JP2009064824A - 半導体装置と半導体装置に対するマーキング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体装置の表面に、識別し易いマーキングを形成する技術を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ半導体層の表面に金属膜が形成されている半導体装置１には、金属膜の表面２０ａのうちマーク３を形成する範囲にＳｎ系のハンダ１０を配置し、半導体装置１を加熱し、ハンダ１０を配置した範囲のハンダ１０と金属膜との合金１２を形成し、合金１２のマーク３を形成する。Ｓｉ半導体層の表面が露出している半導体装置には、マーキングを形成する範囲のＳｉ半導体層の表面を局所的に加熱し、その範囲にＳｉ半導体層の表面に酸化膜を形成し、酸化膜でマークを形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表面にマークが形成されている半導体装置と、そのマークを形成するマーキング方法に関する。

半導体装置の表面に、半導体装置に関する情報、例えば半導体装置の種類やロットナンバーや半導体装置が製造されたウェーハ内の位置等を示すマークを表示することがある。
マークを形成するマーキング方法が開発されており、特許文献１に開示されている。特許文献１の技術では、半導体装置の表面のマーク形成範囲にレーザーを照射し、その範囲の半導体装置の表面を削って窪みを形成する。あるいは、マーク形成範囲にレーザーを照射し、その範囲の半導体装置の表面を融解して窪みを形成している。窪みによって文字等のパターンを形成する。なお、本明細書では、半導体装置に関する情報を光学的に読み取り可能に表示するものをマークといい、人が読み取る文字等の他、光学機器を利用して認識可能なコードを含むものとする。

特開２００６−２６９５９８号公報

従来の技術では、半導体装置の表面を局所的に削るか、あるいは局所的に融解することによって形成される窪みのパターンを利用してマークを形成する。
窪みが形成されている範囲と形成されていない範囲は、同じ素材で構成されている。例えば、表面に金属膜が形成されている半導体装置では、窪みの内外とも同じ金属で形成されている。表面に半導体層が露出している半導体装置では、窪みの内外とも同じ半導体層で形成されている。従来のマーキング方法で形成されるマークは、マーク形成範囲とマーク形成範囲外とのコントラストが低く、マークが識別し難かった。
本発明は、上記の問題点を解決するために創案された。すなわち、本発明は、半導体装置の表面に識別し易いマークを形成するマーキング方法を提供する。

本発明で創作された半導体装置に対するマーキング方法は、半導体装置の表面に金属膜が形成されている場合と、金属膜が形成されていない場合とを分けて扱う。
半導体装置の表面に金属膜が形成されている場合の第１のマーキング方法では、半導体装置の表面に形成されている金属膜の表面のマーク形成範囲にＳｎ系のハンダを配置する工程と、ハンダを配置した半導体装置を加熱してハンダを配置した範囲で金属膜を形成している金属とはんだとの合金を形成する加熱工程を実施する。その他の工程が含まれていてもよい。

本方法によって形成されたマークは、金属膜を形成している金属とＳｎ系のハンダとの合金によって構成されている。マークが形成されていない範囲には合金化していない金属膜が残っている。合金化していない金属膜の背景の中に合金化しているマークを形成する。マーク形成範囲とマーク形成範囲外の材質が相違する。マーク形成範囲とマーク形成範囲外のコントラストが高い。半導体装置の表面に、識別し易いマークを形成することができる。

半導体装置の表面に金属膜が形成されている場合の第２のマーキング方法では、半導体装置の表面に形成されている金属膜の表面にＳｎ系のハンダ膜を形成する工程と、ハンダ膜を形成した半導体装置のマーク形成範囲のハンダ膜を局所的に加熱し、その範囲で金属膜を形成している金属とはんだとの合金を形成する局所的加熱工程と、合金化していないハンダを除去する工程を実施する。その他の工程が含まれていてもよい。

上記方法でも、合金化していない金属膜の背景の中に合金化しているマークを形成することができる。マーク形成範囲とマーク形成範囲外のコントラストが高い。半導体装置の表面に、識別し易いマークを形成することができる。

マーク形成範囲を局所的に加熱する工程では、レーザーリフローを用いることが好ましい。
レーザーリフローを用いることによって微細範囲を局所的に加熱することができる。微細なマークを形成することができる。マークによって表示する単位面積あたりの情報量を増やすことができる。

