JP2009077149A - 弾性境界波装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】不要波による不要応答を抑制した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】本発明の弾性境界波装置は、圧電材料層と、前記圧電材料層の上に配置された電極と、前記電極を覆うように前記圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを備え、前記第2誘電体層の音速は、前記第1誘電体層の音速よりも速く、前記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の弾性境界波装置は、圧電材料層と、前記圧電材料層の上に配置された電極と、前記電極を覆うように前記圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを備え、前記第2誘電体層の音速は、前記第1誘電体層の音速よりも速く、前記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、音速の異なる第1、第2の誘電体層間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置に関する。
レーリー波等の弾性表面波を利用した弾性表面波装置では、小型化及び軽量化を進めることができ、かつ周波数調整が不要である。従って、弾性表面波装置は、携帯電話用RFフィルタ若しくはIFフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)用共振子又はテレビ用VIF(Video Inter-Frequency)フィルタ等に広く用いられている。
弾性表面波は、誘電体表面を伝搬する性質を有するため、誘電体の表面状態の変化に敏感である。従って、弾性表面波が伝搬するフィルタでは、弾性表面波が伝搬するチップ表面を保護しなければならない。そのため、弾性表面波フィルタでは、フィルタ表面に空洞が設けられたパッケージを用いて、弾性表面波装置を気密封止する必要があった。このようなパッケージは一般にコストが高くつき、且つパッケージの寸法が弾性表面波フィルタの寸法よりも大幅に大きくならざるを得なかった。
上記のような空洞を有するパッケージを不要とするフィルタとして、弾性境界波装置が提案されている(例えば、特許文献1〜4参照。)。これらの各弾性境界波装置は、圧電性基板の上に電極が配置され、さらにその圧電性基板の上にその電極を覆うように誘電体層が形成された構成であり、弾性境界波を利用するものであるため、空洞を有するパッケージを必要としない。従って、弾性波装置の小型化及びコストの低減を果たすことができる。
また、上記弾性境界波装置において、圧電性基板の上に形成された誘電体層を第1誘電体層と第2誘電体層とからなる2層構造とすることが提案されている(例えば、特許文献5、6参照。)。この2層構造でも、圧電性基板と第1誘電体層の両方に変位を持つ境界波と呼ばれる弾性波が励振する。この場合、第2誘電体層の音速は、第1誘電体層の音速よりも速いことが必要である。この条件を満たすことで、弾性波を第1誘電体層に閉じ込めることができる。
特開平8−330881号公報
特開平9−275323号公報
特開2001−44787号公報
特開2004−312198号公報
国際公開第98/52279号パンフレット
国際公開第2004/095699号パンフレット
しかし、従来の弾性境界波装置には、アドミッタンスの絶対値の周波数応答において図3に示すように、目的とする周波数よりも高い周波数で不要波が発生する問題があった。不要波による不要応答が存在すると、弾性境界波装置をフィルタとして利用した場合、通過帯域外での抑制レベルが低下する原因となり、弾性境界波装置の実用化には大きな障害となる。
本発明の弾性境界波装置は、圧電材料層と、前記圧電材料層の上に配置された電極と、前記電極を覆うように前記圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを含む弾性境界波装置であって、前記第2誘電体層の音速は、前記第1誘電体層の音速よりも速く、前記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることを特徴とする。
本発明の弾性境界波装置は、不要波による不要応答を抑制することができる。
本発明の弾性境界波装置は、圧電材料層と、圧電材料層の上に配置された電極と、電極を覆うように圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを備え、第2誘電体層の音速は、第1誘電体層の音速よりも速く設定されている。これにより、弾性境界波を第1誘電体層内に閉じ込めることができる。
また、上記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されている。これにより、不要波による不要応答を抑制することができる。本明細書で「主成分として含む」とは、50重量%以上含むことをいう。
上記第2誘電体層は、上記第1誘電体層とは異なる材料から形成され、且つ第2誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることが好ましい。これらを第2誘電体層に用いることにより、より確実に第2誘電体層の音速を第1誘電体層の音速よりも速く設定することができる。なお、第2誘電体層と第1誘電体層とを同じ材料で形成し、且つ第2誘電体層の音速を第1誘電体層の音速よりも速く設定することも製造法的には可能である。例えば、プラズマCVDの成長圧力を変化させることにより、同じ材料であっても音速の異なる物質を作製することができる。
また、弾性境界波の波長をλとしたとき、第2誘電体層の厚さはλ以上であることが好ましい。これにより、弾性境界波を確実に第1誘電体層の内部に閉じ込めることができる。
上記圧電材料層としては、圧電基板、圧電薄膜等を用いることができ、圧電材料層は、LiNbO3又はLiTaO3から形成されていることが好ましい。これらは、k2がある程度大きいからである。LiNbO3又はLiTaO3の結晶方位としては、k2、温度特性、伝搬ロス等を考慮して選択すればよい。
上記第1誘電体層及び上記第2誘電体層の形成方法としては、例えば、スパッタリング、CVD等を用いることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
