JP2009071149A

JP2009071149A - 高周波電力発生装置

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Publication number: JP2009071149A
Application number: JP2007239498A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kashibe; 樫部　　誠; Yuuzou Oohirahara; 勇造大平原
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2007-09-14
Filing date: 2007-09-14
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2027-09-14
Also published as: JP5344733B2

Abstract

【課題】半導体素子を弾性体を介して安定して保持してその信頼性を向上することのできる高周波電力発生装置を提供する。
【解決手段】平板状の基板電極２８と、該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子２６と、前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された弾性体３１を備え、前記弾性体により高周波電力増幅素子を基板電極方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極に加圧接触させる高周波電力発生装置において、その梁状部に前記弾性体の一端をそれぞれ収納する凹部を有し、その柱状部を介して前記基板電極に固定された門型の押さえブロック２２を備え、前記弾性体の一端を前記高周波電力増幅素子に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極により均一な力で安定して加圧接触させた。
【選択図】図２

Description

本発明は、高周波電力発生装置および該電力発生装置を用いたプラズマ処理装置に係り、特に電力発生装置に使用する電力増幅素子の保持構造に関する。

プラズマ処理装置おいては、プラズマ生成のために高出力の高周波電源が必要とされる。このような高出力の高周波電源に用いる半導体素子は、素子の駆動に伴って大量の熱が発生し、高温に加熱される。このため、前記高周波電源には電源を構成する半導体素子を効果的に冷却するための冷却技術が求められている。

例えば、特許文献１には、半導体装置を構成する半導体チップを基板等の保持手段上に保持した状態でヒートシンクに接触させて、ヒートシンクを介して熱を伝達、放散することが開示されている。

特許文献１に開示の技術では、半導体チップを両面からヒートシンクで挟み、さらに両側から挟圧部材で挟み込み、接触圧をバネで管理する構造が開示されている。また、この半導体チップとヒートシンクの間には熱伝導性の高い弾性を有する部材を挟み込んで熱的な接触効果を高めるること、十分な放熱効果を得るために半導体チップ、絶縁材、放熱板を挟圧部材で押圧し、さらにバネを用いてこれらを付勢することよりこれらの間で作用する力を調節することが示されている。
特開２００５−１５０４２０号公報

しかしながら、上記の従来の技術では、半導体チップ面にヒートシンクを押し付ける際に使用する挟圧部材をボルト等を用いて位置決めしている。このため、半導体チップの熱による変形、あるいは左右のボルトの締結力の差異などにより、半導体チップと冷却部材との間に隙間が生じたり、押付力の偏りが生じたりし、これにより半導体チップに損傷が生じてしまうことがある。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、半導体素子を安定して保持し信頼性を向上することのできる高周波電力発生装置を提供することにある。

本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。

平板状の基板電極と、該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された弾性体を備え、前記弾性体により高周波電力増幅素子を基板電極方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極に加圧接触させる高周波電力発生装置において、その梁状部に前記弾性体の一端をそれぞれ収納する凹部を有し、その柱状部を介して前記基板電極に固定された門型の押さえブロックを備え、前記弾性体の一端を前記高周波電力増幅素子に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極により均一な力で安定して加圧接触させた。

本発明は、以上の構成を備えるため、高周波電力発生装置に使用する半導体素子を安定して保持し、装置の信頼性を向上することができる。

以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成説明する図である。

プラズマ処理装置は、真空容器であって内側に減圧されプラズマが形成されるとともに処理される試料１４が載置される処理室を備えた反応容器６、反応容器６の上方に配置され処理室の内側にプラズマ７を生成するための電界を供給する略円板状のアンテナ４、このアンテナ４に高周波電力を供給する高周波電源１、および高周波電源１と負荷であるアンテナ４を含む反応容器６との間に配置されこれらの間のインピーダンス整合を行う整合器１６を備えている。

反応容器６の下部には開口が形成され、該開口には排気バルブ１２、および圧力調整部１１を介してターボ分子ポンプ等の真空ポンプが接続される。前記排気バルブ１２は回転軸周りに回転して排気経路の流路の面積を増減する複数の板状のフラップを複数有しており、前記流路の面積を増減することにより排気の量、速度を調節する。また、前記圧力調整部１１は前記バルブ１２の下方に位置して流路内の排気の圧力を調節する。

高周波電源１内部には、所定周波数の高周波を発振して高周波電力を形成する発振部１９、発振部１９からの高周波電力を増幅する電力増幅部１８、電力増幅部１８から出力される電力を検出する電力モニタ部１７、電力モニタ部１７からの検出出力を用いて前記電力増幅部から出力される高周波電力を調節する制御部３を備えている。なお、高周波電源１の電力増幅部１８は供給された高周波電力を増幅する高周波電力増幅素子２を複数備えている。

