JP2009039650A - 汚泥脱水剤および汚泥脱水方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 スクリュープレス型脱水機によって汚泥を脱水する際に必要な高分子凝集剤の機能として、脱水初期において水切れの良い凝集性が必要であるという点に着目し、そのために水溶性高分子に架橋の概念を取り入れ、スクリュープレス型脱水機に適した汚泥脱水剤を開発する。
【解決手段】 余剰汚泥あるいはオキシデーションデイッチ方式による生物処理汚泥に高分子汚泥脱水剤を添加したのち、スクリュープレス型脱水機で脱水処理する汚泥の脱水方法において、該高分子汚泥脱水剤が、(a)アミジン系水溶性高分子(A)と両性水溶性高分子(B)とからなる混合物、(b)電荷内包率が50%以上、90%以下である架橋性イオン性水溶性高分子のうち、少なくとも一つを選択することにより達成できる。
【選択図】 なし
Description
水溶性両性高分子(特許文献1)、ポリオキシエチレン鎖を含有する水溶性高分子(特許文献2)、あるいはカチオン性高分子凝集剤、アニオン性高分子凝集剤および水溶性塩からなる混合物(特許文献3)を用いることが開示されている。
これら特許文献を見ると、スクリュープレス型脱水機は、脱水初期において水切れの良い凝集性が必要であるという点に着目した例はない。またこれに必要な水溶性高分子は、水溶性高分子に架橋の概念を取り入れたもの、アミジン系水溶性高分子とアクリル系水溶性高分子の混合物に着目した例はない。
汚泥脱水剤群;
(a)下記式(1)および/または(2)で表される構造単位を10〜90モル%含有するアミジン系水溶性高分子(A)と、下記一般式(3)及び/又は(4)で表わされる単量体10〜60モル%、下記一般式(5)で表わされる単量体0〜50モル%、水溶性非イオン性単量体0〜90モル%からなる単量体混合物を重合した両性水溶性高分子(B)とからなる混合物。
一般式(3)
R1、R2、R3は水素又はメチル基、R4、R5は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、R6は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、同種でも異種でも良い。Aは酸素原子またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基、X1、
X2は陰イオンをそれぞれ表わす。
R7は水素又はメチル基、R8、R9は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基、X3は陰イオンをそれぞれ表わす。
R10は水素またはCH2COOY2、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、
R11は水素、メチル基またはCOOY2であり、Y1、Y2は水素または陽イオンをそれぞれ表わす。
(b)下記一般式(3)及び/又は(4)で表わされる単量体10〜60モル%、下記一般式(5)で表わされる単量体0〜50モル%、水溶性非イオン性単量体0〜90モル%からなる単量体混合物を重合した電荷内包率が50%以上、90%以下である架橋性イオン性水溶性高分子。
R3は水素又はメチル基、R4、R5は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、R6は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、同種でも異種でも良い。Aは酸素原子またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす。
R7は水素又はメチル基、R8、R9は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基、X3は陰イオンをそれぞれ表わす。
R10は水素またはCH2COOY2、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R11は水素、メチル基またはCOOY2であり、Y1、Y2は水素または陽イオンをそれぞれ表わす。
(b)カチオン性単量体の共重合率が10〜60モル%である電荷内包率50%以上、90%以下であるカチオン性あるいは両性架橋性水溶性高分子である。すなわちこれら水溶性高分子を添加することによって、下水混合生汚泥や下水消化汚泥に架橋性水溶性高分子を添加してより締った強度の高いフロックを形成することは、初期の濾過工程において良好な濾過性を有し、以後の圧搾、せん断への作用を効率よく行なうことが可能である。
R3は水素又はメチル基、R4、R5は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、R6は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、同種でも異種でも良い。Aは酸素原子またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす。
R7は水素又はメチル基、R8、R9は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基、X3は陰イオンをそれぞれ表わす。
R10は水素またはCH2COOY2、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R11は水素、メチル基またはCOOY2であり、Y1、Y2は水素または陽イオンをそれぞれ表わす。
電荷内包率[%]=(1−α/β)×100
αは酢酸にてpH4.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液をミューテック社製PCD滴定装置(Mütek PCD 03、Mütek PCD−Two Titrator Version2)により、滴下液:1/1000N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて 滴定し、求めた滴定量である。βは酢酸にてpH4.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液に1/400N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液を電荷の中和を行うに十分な量加え、十分に攪拌し、同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、この滴定量をブランク値から差し引いた値とする。ブランク値とは酢酸にてpH4.0に調整した前記サンプルと同濃度のポリビニルスルホン酸カリウム水溶液を同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、求めた滴定量である。
