JP2009044128A5 - - Google Patents

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  1. 複数のパッド上に載置された導電性ボールをリフロー処理することにより、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法であって、
    前記複数のパッド上に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜を形成する金属膜形成工程と、
    前記粘着性付与化合物を含んだ溶液と前記金属膜とを化学反応させて、前記金属膜上に有機系粘着層を形成する有機系粘着層形成工程と、
    前記有機系粘着層上に前記導電性ボールを供給することにより、前記有機系粘着層及び前記金属膜を介して、前記複数のパッドに前記導電性ボールを載置する導電性ボール載置工程と、を含むことを特徴とするはんだバンプ形成方法。
  2. 前記複数のパッド上にそれぞれ1つの前記導電性ボールを載置することを特徴とする請求項1記載のはんだバンプ形成方法。
  3. 前記粘着性付与化合物は、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のはんだバンプ形成方法。
  4. 前記金属膜は、Cu膜又はNi膜であることを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
  5. 前記金属膜として前記Ni膜を用いる場合、前記金属膜形成工程と前記有機系粘着層形成工程との間に、前記金属膜上にAu層を形成するAu層形成工程と、
    前記有機系粘着層形成工程の直前に前記Au層を除去するAu層除去工程と、を設けたことを特徴とする請求項記載のはんだバンプ形成方法。
  6. 前記導電性ボール載置工程では、前記有機系粘着層が形成された前記複数のパッド上に前記複数の導電性ボールを振り掛け、前記複数のパッドを振動又は揺動させることにより、前記複数のパッド上にそれぞれ1つの前記導電性ボールを載置することを特徴とする請求項1ないしのうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
  7. 前記金属膜形成工程の前に、前記複数のパッド上にめっき膜を形成するめっき膜形成工程を設けると共に、前記めっき膜上に前記金属膜を形成することを特徴とする請求項1ないしのうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
  8. 前記めっき膜は、Ni膜、Pd膜、Au膜のうち少なくとも1つの膜からなることを特徴とする請求項記載のはんだバンプ形成方法。
  9. 前記複数のパッドは、配線基板、チップサイズパッケージ、又は半導体チップのいずれかに設けられたものであることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101122140B1 (ko) 2010-05-11 2012-03-16 엘지이노텍 주식회사 단일층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TW201233280A (en) * 2011-01-25 2012-08-01 Taiwan Uyemura Co Ltd Chemical palladium-gold plating film method
TW201233279A (en) * 2011-01-25 2012-08-01 Taiwan Uyemura Co Ltd Copper or palladium-copper wire package process and structure thereof
TWI464929B (zh) * 2011-03-16 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 提昇散熱效率之光源模組及其嵌入式封裝結構
TWI555452B (zh) * 2014-08-12 2016-10-21 南亞電路板股份有限公司 電路板及其製造方法
CN108513433A (zh) * 2018-04-24 2018-09-07 苏州维信电子有限公司 一种隔锡的柔性线路板pad及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3838672B2 (ja) * 1993-06-07 2006-10-25 昭和電工株式会社 はんだ回路基板の形成方法
JPH11121495A (ja) * 1997-10-16 1999-04-30 Ricoh Co Ltd 半導体装置製造方法
WO1999034654A1 (fr) * 1997-12-29 1999-07-08 Ibiden Co., Ltd. Plaquette a circuits imprimes multicouche
JP2001267731A (ja) * 2000-01-13 2001-09-28 Hitachi Ltd バンプ付き電子部品の製造方法および電子部品の製造方法
US7894203B2 (en) * 2003-02-26 2011-02-22 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board
JP4409990B2 (ja) * 2003-02-28 2010-02-03 昭和電工株式会社 ハンダ回路基板の製造方法。
JP2005117035A (ja) * 2003-09-19 2005-04-28 Showa Denko Kk フリップチップ型窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
US20050082654A1 (en) * 2003-09-26 2005-04-21 Tessera, Inc. Structure and self-locating method of making capped chips
US7626829B2 (en) * 2004-10-27 2009-12-01 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and manufacturing method of the multilayer printed wiring board

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