JP2009069663A - 画像形成装置および画像形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数のレーザビームを使用して画像形成を行う、画像形成装置および画像形成方法を提供すること。
【解決手段】画像形成装置は、複数のレーザビームを使用して画像形成を行い、感光体ドラムへの静電潜像形成を制御するための制御装置308と、静電潜像を形成するため前記レーザビームの出力を制御するレーザ出力設定回路304と、レーザ出力設定回路304の設定値を使用してレーザビームを照射するためのレーザ素子をそれぞれ点灯させるための制御値を生成する出力レベル制御回路306と、制御信号に基づいてレーザ素子に点灯電流を供給するドライバ回路204とを含み、レーザ出力設定回路304は、各レーザ素子の点灯時間がフィードバックされて、各レーザ素子のレーザ出力設定を行っている。
【選択図】図3

Description

本発明は、画像形成に関し、より詳細には、複数のレーザビームを使用して画像形成を行う、画像形成装置および画像形成方法に関する。
近年では、電子写真方式の画像形成装置は、画像形成のために主として半導体レーザを用いており、高速化・高密度化の要求は、ますます高まっている。高速化および高画質化の要求を満たす方法として、レーザビームを偏向するために使用する回転多面鏡の回転数を上げることが考えられる。しかしながら、画像形成装置内で用いる回転多面鏡を高速回転するには、現状では限界があり、また騒音や消費電力の増大を招く要因ともなる。
また、この代替策としてレーザビームの光源素子数を増加することが提案されている。レーザビームの光源素子数を増加させる場合、単一のレーザビームを照射する半導体チップを複数用いるマルチビーム化は、多光源になる程技術的難易度が高くなり非現実的である。次にマルチビームとして利用されている端面レーザダイオード(以下端面LDとして参照する。)を用いたレーザアレイ(以下、LAとして参照する。)の場合、現在の技術ではビーム数を増加させる程コストが上がり、さらに技術的にも困難性を伴うことが判明している。
これに対し、面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emission Laser)は、端面LDと比較すれば容易に光源数を増加させることが可能でコスト上昇も殆ど無く、消費電力が小さいという特徴を持っている。VCSELは、既に様々な組成のものが開発されている。また、VCSELを使用する画像形成技術についても提案されている。
例えば特開2004−287292号公報(特許文献1)は、面発光型のレーザアレイを搭載した画像形成装置が開示されている。特許文献1では、面発光型のレーザアレイを搭載する場合に、位置ずれしないハーネスを開示する。
さらに、特開2005−250319号公報(特許文献2)は、複数の発光点を2次元的に配設した光源と、この光源から射出したレーザビームをカップリングするカップリングレンズとを複数組み合わせて構成した光源装置を開示する。
また、特開2006−215270号公報(特許文献3)は、複数の発光点が配列された光源を使用して、1回の偏向走査で形成される走査線の間隔を制御する光走査装置を開示する。
特開2004−287292号公報 特開2005−250319号公報 特開2006−215270号公報
図8を使用してVCSELに配置されたレーザ素子での従来の熱クロストークの影響を説明する。なお、熱クロストークとは、隣接するレーザ素子が点灯して発生する熱が、基板を介して熱伝導することにより、点灯させるべきレーザ素子の出力特性を変化させる現象をいう。VCSELの基板上に集積されたレーザ素子1は、点灯されていて、レベル800で示されるレベルのレーザ出力を与えている。また、レーザ素子2は、レーザ素子1に近接して配置されており、レーザ素子1よりも僅かに遅れて点灯され、初期には、レベル802のレーザ出力を与えている。レーザ素子1が点灯した段階では、レーザ素子2は、定格出力のレベル802の出力を与えている。
しかしながら、レーザ1が点灯し続けると、VCSELの基板を介した熱伝導によりレーザ素子2の温度が上がり、この結果、リーク電流やしきい値電位変動などにより、レーザ出力がレベル806で示されるように低下する。この減少は、レーザ素子1についても同様であり、互いに隣接するレーザ素子が相互に熱クロストークの影響を受ける。
