JP2009053138A - Sawセンサおよびsawセンサ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水晶基板10を基板として第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42が並列に近接配置されたSH波を利用する横結合型の2重モードSAW共振子43を有し、かつ、第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42とに挟まれた結合領域44に、第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42の電極指31a,31b,33a,33bに略直交する方向に溝部40が形成されたSAWセンサ素子30を備え、SAWセンサ素子30の溝部40に略平行な辺を有する端部46においてSAWセンサ素子30が支持され、2重モードSAW共振子43の基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0とにおける共振周波数の差を検出する。
【選択図】図1
Description
特許文献1では、振動により厚み方向に曲がる弾性表面波素子(SAW素子)を用い、この曲がりによるSAW素子の表面に形成された入力側電極対と出力側電極対における電極間の拡縮変動に応じて周波数変調動作を起こさせ、この変調周波数から振動を検出するSAWセンサが開示されている。
また、特許文献2ではSAW共振子の裏面どうしを対面接合してバイモルフ型加速度検出素子を構成し、加速度の印加によって加速度検出素子が撓み、SAW共振子の周波数変化またはインピーダンス変化を差動的に検出することで温度変化などの影響を受けない加速度の検出を可能とするSAWセンサが開示されている。
また、同様に特許文献2では、SAW共振子の裏面どうしを対面接合してバイモルフ型加速度検出素子を構成していることから、素子の厚みが厚くなって素子を板厚方向に撓ませることが難しい。このことから、小さな加速度においてはSAW共振子の周波数の変化が小さく、感度良く加速度を検出できないという不具合がある。
この構成によれば、SAWセンサ素子の板厚方向に振動または加速度などの外力が加わった場合、SAWセンサ素子の板厚方向に薄くなった溝部に応力が集中して、SAWセンサ素子を大きく撓ませることができ、SAW共振子の大きな周波数変化として検知することが可能である。
詳しくは、この溝部は2つのSAW共振子における振動の結合領域に形成されていることから、横結合型の2重モードSAW共振子において励振される基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0において、基本波斜対称モードA0の周波数の変化が少ないのに対して、基本波対称モードS0の周波数は大きく変化する。
このように、基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0とにおける共振周波数の差を検出することで、SAWセンサ素子に加わる振動、加速度などの外力を感度良く検出することができる。
詳しくは、この溝部は2つのSAW共振子の結合領域に形成されていることから、横結合型の2重モードSAW共振子において励振される基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0において、基本波斜対称モードA0の周波数の変化が少ないのに対して、基本波対称モードS0の周波数は大きく変化する。
このように、基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0とにおける共振周波数の差を検出することで、感度良く振動、加速度などを検出することができる。
また、弾性表面波としてSH波を利用することで、レイリー波に比べて電気機械結合係数が大きく、かつ反射係数が大きい特性を活用でき、SAWセンサ素子の小型化を図ることができる。
(実施形態)
パッケージ20は、複数のセラミックグリーンシートを積層後、焼成して形成されている。パッケージ20には凹部が形成され、この凹部に接続端子21,22が形成され、それぞれの接続端子21,22がパッケージ20内部でそれぞれが配線接続されている。また、パッケージ20の外周部には外部接続端子23が形成され、接続端子21,22の一部と接続されるように構成されている。さらに、パッケージ20における凹部の周縁にはコバールなどの金属製のシームリング24が固着されている。
ICチップ60の上方にはSAWセンサ素子30が配置されている。SAWセンサ素子30は、水晶基板10に第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42が近接配置して形成された横結合型の2重モードSAW共振子43を備えている。また、第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42との間の水晶基板10には溝部40が形成されている。溝部40は水晶基板10のIDT31,33(図2参照)が形成された面とは反対側の面に形成されている。そしてSAWセンサ素子30は、その一方の端部にてパッケージ20の凹部の段部に接着剤27で固定されている。このように、SAWセンサ素子30は端部の片側を自由端とする片持ち支持されている。さらに、SAWセンサ素子30のそれぞれの第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42は接続パッド35,36,37,38に接続され、接続パッド35,36,37,38は金線などの金属ワイヤ28により接続端子21に接続されている。
