、実装基板６上の溝１３ａに位置決めし、凸形のスパイラル状接触子２の二段メッキ部２ｂを溝１３ａに挿入して、接合面２ｂａを実装基板６の半田ペースト１１上に形成される上面１１ａに載置し半田リフローして接合する。この上面１１ａは、溝１３ａに半田ペースト１１を埋設して形成される。
このように、前記した工程に従えば、凸形スパイラルコンタクタ１の製造は、容易に製造することができる。

図５は、本発明の第１実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＡ―Ａ線の断面図、そして（ｄ）は（ｃ）に示すＰ部の拡大断面図である。
図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、凸形のスパイラル状接触子２が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ１は、第１の金属メッキで形成された凸形のスパイラル状接触子２と、凸形のスパイラル状接触子２の支持部２ａと、支持部２ａの下面２ａａの領域よりも小さい領域に第２の金属メッキで形成された二段メッキ部２ｂとを備えている。第１の金属メッキと第２の金属メッキは、例えば、ニッケルＮｉ合金メッキとし、共に同一組成を用いたが、異なった組成を用いても構わないし、ニッケルＮｉ合金メッキに限るものではない。凸形のスパイラル状接触子２をセルとも称し、この１個、１個のセル２が複数備えられて凸形のスパイラルコンタクタ１を構成している。

図５の（ｃ）に示すように、実装基板６の配線のランド１５上の少なくとも一部には、実装基板６のランド１５上に塗布した半田ペースト１１の上面１１ａと、この上面１１ａの周辺に半田レジスト１３を貼付もしくは塗布して形成される溝１３ａとを備えている。上面１１ａは、溝１３ａに半田ペースト１１を埋設して形成される。この溝１３ａに二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａを載置する。

図５（ｄ）のＰ部拡大図に示すように、図５の（ｃ）に示すＡ―Ａ線断面のＰ部を拡大して詳細に説明すると、実装基板６に形成された溝１３ａの、幅及び奥行きの少なくとも一方は、それぞれ、凸形のスパイラル状接触子（セル）２の支持部２ａの下面２ａａの、幅及び奥行きよりも小さいため、二段メッキ部２ｂが半田レジスト１３で形成された溝１３ａの中に挿入されている。このように、セル２の下面にある二段メッキ部２ｂを溝１３ａに挿入することによって、セル２を実装基板６にマウントして、セル２とランド１５とを電気的な接合をするときに位置決めすることが容易である。そして、溝１３ａの底面には半田ペースト１１が貼付もしくは塗布されているため、半田ペースト１１は半田リフローによって支持部２ａの下面２ａａに這い上がり、セル２を実装基板６に電気的に接合することができる。このとき、半田ペースト１１は、支持部２ａの側面や上面に這い上がることはない。なお、二段メッキ２ｂの接合部２ｂａがランド１５上の半田ペースト１１に当接することによってスパイラル状接触子２の上下方向の位置決めが行われ、支持部２ａの下面２ａｂと、半田レジスト１３の上面１３ｂは接触しないため、スパイラル状接触子２の上面や側面への半田ペースト１１の盛り上がりや食み出しを防止することができ、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化や薄型化に対応可能である。

＜第２実施の形態＞
次に、第２実施の形態を説明する。図６は、本発明の第２実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＢ―Ｂ線の断面図、そして（ｄ）は（ｃ）に示すＱ部の拡大断面図である。
本発明の第２実施の形態が、第１実施の形態と異なる点は、第１実施の形態では梨地処理を二段メッキ２ｂの接合面２ｂａに設けたが、本第２実施の形態では梨地処理をランド１５の上面１５ａに設けた点である。すなわち、図６の（ａ）に示すように、スパイラル状接触子２の二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａが梨地処理されていない点、また、図６の（ｃ）（ｄ）に示すように、溝１３ａの底面を形成するランド１５上に梨地部１５ａを形成している点である。また、図６の（ｂ）に示すように、二段メッキ部２ｂの端面の全ては、支持部２ａの端面よりも内側にあり、支持部２ａは二段メッキ部２ｂに対して武者返し構造に形成されている。