特に多数のレーザ素子を高密度で実装すると、熱クロストークの影響が顕著に現れ、半導体チップの寿命が著しく低下することが分かっている。この問題を解決するためにVCSEL上の光源配置を不均一にすることで放熱性を向上させ、長寿命化と光量安定化を達成することも提案されている。
レーザ光出力の低下は、上述した光源配置を不均一にすることである程度は対応することができるが、光源配置を不均一にすることだけでは熱クロストークの影響をすべて取り除くことができない。熱クロストークの影響により光量が変動すると、感光体に形成される静電潜像にムラが生じる。このような静電潜像のムラは、結果的に印刷物の濃度ムラを与え、印刷画像品質を低下させる要因となっていた。
本発明は、複数のレーザビームを使用する画像形成装置において、熱クロストークにより発生するレーザビームの出力変動に伴う静電潜像ムラを低減することで印刷画像品質を向上する画像形成装置および画像形成方法を提供することを目的とする。
本発明では、基板上に2次元的に配置された複数のレーザ素子の点灯時間がモニタされる。モニタされた点灯時間は、画像形成期間にわたり連続して定義される設定期間ごとに積算して、積算点灯時間を計算する。積算点灯時間は、連続する設定期間ごとに計算されており、直前の設定期間での特定のレーザ素子のセットの積算点灯時間は、その時点で点灯させるべきレーザ素子の点灯電流を決定するためにフィードバックされる。積算点灯時間は、設定期間ごとにリセットされても良いし、複数のレーザ素子による静電潜像形成パターンの多様性及び画像特性に対応できるように、移動平均して、以後の設定期間の初期オフセット値として使用することができる。
すなわち、本発明によれば、
複数のレーザビームを使用して画像形成を行う画像形成装置であって、
感光体ドラムへの静電潜像形成を制御するための制御装置と、
前記静電潜像形成のため前記レーザビームの出力を制御する設定値を生成するレーザ出力設定回路と、
前記レーザ出力設定回路の前記設定値を使用して前記レーザビームを照射するためのレーザ素子を、それぞれ点灯させるための制御信号を生成する出力レベル制御回路と、
前記制御信号に基づいて前記レーザ素子に点灯電流を供給するドライバ回路とを含み、
前記レーザ出力設定回路は、前記各レーザ素子の点灯時間がフィードバックされ、前記各レーザ素子のレーザ出力設定を行う、画像形成装置が提供される。
前記レーザ素子は、単一基板上に複数集積され、面発光レーザを構成することができる。前記レーザ出力設定回路は、前記レーザ素子の前記点灯時間を設定期間の間積算し、前記設定期間内の積算点灯時間をモニタして保存回路に保存するレーザ動作モニタを含むことができる。
さらに、前記レーザ動作モニタは、前記積算点灯時間を登録し、前記レーザ出力設定回路は、直前の前記設定期間の前記積算点灯時間を使用して前記レーザ素子の前記点灯電流を制御することができる。
また、前記積算点灯時間は、前記設定期間の満了により前記制御装置に退避された後、クリアすることができる。また、前記制御装置は、前記積算点灯時間を使用して移動平均値を計算し、前記移動平均値を直後に開始される前記設定期間の初期オフセット値として設定することができる。前記制御装置は、前記点灯するべきレーザ素子および前記点灯するべきレーザ素子に隣接する他の複数のレーザ素子についての前記積算点灯時間から前記点灯するべきレーザ素子の光量補正値を計算することができる。
また、本発明によれば、
複数のレーザビームを使用して画像形成を行う画像形成方法であって、
画像形成期間内で複数の設定期間を割当て、直前の前記設定期間について、点灯するべきレーザの周りの複数のレーザ素子の積算点灯時間を取得するステップと、
前記複数のレーザ素子の前記積算点灯時間に基づいて点灯するべきレーザ素子の光量補正値を決定するステップと、
前記光量補正値を使用して前記点灯するべきレーザ素子に点灯電流を供給し、感光体ドラム上に静電潜像を形成するステップと
を含む、画像形成方法が提供される。
さらに、前記レーザ素子の点灯時間を取得して前記設定期間内で前記各レーザ素子ごとに積算し、前記積算点灯時間として登録するステップを含むことができる。前記積算点灯時間を、前記設定期間の満了により保存回路に保存し、以後に設定される前記設定期間での前記レーザ素子の点灯制御にフィードバックするステップを含むことができる。前記レーザ素子は、単一の基板上に集積され、面発光レーザを構成することができる。
