JP2009059648A - 導体パターン用導電性組成物、それを用いた電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法。 - Google Patents
導体パターン用導電性組成物、それを用いた電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009059648A JP2009059648A JP2007227516A JP2007227516A JP2009059648A JP 2009059648 A JP2009059648 A JP 2009059648A JP 2007227516 A JP2007227516 A JP 2007227516A JP 2007227516 A JP2007227516 A JP 2007227516A JP 2009059648 A JP2009059648 A JP 2009059648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal particles
- melting point
- conductive
- point metal
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 123
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 103
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 103
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 54
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 22
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 14
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 8
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 8
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 nitrogen-containing compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係る導体パターン用導電性組成物は、樹脂と、導電性金属粒子を含む。前記導電性粒子は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含む。前記高融点金属粒子は、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si、または、Niの群から選択された少なくても1種を含む。前記低融点金属粒子は、Sn、In、Biの群から選択された少なくても1種を含む。
【選択図】図4
Description
本発明は、導体パターン用導電性組成物について、2つの態様を開示する。
第1の態様に係る導体パターン用導電性組成物は、樹脂と、導電性金属粒子を含む。前記導電性粒子は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含む。前記高融点金属粒子は、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si、または、Niの群から選択された少なくても1種を含む。前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、Sn、In、Biの群から選択された少なくても1種を含む。
第2の態様に係る導体パターン用導電性組成物は、熱硬化性樹脂と、導電性金属粒子を含む。前記導電性粒子は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含んでいる。前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、前記熱硬化樹脂の硬化点は、前記低融点金属粒子の融点より高く、前記高融点金属粒子の融点より低い。
本発明に係る電子デバイスは、回路基板と、導体パターンとを含む。前記導体パターンは、前記回路基板上に設けられ導電層と、絶縁層の2層を含み、前記絶縁層は、前記導電層の一面上に存在し、前記導電層は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含み、前記高融点金属粒子は、Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Ir、Al、または、Niのうち少なくても1種を含んでおり、前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、Sn、In、Biの群から選択された少なくても1種を含む。
(1)導電性の高い導体パターンを形成するのに適した導電性組成物、及び、これを用いた電子デバイスを提供することができる。
(2)銀マイグレーション、及び、銅の酸化による導電性低下を防止することのできる導電性組成物、及び、これを用いた電子デバイスを提供することができる。
(1)導電性組成物の製造
まず、図5に記載された遠心式粒状化装置を用いて、高融点金属粒子、及び、低融点金属粒子を製造した。高融点金属粒子の原料としてはCuを使用し、低融点金属粒子として、In/Sn合金を使用した。In/Sn合金は、In50wt%、Sn50wt%の組成のものを用いた。
(2)電子デバイスの製造
基板として、合成樹脂(例えばPET)を基材とする厚さ50μmのものを使用した。
実施例1で用いた高融点金属粒子、低融点金属粒子、及び、エポキシ樹脂を使用して同様に導電性ペーストを作成した。得られた導電性ペーストの組成は、表1に記載されたものであった。
実施例1で用いた高融点金属粒子、低融点金属粒子、及び、エポキシ樹脂を使用して同様に導電性ペーストを作成した。得られた導電性ペーストの組成は、表1に記載されたものであった。
銀粒子、及び、エポキシ樹脂を使用して導電性ペーストを作成した。得られた導電性ペーストの組成は、表1に記載されたものであった。
高融点金属粒子としてCu粒子、低融点金属粒子として粒径20μmのIn/Sn合金、及び、実施例1で用いたエポキシ樹脂を使用して導電性ペーストを作成した。得られた導電性ペーストの組成は、実施例1と同様であった。又、In/Sn合金は、コンポジット構造を含有しないものを使用した。
A:導電性粒子全量に対する高融点金属粒子の割合(重量パーセント)
B:導電性粒子全量に対する低融点金属粒子の割合(重量パーセント)
C:樹脂100重量部に対する導電性金属粒子の割合(重量パーセント)
表1は、実施例1〜3、及び、比較例で製造した導電性ペーストの組成を示したものである。
表1、及び、表2より、実施例1〜3は、良好な導電性を示した。このことにより、実施例1〜3では、銅の酸化を防止できたことが分かる。更に、図5の断面写真により、実施例1〜3では、樹脂層と、導電層の2層に分かれ、絶縁層の表面を樹脂層が被膜している。又、絶縁層では、低融点金属が融解して固化したため、隙間や断線等がない構造を取ることが分かる。
次に、実施例1〜3で製造された導電性ペーストと、比較例2で製造された導電ペーストをそれぞれPETフィルムに塗布し、そのPETフィルムを何回折り曲げると、断線が生じるかを測定する強度試験を行った。加える荷重や、塗布する厚さ、室温等の実験条件は同一とした。
2 樹脂
3 導電性金属粒子
4 高融点金属粒子
5 低融点金属粒子
Claims (6)
- 樹脂と、導電性金属粒子とを含む導体パターン用導電性組成物であって、
前記導電性粒子は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含んでおり、
前記高融点金属粒子は、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si、または、Niの群から選択された少なくても1種を含んでおり、
前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、Sn、In、Biの群から選択された少なくても1種を含む、
導体パターン用導電性組成物。 - 請求項1に記載された導体パターン用導電性組成物であって、
前記樹脂は、熱硬化性樹脂であり、硬化点が、前記低融点金属粒子の融点より高く、前記高融点金属粒子の融点より低い、
導体パターン用導電性組成物。 - 熱硬化性樹脂と、導電性金属粒子を含む導体パターン用導電性組成物であって、
前記導電性粒子は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含んでおり、
前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、
前記熱硬化樹脂の硬化点は、前記低融点金属粒子の融点より高く、前記高融点金属粒子の融点より低い、
導体パターン用導電性組成物。 - 請求項1乃至3の何れかに記載された導電性組成物であって、粉状又はペースト状である、導電性組成物。
- 回路基板と、導体パターンとを含む電子デバイスであって、
前記導体パターンは、前記回路基板上に設けられ、導電層と、絶縁層とを含んでおり、
前記絶縁層は、前記導電層の一面上に存在しており、
前記導電層は、高融点金属粒子と、低融点金属粒子とを含んでおり、
前記高融点金属粒子は、Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si、または、Niの群から選択された少なくても1種を含んでおり、
前記低融点金属粒子は、コンポジット構造を有し、Sn、In、Biの群から選択された少なくても1種を含む、
電子デバイス。 - 回路基板と、導体パターンとを含む電子デバイスの製造方法であって、
回路基板上に、請求項1乃至4のいずれかに記載された導電性組成物を塗布し、
次に、100〜300℃で熱処理を行う、
工程を含む、製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227516A JP4678654B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電子デバイス。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227516A JP4678654B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電子デバイス。 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011012071A Division JP4790089B2 (ja) | 2011-01-24 | 2011-01-24 | 導電性組成物及び電子デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059648A true JP2009059648A (ja) | 2009-03-19 |
