JP2009034812A - 平面両面研磨方法及び平面両面研磨装置 - Google Patents
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【解決手段】本発明の平面両面研磨方法は、下面に研磨パッド2を取り付けて上定盤1とし、上面に研磨パッド2を取り付けて下定盤6とし、前記各定盤1,6をそれぞれの研磨パッド2,2を対向させた状態でそれぞれ面向きを一定とした偏芯旋回運動を可能とし、前記研磨パッド2,2の対向空間に、面向きを一定として1軸又は2軸往復する摺動運動又は円軌道運動を可能とするキャリア7に複数の被加工物9を保持させて臨ませ、砥粒を分散させたスラリー3を各定盤1,6から加工面に供給しつつ、前記各定盤1,6を偏芯旋回運動させると共に、前記キャリア7を往復状に摺動させる。
【選択図】図1
Description
例えば画像表示板用ガラス板や光学フィルターガラス板等の板厚性の確保と平坦度並びに平面度に高い精度を要求される平板状の被加工物を研磨する方法において、例えば特許文献1には、被加工物を保持したキャリアを円軌道に沿って並行移動回転するようにし、このキャリアを挟んでそれぞれ回転する研磨用円板を、キャリアの円軌道の中心を振分け点として互いに反対の向きに往復動させる方法が開示されている。
一方、遊離砥粒(スラリー)を用いる研磨方法(例えば図4,5参照)では、研磨定盤によって発生する遠心力によって発生する遠心力で、砥粒が研磨領域から外側へと飛散するという問題が生じる。さらに遠心力で中央部から飛ばされた砥粒により被加工物の外縁部が大きく削られ(縁だれ)る場合もあった。また、前記のように各定盤と被加工物をそれぞれ制御するため、駆動部の機構が複雑であるという問題があった。さらに、被加工物を保持するキャリアを回転する態様では、回転軸付近では遠心力が殆ど作用しないため、相対的運動が最も少なく加工量も小さい。そのため、被加工物を配置できないエリア(回転軸付近)が存在することになり、キャリアに一度に保持できる枚数も少なかった。このように、遊離砥粒(スラリー)を用いる研磨方法は、加工効率の低い工法であることが知られていた。
なお、「面向きを一定とした」とは、それ自体は回転(自転)しないで、旋回することを意味している。
そして、前記3つの機構を適宜に制御することにより、砥粒を分散させたスラリーに好適な相対速度が与えられ、キャリアに保持された被加工物に対して上下の定盤が恰も偏芯旋回状に臨む挙動を示すので、この定盤から加工面に供給された砥粒により、粗研磨から精密仕上げ研磨まで適宜に被加工物の表裏面を高品位にさらに良好な研磨効率で仕上げることができる。
第1に、前記従来の方法では、各定盤と被加工物をそれぞれ制御するため、駆動部の機構が複雑であるという問題がある。これに対し、本発明では各定盤及びキャリアの比較的容易な駆動による機構の簡易化を実現している。
第2に、前記従来の方法では、定盤の回転軸に相当するキャリアの中心エリアでは相対運動量が小さいが、円周に近づくほど相対運動量は大きくなり、砥粒による研磨量も不均一となる。これに対し、本発明では各定盤の摺動並びにキャリアの摺動は、面向きを一定として行われるので、基本的に相対速度が無い個所が発生しないため、キャリアに保持させる部位によって不均一な仕上がりになることが抑制され、キャリアの何れの場所に保持させた被加工物でも均一に研磨加工することができる。要するに、従来の方法では、被加工物が回転してしまうために、その試料中央部では周速がゼロになり砥粒が運動しなくなって削りにくくなる。これに対し、本発明では、被加工物が回転しないため、その周速の差が抑えられる。
第3に、前記従来の方法では、キャリアの回転軸周辺の著しく相対運動量が少ないエリアが存在するため、被加工物を配置できないエリアが存在し、そのため、一度に研磨できる枚数も少なかった。これに対し、本発明では、従来の方法のような運動量が著しく少ないエリアが存在しないので、キャリアの面積を有効に利用でき、多量の被加工物を保持させて研磨することができ、一度に研磨できる枚数が極めて多いものとなる。
また、各定盤の加工面側にはラッピング用(粗研磨用)パッドやポリシング(精密研磨用)パッドを適宜に取り付けるようにしてもよい。
前述のように何れの場合にも砥粒は十分に転動して研磨に寄与するが、キャリアを1軸又は2軸往復状の摺動運動をさせる場合には、砥粒が一直線上を動く堀込み加工のような挙動を示すこともあるのに対し、キャリアを円軌道運動をさせる場合には、砥粒は絶えず異なる点で運動するので、砥粒の転動が全体的に十分に且つ均一に起こり、この砥粒による研磨量がより均一になる。キャリアの駆動においても各定盤と独立に駆動させることを特徴とする。
また、この摺動運動又は円軌道運動を制御する摺動機構におけるキャリアの移動速度は特に限定するものではないが、例えば10〜300mm/秒程度の移動速度が望ましい。なお、このキャリアには1枚或いは複数枚の任意の枚数の被加工物を保持させればよい。そして、本発明の仕上げ方法及び仕上げ装置におけるキャリアには、従来の両面研磨装置における中心エリア(回転軸付近)のような運動量が極めて小さい領域が存在しないので、平坦度のばらつき発生が抑制され効率よく研磨でき、多くの枚数の被加工物を保持することが可能である。