以下、本発明を実施形態をもって説明するが、本発明は、後述する実施形態に限定されるものではない。図1は、画像形成装置の実施形態を示す。画像形成装置100は、半導体レーザ、ポリゴンミラーなどの光学要素を含む光学装置102と、感光体ドラム、帯電装置、現像装置などを含む像形成部112と、中間転写ベルトなどを含む転写部122を含んで構成される。光学装置102は、半導体レーザ(図示せず)などの光源から放出されたレーザビームを、ポリゴンミラー102cにより偏向させ、fθレンズに入射させている。レーザビームは、図示した実施形態ではシアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、ブラック(K)の各色に対応した数発生されていて、fθレンズ102bを通過した後、反射ミラー102aで反射される。
WTLレンズ102dは、レーザビームを整形した後、反射ミラー102eへとレーザビームを偏向させ、露光のために使用されるレーザビームLとして感光体ドラム104a、106a、108a、110aへと、レーザビームを像状照射する。感光体ドラム104a、106a、108a、110aへのレーザビームLの照射は、上述したように複数の光学要素を使用して行われるため、主走査方向および副走査方向に関して、タイミング同期が行われている。なお、以下、主走査方向を、レーザビームの走査方向として定義し、副走査方向を、主走査方向に対して直交する方向、多くの画像形成装置100では、感光体ドラム104a、106a、108a、110aの回転する方向として定義する。
感光体ドラム104は、アルミニウムなどの導電性ドラム上に、少なくとも電荷発生層と、電荷輸送層とを含む光導電層を備えている。光導電層は、それぞれ感光体ドラム104a、106a、108a、110aに対応して配設され、コロトロン、スコロトロン、または帯電ローラなどを含んで構成される帯電器104b、106b、108b、110bにより表面電荷が付与される。
各帯電器104b、106b、108b、110bにより感光体ドラム104a、106a、108a、110a上に付与された静電荷は、レーザビームLにより像状露光され、静電潜像が形成される。感光体ドラム104a、106a、108a、110a上に形成された静電潜像は、現像スリーブ、現像剤供給ローラ、規制ブレードなどを含む現像器104c、106c、108c、110cにより現像され、現像剤像が形成される。
感光体ドラム104a、106a、108a、110a上に担持された現像剤は、搬送ローラ114a、114b、114cにより矢線Bの方向に移動する中間転写ベルト114上に転写される。中間転写ベルト114は、C、M、Y、Kの現像剤を担持した状態で2次転写部へと搬送される。2次転写部は、2次転写ベルト118と、搬送ローラ118a、118bと含んで構成される。2次転写ベルト118は、搬送ローラ118a、118bにより矢線Cの方向に搬送される。2次転写部には、給紙カセットなどの受像材収容部128から上質紙、プラスチックシートなどの受像材124が搬送ローラ126により供給される。
2次転写部は、2次転写バイアスを印加して、中間転写ベルト114上に担持された多色現像剤像を、2次転写ベルト118上に吸着保持された受像材124に転写する。受像材124は、2次転写ベルト118の搬送と共に定着装置120へと供給される。定着装置120は、シリコーンゴム、フッソゴムなどを含む定着ローラなどの定着部材130を含んで構成されていて、受像材124と多色現像剤像とを加圧加熱し、印刷物132として画像形成装置100の外部へと出力する。多色現像剤像を転写した後の中間転写ベルト114は、クリーニングブレードを含むクリーニング部116により転写残現像剤が除去された後、次の像形成プロセスへと供給されている。
なお、各感光体ドラム104a、106a、108a、110aの主走査方向の終点付近には、副走査ずれ検出装置(図示せず)が配設されていて、副走査方向のずれを検出している。
図2は、画像形成装置100を矢線Aの方向から見た光学装置102のブロック図である。図2に示すように、光学装置102は、CPUなどを含む制御回路202、半導体レーザを点灯するためのドライバ回路204、およびレーザアレイ206を収容する。さらに光学装置102は、ポリゴンミラー102cおよびfθレンズ102bを収容している。ポリゴンミラー102cは、数千から数万rpmの周速で回転駆動されていて、LA206から照射されるレーザビームをポリゴンミラー102cに照射させている。
