JP2009048677A - 書き込み電圧生成回路及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発性メモリセルの書き込み動作のプログラムモードにおいて、電圧検知部20−1は、電圧生成部10に具備されるチャージポンプが生成するプログラム用ビット線電圧VPB_CPを検知し、プログラム可能な電圧に達したとき、制御信号CNT2又はPGMSTARTを発生し、この制御信号により不揮発性メモリセルにプログラムに要する各電圧を供給するためのスイッチ部30を制御する。
【選択図】 図1
Description
20−1〜4 電圧検知部
30 スイッチ部
40 メモリセル回路
50−1〜4 電圧発生回路
COMP1〜5 コンパレータ
SW1〜5 相補型MOSトランジスタスイッチ
CELL メモリセル
VPB_CP チャージポンプで発生されるプログラム用ビット線電圧
VPI_CP チャージポンプで発生される書き込み用高電圧
VBULK_CP チャージポンプで発生されるプログラム用バルク電圧
VNEG_CP チャージポンプで発生されるイレース用高負電圧
VPB プログラム用ビット線電圧
VPI 書き込み用高電圧
VPW プログラム用ワード線電圧
VBULK プログラム用バルク電圧
VPM イレース用高バルク電圧
VPBT プログラム用ビット線電圧のプログラム可能な設定電圧
VPWT プログラム用高電圧のプログラム可能な設定電圧
VBULKT プログラム用バルク電圧のプログラム可能な設定電圧
VNEG イレース用高負電圧
VPWCELL スイッチ部から出力されるプログラム用ワード線電圧
VBULKCELL スイッチ部から出力されるプログラム用バルク電圧
VPMCELL スイッチ部から出力されるイレース用高バルク電圧
VNEGCELL スイッチ部から出力されるイレース用高負電圧
REF1〜5 基準電圧
CNT1〜5 制御信号
CNT1B〜5B 反転制御信号
PGMSTART 制御信号
PGMSTARTB 反転制御信号
VYAGATE 制御信号
TC 各電圧が全て飽和する時間
T1〜3 プログラム可能となる立ち上がり時間
Claims (5)
- 不揮発性メモリセルの書き込み電圧生成回路であって、
前記書き込み電圧生成回路は、電圧生成部と電圧検知部とスイッチ部とを有し、
前記不揮発性メモリセルの書き込み動作のプログラムモードにおいて、
前記電圧検知部は、前記電圧生成部に具備されるチャージポンプが生成するプログラム用ビット線電圧を検知し、プログラム可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、
前記不揮発性メモリセルにプログラムに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御することを特徴とする書き込み電圧生成回路。 - 前記電圧検知部は、前記電圧生成部に具備される前記チャージポンプが生成する書き込み用高電圧、プログラム用ビット線電圧、及びプログラム用バルク電圧を検知し、全てがプログラム可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、
前記不揮発性メモリセルにプログラムに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御することを特徴とする請求項1に記載の書き込み電圧生成回路。 - 不揮発性メモリセルの書き込み電圧生成回路であって、
前記書き込み電圧生成回路は、電圧生成部と電圧検知部とスイッチ部とを有し、
前記不揮発性メモリセルの書き込み動作のイレースモードにおいて、
前記電圧検知部は、前記電圧生成部に具備されるチャージポンプが生成するイレース用高負電圧を検知し、イレース可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、
前記不揮発性メモリセルにイレースに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御することを特徴とする書き込み電圧生成回路。 - 前記電圧検知部は、前記電圧生成部に具備される前記チャージポンプが生成するイレース用高負電圧及びイレース用高バルク電圧検知し、いずれもイレース可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、
前記不揮発性メモリセルにイレースに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御することを特徴とする請求項3に記載の書き込み電圧生成回路。 - 不揮発性メモリセルの書き込み電圧生成方法であって、
不揮発性メモリセルの書き込み動作のプログラムモードにおいて、
チャージポンプが生成するプログラム用ビット線電圧を検知し、プログラム可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、前記不揮発性メモリセルにプログラムに要する各電圧を供給するためのスイッチ部を制御するステップ、
または、前記チャージポンプが生成する前記書き込み用高電圧、プログラム用ビット線電圧、及びプログラム用バルク電圧を検知し、全てがプログラム可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、前記不揮発性メモリセルに前記プログラムに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御するステップ、
前記不揮発性メモリセルの書き込み動作のイレースモードにおいて、
チャージポンプが生成するイレース用高負電圧を検知し、イレース可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、前記不揮発性メモリセルにイレースに要する各電圧を供給するためのスイッチ部を制御するステップ、
または、前記チャージポンプが生成する前記イレース用高負電圧及びイレース用高バルク電圧を検知し、いずれもイレース可能な電圧に達したとき制御信号を発生し、前記不揮発性メモリセルに前記イレースに要する各電圧を供給するための前記スイッチ部を制御するステップ、
から成ることを特徴とする書き込み電圧生成方法。
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CN109119109A (zh) * | 2017-06-26 | 2019-01-01 | 三星电子株式会社 | 存储器器件和存储器器件的操作方法 |
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JP2000276888A (ja) * | 1998-11-23 | 2000-10-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2002133878A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶回路および半導体集積回路 |
JP2005100625A (ja) * | 2004-10-04 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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2007
- 2007-08-14 JP JP2007211478A patent/JP2009048677A/ja active Pending
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2008
- 2008-02-25 KR KR1020080016906A patent/KR101411975B1/ko active IP Right Grant
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CN109119109B (zh) * | 2017-06-26 | 2023-10-20 | 三星电子株式会社 | 存储器器件和存储器器件的操作方法 |
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