JP2009070379A - 向上した信頼性を有するメモリシステム及びそのウェアレベリング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各々が複数のメモリセルで構成されるメモリユニットを有するフラッシュメモリ装置、及びフラッシュメモリ装置を制御するように構成されるメモリコントローラを含み、メモリコントローラは各メモリユニットの消去イベント情報及びECCイベント情報に基づいてメモリユニットに対するウェアレベリング動作を遂行するメモリシステムを提供する。
【選択図】図1
Description
例示的な実施の形態において、前記メモリコントローラは、初期状態で最も優先順位の高い第1グループに前記メモリユニットを設定し、前記エラービット値は2ビットエラーのイベント回数を示す第1エラービット値と3ビットエラーのイベント回数を示す第2エラービット値とを含む。
例示的な実施の形態において、前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの第2エラービット値が第2ECCしきい値より大きい場合、前記各メモリユニットの消去イベント回数に関係なく最も優先順位の低い第3グループに前記各メモリユニットを設定する。
例示的な実施の形態において、前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの消去イベント値が消去しきい値より大きい場合、前記第2グループに前記各メモリユニットを設定する。
例示的な実施の形態において、前記フラッシュメモリ装置及び前記メモリコントローラは、メモリカード及びSSDのうち何れか一つを構成する。
例示的な実施の形態において、前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記メモリユニットのうち一つ、又はそれより多くのユニットのエラービット値を含む。
例示的な実施の形態において、前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのメモリセルで構成される行のうち一つ、又はそれより多くの行のエラービット値を含む。
例示的な実施の形態において、前記メモリユニットは初期状態で最も優先順位の高い第1グループに設定され、前記エラービット値は2ビットエラーのイベント回数を示す第1エラービット値と3ビットエラーのイベント回数を示す第2エラービット値とを含む。
例示的な実施の形態において、前記各メモリユニットの第2エラービット値が第2ECCしきい値より大きい場合、前記各メモリユニットの消去イベント回数に関係なく最も優先順位の低い第3グループに前記各メモリユニットが設定される。
例示的な実施の形態において、前記各メモリユニットの消去イベント値が消去しきい値より大きい場合、前記各メモリユニットが前記第2グループに設定される。
例示的な実施の形態において、前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記メモリユニットのうち一つ、又はそれより多くのユニットのエラービット値を含む。
例示的な実施の形態において、前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのメモリセルで構成される行のうち一つ、又はそれより多くの行のエラービット値を含む。
参照符号については、本発明の望ましい実施の形態にて詳細に示し、それらの例を参照図面に示している。如何なる場合にも同一参照番号は同一部分、又は類似部分を参照するために説明及び図面に用いられる。
Claims (22)
- 各々が複数のメモリセルで構成されるメモリユニットを有するフラッシュメモリ装置と、
前記フラッシュメモリ装置を制御するように構成されるメモリコントローラとを含み、
前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの消去イベント情報及びECCイベント情報に基づいて前記メモリユニットに対するウェアレベリング動作を遂行することを特徴とするメモリシステム。 - 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのエラービット値を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、初期状態で最も優先順位の高い第1グループに前記メモリユニットを設定し、前記エラービット値は2ビットエラーのイベント回数を示す第1エラービット値と3ビットエラーのイベント回数を示す第2エラービット値とを含むことを特徴とする請求項2に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの第1エラービット値が第1ECCしきい値より大きい場合、優先順位の低い第2グループに前記各メモリユニットを設定することを特徴とする請求項3に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの第2エラービット値が第2ECCしきい値より大きい場合、前記各メモリユニットの消去イベント回数に関係なく最も優先順位の低い第3グループに前記各メモリユニットを設定することを特徴とする請求項4に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの第2エラービット値が前記第2ECCしきい値より大きい場合、前記第2グループに属する各メモリユニットを前記第3グループに設定することを特徴とする請求項5に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、前記各メモリユニットの消去イベント値が消去しきい値より大きい場合、前記第2グループに前記各メモリユニットを設定することを特徴とする請求項4に記載のメモリシステム。
- 前記フラッシュメモリ装置及び前記メモリコントローラは、メモリカード及びSSDのうち何れか一つを構成することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラは、
プロセスユニットと、
前記フラッシュメモリ装置の選択されたメモリユニットから読み出されたデータを一時的に保存するバッファメモリと、