制御回路202は、画像読取部(図示せず)からの画像データを、例えば、600dpi、1200dpiといった解像度から、4800dpiの高解像度の画像ドットを生成する。さらに、制御回路202は、レーザ素子を所定のレーザ出力で出力させるため、レーザ出力制御を行い、PWM(Pulse Width Modulation)、またはPM(Power Modulation)信号を、ドライバ回路204に出力する。ドライバ回路204は、受け取った信号を使用して点灯電流をレーザ素子に供給し、所定の出力でVCSELといったレーザアレイ206を動作させる。
レーザアレイ206は、制御回路202からの制御信号に基づいてレーザビーム束を発生させる。レーザビーム束を構成するそれぞれのレーザビームは、高解像度化された静電潜像を感光体ドラム104a〜110a上に形成する。図2に示す破線で示された領域は、本実施形態での露光制御ブロック300を構成する。なお、露光制御ブロックについては、より詳細に後述する。
図3は、本実施形態の露光制御ブロック300の構成を、より詳細に示す。図3に示すように、露光制御ブロック300は、制御回路202と、ドライバ回路204と、レーザアレイ206とを含んで構成されている。レーザアレイ206として、本実施形態では、VCSELを実装し、感光体ドラムに対し、複数のレーザビームを照射させている。制御回路202は、さらに、高解像度化処理回路302と、レーザ動作モニタを含むレーザ出力設定回路304と、出力レベル制御回路306とを含んで構成されている。
高解像度化処理回路302、レーザ出力設定回路304、および出力レベル制御回路306は、各回路の処理を制御する制御装置である中央処理装置(CPU)308により制御され、各処理を実行する。CPU308は、レジスタメモリ、ROM、EEPROMなどを含んで構成され、本実施形態の処理を実行するアセンブラプログラム、データ等を起動時にレジスタメモリに読み込んで、処理を実行する。なお、高解像度化処理回路302、レーザ出力設定回路304、および出力レベル制御回路306は、CPU308と別体として構成された集積回路とすることもできるし、またCPU308に一体化された回路モジュールとして構成することもできる。
高解像度化処理回路302は、スキャナなどを含んで構成される画像取得部が取得した600dpi、1200dpiなどの解像度の画像データを受け取り、本実施形態では、4800dpiの解像度に相当する画像ドットを生成する。また、高解像度化処理回路302は、600dpiまたは1200dpiの入力画像データの画像ドットの濃度値を再現するように、画像ドットを生成させる。生成された高解像度の画像データは、ドライバ回路204に送られて、レーザアレイ206を画像データにしたがって変調する。
レーザ出力設定回路304は、特定のレーザ素子を点灯させるための画像データを受け取り、レーザ素子に対して出力を与えるための設定値にフィードバックさせて設定値を発生し、出力レベル制御回路306に渡す。レーザ出力設定回路304は、設定値を計算するための加算回路、乗算回路、およびラッチ/メモリ回路などを含んで構成されている。レーザ出力設定回路304は、点灯履歴をレーザ素子の出力制御にフィードバックさせるため、直前の設定期間での隣接したレーザ素子の点灯履歴をラッチ、メモリ回路、またはCPU308のレジスタメモリなどの保存回路から読み出して、その時点で点灯させるべきレーザ素子の設定値の計算にフィードバックして、光量設定を行っている。また、他の実施形態では、レーザ出力設定回路304に対して、ドライバ回路204から、レーザ素子それぞれの点灯時間を示す値がフィードバック入力されてもよい。ドライバ回路204からフィードバックされる点灯時間を示す値としては、種々の値を使用することができるが、本実施形態では、点灯時間を示す値として、特定のレーザ素子を点灯させるための画像データを点灯信号としてレーザ制御回路にフィードバックさせることができる。
レーザ出力設定回路304は、レーザ動作モニタを含んで構成されている。レーザ動作モニタは、VCSEL206のレーザ素子数に対応するパルスカウンタとして実装することができ、フィードバックされる画像データをカウントする。このパルスカウンタは、イネーブル入力を備え、設定期間が開始されると、イネーブルされる。パルスカウンタは、画像データのパルスを、イネーブルがアサートされている期間にわたり、カウントする。パルスカウンタのカウント値は、設定された設定期間が終了した段階で保存回路に保持される。