半導体装置の表面に半導体層が露出している場合のマーキング方法では、マーク形成範囲の半導体層の表面を、その範囲内の半導体層の表面が酸化して酸化膜を形成するまで加熱する酸化膜形成工程を実施する。その他の工程が含まれていてもよい。

本方法によると、酸化していない半導体層の背景の中に酸化しているマークを形成することができる。マーク形成範囲とマーク形成範囲外の材質が相違する。マーク形成範囲とマーク形成範囲外のコントラストが高い。半導体装置の表面に、識別し易いマークを形成することができる。

酸化膜形成工程では、半導体層の表面にレーザーを照射してマーク形成範囲内の半導体層の表面を局所的に加熱する手法を採用することができる。その際のレーザーの照射条件を半導体層の表面を削らない条件に設定しておけば、半導体層の表面を削らないで酸化膜を形成することができる。
この場合、微細なマークを形成することができる。マークによって表示する単位面積あたりの情報量を増やすことができる。

酸化膜形成工程で、酸化膜の厚みが異なる複数の区画を半導体層の表面に形成することもできる。
酸化膜の厚みによって観測色が相違する。マーク形成範囲を複数の区画に分割し、区画によって厚みが異なる酸化膜を形成すれば、マーク内に色彩分布を形成することができ、より多くの情報量を示すマークを形成することができる。
区画によって厚みが異なる酸化膜を形成する手法は特に限定されない。区画によってレーザー照射条件を変えてもよい。あるいは、同一の照射条件で実施するレーザー照射処理の実施回数を区画によって変えてもよい。

本発明によって、以下の半導体装置も実現される。第１の半導体装置は、半導体層と、その半導体層の表面に形成されている金属膜と、その金属膜の表面の一部に形成されているとともに、金属膜を形成している金属とＳｎ系ハンダとの合金層によって形成されているマークとを備えている。
この半導体装置では、合金化していない金属膜の背景の中に合金化しているマークが形成されている。マーク形成範囲とマーク形成範囲外のコントラストが高い。半導体装置の表面に、識別し易いマークが形成されている。

本発明によって実現された第２の半導体装置は、半導体層と、半導体層の表面の一部に形成されているとともに、前記半導体層の酸化膜によって形成されているマークを備えている。
この半導体装置では、酸化していない半導体層の背景の中に酸化しているマークが形成されている。マーク形成範囲とマーク形成範囲外のコントラストが高い。半導体装置の表面に、識別し易いマークが形成されている。

酸化膜の膜厚がマーク形成範囲を複数個に分割した区画によって異なっていることが好ましい。
膜厚によって酸化膜を観察したときの色が相違する。色の違いを用いることによって多くの情報量を含むマークを形成することができる。

マークは、人が認識可能な文字等であってもよいが、光学機器を利用して認識可能なコードを含むものとする。典型的にはバーコードや２次元バーコードを含む。
光学機器を利用して認識可能なコードは、文字等と比較して単位面積あたりに表示する情報量を増やすことができる。特に酸化膜によってマークが形成されている場合には、膜厚の相違によって得られる色を組合わせて用いると、単位面積あたりに情報量を飛躍的に増大させることができる。さらに、光学機器を利用して半導体装置の関する情報を読み取ると、その情報を活用したその後の処理を自動化しやすい。

本発明によると、半導体装置の表面に、識別し易いマークを形成することができる。

以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（第１特徴） 半導体層５０の表面５０ａに金属膜６が形成されている。金属膜６は、複数の種類の金属膜の積層構造となっている。金属膜６の最表面には、Ａｕ膜２０が形成されている。マーク３は、Ｓｎ系のハンダ１０とＡｕ膜２０のＡｕとの合金１２で形成されている（図２と図３）。
（第２特徴） 金属膜６の最表面にはＡｕ膜２２が形成されており。Ａｕ膜２２の下にはＮｉ膜３０が形成されている。マーク３は、Ｓｎ系ハンダ１０とＡｕ膜２０のＡｕとＮｉ膜３０のＮｉとの合金１２ａで形成されている（図４）。
（第３特徴） Ｓｉ半導体層５０の表面５０ａに、膜厚が相違する複数個のＳｉ酸化膜を互いに相違する位置に形成することで、多色のコード部４ｃを形成する（図７）。