図６（ｃ）（ｄ）に示すように、実装基板６の配線のランド１５上に梨地処理を施して梨地部１５ａを形成している。図６（ｄ）のＱ部拡大図に示すように、実装基板６に形成された溝１３ａの、幅及び奥行きの少なくとも一方は、それぞれ、セル２の支持部２ａの下面２ａａの、幅及び奥行きよりも小さいため、二段メッキ部２ｂが半田レジスト１３で形成された溝１３ａの中に挿入されている。このように、セル２の下面にある二段メッキ部２ｂを溝１３ａに挿入することによって、セル２を実装基板６にマウントして、さらに、セル２とランド１５とを電気的に接合するときの位置決めが容易である。そして、溝１３ａの底面には半田ペースト１１が貼付もしくは塗布されているため、半田ペースト１１は半田リフローによって支持部２ａの下面２ａａに這い上がり、セル２を実装基板６に電気的に接合することができる。このとき、半田ペースト１１は、支持部２ａの側面や上面に這い上がることはない。なお、二段メッキ２ｂの接合部２ｂａがランド１５上の半田ペースト１１に当接することによってスパイラル状接触子２の上下方向の位置決めが行われ、支持部２ａの下面２ａｂと、半田レジスト１３の上面１３ｂは接触しないため、スパイラル状接触子２の上面や側面への半田ペースト１１の盛り上がりや食み出しを防止することができ、高密度化を可能にし、高精度の電子機器の小型化や薄型化に対応可能である。

次に製造工程を説明する。図２に示す第９工程を除く、第１工程〜第８工程間、及び第１０工程〜第１７工程間は、第１実施の形態と同様であるため、同じ符号を付し、説明は省略する。なお、図１に示す第９工程は製造工程に含まないため、第１０工程以降の工程図に示す二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａの梨地処理は無いものとして説明する。

先ず、第１７工程の後に、第１８工程に示すように実装基板６が用意されている。
この第１８工程（ｒ）では、実装基板６のランド１５上に梨地処理を施して梨地部１５ａを形成している。
次に、セル２を粘着テープ１０から取り外し、実装基板６上のランド１５に位置決めし、凸形のスパイラル状接触子２の二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａを、実装基板６の上面１１ａを形成する半田ペースト１１上に載置し半田リフローして接合する第１９（ｂ）工程を含んでいる。
これによって、半田ペースト１１が凸形スパイラル状接触子２の支持部２ａの側面を越えて上面まで這い上がってしまうのを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器を形成する凸形のスパイラル状接触子２を用いた凸形スパイラルコンタクタ１は容易に製造することができる。

＜第３実施の形態＞
次に、第３実施の形態を説明する。図７は、本発明の第３実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ｂ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＣ―Ｃ線の断面図、そして（ｄ）は（ｃ）に示すＧ―Ｇ線の拡大断面図である。
本発明の第３実施の形態が、第２実施の形態と異なる点は、第２実施の形態では、図６の（ｃ）（ｄ）に示すように、二段メッキ部２ｂが半田レジスト１３で形成された溝１３ａの中に挿入されているが、第３実施の形態では、図７の（ｃ）（ｄ）に示すように、溝１３ａには半田ペースト１１が溝１３ａを埋めるように設けられ、半田ペースト１１が半田レジスト１３の表面と同一高さに設けられ、セル２が半田レジスト１３と半田ペースト１１との両方に跨って載置されている点である。また、図７の（ｂ）に示すように、セル２の渦巻き中心方向に面した二段メッキ部２ｂの端面は、支持部２ａの端面よりも内側にあり、支持部２ａは二段メッキ部２ｂに対して武者返し構造に形成されている。第２実施の形態では、図６の（ｃ）（ｄ）に示すように、ランド１５上に梨地部１５ａが設けられているが、第３実施の形態では、図７の（ｃ）（ｄ）に示すように、ランド１５上に梨地処理をしていない点である。また、第２実施の形態のように二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａにも梨地処理を施していない。