なお、上述したレーザ動作モニタは、図3に示したように、レーザ素子の点灯をモニタするために専用のパルスカウンタとして実装することもできるが、レーザ素子それぞれの寿命をモニタするためのタイマカウンタがある場合、設定された設定期間ごとに当該タイマカウンタの値を読み取って、レーザ動作モニタを構成してもよい。
この結果、レーザ動作モニタは、点灯時間を、各レーザ素子が設定期間の間に点灯された総パルスカウンタ値として与える。生成された総パルスカウンタ値は、各レーザ素子ごとにラッチされるか、メモリ回路の異なるアドレスに退避されるか、またはCPU308のレジスタメモリを使用する場合には、レジスタメモリの他のアドレスに退避され、次の設定期間が開始された場合にも、前回の点灯履歴を保存することが可能とされている。以下、点灯時間の尺度として、レーザ動作モニタが生成する総パルスカウント値を使用して説明する。設定期間は、適宜設定することができ、画像形成が開始され、最後の画像ドットの出力が終了するまでの間、連続して一定間隔で与えられる限り、その値は特に限定されるものではない。設定期間は、例えば、レーザアレイ206の縦列に対応する副走査ラインの画像形成が終了する期間などとして設定することができる。
図4は、本実施形態のレーザアレイ206の基板上でのレーザ素子配置400の実施形態を示す。図4に示した実施形態では、レーザアレイ206は、レーザ素子を40個、2次元的に配列したVCSEL(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emission Laser)として構成されている。レーザ素子は、それぞれに識別値が割り当てられ、素子制御および点灯履歴が管理されている。以下、レーザ素子402を点灯させる場合に、点灯履歴を検査する実施形態を説明する。
本実施形態で、画像形成を行う目的では、レーザアレイ206の全レーザ素子を同時に駆動することは希である。このため、レーザ素子の点灯履歴は、レーザアレイ206に実装されたレーザ素子全体を使用する必要はなく、基板の熱伝導率などを考慮して、上下左右両隣に隣接するレーザ素子の点灯履歴を参照することで対応することができる。なお、特定の実装形式および点灯方式に応じて、さらに遠くのレーザ素子の点灯時間を、レーザ出力制御へのフィードバックに使用してもよい。図4に示した実施形態では、レーザ素子402のレーザ出力は、破線で示した領域408に含まれる合計9のレーザ素子の点灯履歴を使用する。
図5は、レーザ出力設定回路304が含むレーザ動作モニタを使用する、設定期間ごとの積算処理の実施形態500を示す。レーザ動作モニタは、画像形成を開始した時点から設定期間を設定し、画像形成するべきドットがなくなるまで、横軸のレーザアレイ点灯時間(s)の間、設定期間を連続して割当てる。設定期間の間、レーザ動作モニタは、レーザ素子が点灯された期間に対応してパルスカウントを行い、設定期間の間の総パルスカウンタの値として点灯時間の尺度を与える。総パルスカウンタは、図4に示したレーザ素子の識別値ごとに設定されていて、設定期間の間の点灯時間が全レーザ素子について積算され、レーザ素子の識別値の総数に対応した総パルスカウント値が取得される。
図5に示した実施形態では、例示的にレーザ素子404およびレーザ素子406についてのパルスカウンタの処理実施形態を示す。設定期間が終了した時点で、総パルスカウント値は、保存回路に退避され、図5に示した実施形態では、パルスカウンタおよび総パルスカウント値は、後続する設定期間の開始に同期してリセットされる。このリセットに対応して前回の総パルスカウント値もリセットまたはクリアされる。パルスカウンタがリセットした後、パルスカウンタは、後続する設定期間での総パルスカウントを再開し、後続する設定期間での総パルスカウント値を取得して保存回路に保存させ、処理を画像形成が終了するまで継続する。保存回路により保存された設定期間T1でのレーザ素子ごとの総パルスカウント値は、後続する設定期間T2でのレーザ出力に点灯履歴を反映させるために利用される。
また、総パルスカウント値には、しきい値を設定することができ、図5では2つのしきい値レベルTH0、TH1が示されている。なお、図5に示した実施形態では、設定期間が終了した後、総パルスカウンタはリセットされるものとして説明した。しかしながら、他の実施形態では、保存した総パルスカウント値を使用して移動平均を計算させることができる。この実施形態では、総パルスカウンタをリセットした後、保存した総パルスカウント値を使用して移動平均値を計算する。計算した移動平均値は、後続する設定期間における初期オフセット値として使用することができる。この実施形態では、過去のレーザ点灯履歴から推定される熱クロストークの影響を以後の制御に反映させることができ、より効率的で無駄ない制御が可能となる。