反応容器６の内部には略円筒形の処理室が形成され、該処理室内には、半導体ウエハ等の処理対象となる基板状の試料１４がその上面に載置される試料台１３が配置されている。試料台１３とその上方で処理室と軸をほぼ同じ位置にされたアンテナ４との間には、処理室の天井面を構成するシャワープレート１５が配置されている。略円板形状のシャワープレート１５の中心軸は、試料台１３の試料１４の載置面の中心軸とほぼ一致するように配置され、前記中心を含む試料１４を覆う領域に複数の貫通孔が配置されており、該貫通孔を介して試料１４の上方から処理室内に処理用のガスが導入される。

略円筒形状の反応容器６の上方および側方の周囲には、処理室内に磁界を供給するソレノイドコイル５が配置されており、アンテナ４から供給されるＵＨＦまたはＶＨＦ帯の高周波の電界とソレノイドコイル５からの磁界とにより、処理ガスを励起して処理室内にプラズマ７を形成する。

試料１４に処理を施す際には、ポンプ１０を駆動して、処理室内を所定の圧力に減圧し、減圧された処理室内に図示しないロボットアームにより試料１４を搬送し、試料台１３上面に載置し、更に静電吸着力により吸着保持する。

この状態でシャワープレート１５から処理ガスを導入するとともに、上記ポンプ１０を含む排気経路による排気の作用により、処理室内が所定の圧力にされる。さらにアンテナ４およびソレノイドコイル５から供給される電界および磁界によりプラズマ７が処理室内に形成される。

処理中は、整合器８を介して高周波電源９から所定の高周波電力を試料台１３内に配置された電極に供給し、試料１４上にバイアス電位を形成する。これによりプラズマ７内の荷電粒子は試料１４の表面に誘引され、試料１４表面の処理が促進される。処理に伴って生成された原子、分子等の粒子および処理ガスは、略円筒形状の試料台１３の周囲を下方に移動して、試料台１３の直下方でその中心の軸とほぼ同軸に配置された開口からポンプ１０を含む排気経路による排気作用により処理室外に排出される。

図２は、図１に示す高周波電源１の電力増幅部１８の詳細を説明する図である。図２に示すように、電力増幅部１８は、高周波電力の漏洩を防止できる密閉効果のある容器２７、該容器２７内部に配置された部品が交換可能なように設けられた蓋３０、およびこれらを連結するネジ２０ａ，２０ｂを備える。また、容器２７の内部には、電力増幅部１８の回路を構成する複数の素子および部品が配置されている。特に本実施形態においては、電力増幅部１８は２個の高周波電力増幅素子２６を含む電力増幅回路を複数個備え、前記それぞれの高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂは電力増幅部１８から取り出して交換可能に構成されている。

このような高周波電源１において、平板状の高周波電力増幅素子２６ａ、２６ｂは基板電極２８上に隣接して配置される。高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの下方の面にはそれぞれ主電極を備え、該主電極は板状の基板電極２８の表面にそれぞれ接触している。

平板状の電力増幅素子の上面には緩衝材２３ａ，２３ｂおよび弾性体３１ａ、３１ｂを順次載置し、弾性体３１ａ、３１ｂ上には押さえブロック２２を配置する。押さえブロック２２は回路基板２９を介在させて基板電極２８上にネジ２１ａ、２１ｂにより取り付ける。

基板電極２８は、アルミニウム、銅、ＳＵＳ（ステンレス）等の熱伝導性の高い材料により構成される。また、前記基板電極２８には必要に応じて冷却板２５が密着して配置される。冷却板２５の内部には高周波電力増幅素子２６から基板電極２８に伝達される熱を効率的に基板電極２８外に移動させるため、熱交換媒体を通流する冷媒通路２４が配置されている。

冷媒通路２４には水あるいはフロリナート（商標名）等の熱交換媒体が図示しない温度調節装置から冷媒通路２４に連結された管路を介して供給され、冷媒通路２４内で冷却板２５の部材と熱交換して温度が上昇した熱交換媒体は冷媒通路２４から排出された後管路を通って上記温度調節装置に戻される。そして、温度調節装置おいて所定の温度にされて再度管路を介して冷媒通路２４に供給される。このように、冷媒通路２４内には基板電極２５と温度調節装置との間で熱交換媒体が循環して通流する。