続いて製造工程を説明する。図１〜図３に示す第１７工程までは、第２実施の形態と同様であるため、同じ符号を付し、説明は省略する。
次に、図３〜図４に示すように、第１７工程の後に、セル（凸形のスパイラル状接触子）２を粘着テープ１０から取り外し、実装基板６上のランド１５に位置決めし、凸形のスパイラル状接触子２の二段メッキ部２ｂの接合面２ｂａを、実装基板６の上面１１ａを形成する半田ペースト１１上に載置し半田リフローして接合する第１９（ｃ）工程を含んでいる。
これによって、半田ペースト１１が凸形スパイラル状接触子２の支持部２ａの側面を越えて上面まで這い上がってしまうのを防止して、高密度化を可能にし、高精度の電子機器を形成する凸形のスパイラル状接触子２を用いた凸形スパイラルコンタクタ１は容易に製造することができる。なお、二段メッキ２ｂの接合部２ｂａがランド１５上の半田ペースト１１に当接することによってスパイラル状接触子２の上下方向の位置決めが行われ、支持部２ａの下面２ａｂと、半田レジスト１３の上面１３ｂは接触しない。
なお、本発明はその技術思想の範囲内で種々の改造、変更が可能である。例えば、半田ペースト１１の表面に構成される上面１１ａにも梨地処理を行って、セル２をマウントする際の設置性能を向上させるようにしても構わない。

本発明の第１実施の形態を説明するため第１〜９工程を示す工程図である。 続く第１０〜１５工程を示す工程図である。 続く第１６〜１８工程及び１９（ａ）工程を示す工程図である。 続く第１９（ｂ）、１９（ｃ）工程を示す工程図である。 本発明の第１実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ａ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＡ―Ａ線の断面図、（ｄ）は（ｃ）に示すＰ部の拡大図である。 本発明の第２実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ａ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＢ―Ｂ線の断面図、（ｄ）は（ｃ）に示すＱ部の拡大図である。 本発明の第３実施の形態を説明するための凸形のスパイラル状接触子の接続構造を示し、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子を示す概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ａ）の側面図を示すと共に（ｂ）に示すＣ―Ｃ線の断面図、（ｄ）は（ｂ）に示すＤ―Ｄ線の拡大断面図である。 従来のスパイラル状接触子が複数配置されたスパイラルコンタクタの平面図である。 図８に示す凸形スパイラルコンタクタを構成する複数の凸形のスパイラル状接触子の１つであり、（ａ）は凸形のスパイラル状接触子の概略図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）は（ａ）の側面図を示すとともに（ｂ）に示すＩ−Ｉ線の断面図である。

符号の説明

１，２０ 凸形スパイラルコンタクタ
２ 凸形のスパイラル状接触子
２ａ 支持部
２ａａ 下面
２ｂａ 接合面
２ｂ 二段メッキ部
３ Ｃｕ箔
３ａ 露出面
３ｂ 穴
６ 実装基板（プリント基板）
７ 第１のフォトレジスト
７´ 第２のフォトレジスト
７´´ 第３のフォトレジスト
８ 第１のフォトマスク
８´ 第２のフォトマスク
８´´ 第３のフォトマスク
１０ 粘着テープ
１１ 半田ペースト
１１ａ 上面
１３ 半田レジスト
１３ａ 溝
１３ｂ 上面
１４ 凸形工具
１５ ランド
１５ａ 底面（上面、梨地部）

Claims (11)