なお、設定期間ごとに総パルスカウンタをリセットする実施形態は、設定期間の間に処理対象のレーザ素子を冷却するための時間が確保できる場合に好ましく用いることができる。この様な実施形態は、例えば、判断するレーザ素子のセットが露光を行った後、同一のセットが露光を行うまでに比較的長期間確保できる、比較的低速の画像形成装置に実装することができる。また、移動平均を使用して初期オフセットを設定する実施形態は、設定期間としてレーザ素子が冷却されるだけ期間を確保できない場合や、レーザ素子が、画像形成するべき画像の特徴に応じて時間的に不均一に点灯される場合などに好ましく適用することができる。この様な場合として、領域408に含まれるレーザ素子が、識別値順にシーケンシャルにではなく、一定の関係を持って離間した複数のレーザ素子が点灯される実施形態を挙げることができる。
以下、本実施形態の画像形成装置100が実行するレーザ出力設定処理について詳細に説明する。ここで、レーザアレイ206は、図4に示したレーザ素子配置および識別値が割り当てられたVCSELであるものとする。図4の実施形態では、レーザ出力を設定するべきレーザ素子の識別値をnとすると、領域408のレーザ素子の識別値は、(n−9)、n、(n+9)として計算できる。
光量補正のために使用する点灯時間は、識別値(n−9)、n、(n+9)で与えられるレーザ素子に対応し、保存回路に退避させてある総パルスカウント値を読み出して計算に使用する。
レーザ出力設定処理は、(1)レーザ出力設定回路304がレーザ素子の点灯時間から光量補正値を計算する、(2)レーザ出力設定回路304が計算した光量補正値から、設定するべき点灯電流値を決定する、(3)レーザ出力設定部304が設定された点灯電流値を設定するための設定値を計算し、出力レベル制御回路306に出力するシーケンスで行われる。
上記シーケンス(1)の光量補正値の計算は、以下のように実行される。第1の実施形態では、識別値nで示されるレーザ素子nの光量補正値D(n)は、総パルスカウント値Tiを設定期間の間の点灯時間とし、当該点灯時間についての補正係数をKiとし、レーザ素子nの光量補正値をD(n)として、下記式(1)を使用して計算される。
Figure 2009069663
上記式中、nは、点灯するべきレーザ素子の識別値であり、iは正の整数値であり、(n−9)、n、(n+9)までの離散値を取る。なお、Kiの値は、例えば定格出力で定時間レーザ発振を行った場合に、レーザ素子nの出力レベルに対する周囲レーザ素子の影響を実測して、ROMなどに登録しておくことができる。
また、光量補正値D(n)計算の第2の実施形態では、熱クロストークの非線形性を考慮して、下記式(2)を使用して計算される。
Figure 2009069663
上記式(1)および上記式(2)で示した補正値計算式は、レーザ素子間距離、熱クロストークへのセンシティビティなどにより適宜使用することができる。
さらに第3の実施形態では、総パルスカウント値について図5に示すように、しきい値レベルを設定し、総パルスカウント値が当該しきい値を超えたか否かに対応して寄与率αj(jは、正の整数である。)を割当て、レーザ素子nについての光量補正値D(n)の計算を行う。
図6は、本実施形態のCPU308が、レーザ出力設定制御の第3の実施形態で使用するデータ構造600を示す。図6に示すデータ構造600は、レーザ素子の点灯時間および光量補正値の積(Ti×Ki)の値に対し、総パルスカウント値としきい値とを比較して、その寄与率αjを変化させる実施形態である。熱クロストークは、点灯時間が長くなればなるほど、その時点で点灯するべきレーザ素子についての熱クロストークへの寄与率が大きくなる。このため、点灯時間が長いレーザ素子と、点灯時間が短いレーザ素子の寄与率を変えて熱クロストークの制御を行うことで、レーザ素子の点灯パターンなどにかかわらず、効率的な制御を行うことができる。
また、補正計数Kiの値は、レーザ素子自体の特性および点灯時間にも依存する場合があり、この場合、T(i)×N(i)の値の方が良好な指標を与える場合もある。このため、図6に示した実施形態のデータ構造600は、T(i)×N(i)の値に対し、しきい値602と、しきい値を超えたか否かを示すフラグ604と、熱クロストークに対する寄与率606とが登録されている。
