JPWO2021215315A5 - - Google Patents

Description

中間層１４０は、支持基板１１０の上面１１１に配置された高音速層１４２と、当該高音速層１４２上に配置された低音速層１４１とを含む。高音速層１４２は、圧電層１３０に伝搬する弾性バルク波の速度よりも高速の弾性バルク波を伝搬するように構成される。高音速層１４２としては、たとえばＤＬＣ（Diamond-like Carbon）膜、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかを用いることができる。

低音速層１４１は、圧電層１３０に伝搬する弾性バルク波の速度よりも低速の弾性バルク波を伝搬するように構成される。低音速層１４１は、たとえば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素または炭素またはホウ素を加えた化合物、または、上記各材料を主成分とする材料のいずれかを用いることができる。低音速層１４１と高音速層１４２との境界で生じる音速差によって、機能素子１２０から圧電層１３０に励振された弾性波を反射させることによって、弾性波のエネルギーを圧電層１３０内に効果的に閉じ込めることができる。

Claims (4)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上の第１領域に配置された中間層と、
   前記中間層上に配置された圧電層と、
   前記圧電層上に形成された機能素子と、
   前記支持基板上において、前記第１領域に隣接する第２領域に配置された絶縁層とを備え、
   前記第２領域における前記支持基板の表面粗さは、前記第１領域における前記支持基板の表面粗さよりも大きい、圧電デバイス。
2. 前記第２領域は、前記第１領域に隣接する第１部分と、前記第１部分よりも前記第１領域から遠い第２部分とを含み、
   前記第１部分における前記支持基板の表面粗さは、前記第２部分における前記支持基板の表面粗さよりも大きい、請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記第２領域における前記支持基板の厚みは、前記第１領域における前記支持基板の厚みよりも薄く、
   前記支持基板は、前記第１領域と前記第２領域との間に傾斜領域を有する、請求項１または２に記載の圧電デバイス。
4. 前記中間層は、
   前記支持基板上に配置され、前記圧電層に伝搬する弾性バルク波の速度よりも高速の弾性バルク波を伝搬する高音速層と、
   前記高音速層と前記圧電層との間に配置され、前記圧電層に伝搬する弾性バルク波の速度よりも低速の弾性バルク波を伝搬する低音速層とを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の圧電デバイス。