図1は、本発明の弾性境界波装置の一例を示す平面図である。図1において、弾性境界波装置10は、櫛形電極14と反射器15とを備えている。図1では、後述する第1誘電体層、第2誘電体層を透過して圧電基板11上に配置された櫛形電極14等の回路構成が見えるように図示してある。
図2は、図1のI−I線の断面図である。図2において弾性境界波装置10は、圧電基板11と、圧電基板11の上に配置された櫛形電極14と、櫛形電極14を覆うように圧電基板11の上に形成された第1誘電体層12と、第1誘電体層12の上に形成された第2誘電体層13とを備えている。また、櫛形電極14の弾性境界波伝搬方向の両側には、反射器15が配置されている。
弾性境界波装置10では、櫛形電極14に入力信号を印加することにより、弾性境界波Qが励振され、弾性境界波Qは、図2で模式的に示すように、圧電基板11と第1誘電体層12との界面Pを伝搬する。このためには、第2誘電体層13の音速は、第1誘電体層12の音速よりも速いことが必要である。また、弾性境界波Qの波長をλとしたとき、第2誘電体層13の厚さは1.0λ以上であることが好ましい。これにより、弾性境界波Qを確実に第1誘電体層12の内部に閉じ込めることができる。
図2では、櫛形電極14は、圧電基板11の上に配置されているが、圧電基板11と櫛形電極14との間にさらに誘電体薄膜を配置してもよい。
次に、上記弾性境界波装置の不要応答の抑制効果を確認するために、シュミレーションを行った。具体的には、第1誘電体層と第2誘電体層とに各種の物質の物性を代入し、有限要素法(FEM)による解析を行い、不要応答を計算した。第1誘電体層の厚さは1μm、第2誘電体層の厚さは2μmとし、櫛形電極として厚さ0.2μmのCu電極を用い、電極周期は2μmとした。また、圧電基板としてLiNbO3基板を用いた。
続いて、図3に示すように共振点と不要波のそれぞれ極値でのアドミッタンスの絶対値YfrとYnとを求め、不要応答の減衰比により不要応答の評価を行った。不要応答の減衰比は次式(1)で計算した。
20・log10(Yn/Yfr) [dB] ・・・(1)
また、第1誘電体層と第2誘電体層に用いた各種の物質の物性値を表1に示す。なお、ダイヤモンドライクカーボンは、以下DLCと表示する場合がある。
また、第1誘電体層と第2誘電体層に用いた各種の物質の物性値を表1に示す。なお、ダイヤモンドライクカーボンは、以下DLCと表示する場合がある。
また、各物質の音速は次式(2)で計算した。
(ヤング率/密度)0.5 ・・・(2)
図4は、第1誘電体層にTa2O5とSiO2とをそれぞれ用いた場合において、第2誘電体層の音速を変化させた時の不要応答の減衰比の変化を示した図である。図4から、第2誘電体層の音速が速くなると減衰比が小さくなり、減衰率が大きくなることが分かる。
図4は、第1誘電体層にTa2O5とSiO2とをそれぞれ用いた場合において、第2誘電体層の音速を変化させた時の不要応答の減衰比の変化を示した図である。図4から、第2誘電体層の音速が速くなると減衰比が小さくなり、減衰率が大きくなることが分かる。
図5は、第1誘電体層の音速を図4よりもさらに変化させるとともに、第1誘電体層のそれぞれの音速に対して、第2誘電体層の材料を変えて第2誘電体層の音速をも変化させた場合の不要応答の減衰比の変化を示した図である。図5から、第2誘電体層の音速を速くしても減衰比は第1誘電体層の音速で律速される値以下にはならないことが分かる。
図5において、第1誘電体層の音速が7000m/secの場合と、第2誘電体層がダイヤモンドの場合は減衰比がすでに小さく、減衰比の値が飽和していると考えられるので、これらの値を除いて回帰分析を行った。その結果、
不要応答の減衰比=−51.72+206885/第1誘電体層の音速+62402/第2誘電体層の音速 ・・・(3)
重相関係数R:0.984
となり、重相関係数Rの値が1に近く、かなり精度よく近似できることが分った。
不要応答の減衰比=−51.72+206885/第1誘電体層の音速+62402/第2誘電体層の音速 ・・・(3)
重相関係数R:0.984
となり、重相関係数Rの値が1に近く、かなり精度よく近似できることが分った。
図6は、減衰比のFEM解析値と、式(1)より求めた回帰分析の計算値とを比較した図である。図6では、FEM解析値をドットで示し、回帰分析の計算値をラインで示した。図6から、FEM解析値と回帰分析の計算値がよく一致しているのが分かる。
弾性境界波装置の設計上、不要波は共振点の10%以下とする必要があり、式(1)より減衰比は−10dB以下となる。これを式(3)に代入すると、
41.72>206885/第1誘電体層の音速+62402/第2誘電体層の音速 ・・・(4)
となり、式(4)を満たす必要があることが分かる。即ち、式(4)を満たすように第1誘電体層と第2誘電体層の音速を調整することにより、不要応答を抑制できることが分かる。具体的には、第1誘電体層にアルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料を用いることにより、式(4)を満たすことができ、不要波による不要応答を抑制することができる。これにより、通過帯域外での抑制が良好な弾性波フィルタを提供することができる。
41.72>206885/第1誘電体層の音速+62402/第2誘電体層の音速 ・・・(4)
となり、式(4)を満たす必要があることが分かる。即ち、式(4)を満たすように第1誘電体層と第2誘電体層の音速を調整することにより、不要応答を抑制できることが分かる。具体的には、第1誘電体層にアルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料を用いることにより、式(4)を満たすことができ、不要波による不要応答を抑制することができる。これにより、通過帯域外での抑制が良好な弾性波フィルタを提供することができる。
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
圧電基板に34度回転YカットX伝搬のLiNbO3基板を用い、第1誘電体層にアルミナスパッタ膜(厚さ:1μm)、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:3μm)を用い、櫛形電極にAl電極(厚さ:0.2μm)を用いた弾性境界波装置を作製した。