CPU308は、しきい値レベルTHR0以下、THR1以下、およびTHR1を超える場合について、それぞれ寄与率αjを設定し、総パルスカウント値、すなわち(T(i)×N(i))の値が、しきい値で規定される区間において、同一区間にあるレーザ素子をカウントし、下記式(3)を使用して、光量補正値D(n)を計算する。
Figure 2009069663
上記式(3)中、寄与率は、α1+α2+α3=1となるように規格化されている。上記式(1)〜(3)については、使用するレーザアレイ206の特性およびレーザ素子の駆動制御方式に応じて適宜選択することができ、またレーザ素子特性および基板特性、レーザ素子密度などを考慮して特定の実施形態に最適な光量補正係数計算式を、実験的に決定してもよい。
図7を使用して上記シーケンス(2)およびシーケンス(3)の処理について説明する。図7は、出力−点灯電流特性700を示す。図7に示す出力−点灯電流特性700は、縦軸が、レーザ出力の値であり、横軸は、当該設定値に対応するレーザ点灯電流Idの値を示す。レーザ素子は、定格設定時、ライン702で示す出力特性を示す。
レーザ素子が熱クロストークにより他のレーザ素子からの熱的影響を受けると、リーク電流またはしきい値レベルなどの変動により、出力特性が変動し、ライン704またはライン706で示す特性に変化する。多くの場合、レーザ素子は、熱クロストークにより発光効率が低下するので、ライン706の出力−点灯電流特性となる。この場合、熱クロストークのない場合に比較してレーザ光量が低下し、そのまま感光体ドラムを照射すると、階調再現性を劣化させ、また濃度ムラなどが発生する。
CPU308は、計算された光量補正値D(n)に適切な比例定数を乗じて、例えば線形関係を与える下記式(4)を使用して増加するべき点灯電流を計算することができる。
Figure 2009069663
なお、定数Cは、ライン704およびライン706で与えられる出力−点灯電流特性を考慮して適宜、実験的に設定することができる。さらに、レーザ出力設定回路304は、計算された点灯電流値を読み出して使用し、ルックアップテーブルを参照して、8ビットまたは16ビットのダイナミックレンジでPWM制御またはPM制御を行うための設定値に変換する。
変換された設定値は、レーザ出力設定回路304から出力レベル制御回路306に送られる。出力レベル制御回路306は、設定値から制御信号としてPWM制御パルスまたはPM制御パルスを生成し、ドライバ回路204に供給する。ドライバ回路204は、受領した制御信号にしたがって点灯電流を設定し、レーザ素子を点灯させる。なお、PWM制御またはPM制御については、これまで知られたいかなる方法でも用いることができ、また各処理回路の機能は、図3に示した実施形態に限定されるものではなく、いかなる実装形式で画像形成装置100に実装することができる。
以上説明したように、本発明によれば、複数のレーザビームを照射するVCSELなどのレーザアレイにおける熱クロストークによるレーザ素子特性を改善することにより、画像ムラや階調再現性を改善することが可能となる。この結果、本発明では、より高画質の画像形成が可能な画像形成装置および画像形成方法が提供できる。
本発明の上記各機能回路は、半導体集積回路やASIC(Application Specific Integrated Circuit)として実装されるマイクロコントローラとして実装することができ、アセンブラ言語などで記述された装置実行可能なプログラムにより各処理が行われる。また、当該プログラムおよびそのためのデータは、ROM、EPROM、EEPROM、などの記録媒体に格納され、マイクロコントローラの起動時にレジスタメモリなどに読み込まれ、プログラムによる処理が可能とされる。
これまで本発明を実施形態をもって説明してきたが、本発明は、実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
本実施形態の画像形成装置を示した図。 画像形成装置を矢線Aの方向から見た光学装置のブロック図。 本実施形態の画像形成装置のより詳細な露光制御ブロックを示した図。 本実施形態のレーザアレイの基板上でのレーザ素子配置の実施形態を示した図。 レーザ動作モニタを使用する、設定期間ごとの積算処理の実施形態を示した図。 本実施形態の制御装置が、レーザ出力設定制御の第3の実施形態で使用するデータ構造を示した図。 出力−点灯電流特性を示した図。 VCSELに配置されたレーザ素子での従来の熱クロストークの影響を説明した図。