押えブロック２２は、基板電極２８あるいは回路基板２９の側面からみた断面は門型である。門型形状の押さえブロック２２の柱状部２２ａにはネジ２１ａ、２１ｂが貫通して、押さえブロック２２を基板電極２８上に締結固定している。また、門型形状の押さえブロック２２の梁状部２２ｂに形成した凹部にはそれぞれ前記弾性体３１ａ、３１ｂが配置される。

すなわち、押えブロック２２の梁状部と基板電極２８の間には、高周波電力増幅素子２６ａ、２６ｂ、緩衝材２３ａ、２３ｂ、弾性体３１ａ、３１ｂが配置され、前記電力増幅素子２６ａ，２６ｂは緩衝材２３ａ、２３ｂ、弾性体３１ａ、３１ｂを介して押さえブロック２２の梁状部により基板電極２８側に押圧される。

このため、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂ、緩衝材２３ａ，２３ｂ、押えブロック２２に、大きさの個体差、ネジ２１ａ、２１ｂの締付け順序や締付け力に差異が生じた場合においても、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂと基板電極２８の上面との当接部分に印加される力はより均一となり、基板電極２８と高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂとの接触が均一化される。このため、局所的な接触圧力の偏在に基づく高周波電力増幅素子の破損を低減することができる。

また、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを固定するために印加される押圧力が過大となって高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを破壊すること、あるいは押えブロック２２、緩衝材２３ａ，２３ｂ、基板電極２８の経時変化により押圧力が変動し高周波電力増幅素子２６と基板電極２８間の接触圧が不足して十分な冷却効果が得られなくなること、あるいは接触面積の不足により高周波電力増幅素子が破損する等の種々の問題を抑制することができる。

図３は、電力増幅部１８の他の例を説明する図である。なお、図において図２に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。

図３に示すように、平板状の高周波電力増幅素子２６ａ、２６ｂは基板電極２８上に隣接して配置される。高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの下方の面にはそれぞれ主電極を備え、該主電極は板状の基板電極２８の表面にそれぞれ接触している。

平板状の電力増幅素子の上面には緩衝材２３ａ，２３ｂ、押さえ部材３３ａ，３３ｂおよび弾性体３４ａ、３４ｂを順次載置し、弾性体３４ａ、３４ｂ上には押さえブロック３２を配置する。押さえブロック３２は回路基板２９を介在させて基板電極２８上にねじ２１ａ、２１ｂにより取り付ける。

ここで、緩衝材２３ａ，２３ｂの高周波増幅素子２６ａ，２６ｂ接する側の面積は高周波増幅素子２６ａ，２６ｂの緩衝材２３ａ，２３ｂに接する側の面積よりも大きく設定してある。同様に、押さえ部材３３ａ，３３ｂの緩衝材２４ａ，２４ｂに接する側の面積は緩衝材２３ａ，２３ｂの押さえ部材３３ａ，３３ｂに接する側の面積よりも大きく設定してある。

平板状の電力増幅素子の上面には緩衝材２３ａ，２３ｂおよび押さえ部材３３ａ、３３ｂを順次載置し、押さえ部材３３ａ，３３ｂ上にはバネ３４ａ，３４ｂを介して押さえブロック３２を配置する。押さえブロック３２は回路基板２９を介在させて基板電極２８上にねじ２１ａ、２１ｂにより取り付ける。

押えブロック３２の、基板電極２８あるいは回路基板２９の側面からみた断面は門型である。門型形状の押さえブロック３２の柱状部３２ａにはネジ２１ａ、２１ｂが貫通して、押さえブロック３２を基板電極２８上に締結固定している。また、門型形状の押さえブロック３２の梁状部３２ｂに形成した凹部（穴）にはそれぞれバネ（コイルバネ）３４ａ，３４ｂが配置される。

すなわち、押えブロック３２の梁状部と基板電極２８の間には、高周波電力増幅素子２６ａ、２６ｂ、緩衝材２３ａ、２３ｂ、押さえ部材３３ａ、３３ｂ、バネ３４ａ，３４ｂが配置され、前記電力増幅素子２６ａ，２６ｂは緩衝材２３ａ、２３ｂ、バネ３４ａ，３４ｂを介して押さえブロック３２の梁状部により基板電極２８側に押圧される
バネ３ａ，３４ｂは、その下端が押え部材３３ａ，３３ｂの上面に、他端が高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを覆う押えブロック３２の梁状部に形成した穴の底に接している。

図３の例では、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂ、これより当接面の面積の大きな緩衝材２３ａ，２３ｂ、緩衝材より面積の大きな押え部材３３ａ、３３ｂのそれぞれがその中心軸をほぼ同軸上となるように配置し、この軸にコイル状のバネ３４ａ，３４ｂの中心軸を一致させて配置する。