SAWセンサ素子30は、水晶基板10に第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42が形成されている。第1のSAW共振子41は、逆極性を構成する電極指31a,31bが交互に挿間されて形成されたIDT(Interdigital Transducer)31と、IDT31の両側に金属導体32aからなる反射器32を備えている。そして、電極指31aは接続パッド35に接続され、電極指31bは接続パッド36に接続されている。
また、第2のSAW共振子42は、逆極性を構成する電極指33a,33bが交互に挿間されて形成されたIDT33と、IDT33の両側に金属導体34aからなる反射器34を備えている。そして、電極指33aは接続パッド37に接続され、電極指33bは接続パッド38に接続されている。
接続パッド35,36,37,38はSAWセンサ素子30の1つの端面付近に集められて配置されている。
なお、IDT31,33、反射器32,34、接続パッド35,36,37,38はアルミニウム(Al)にて形成されている。なお、これらは、銅(Cu)、金(Au)、タングステン(W)、タンタル(Ta)などの金属膜で形成してもよい。
この第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42から横結合型の2重モードSAW共振子43が構成され、このように第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42を近接配置することで、2つのSAW共振子間に音響結合を生じさせて、2つの異なる共振周波数を得ることができる。
SAWセンサ素子30の溝部40に略平行な辺45を有する片側の端部46には接続パッド35,36,37,38が配置され、この接続パッド35,36,37,38が形成された面の裏面を接着剤などでパッケージに固定することで、SAWセンサ素子30支持されている。このように、SAWセンサ素子30は、他方の端部47が自由端となる片持ち支持構造となっている。このような構造であることから、IDT31,33の裏面に接着剤が配置されて固定されることがない。
また、SAWセンサ素子30には、第2のSAW共振子42から水晶基板10が延長されて他方の端部47が形成されている。この端部47は、SAWセンサ素子30の一方の端部46を支持し、加速度がかかったときに溝部40に応力が集中して撓む際の、錘として働く。さらに、この端部47に金属などの膜を形成することで、錘の効果を増すことも可能である。
水晶単結晶からなる水晶基板10は、水晶結晶の基本軸において、X軸(電気軸)とY軸(機械軸)、Z軸(光軸)を備え、右手系の直交座標系を構成している。
水晶基板10は、オイラー角表示(φ,θ,ψ)で、まずZ軸の回りに反時計方向にφが0°±1°の範囲であり、つぎにX軸の回りに反時計方向にθが29.2°〜40.7°の範囲であり、X軸と新たに生成したY’軸とで形成される面を主面としている。そして、この水晶基板10内において、新たに生成されたZ’軸の回りに反時計方向に面内回転して、X軸からY’軸方向にψが90°±2°範囲である方向X’がSH波の位相伝搬方位である。このような水晶基板10をSHカットと呼ぶことにする。このSHカットの水晶基板10を用いSH波を励振させた場合、周波数温度特性に優れた弾性表面波共振子を構成できることが知られている。
図4は加速度センサの動作を説明する説明図であり、図4(a)はSAWセンサ素子の断面を示す模式図、図4(b)は2重モードSAW共振子の振動変位を示す図、図4(c)はSAWセンサ素子における水晶基板の変位を示す図である。
図4(a)において、SAWセンサ素子30は水晶基板10に第1のSAW共振子41および第2のSAW共振子42が近接配置され、横結合型の2重モードSAW共振子43が構成されている。そして、第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42の間の結合領域44に溝部40が形成され、SAWセンサ素子30の一方の端部46にて固定され、片持ち支持されている。
この横結合型の2重モードSAW共振子43の励振される基本波において、図4(b)に示すような、横モードとして発生する基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0の2つの振動モードを有している。