JP2009059648A5 JP2009059648A5 (ja) | 2009-07-16 |
JP4678654B2 JP4678654B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=40555198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007227516A Active JP4678654B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 電子デバイス。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4678654B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153073A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Toshiba Corp | 電子デバイス及び配線形成方法 |
CN103378051A (zh) * | 2012-04-24 | 2013-10-30 | 纳普拉有限公司 | 电子设备 |
JP2017069189A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 三ツ星ベルト株式会社 | 導電性ペースト並びに電子基板及びその製造方法 |
WO2017105011A1 (ko) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 주식회사 엘지화학 | 금속 페이스트 및 열전 모듈 |
US10575412B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-25 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Electroconductive paste, electronic substrate, and method for manufacturing said substrate |
US10622533B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-04-14 | Lg Chem, Ltd. | Metal paste and thermoelectric module |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10279903A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
JP2002260444A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 導電性ぺースト、プリント配線基板とその製造方法および半導体装置とその製造方法 |
JP2003305588A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-28 | Fujitsu Ltd | 接合材料 |
JP2006257408A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
-
2007
- 2007-09-03 JP JP2007227516A patent/JP4678654B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10279903A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
JP2002260444A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 導電性ぺースト、プリント配線基板とその製造方法および半導体装置とその製造方法 |
JP2003305588A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-28 | Fujitsu Ltd | 接合材料 |
JP2006257408A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013153073A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Toshiba Corp | 電子デバイス及び配線形成方法 |
CN103378051A (zh) * | 2012-04-24 | 2013-10-30 | 纳普拉有限公司 | 电子设备 |
JP2017069189A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 三ツ星ベルト株式会社 | 導電性ペースト並びに電子基板及びその製造方法 |
WO2017105011A1 (ko) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 주식회사 엘지화학 | 금속 페이스트 및 열전 모듈 |
US10622533B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-04-14 | Lg Chem, Ltd. | Metal paste and thermoelectric module |
US10998482B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-05-04 | Lg Chem, Ltd. | Metal paste and thermoelectric module |
US10575412B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-25 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Electroconductive paste, electronic substrate, and method for manufacturing said substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4678654B2 (ja) | 2011-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4678654B2 (ja) | 電子デバイス。 | |
WO2017033911A1 (ja) | 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法 | |
KR101886085B1 (ko) | 카본 성분을 포함하는 플럭스 조성물, 이를 포함하는 솔더 페이스트 및 솔더링 방법 | |
KR102236907B1 (ko) | 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막 | |
JP3991218B2 (ja) | 導電性接着剤及びその製造方法 | |
TWI652694B (zh) | 導電性糊及使用該導電性糊製造半導體裝置之方法 | |
WO2018043681A1 (ja) | 銀被覆合金粉末、導電性ペースト、電子部品及び電気装置 | |
JP2011146193A (ja) | 電極材料 | |
JP2006279038A (ja) | 導電性配線材料、配線基板の製造方法及びその配線基板 | |
JP4790089B2 (ja) | 導電性組成物及び電子デバイスの製造方法 | |
JP6959706B2 (ja) | 電気部品 | |
JP2008179851A (ja) | 銀粉の製造方法及び銀粉 | |
US10325693B2 (en) | Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom | |
US9951231B2 (en) | Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom | |
JP5754090B2 (ja) | ガラスフリット、およびこれを用いた導電性ペースト、電子デバイス | |
KR102265548B1 (ko) | 후막 도체 형성용 조성물 및 그것을 사용하여 얻어지는 후막 도체 | |
JP3998536B2 (ja) | 接合材料およびその製造方法、接合材料の供給方法ならびに電子回路基板 | |
WO2016029398A1 (en) | Solar cells with copper electrodes | |
JP2010165544A (ja) | 導電性樹脂材料 | |
JP2011006739A (ja) | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト | |
JP2004055345A (ja) | 微細回路形成用導電性ペースト | |
JP2010131605A (ja) | はんだコート形成材料及びはんだコート形成材料の製造方法 | |
WO2020012226A1 (en) | Additivated solder paste and process for applying a reactive additive element for selective control of soldering temperature on the reflow soldering method | |
CN108109719A (zh) | 一种导电浆料及其制备方法 | |
KR100784762B1 (ko) | 도전성 금속 페이스트 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090529 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100528 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20100826 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4678654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |