JP2009065032A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上にゲート電極を形成し、
   前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート絶縁膜上に金属元素を含む層を形成し、前記金属元素を含む層上に半導体層を形成した後、レーザビームの照射、又は加熱によってシリサイド層を形成し、前記シリサイド層上に微結晶半導体膜を形成することにより、金属元素を含む微結晶半導体膜を形成し、
   前記金属元素を含む微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
   前記非晶質半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜で形成されるソース領域及びドレイン領域を形成し、
   前記ソース領域及び前記ドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
2. 請求項１において、
   前記金属元素を含む層を、薄膜形成方法又は金属元素を含む溶液の塗布によって形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。