圧電基板に34度回転YカットX伝搬のLiNbO3基板を用い、第1誘電体層にアルミナスパッタ膜(厚さ:1μm)、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:3μm)を用い、櫛形電極にAl電極(厚さ:0.2μm)を用いた弾性境界波装置を作製した。
(実施例2)
第2誘電体層にダイヤモンドライクカーボン(厚さ:3μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第2誘電体層にダイヤモンドライクカーボン(厚さ:3μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(実施例3)
第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(実施例4)
第1誘電体層にダイヤモンドライクカーボン(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:3μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第1誘電体層にダイヤモンドライクカーボン(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:3μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(実施例5)
第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例4と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例4と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(実施例6)
第1誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第1誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にダイヤモンド(厚さ:1μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(比較例1)
第1誘電体層にSiO2(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にアルミナスパッタ膜(厚さ:2μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第1誘電体層にSiO2(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にアルミナスパッタ膜(厚さ:2μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
(比較例2)
第1誘電体層にサファイア(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:2μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
第1誘電体層にサファイア(厚さ:1μm)を用い、第2誘電体層にSiCスパッタ膜(厚さ:2μm)を用いた以外は、実施例1と同様にして弾性境界波装置を作製した。
実施例1〜6及び比較例1、2の弾性境界波装置を用いて、不要応答の減衰比を測定した。その結果を表2に示す。
表2から、本発明の実施例1〜6の弾性境界波装置は、従来の比較例1の弾性境界波装置に比べて、不要応答の減衰比が小さく(減衰率が大きく)、不要応答が小さいことが分かる。
以上のように、本発明の弾性境界波装置は、不要波による不要応答を抑制することができ、各種の共振器、フィルタ、デュープレクサ等に適用可能である。
Claims (4)
- 圧電材料層と、前記圧電材料層の上に配置された電極と、前記電極を覆うように前記圧電材料層の上に形成された第1誘電体層と、前記第1誘電体層の上に形成された第2誘電体層とを含む弾性境界波装置であって、
前記第2誘電体層の音速は、前記第1誘電体層の音速よりも速く、
前記第1誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されていることを特徴とする弾性境界波装置。 - 前記第2誘電体層は、前記第1誘電体層とは異なる材料から形成され、且つ、前記第2誘電体層は、アルミナ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素及びダイヤモンドからなる群から選ばれるいずれか1種を主成分として含む材料から形成されている請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第2誘電体層は、前記第1誘電体層と同じ材料から形成されている請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 弾性境界波の波長をλとしたとき、前記第2誘電体層の厚さはλ以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性境界波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007244118A JP2009077149A (ja) | 2007-09-20 | 2007-09-20 | 弾性境界波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP (1) | JP2009077149A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105317A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-09-20 JP JP2007244118A patent/JP2009077149A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2011105317A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
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