符号の説明
100…画像形成装置、102…光学装置、102a、102e…反射ミラー、102b…fθレンズ、102c…ポリゴンミラー、102d…WTLレンズ、104a、106a、108a、110a…感光体ドラム、104b、106b、108b、110b…帯電器、104c、106c、108c、110c…現像器、112…像形成部、114…中間転写ベルト、114a、114b、114c…搬送ローラ、118…2次転写ベルト、120…定着装置、122…転写部、124…受像材、130…定着部材、132…印刷物、200…光学系、202…制御回路、204…ドライバ回路、206…レーザアレイ(LA)、208…反射ミラー、210…同期検出装置、300…露光制御ブロック、302…高解像度化処理回路、304…レーザ出力設定回路、306…出力レベル制御回路、308…CPU、400…レーザ素子配置、402、404、406…レーザ素子、408…領域、500…積算処理の実施形態、600…データ構造、602…しきい値、604…フラグ、606…寄与率、700…出力−点灯電流特性

Claims (11)

  1. 複数のレーザビームを使用して画像形成を行う画像形成装置であって、
    感光体ドラムへの静電潜像形成を制御するための制御装置と、
    前記静電潜像形成のため前記レーザビームの出力を制御する設定値を生成するレーザ出力設定回路と、
    前記レーザ出力設定回路の前記設定値を使用して前記レーザビームを照射するためのレーザ素子を、それぞれ点灯させるための制御信号を生成する出力レベル制御回路と、
    前記制御信号に基づいて前記レーザ素子に点灯電流を供給するドライバ回路とを含み、
    前記レーザ出力設定回路は、前記各レーザ素子の点灯時間がフィードバックされ、前記各レーザ素子のレーザ出力設定を行う、画像形成装置。
  2. 前記レーザ素子は、単一基板上に複数集積され、面発光レーザを構成する、請求項1に記載の画像形成装置。
  3. 前記レーザ出力設定回路は、前記レーザ素子の前記点灯時間を設定期間の間積算し、前記設定期間内の積算点灯時間をモニタして保存回路に保存するレーザ動作モニタを含む、請求項1または2に記載の画像形成装置。
  4. 前記レーザ動作モニタは、前記積算点灯時間を登録し、前記レーザ出力設定回路は、直前の前記設定期間の前記積算点灯時間を使用して前記レーザ素子の前記点灯電流を制御する、請求項3に記載の画像形成装置。
  5. 前記積算点灯時間は、前記設定期間の満了により前記制御装置に退避された後、クリアされる、請求項3または4に記載の画像形成装置。
  6. 前記制御装置は、前記積算点灯時間を使用して移動平均値を計算し、前記移動平均値を直後に開始される前記設定期間の初期オフセット値として設定する、請求項3〜5のいずれか1項に記載の画像形成装置。
  7. 前記制御装置は、点灯するべきレーザ素子および前記点灯するべきレーザ素子に隣接する他の複数のレーザ素子についての前記積算点灯時間から前記点灯するべきレーザ素子の光量補正値を計算する請求項3〜6のいずれか1項に記載の画像形成装置。
  8. 複数のレーザビームを使用して画像形成を行う画像形成方法であって、
    画像形成期間内で複数の設定期間を割当て、直前の前記設定期間について、点灯するべきレーザの周りの複数のレーザ素子の積算点灯時間を取得するステップと、
    前記複数のレーザ素子の前記積算点灯時間に基づいて点灯するべきレーザ素子の光量補正値を決定するステップと、
    前記光量補正値を使用して前記点灯するべきレーザ素子に点灯電流を供給し、感光体ドラム上に静電潜像を形成するステップと
    を含む、画像形成方法。
  9. さらに前記レーザ素子の点灯時間を取得して前記設定期間内で前記各レーザ素子ごとに積算し、前記積算点灯時間として登録するステップを含む、請求項8に記載の画像形成方法。
  10. 前記積算点灯時間を、前記設定期間の満了により保存回路に保存し、以後に設定される前記設定期間での前記レーザ素子の点灯制御にフィードバックするステップを含む、請求項8または9に記載の画像形成方法。
  11. 前記レーザ素子は、単一の基板上に集積され、面発光レーザを構成する、請求項8〜9のいずれか1項に記載の画像形成方法。
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