（第１実施例）
本発明を具現化した半導体装置の第１実施例を、図１から図３を参照して説明する。本実施例の半導体装置１のマーク３の特徴は、図３に示すように、マーク３が半導体装置１のＳｉ半導体層５０の表面に形成されている金属膜６とＳｎ系ハンダ１０との合金１２で形成されていることである。
図１は、マーク３が形成された半導体装置１を上面視した図である。図２は、マーク３の形成工程を説明する図である。図３は、マーク３が形成された半導体装置１の断面図（図１のIII−III線断面図）である。

図１に示すように、本実施例の半導体装置１には、その表面２０ａにマーク３が形成されている。マーク３は、半導体装置１の品番やロット番号等の個別情報を示している。マーク３は、文字部２とコード部４を備えている。文字部２は、人が視認可能な英数字等の文字列によって形成されている。コード部４は、コードの読み取り装置等によって識別可能に形成されている。コード部４は、合金１２の形成パターン（コード部４の形成エリア内で合金１２がどのように配置されているか）によって半導体装置１の個別情報を示している。コード部４は、２次元バーコードの１種である。
半導体装置１は、図３に示すように、Ｓｉ半導体層５０と、その表面５０ａに形成されている金属膜６を備えている。金属膜６は、Ｓｉ半導体層５０の表面５０ａの上に、その表面５０ａに接しているＴｉ／Ａｌ膜４０を備えている。Ｔｉ／Ａｌ膜４０の上に、その表面に接しているＮｉ膜３０を備えている。Ｎｉ膜３０の上に、その表面に接しているＡｕ膜２０を備えている。上記したマーク３は、Ａｕ膜２０の表面２０ａに形成されている。

マーク３の形成方法を、図２を参照して説明する。
図２に示すように、Ａｕ膜２０の表面２０ａのうちマーク３（文字部２とコード部４）を形成する範囲に、Ｓｎ系のハンダ１０を配置する。ハンダ１０は、印刷やインクジェットによって表面２０ａ上に局所的に配置することができる。
次に、半導体装置１をリフロー炉等で加熱する。図３に示すように、ハンダ１０が配置された範囲では、ハンダ１０とＡｕ膜２０のＡｕとから、ハンダ１０とＡｕとの合金１２が形成される。合金１２が形成された範囲が、マーク３となる。

（第１実施例の変形例）
図４に示す半導体装置１ａでは、Ａｕ膜２２が、半導体装置１のＡｕ膜２０（図３参照）よりも薄い。この場合には、Ｓｎ系のハンダを配置した範囲に、ハンダとＡｕ膜２２のＡｕとＮｉ膜３０のＮｉとの合金１２ａが形成される。合金１２ａが形成された範囲が、マーク３（文字部２とコード部４）となる。図４には、文字部２が形成されている位置での半導体装置１ａの断面図を示している。図４には記載されていないが、半導体装置１ａでは、コード部４（図１参照）も文字部２と同様にして合金１２ａで形成されている。

本実施例によって形成されたマーク３は、Ｓｎ系のハンダ１０とＡｕとの合金１２によって構成されている。あるいは、マーク３は、Ｓｎ系のハンダ１０とＡｕとＮｉとの合金１２ａによって構成されている。マーク３が形成されていない範囲には、Ａｕ膜２０が残っている。Ａｕ膜２０の背景の中に、合金１２，１２ａでマーク３を形成する。マーク３が形成されている範囲と形成されていない範囲の材質が相違する。マーク３が形成されている範囲と形成されていない範囲とのコントラストが高い。半導体装置１，１ａに、識別し易いマーク３を形成することができる。
本実施例のマーキング方法では、マーク３の一部にコード部４を形成している。近年、半導体装置１，１ａのチップサイズが小型化し、その表面に文字等のマーク３を形成しても人が視認し難いことがある。コード部４は、読み取り用機械で識別することができる。コード部４のコードは文字等と比較して占有面積が小さい。単位面積あたりのマーク３が含む情報量を増やすことができる。

