JP2009059648A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 回路基板と、導体パターンとを含む電子デバイスであって、
   前記導体パターンは、前記回路基板上に設けられ、導電層と、絶縁層とを含んでおり、
   前記絶縁層は、前記導電層の一面上に存在しており、
   前記導電層は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含んでおり、
   前記高融点金属粒子は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｉ、または、Ｎｉの群から選択された少なくても１種を含んでおり、
   前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉの群から選択された少なくても１種を含む、
   電子デバイス。
2. 請求項１に記載された電子デバイスであって、
   前記絶縁層は、熱硬化性樹脂から形成され、硬化点が、前記低融点金属粒子の融点より高く、前記高融点金属粒子の融点より低い、
   電子デバイス。