これにより、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを基板電極２８の表面に対して均等に押し付けることができる。また、バネ３４ａ，３４ｂの上端部は押えブロック３２の梁状部に配置された穴に嵌め込み、バネ上端の高さ方向位置および付勢方向を基板電極３６に対して固定することができる。これにより、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを基板電極３６に押し付ける押し付け力の経時変化や偏りを抑制することができる。また、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの電気的接続および放熱を安定化することができる。

なお、押えブロック３２は、例えば鋼材のような形状が変化しにくい材料を使用する。また、基板電極２８対してネジ２１ａ，２１ｂにより押えブロック３２を固定することにより、従来の技術において固定のための部材の位置の調整あるいは押し付け力を適切な範囲の値にするために要していた調整を簡略化でる。また、押えブロック３２をネジで固定することにより、ネジ２１ａ，２１ｂを取り外しておこなう高周波電力増幅素子の交換が容易になる。

すなわち、基板電極２８と押えブロック３２との相対位置がネジ２１ａ，２１ｂにより締結される構成となる。このため、押えブロック３２の取外し、取付けを複数回行っても、押えブロック３２のバネ３４の取り付けの位置は変動しない。例えばバネ３４の端部が嵌め込まれる穴の底の位置は基板電極２８または回路基板２９に対して安定して固定される。このため、付勢されるバネ３４ａ，３４ｂにより押圧される押圧力は変化しない。

さらに、緩衝材２３ａ，２３ｂ、押えブロック３２、基板電極２８の位置の経時的な変化はバネ３４ａ，３４ｂの弾性によって吸収され、これにより高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂに対する押圧力の変化あるいは偏りが抑制される。

また、温度変化により緩衝材２３ａ、２３ｂ、押え部材３３ａ，３３ｂ、基板電極２８、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂに形状変化が生じた場合、あるいは個々部品に大きさのバラツキがある場合においても、このばらつきはバネ３４ａ，３４ｂの弾性により吸収することができる。さらに、当接する面の面積が大きな押え部材３３ａ，３３ｂで高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの当接面の全体を押圧するため、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂと基板電極２８との接触面をより均一な力で接触させることもできる。

図４は、電力増幅部１８のさらに他の例を説明する図である。なお、図において図３に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。

図４において、押えブロック４２は、基板電極２８あるいは回路基板２３の側面からみた断面は門型である。門型形状の押さえブロック４２の柱状部４２ａにはネジ２１ａ、２１ｂが貫通して、押さえブロック４２を基板電極２３上に締結固定している。また、門型形状の押さえブロック４２の梁状部４２ｂに形成した孔（貫通穴）にはそれぞれバネ（コイルバネ）３４ａ，３４ｂが嵌挿される。

高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの上方に緩衝材２３ａ、２３ｂ、押さえ部材３３ａ、３３ｂ、バネ３４ａ，３４ｂを配置し、これを押えブロック４２で覆うように回路基板２９上に載置し、押え板４２の両端側の柱状部にこれを貫通するネジ２１ａ，２１ｂを挿入して、基板電極２８と押さえブロックとを位置決めし締結する。なお、この段階ではバネ３４ａ，３４ｂは上記梁状部の貫通孔内に挿入されているのみである。

この状態では、バネ３４ａ，３４ｂの上端は押え板４２の貫通孔の開口から上方に突出しており、このバネ３４ａ，３４ｂを下方向に押し付けることにより高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂに押圧力を印加することができる。

このため、本実施形態では、下面にバネ３４ａ，３４ｂの上端と接して位置を決めるための凹部を有する蓋板４３を押えブロック４２の梁状部上面に配置し、前記凹部間に配置したネジ３９により押さえブロック４２に締結する。

この状態で、バネ３４ａ，３４ｂの上端部は蓋板４３の各凹部の底面と接して位置決めされ、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂを基板電極２８に押し付ける押圧力を作用させることができる。

この例では、前述のように、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂの上方に緩衝材２３ａ、２３ｂ、押さえ部材３３ａ、３３ｂ、バネ３４ａ，３４ｂを配置し、これを押えブロック４２で覆うように回路基板２９上に載置し、押えブロック４２の両端側の柱状部にこれを貫通するネジ２１ａ，２１ｂを挿入して、基板電極２８と押さえ部材とを位置決めし締結する段階に至るまで、バネ３４ａ，３４ｂは上記梁状部の貫通孔内に挿入されているのみである。