基本波対称モードS0においては、第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42とが同位相に励振されて発振状態となっている。これに対して基本波斜対称モードA0においては、第1のSAW共振子41と第2のSAW共振子42とが逆位相に励振されて発振状態となっている。
また、基本波対称モードS0における共振周波数をF(S0)、基本波斜対称モードA0における共振周波数をF(A0)、とすると、F(A0)>F(S0)の関係にある。なお、F(A0)とF(S0)との差はおよそ700〜1000ppmである。
水晶基板10は、J−K間においてSAWセンサ素子30が一方の端部46で固定されているため変位は0であり、K−L間では加速度Gの外力によりわずかながらマイナス側に変位する。そして、水晶基板10の溝部40において、水晶基板10の板厚が薄くなっており、この部分に応力が集中してL−M間ではL点を起点としてM点に行くに従いマイナス側に大きく変位する。この水晶基板10の変位は、加速度Gが大きくなるに従い大きくなり、溝部40に生ずる曲げ応力も大きくなる。
このように、SAWセンサ素子30は、板厚方向に加速度などの外力が加わった場合、SAWセンサ素子30の板厚方向に薄くなった溝部40に応力が集中して、SAWセンサ素子30を大きく撓ませることができ、横結合型の2重モードSAW共振子43の大きな周波数変化として検知することが可能である。
この共振周波数の変化を周波数変化率と加速度の関係で示すと図5のようなグラフとなる。基本波斜対称モードA0における共振周波数F(A0)に比べて、基本波対称モードS0における共振周波数F(S0)の周波数変化率が大きく、また、それぞれ加速度Gが大きくなるに従い周波数変化率も大きくなっている。
このような各振動モードで周波数変化率が異なる理由は、基本波対称モードS0では、結合領域44が大きな振動エネルギーの生じる領域であり、共振周波数を決定している弾性定数が曲げ応力により非線形に変化することにより、基本波対称モードS0における共振周波数F(S0)が大きく変化する。これに対して、基本波斜対称モードA0では、結合領域44が振動振幅の小さな領域となるために共振周波数F(A0)の変化は小さいと考えられる。
なお、上記の圧電基板の変形状態において発生する応力と、弾性表面波素子の有する共振周波数との関係は“微小変形が加わった弾性体における線形方程式のための摂動理論”(参考文献:H.F.Tiersten:”Perturbation theory for linear electroelastic equations for small fields superposed on a bias”,Journal of the Acoustical Society of America,Vol.64,no.3,pp.832-837(1978))として理論化されている。
詳しくは、この溝部40は横結合型の2重モードSAW共振子43の結合領域に形成されていることから、横結合型の2重モードSAW共振子43において励振される基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0において、基本波斜対称モードA0の周波数の変化が少ないのに対して、基本波対称モードS0の周波数は大きく変化する。そして、この基本波対称モードS0と基本波斜対称モードA0とにおける共振周波数の差を検出することで、感度良く振動、加速度などを検出することができる。
図6は共振周波数F(A0)と共振周波数F(S0)の周波数差と加速度Gとの関係を示す一例のグラフである。
前述したように、共振周波数F(A0)は共振周波数F(S0)より高い周波数を有し、また、加速度が印加された場合の基本波対称モードS0における共振周波数F(S0)の周波数変化率は基本波斜対称モードA0における共振周波数F(A0)の周波数変化率より大きいため、共振周波数F(A0)と共振周波数F(S0)との差は、加速度が大きくなるに従い小さくなる。例えば、周波数差(F(A0)−F(S0))が300.00kHzのとき、加速度が1Gかかると周波数差が299.46kHzとなる。
図7は2重モードSAW共振子を励振させる2モード発振回路の説明図である。
2モード発振回路は、従来知られたコルピッツ発振回路を利用し、SAWセンサ素子30、C−MOSインバータ51、帰還抵抗52を並列に配置し、SAWセンサ素子30の両端の信号をコンデンサ53,54で分圧するように構成されている。
また、この発振回路にはスイッチ55が備えられ、IDT33の一方の電極指側およびIDT31の両方の電極指側が接続されている。同様に、発振回路にはスイッチ56が備えられ、IDT33の他方の電極指側およびIDT31の両方の電極指側が接続されている。そして、スイッチ55,56は入力端子50に接続されている。
一方、入力端子50からHIGHのモード切替信号が入力されると、スイッチ55,56はH側端子に接続される。IDT31,33は逆位相に励振され、基本波斜対称モードA0の発振状態となる。そして、基本波斜対称モードA0における共振周波数信号が出力端子59から出力される。
このようにして、モード切替信号を切り替えることで基本波対称モードS0における共振周波数信号と基本波斜対称モードA0における共振周波数信号を出力することができる。