電荷内包率[%]=(1−α/β)×100
αはアンモニアにてpH10.0に調整した架橋性水溶性イオン性高分子0.01%水溶液をミューテック社製PCD滴定装置(Mütek PCD 03、Mütek PCD−Two Titrator Version2)により、滴下液:1/1000N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて 滴定し、求めた滴定量である。βはアンモニアにてpH10.0に調整した架橋性イオン性水溶性高分子0.01%水溶液に1/400N ジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液を電荷の中和を行うに十分な量加え、十分に攪拌し、同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、この滴定量をブランク値から差し引いた値とする。ブランク値とはアンモニアにてpH10.0に調整した前記サンプルと同濃度のジアリルジメチルアンモニウムクロライド水溶液を同様にPCD滴定装置により、滴下液:1/1000N ポリビニルスルホン酸カリウム水溶液、滴下速度:0.05ml/10sec、終点判定:0mvにて滴定し、求めた滴定量である。
DMC:メタクロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロリド
DMQ:アクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロリド、AAC:アクリル酸、AAM:アクリルアミド、架橋剤添加量:対単量体モル%、MBA;メチレンビスアクリルアミド、AN:アクリロニトリル、NVF:N−ビニルホルムアミド
分散液粘度:mPa・s、分子量:単位は万、荷電内包率;%
ポリアミジン(a)試料―4および試料―5と、両性高分子試料(b)を表3に記載する配合により混合物を調製し(質量比)、それぞれ試料10〜試料―15とする。
10秒後濾液量:ml、ケーキ含水率:質量%
濾布剥離性:○>△>×の順に良いことを示す。
10秒後濾液量:ml、ケーキ含水率:質量%
濾布剥離性:○>△>×の順に良いことを示す。
Claims (3)
- 余剰汚泥あるいはオキシデーションデイッチ方式による生物処理汚泥に高分子汚泥脱水剤を添加したのち、スクリュープレス型脱水機で脱水処理する汚泥の脱水方法において、該高分子汚泥脱水剤が、下記の水溶性高分子群(a)及び(b)より選択される一種以上であることを特徴とするスクリュープレス型脱水機用汚泥脱水剤。
汚泥脱水剤群;
(a)下記式(1)および/または(2)で表される構造単位を10〜90モル%含有するアミジン系水溶性高分子(A)と、下記一般式(3)及び/又は(4)で表わされる単量体5〜60モル%、下記一般式(5)で表わされる単量体5〜50モル%、水溶性非イオン性単量体0〜90モル%からなる単量体混合物を重合した両性水溶性高分子(B)とからなる混合物。
R1、R2、R3は水素又はメチル基、R4、R5は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、R6は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、同種でも異種でも良い。Aは酸素原子またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基、X1、
X2は陰イオンをそれぞれ表わす。
R7は水素又はメチル基、R8、R9は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、X3は陰イオンをそれぞれ表わす。
R10は水素またはCH2COOY2、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R11は水素、メチル基またはCOOY2であり、Y1、Y2は水素または陽イオン
(b)下記一般式(3)及び/又は(4)で表わされる単量体10〜60モル%、下記一般式(5)で表わされる単量体0〜50モル%、水溶性非イオン性単量体0〜90モル%からなる単量体混合物を重合した電荷内包率が50%以上、90%以下である架橋性イオン性水溶性高分子。
R3は水素又はメチル基、R4、R5は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基あるいはベンジル基、R6は水素、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基であり、同種でも異種でも良い。Aは酸素原子またはNH、Bは炭素数2〜4のアルキレン基またはアルコキシレン基、X2は陰イオンをそれぞれ表わす。
R7は水素又はメチル基、R8、R9は炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシル基あるいはベンジル基、X3は陰イオンをそれぞれ表わす。
R10は水素またはCH2COOY2、QはSO3、C6H4SO3、
CONHC(CH3)2CH2SO3、C6H4COOあるいはCOO、R11は水素、メチル基またはCOOY2であり、Y1、Y2は水素または陽イオン - 前記アミジン系水溶性高分子と、前記両性水溶性高分子とからなる混合物が、質量比において、前記アミジン系水溶性高分子:前記両性水溶性高分子=20:80〜60:40であることを特徴とする請求項1に記載の汚泥脱水剤。
- 請求項1あるいは2に記載の汚泥脱水剤を汚泥に添加した後、スクリュープレス型脱水機で脱水することを特徴とする汚泥脱水方法。
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