前記読み出されたデータに対するエラー検出及び訂正動作を遂行するECCブロックと、を含み、
前記ECCブロックはエラー検出時にエラービット数を示すECCイベント情報を前記プロセスユニットに伝送し、前記プロセスユニットは前記ECCイベント情報によって前記選択されたメモリユニットのエラービット値を更新することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記各メモリユニットは消去単位を構成することを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記メモリユニットのうち一つ、又はそれより多くのユニットのエラービット値を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのメモリセルで構成される行のうち一つ、又はそれより多くの行のエラービット値を含むことを特徴とする請求項1に記載のメモリシステム。
- メモリユニットを有するフラッシュメモリ装置を含むメモリシステムのウェアレベリング方法であって、
プログラム/消去サイクルによる前記各メモリユニットの消去イベント情報及びECCイベント情報をウェアレベリングテーブルに保存するステップと、
前記ウェアレベリングテーブルに保存された前記各メモリユニットの消去イベント情報及びECCイベント情報に基づいて前記各メモリユニットに対するウェアレベリング動作を遂行するステップと、を含むことを特徴とするメモリシステムのウェアレベリング方法。 - 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのエラービット値を含むことを特徴とする請求項13に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記メモリユニットは初期状態で最も優先順位の高い第1グループに設定され、前記エラービット値は2ビットエラーのイベント回数を示す第1エラービット値と3ビットエラーのイベント回数を示す第2エラービット値とを含むことを特徴とする請求項14に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記各メモリユニットは前記各メモリユニットの第1エラービット値が第1ECCしきい値より大きい場合、優先順位の低い第2グループに設定されることを特徴とする請求項15に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記各メモリユニットの第2エラービット値が第2ECCしきい値より大きい場合、前記各メモリユニットの消去イベント回数に関係なく最も優先順位の低い第3グループに前記各メモリユニットが設定されることを特徴とする請求項16に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記各メモリユニットの第2エラービット値が前記第2ECCしきい値より大きい場合、前記第2グループに属する各メモリユニットが前記第3グループに設定されることを特徴とする請求項17に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記各メモリユニットの消去イベント値が消去しきい値より大きい場合、前記各メモリユニットが前記第2グループに設定されることを特徴とする請求項16に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記各メモリユニットは消去単位を構成することを特徴とする請求項13に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記メモリユニットのうち一つ、又はそれより多くのユニットのエラービット値を含むことを特徴とする請求項13に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
- 前記消去イベント情報は前記各メモリユニットの消去イベント回数を含み、前記ECCイベント情報は前記各メモリユニットのメモリセルで構成される行のうち一つ、又はそれより多くの行のエラービット値を含むことを特徴とする請求項13に記載のメモリシステムのウェアレベリング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR10-2007-0093173 | 2007-09-13 | ||
KR1020070093173A KR101413736B1 (ko) | 2007-09-13 | 2007-09-13 | 향상된 신뢰성을 갖는 메모리 시스템 및 그것의웨어-레벨링 기법 |
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JP2009070379A true JP2009070379A (ja) | 2009-04-02 |
JP5296464B2 JP5296464B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=40455877
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US (2) | US9229805B2 (ja) |
JP (1) | JP5296464B2 (ja) |
KR (1) | KR101413736B1 (ja) |
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US20090077429A1 (en) | 2009-03-19 |
CN101458957A (zh) | 2009-06-17 |
CN101458957B (zh) | 2016-08-03 |
US9229805B2 (en) | 2016-01-05 |
US20140245109A1 (en) | 2014-08-28 |
US9251015B2 (en) | 2016-02-02 |
JP5296464B2 (ja) | 2013-09-25 |
KR101413736B1 (ko) | 2014-07-02 |
KR20090027952A (ko) | 2009-03-18 |
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