図8に示すように、加速度検出部として基本波対称モードS0における共振周波数信号と基本波斜対称モードA0における共振周波数信号を得るために、タイミング発生器70および2モード発振回路71を備えている。そして、これらの共振周波数信号を処理するために、アップアンドダウンカウンタ72、ラッチ回路73、デジタルローパスフィルタ74、D/A変換器75、TCXO(温度補償水晶発振器)76を備えている。
アップアンドダウンカウンタ72では、この共振周波数信号をアップとダウン状態で交互にカウントし、カウントデータをラッチ回路73に出力する。ラッチ回路73では共振周波数の差(F(A0)−F(S0))がカウントデータとして取り込まれる。
そして、このデータの時間列はデジタルローパスフィルタ74にて、低周波数に加速度成分周波数を選択して、D/A変換器75にてデジタルデータをアナログデータに変換してアナログ信号としての加速度信号を得ている。
なお、TCXO76はタイミング発生器70、ラッチ回路73、デジタルローパスフィルタ74、D/A変換器75に動作の基準となる基準信号を供給している。
タイミング発生器70は周期的にLOWとHIGHを繰り返すモード切替信号を生成している。そのモード切替信号に対応して、2モード発振回路71から基本波対称モードS0における共振周波数信号および基本波斜対称モードA0における共振周波数信号が出力されている。
この共振周波数信号からアップアンドダウンカウンタ72にてカウントデータが生成され、ラッチ回路73において、カウントデータとゲート信号からラッチデータが生成される。そして、D/A変換器75から周期T間におけるラッチデータに対応する出力電圧が得られる。
なお、特に弾性表面波としてSH波を利用すれば、SH波はレイリー波に比べて電気機械結合係数が大きく、かつ反射係数が大きいことからSAWセンサ素子30の小型化を図ることができる。
また、周波数温度特性に優れたオイラー角表示で(0°±1°,29.2°≦θ≦40.7°,90°±2°)の水晶基板(SHカット基板)10を使用することにより、小型で高精度な加速度センサ1およびSAWセンサ素子30が実現できる。
また、本実施形態では加速度センサを例にとり説明したが、振動を検出する振動センサとして利用することも可能である。
Claims (6)
- 一つの水晶基板に第1のSAW共振子と第2のSAW共振子とが振動の結合領域を挟んで並列に配置されたSH波を利用する横結合型の2重モードSAW共振子を有し、かつ前記結合領域の前記水晶基板に、前記第1のSAW共振子および前記第2のSAW共振子の電極指に略直交する方向に溝部が形成されたSAWセンサ素子を備え、
前記SAWセンサ素子の前記溝部に略平行な辺を有する端部において前記SAWセンサ素子が支持され、
前記2重モードSAW共振子の基本波対称モードS0における共振周波数と基本波斜対称モードA0における共振周波数との差を検出することで前記SAWセンサ素子に加わる外力を検出することを特徴とするSAWセンサ。 - 請求項1に記載のSAWセンサにおいて、
前記SAWセンサ素子の一方の前記端部が自由端であることを特徴とするSAWセンサ。 - 請求項1または2に記載のSAWセンサにおいて、
前記横結合型SAW共振子の基本波対称モードS0における共振周波数と基本波斜対称モードA0における共振周波数との差の検出において、2モード発振回路とアップアンドダウンカウンタとが用いられることを特徴とするSAWセンサ。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載のSAWセンサにおいて、
前記水晶基板が、オイラー角表示(φ,θ,ψ)で、まず光軸であるZ軸の回りに反時計方向にφが0°±1°の範囲であり、つぎに電気軸であるX軸の回りに反時計方向にθが29.2°以上40.7°以下の範囲であり、
つぎに前記X軸と新たに生成されるZ’軸とで構成される面を主面とする前記水晶基板において、前記Z’軸の回りに反時計方向に面内回転して、ψが90°±2°の範囲である方向が前記SH波の位相伝搬方位であることを特徴とするSAWセンサ。 - 一つの水晶基板に第1のSAW共振子と第2のSAW共振子とが振動の結合領域を挟んで並列に配置されたSH波を利用する横結合型の2重モードSAW共振子を有し、かつ前記結合領域の前記水晶基板に、前記第1のSAW共振子および前記第2のSAW共振子の電極指に略直交する方向に溝部が形成されたことを特徴とするSAWセンサ素子。
- 請求項5に記載のSAWセンサ素子において、
前記水晶基板が、オイラー角表示(φ,θ,ψ)で、まず光軸であるZ軸の回りに反時計方向にφが0°±1°の範囲であり、つぎに電気軸であるX軸の回りに反時計方向にθが29.2°以上40.7°以下の範囲であり、
つぎに前記X軸と新たに生成されるZ’軸とで構成される面を主面とする前記水晶基板において、前記Z’軸の回りに反時計方向に面内回転して、ψが90°±2°の範囲である方向が前記SH波の位相伝搬方位であることを特徴とするSAWセンサ素子。
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