本実施例のマーキング方法によると、従来技術とは相違し、マーク３を形成するために金属膜６の表面２０ａに窪みを形成しなくてもよい。レーザーで金属膜６を削って窪みを形成すると、その範囲の金属膜６が局部的に欠損して半導体層５０が露出することがあった。金属膜６は、半導体装置１，１ａが動作している際に発生した熱を放熱する役割を果たす。その金属膜６が局部的にでも欠損すると、金属膜６による半導体装置１，１ａの放熱効果が低減してしまう。本実施例のマーキング方法によると、金属膜６を欠損することがないので、金属膜６による半導体装置１，１ａの放熱効果を確保することができる。
金属膜６の表面２０ａに窪みを形成すると、窪みに存在していた金属が周囲に飛散して悪影響を及ぼすことがあった。本実施例のマーキング方法によると、従来技術とは相違し、マーク３を形成するために金属膜６の表面２０ａに窪みを形成しなくてもよい。金属が周囲に飛散して悪影響を及ぼすこともない。

（第２実施例）
本発明を具現化した半導体装置の第２実施例を、図５と図６を参照して説明する。本実施例の半導体装置１ｂのマーク３の形成方法の特徴は、図５に示すようにＡｕ膜２０の表面２０ａにＳｎ系のハンダの膜（ハンダ膜１０ｂ）を形成し、その後にマーク３を形成する範囲のハンダ膜１０ｂを局所的に加熱することである。

本実施例の半導体装置１ｂにも、そのＡｕ膜２０の表面２０ａに、第１実施例の半導体装置１と同様のマーク３を形成する。また、半導体装置１ｂの構造は、第１実施例の半導体装置１と同様に、半導体層５０と金属膜６を備えている。金属膜６の表面にはＡｕ膜２０が形成されている。
マーク３の形成方法を、図５と図６を参照して説明する。
図５に示すように、Ａｕ膜２０の表面２０ａにＳｎ系のハンダ膜１０ｂを形成する。ハンダ膜１０ｂは、めっきやスパッタや印刷や蒸着等によって表面２０ａ上の全面に形成することができる。
次に、図６に示すように、マーク３を形成する範囲のみに、レーザー１４を照射してハンダ膜１０ｂを局所的に加熱する。局所的に加熱した範囲のみに、ハンダ膜１０ｂのハンダとＡｕ膜２０のＡｕとの合金１２ｂが形成される。
次に、合金化していないハンダ膜１０ｂを塩酸系のエッチング液を用いて除去する。合金１２ｂはエッチングされない。合金１２ｂが形成された範囲がマーク３として残る。
図６は、文字部２が形成されている位置での半導体装置１ａについて、合金化していないハンダを除去する前の状態の断面図を示している。図６には記載されていないが、半導体装置１ｂでは、コード部４（図１参照）も文字部２と同様にして合金１２ｂで形成されている。
第１実施例の変形例と同様に、Ａｕ膜２０が薄い場合には、形成された合金が、ハンダ膜１０ｂのハンダとＡｕ膜２０のＡｕとＮｉ膜３０のＮｉとの合金となる。

本実施例のマーキング方法では、レーザーリフローによってハンダ膜１０ｂのハンダを局所的に加熱している。微細な局所範囲を加熱することができる。微細なマーク３を形成することができる。単位面積あたりのマーク３が含む情報量を増やすことができる。

（第３実施例）
本発明を具現化した半導体装置の第３実施例を、図７と図８を参照して説明する。本実施例の半導体装置１ｃのマーク３ｃの特徴は、図８に示すように、マーク３ｃがＳｉ半導体層５０の酸化膜で形成されていることである。
図７は、マーク３ｃが形成された半導体装置１ｃを上面視した図である。図８は、マーク３ｃが形成された半導体装置１ｃの断面図（図７のVIII−VIII線断面図）である。