1. 凸形のスパイラル状接触子（２）が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ（１）であって、
   第１の金属メッキで形成された凸形のスパイラル状接触子（２）と、
   前記凸形のスパイラル状接触子（２）の支持部（２ａ）と、
   前記支持部（２ａ）の下面（２ａａ）に、前記下面（２ａａ）の領域よりも小さい領域に第２の金属メッキで形成された二段メッキ部（２ｂ）と、
   を備え、
   前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を実装基板（６）上の所定のランド（１５）に載置して、半田ペーストを介在させて電気的に接続することを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）。
2. 前記ランド（１５）上の少なくとも一部を除いた前記実装基板（６）上に半田レジスト（１３）を貼付もしくは塗布することによって前記ランド（１５）上に形成される溝（１３ａ）と、
   前記溝（１３ａ）の底面（１５ａ）に半田ペースト（１１）を貼付もしくは塗布することによって前記半田ペースト（１１）に形成される上面（１１ａ）と、
   を備え、
   前記上面（１１ａ）に前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を載置して半田リフローすることによって、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）と前記ランド（１５）とを電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
3. 前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）の、幅及び奥行きは、それぞれ、前記溝（１３ａ）の、幅及び奥行きよりも小さく、前記二段メッキ部（２ｂ）を前記溝に挿入して、前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）と前記ランド（１５）とを電気的に接続することを特徴とする請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
4. 前記溝（１３ａ）には、半田ペースト（１１）が前記溝（１３ａ）を埋めるように設けられ、前記半田ペースト（１１）の前記上面（１１ａ）が前記半田レジスト（１３）の表面と同一面に形成されることを特徴とする請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
5. 前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）には、この接合面（２ｂａ）を梨地処理した梨地部を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
6. 前記二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）に対応する前記ランド（１５）上には、このランド（１５）を梨地処理した梨地部（１５ａ）を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
7. 前記支持部（２ａ）の下面（２ａａ）と、前記半田レジスト（１３）の上面（１３ｂ）との間には、間隙を有することを特徴とする請求項２に記載の凸形スパイラルコンタクタ（１）。
8. 凸形スパイラル状接触子（２）が複数配置された凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法であって、
   Ｃｕ箔（３）を用意する第１工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）の上に第1のフォトレジスト（７）を貼付もしくは塗布し、その上にスパイラル状接触子（２）のパターンを有する第1のフォトマスク（８）を被せる第２工程と、
   前記フォトマスク（８）に露光・現像を行う第３工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）の露出面（３ａ）に第１の金属メッキを施し、スパイラル状接触子（２）を成形する第４工程と、
   前記第１の金属メッキおよび前記第１のフォトレジスト（７）の上に、さらに第２のフォトレジスト（７´）を貼付もしくは塗布する第５工程と、
   前記第２のフォトレジスト（７´）の上に二段メッキ部のパターンを有する第２のフォトマスク（８´）を被せる第６工程と、
   前記第２のフォトマスク（８´）に露光・現像を行う第７工程と、
   前記第１の金属メッキの露出面（２ａａ）に第２の金属メッキを施し、前記二段メッキ部（２ｂ）を形成する第８工程と、
   前記第1、第２のフォトレジスト（７、７´）を除去する第１０工程と、
   上下反転させて、前記Ｃｕ箔（３）の裏面に第３のフォトレジスト（７´´）を貼付もしくは塗布し、穴（３ｂ）を開けるための第３のフォトマスク（８´´）を被せる第１１工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記第３のフォトマスク（８´´）に露光・現像を行う第１２工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）の裏面から前記Ｃｕ箔（３）にエッチングで穴（３ｂ）を開ける第１３工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）の裏面の前記第３のフォトレジスト（７´´）を除去する第１４工程と、
   前記スパイラル状接触子（２）の一方に凸形工具（１４）を配置し、前記スパイラル状接触子（２）を一方から前記凸形工具（１４）で押し上げて凸形に変形させた状態で、アニールフォーミングする第１５工程と、
   前記凸形のスパイラル状接触子（２）を支持する二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を粘着テープ（１０）に貼付する第１６工程と、
   前記Ｃｕ箔（３）をエッチングで除去する第１７工程と、
   を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法。
9. 請求項８に記載された前記第１７工程の後に、
   前記凸形のスパイラル状接触子（２）を前記粘着テープ（１０）から取り外し、実装基板（６）上のランド（１５）に位置決めし、前記凸形のスパイラル状接触子（２）の二段メッキ部（２ｂ）の接合面（２ｂａ）を、前記ランド（１５）の上面（１５ａ）上に形成される半田ペースト（１１）の上面（１１ａ）に載置した後、半田リフローして接合する第１９（ａ）、１９（ｂ）、及び１９（ｃ）工程の何れかの工程、
   を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法。
10. 請求項８に記載された前記第８工程と前記第１０工程との間に、
    前記第２の金属メッキの接合面（２ｂａ）に梨地部を形成する第９工程を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法。
11. 請求項８に記載された前記第１７工程と、請求項９に記載された前記第１９（ｂ）工程との間に、前記ランド（１５）の上面に梨地部（１５ａ）を形成する第１８工程を含むことを特徴とする凸形スパイラルコンタクタ（１）の製造方法。

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