JP2009055625A - 圧電素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電基板1は、基材11と、基材11の一方の主面上に形成された膜12とから主に構成されている。基材11において、膜12を形成する主面は、鏡面化された主面11aである。この圧電基板1は、基材11の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜12を、鏡面化された主面11a上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る圧電基板を示す断面図である。図1に示す圧電基板1は、基材11と、基材11の一方の主面上に形成された膜12とから主に構成されている。基材11において、膜12を形成する主面は、鏡面化された主面11aである。
(実施例)
線膨張係数が16.1×10-6/Kであり、直径4インチ、厚さ0.25mmのタンタル酸リチウム製基板(LT基板)21の一方の主面(裏面)を鏡面化した。なお、鏡面化処理は、コロイダルシリカを用いて研磨機により行った。線膨張係数は、サーモプラス2(株式会社リガク社製)のシステムの熱機械分析装置(TMA−8310)の示差膨張モードにおいて測定した(於工業技術センター)。
図5(a)に示すように、直径4インチ、厚さ約0.5mmのLT基板31の一方の主面(裏面)に直径4インチ、厚さ0.4mmのサファイア基板32を常温接合した。なお、常温接合の際には、LT基板31及びサファイア基板32の接合面をアルゴンイオンビームにより活性化した。次いで、図5(b)に示すように、LT基板31の表面側から研削処理及び/又は研磨処理を行って、LT基板31の厚さを20μmに調整した。
11 基材
11a 主面
12 膜
21 LT基板
22 温度補償膜
23 パターン
24 SAWデバイスチップ
24a くし型電極
Claims (4)
- 10×10-6/K〜20×10-6/Kの線膨張係数を有し、鏡面化された主面を有する基材を準備する工程と、前記鏡面化された主面と反対側の主面上に素子を形成する工程と、素子形成された基材の前記鏡面化された主面上に、前記基材の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする圧電素子の製造方法。
- 前記素子がくし型電極であることを特徴とする請求項1記載の圧電素子の製造方法。
- 前記材料は、Ti、W、Mo、Ta、Si及びこれらの合金、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及びこれらの化合物の固溶体、並びにこれら金属及び化合物の混合物からなる群より選ばれた少なくとも一つであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の圧電素子の製造方法。
- 前記基材は、タンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムで構成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の圧電素子の製造方法。
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