本実施例の半導体装置１ｃは、図８に示すように、その表面に半導体層５０の表面５０ａが露出している。すなわち、第１実施例の半導体装置１のように、半導体層５０の表面５０ａ上に金属膜６が形成されていない。半導体装置１ｃでは、半導体層５０の表面５０ａにマーク３ｃが形成されている。マーク３ｃは、文字部２ｃとコード部４ｃを備えている。文字部２ｃは、人が視認可能な英数字等の文字列によって形成されている、コード部４ｃは、ほぼ同一四角形状の９個の酸化膜によって構成されている。９個の酸化膜は、各々が後述する７色のうちのいずれかの色を有している。コード部４ｃに含まれている情報は、コードの読み取り装置等によって識別可能に形成されている。
図７に示す半導体装置１ｃでは、Ｓｉ半導体層５０の表面５０ａが露出している（金属膜が形成されていない）。

マーク３ｃの形成方法を、図８を参照して説明する。
本実施例では、マーク３ｃを形成する範囲のみを表面５０ａからレーザーアニールする。レーザーが照射された範囲のＳｉ半導体層５０が酸化膜となる。Ｓｉ半導体層５０のＳｉは酸素を取り込んで酸化膜になると体積が増える。このため、図８に示しように、酸化膜が半導体層５０の表面５０ａから突出する。
このとき、レーザーの照射条件は、表面５０ａに露出しているＳｉ半導体層５０が酸化して酸化膜が形成されるとともに、Ｓｉ半導体層５０が削れない条件に設定する。例えば、レーザーのエネルギー密度(J/cm²)で加熱温度を設定することができる。エネルギー密度(J/cm²)は、総エネルギー(W)÷周波数(Hz)÷ビームサイズ(cm²)で算出することができるので、それぞれを選択して加熱温度を設定する。なお、レーザーの照射条件を変化させることによって形成される酸化膜の膜厚を変化させることができる。酸化膜は、その膜厚によって観測色が相違する。以下に膜厚（ｎｍ）と色の対応を示す。

マーク３ｃを構成するための色は、上記表の酸化膜の６色と、酸化膜が形成されていないＳｉ半導体層５０の表面５０ａ自体の１色を併せ、７色のうちから選択可能である。上記表に基づいてレーザーの照射条件を変更し、マーク３を形成する位置に、各々の膜厚（各々の色）の酸化膜を形成する。
図７に示すコード部４ｃは、９個の酸化膜で構成されている。例えば、酸化膜６０は厚みが３００ｎｍであり、青紫色である。酸化膜６２は厚みが１００ｎｍであり、赤紫色である。酸化膜６４は厚みが２００ｎｍであり、黄色である。コード部４ｃのように９個の酸化膜で構成されている場合には、９個のそれぞれについて７色を選択することができるので、７^９種類のコードを形成することができる。
文字部２ｃは、いずれの膜厚の酸化膜であってもよい。

本実施例のマーク３ｃの形成方法によると、半導体層５０の酸化膜で構成されるマーク３ｃを形成することができる。マーク３ｃが形成されていない範囲は半導体層５０が露出している。半導体層５０が露出している表面５０ａの背景の中に酸化膜のマーク３ｃを形成する。マーク３ｃが形成されている範囲と形成されていない範囲の材質が相違する。マーク３ｃが形成されている範囲と形成されていない範囲のコントラストが高い。これにより、半導体装置１ｃの表面５０ａに、識別し易いマーク３ｃを形成することができる。
また、レーザーを用いて半導体層５０の表面５０ａを削る従来の方法と比較すると、削りクズが発生することがなく好ましい。
また、レーザーを照射して半導体層５０の表面５０ａを局所的に加熱することによって微細な局所範囲を加熱することができる。微細なマーク３ｃを形成することができる。単位面積あたりのマーク３ｃが含む情報量を増やすことができる。
半導体層５０の酸化膜は、その膜厚によって色が相違する。色の違いを用いることによって多くの情報量を含むマーク３ｃを形成することができる。
また、本実施例のマーキング方法では、マーク３ｃの一部としてコード部４ｃを形成している。近年、半導体装置１ｃのチップサイズが小型化し、その表面に文字等のマーク３ｃを形成しても人が視認し難いことがある。コード部４ｃは、読み取り用機械で識別することができる。コード部４ｃのコードは文字等と比較して占有面積が小さい。単位面積あたりのマーク３ｃが含む情報量を増やすことができる。

本実施例では、酸化膜の厚みを調整して多色で構成されているマーク３ｃのコード部４ｃを形成する場合について説明したが、コード部４ｃは多色ではなくてもよい。第１実施例のコード部４（合金１２で形成されている）と同様に、酸化膜の形成パターンによって半導体装置１ｃの個別情報を示すものであってもよい。

