JP2009037804A - 荷電粒子ビーム照射装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
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Abstract
【解決手段】所定の走査線方向と所定の走査線の順次方向による第1の走査と、前記所定の走査線方向と異なる走査線方向と前記所定の走査線の順次方向と異なる走査線の順次方向による第2の走査と、を実行する。第1の走査を実行した後に前記第2の走査を実行することを繰返し、第2の走査によって得られたフレームの相加平均を求めることによって画像を生成してもよい。第1の走査によって得られた少なくとも1つのフレームと、第2の走査によって得られた少なくとも1つのフレームの相加平均を求めることによって画像を生成してもよい。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- 粒子線ビームを偏向走査する偏向走査器と、試料上に照射する粒子線ビームを集束する対物レンズと、試料からの2次信号を検出する2次信号検出器と、を有し、該2次信号検出器からの信号により画像を生成する荷電粒子ビーム照射装置において、
前記偏向走査器による粒子線ビームの走査は、所定の走査線方向と所定の走査線の順次方向による第1の走査と、前記所定の走査線方向と異なる走査線方向と前記所定の走査線の順次方向と異なる走査線の順次方向による第2の走査と、を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。 - 請求項1記載の荷電粒子ビーム照射装置において、前記第1の走査を実行した後に前記第2の走査を実行することを繰返し、前記第2の走査によって得られたフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム照射装置において、前記第1の走査によって得られた少なくとも1つのフレームと、前記第2の走査によって得られた少なくとも1つのフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム照射装置において、前記第2の走査における走査線の走査線方向と走査線の順次方向は、前記第1の走査における走査線の走査線方向と走査線の順次方向に対してそれぞれ反対方向であることを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム照射装置において、前記第1の走査と前記第2の走査は同一回数実行することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
- 請求項1記載の荷電粒子ビーム照射装置において、像ドリフトが所定の閾値未満のときは前記第1の走査のみを行い、像ドリフトが所定の閾値より大きくなったときに、前記第1の走査と前記第2の走査を実行することを特徴とする荷電粒子ビーム照射装置。
- 電子線ビームを試料上に偏向走査することと、
試料上に照射する電子線ビームを集束することと、
試料からの2次電子信号を検出することと、
該2次電子信号から画像を生成することと、
を有する電子線走査像生成方法において、
前記偏向走査は、所定の走査線方向と所定の走査線の順次方向による第1の走査と、前記所定の走査線方向に対して反転した走査線方向と前記所定の走査線の順次方向に対して反転した走査線の順次方向による第2の走査と、を含むことを特徴とする電子線走査像生成方法。 - 請求項7記載の電子線走査像生成方法において、前記第1の走査を実行した後に前記第2の走査を実行することを繰返し、前記第2の走査によって得られたフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする電子線走査像生成方法。
- 請求項7記載の電子線走査像生成方法において、前記第1の走査によって得られた少なくとも1つのフレームと、前記第2の走査によって得られた少なくとも1つのフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする電子線走査像生成方法。
- 請求項7記載の電子線走査像生成方法において、前記第1の走査と前記第2の走査は同一回数実行することを特徴とする電子線走査像生成方法。
- 請求項7記載の電子線走査像生成方法において、像ドリフトが所定の閾値未満のときは前記第1の走査のみを行い、像ドリフトが所定の閾値より大きくなったときに、前記第1の走査と前記第2の走査を実行することを特徴とする電子線走査像生成方法。
- 電子線ビームを偏向走査する偏向走査器と、試料上に照射する電子線ビームを集束する対物レンズと、試料からの2次電子信号を検出する2次電子信号検出器と、該2次電子信号検出器からの信号により生成された画像信号を処理する画像処理装置と、を有する走査電子顕微鏡装置において、
前記偏向走査器による電子線ビームの走査は、所定の走査線方向と所定の走査線の順次方向による第1の走査と、前記所定の走査線方向に対して反転した走査線方向と前記所定の走査線の順次方向に対して反転した走査線の順次方向による第2の走査と、を含むことを特徴とする走査電子顕微鏡装置。 - 請求項12記載の走査電子顕微鏡装置において、前記第1の走査を実行した後に前記第2の走査を実行することを繰返し、前記第2の走査によって得られたフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項12記載の走査電子顕微鏡装置において、前記第1の走査によって得られた少なくとも1つのフレームと、前記第2の走査によって得られた少なくとも1つのフレームの相加平均を求めることによって画像を生成することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
- 請求項12記載の走査電子顕微鏡装置において、像ドリフトが所定の閾値未満のときは前記第1の走査のみを行い、像ドリフトが所定の閾値より大きくなったときに、前記第1の走査と前記第2の走査を実行することを特徴とする走査電子顕微鏡装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007199933A JP5147327B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
US12/182,709 US7851756B2 (en) | 2007-07-31 | 2008-07-30 | Charged particle beam irradiation system |
US12/962,063 US20110073760A1 (en) | 2007-07-31 | 2010-12-07 | Charged Particle Beam Irradiation System |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007199933A JP5147327B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009037804A true JP2009037804A (ja) | 2009-02-19 |
JP5147327B2 JP5147327B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=40337235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007199933A Active JP5147327B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 荷電粒子ビーム照射装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7851756B2 (ja) |
JP (1) | JP5147327B2 (ja) |
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WO2017056171A1 (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP6673661B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-03-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 画像取得方法およびイオンビーム装置 |
RU2015156695A (ru) | 2015-12-29 | 2017-07-05 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс" | Способ и система обработки префикса, связанного с поисковым запросом |
CN117990019A (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 扫描电子显微镜的扫描方法及扫描电子显微镜 |
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-
2007
- 2007-07-31 JP JP2007199933A patent/JP5147327B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-30 US US12/182,709 patent/US7851756B2/en active Active
-
2010
- 2010-12-07 US US12/962,063 patent/US20110073760A1/en not_active Abandoned
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JP7144485B2 (ja) | 2020-07-15 | 2022-09-29 | 日本電子株式会社 | 像取得方法および電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090032723A1 (en) | 2009-02-05 |
US7851756B2 (en) | 2010-12-14 |
JP5147327B2 (ja) | 2013-02-20 |
US20110073760A1 (en) | 2011-03-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100216 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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