このため、基板電極２８と該基板電極２８に固定された押えブロック４２、さらには押さえブロック４２と該押さえブロック４２に固定される蓋板４３の位置関係を正確に保持することができる。このため、基板電極２８に対するバネ３４ａ，３４ｂの上端位置の変化を抑制することができる。また、ネジ３９により蓋板４３を押さえブロック４３に締結することでバネ３４ａ，３４ｂに押圧力を発生させている。このため、高周波電力増幅素子２６ａ，２６ｂに対する位置固定の作業効率が向上する。また、高周波電力増幅素子２６ａ、２６ｂに対する押圧力、あるいは押圧方向のばらつき等を抑制することができる。なお、バネ３４ａ，３４ｂの間隔が狭い場合は２つのバネ３４ａ，３４ｂの中心を結んだ直線上の両外側２点で蓋板４３を押え板４７にネジ３９で固定してもよい。

本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成説明する図である。図１に示す高周波電源の電力増幅部の詳細を説明する図である。電力増幅部の他の例を説明する図である。電力増幅部のさらに他の例を説明する図である。

符号の説明

１高周波電源
２高周波電力増幅素子
３制御部
４アンテナ
５ソレノイドコイル
６反応容器
７プラズマ
８整合器
９高周波電源
１０ポンプ
１１圧力調整部
１２バルブ
１３試料台
１４試料
１５シャワープレート
１６整合器
１７電力モニタ部
１８電力増幅部
１９発振部
２０ａ，２０ｂネジ
２１ａ，２１ｂネジ
２２，３２，４２押さえブロック
２３ａ，２３ｂ緩衝材
２４冷却通路
２５冷却板
２６ａ，２６ｂ高周波電力増幅素子
２８基板電極
２９回路基板
３３ａ，３３ｂ押さえ部材
３４ａ，３４ｂバネ
３９ネジ
４３蓋板

Claims

平板状の基板電極と、
該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、
前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された弾性体を備え、
前記弾性体により高周波電力増幅素子を基板電極方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極に加圧接触させる高周波電力発生装置において、
その梁状部に前記弾性体の一端をそれぞれ収納する凹部を有し、その柱状部を介して前記基板電極に固定された門型の押さえブロックを備え、
前記弾性体の一端を前記高周波電力増幅素子に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極により均一な力で安定して加圧接触させたことを特徴とする高周波電力発生装置。
平板状の基板電極と、
該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、
前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された押さえ部材を備え、
前記押さえ部材を前記基板電極の方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に加圧接触させる高周波電力発生装置において、
前記押さえ部材のそれぞれを押圧する弾性体の一端をそれぞれ収納する凹部を有する門型の押さえブロックを備え、
前記弾性体の一端を前記押さえ部材に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に均一な力で安定して加圧接触させたことを特徴とする高周波電力発生装置。
平板状の基板電極と、
該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、
前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された押さえ部材を備え、
前記押さえ部材を前記基板電極の方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に加圧接触させる高周波電力発生装置において、
前記押さえ部材のそれぞれを押圧する弾性体の一端がそれぞれ貫通する孔を有する門型の押さえブロックおよび前記孔を外側から塞ぐ蓋板を備え、
前記弾性体の一端を前記押さえ部材に当接させ、その他端を前記孔を塞ぐ蓋板に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に均一な力で安定して加圧接触させたことを特徴とする高周波電力発生装置。
平板状の基板電極と、
該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、
前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された押さえ部材を備え、
前記押さえ部材を前記基板電極の方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に加圧接触させるとともに、前記高周波電力増幅素子で増幅した高周波電力を反応容器内に供給してプラズマを生成させるプラズマ処理装置において、
前記押さえ部材のそれぞれを押圧する弾性体体の一端をそれぞれ収納する凹部を有する門型の押さえブロックを備え、
前記弾性体の一端を前記押さえ部材に当接させ、その他端を前記凹部の底に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に均一な力で安定して加圧接触させたことを特徴とするプラズマ処理装置。
平板状の基板電極と、
該基板電極上に配置された複数の高周波電力増幅素子と、
前記それぞれの高周波電力増幅素子上にそれぞれ配置された押さえ部材を備え、
前記押さえ部材を前記基板電極の方向に押圧することにより前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に加圧接触させるとともに、前記高周波電力増幅素子で増幅した高周波電力を反応容器内に供給してプラズマを生成させるプラズマ処理装置において、
前記押さえ部材のそれぞれを押圧する弾性体の一端がそれぞれ貫通する孔を有する門型の押さえブロックおよび前記孔を外側から塞ぐ蓋板を備え、
前記弾性体の一端を前記押さえ部材に当接させ、その他端を前記孔を塞ぐ蓋板に当接させ、前記高周波電力増幅素子を前記基板電極および押さえ部材に均一な力で安定して加圧接触させたことを特徴とするプラズマ処理装置。