第１実施例から第３実施例では、半導体装置１，１ａ，１ｂ，１ｃの表面２０ａ，５０ａに、文字部２，２ａ，２ｂ，２ｃとコード部４，４ａ，４ｂ，４ｃの双方を形成する場合について説明したが、マーキングとしては、文字部とコード部の少なくともいずれか一方が形成されていればよい。
また、第１実施例と第２実施例では、半導体層５０の表面５０ａに金属膜６が形成されている場合に、その最表面に形成されているＡｕ膜２０にマーク３を形成する場合について説明したが、金属膜６の材質は、実施例に限定されるものではない。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

半導体装置１を上面視した図である。 表面２０ａに形成されているマーク３（文字部２とコード部４）を形成する過程を示す図である。 半導体装置１の断面図である。 半導体装置１ａの断面図である。 半導体装置１の表面２０ａに形成されているマーク３を形成する過程を示す図である。 半導体装置１ａの表面２０ａに形成されているマーク３を形成する過程を示す図である 半導体装置１ｃを上面視した図である。 半導体装置１ｃの断面図である。

符号の説明

１，１ａ，１ｂ，１ｃ：半導体装置
２，２ａ，２ｂ，２ｃ：文字部
３、３ｃ：マーク
４，４ａ，４ｂ，４ｃ：コード部
６：金属膜
１０：ハンダ
１０ｂ：ハンダの膜
１２，１２ａ，１２ｂ：合金
２０，２２：Ａｕ膜
２０ａ：表面
３０：Ｎｉ膜
４０：Ｔｉ／Ａｌ膜
５０：半導体層
５０ａ：表面
６０，６２，６４：酸化膜

Claims (10)

1. 半導体装置の表面に形成されている金属膜の表面にマーキングする方法であり、
   その金属膜の表面のマーク形成範囲にＳｎ系のハンダを配置する工程と、
   ハンダを配置した半導体装置を加熱し、ハンダを配置した範囲で金属膜を形成している金属とはんだとの合金を形成する加熱工程、
   を備えていることを特徴とするマーキング方法。
2. 半導体装置の表面に形成されている金属膜の表面にマーキングする方法であり、
   その金属膜の表面にＳｎ系のハンダ膜を形成する工程と、
   ハンダ膜を形成した半導体装置のマーク形成範囲のハンダ膜を局所的に加熱し、その範囲で金属膜を形成している金属とはんだとの合金を形成する局所的加熱工程と、
   合金化していないハンダを除去する工程、
   を備えていることを特徴とするマーキング方法。
3. 前記局所的加熱工程で、レーザーリフローを用いることを特徴とする請求項２に記載のマーキング方法。
4. 半導体装置の表面に露出している半導体層の表面にマーキングする方法であり、
   マーク形成範囲の半導体層の表面を、その範囲内の半導体層の表面が酸化して酸化膜を形成するまで加熱する酸化膜形成工程を備えていることを特徴とするマーキング方法。
5. 前記酸化膜形成工程で、半導体層の表面にレーザーを照射してマーク形成範囲内の半導体層の表面を局所的に加熱するとともに、そのレーザーの照射条件が半導体層の表面を削らない条件に設定されていることを特徴とする請求項４に記載のマーキング方法。
6. 前記酸化膜形成工程で、前記酸化膜の厚みが異なる複数の区画を半導体層の表面に形成することを特徴とする請求項５に記載のマーキング方法。
7. 半導体層と、
   その半導体層の表面に形成されている金属膜と、
   その金属膜の表面の一部に形成されているとともに、前記金属膜を形成している金属とＳｎ系ハンダとの合金層によって形成されているマークと、
   を備えていることを特徴とする半導体装置。
8. 半導体層と、
   半導体層の表面の一部に形成されているとともに、前記半導体層の酸化膜によって形成されているマークと、
   を備えていることを特徴とする半導体装置。
9. 前記酸化膜の膜厚がマーク形成範囲を複数個に分割した区画によって異なっていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記マークが、半導体装置の情報を示すコードであることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の半導体装置。

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