分散媒としての水は、廃液の処理の容易さ、安定性に優れているため、環境に配慮したものであって、被加工物としてのガラスと親和性が高い点でも好適である。
図1〜3は、本発明の仕上げ方法を実施する仕上げ装置の原理模式図である。
上定盤1は、図1及び図2の中央に示した加工空間A(キャリア7が配置されている)の上方に位置し、下方へ向かって臨むように配置されている。この上定盤1の下面には図2に示すように多数の微細孔が形成された研磨パッド2が取り付けられ、その内部には、砥粒を分散させたスラリー3の貯留部4が形成されている。このスラリー貯留部4には、図示しないポンプ等から構成される供給機構から偏心カム軸5を通じて随時砥粒を分散させたスラリー3が供給される。
尚、前記研磨パッド2としては、粗研磨に際してはラッピング用パッドを用いればよいし、精密仕上げに際してはポリシング用パッドを用いればよい。
前記上定盤1に対し、加工空間Aを隔てて下方に対向するように位置する下定盤6は、前記上定盤1と上下が逆であるが、ほぼ同様の構造を有しており、図面に同一符号を付して説明を省略する。
また、キャリア7は、XY平面をX・Y2軸方向に往復摺動運動又は円軌道運動を行うように制御してもよい。
このようなキャリア7の運動は、公知の往復機構を適用して制御している。
図4に関して、16は被加工物17を保持するキャリアを示す。このキャリア16はガラスエポキシ樹脂の平板に、被加工物17をはめ込むための矩形状の抜き穴加工を施したものであり、XY平面をY軸方向(同図面では右前から左奥方向)に繰り返し往復運動する。またキャリア16は、XY平面をX・Y2軸方向に往復するように制御してもよい。或いは円軌道運動を行うように制御してもよい。これを研磨パッド(同図では図示せず)を貼った上定盤15と下定盤18で挟み込む。この上研磨定盤15を加圧方向に下降させることで研磨に必要な加工圧を与える。定盤支持シャフト11はそれぞれ上下エキセンシャフトホルダ14に組み込まれたエキセンシャフト12を通って固定されており、このエキセン部が駆動用ギヤ13により面回転移動することで定盤支持シャフト11はエキセンシャフト12中心から距離Rの線上を移動する。それに伴い、定盤15,18も距離Rの線上を移動する。また、定盤支持シャフト11に垂直方向に連結した自転制御シャフト19をレール21上の自転制御ブロック20に通すことで、エキセンシャフト12の回転に連動して前述のブロック20がレール21上を往復運動し、定盤支持シャフト11の自転を制御する。この機構により、エキセンシャフト12回転時に、常に斜線部の上定盤15の側面Aがキャリア16の側面A'と平行関係を保ったまま被加工物17に対して全体面回転運動する。
前述の定盤支持シャフト11の自転制御機構、上定盤15構造・微振動機構は上下とも相同である。つまり、上下の定盤15,18の同位相同偏心運動(旋回運動)による摺動と超音波による微振動、キャリア16の往復運動という相対運動により高能率な研磨が可能となる。
図6に示す研磨装置は、上下の定盤31,32が、それぞれ図示するように逆方向に回転するものとする。これらの定盤31,32間に挟持されるように配されるキャリア33には、中心部に太陽歯車(中心軸)を持ち、この太陽歯車の駆動と内歯車の駆動により、キャリア33を公転、自転させているが、この中央部に太陽歯車があるために研磨領域が狭くなる。すなわち図7では、前記太陽歯車が存在する中心部を中心エリア35としているが、その存在により、円縁に近い部分に合計5箇所の嵌合空部が設けられるに過ぎず、一度に研磨できる被加工物34の枚数も少ない。さらに、各被加工物34においても、中心軸に近い部分と円周に近い部分とでは定盤31,32との相対運動でやはり差異が生じて均一な加工を行うことができない。
さらに、嵌合空部に嵌め込まれた各被加工物34を、嵌合空部内にてそれぞれ回転するようにする場合には、駆動部の機構が極めて複雑となり、しかもその回転の中心軸が存在するため、新たな差異が生ずるばかりで、均一な加工を行うことができない。
前記従来の装置では、中心部の太陽歯車の駆動によりキャリア33を公転、自転させているので、被加工物34を配置できない中央エリア35が存在し、そのため、一度に研磨できる枚数も少なかった。
これに対し、前述のように本発明ではキャリア7を回転するものではないため、相対運動量が著しく少ないエリアが存在しない。したがって、キャリア7の面積を有効に利用でき、多量の被加工物9を保持させて研磨することができ、一度に研磨できる枚数が極めて多いものとなる。
これに対し、前述のように本発明では、各定盤1,6の摺動並びにキャリア7の摺動が面向きを一定として行われるので、基本的に遠心力等が作用することがないため、遠心力が小さい中心軸付近といったエリアも形成されず、キャリア7に保持させる部位(嵌合空部8)によって不均一な仕上がりになることがなく、キャリア7の何れの場所に保持させた被加工物9でも均一に仕上げ研磨することができる。
これに対し、前述のように本発明の装置では、定盤1,6を、公知の偏心カムを用いた機構にて制御し、キャリア7を公知の往復機構にて制御し、何れも比較的容易な駆動であるから、機構の簡易化が実現される。
前記図1〜5、8に示した本発明の平面両面研磨装置を用いて粗研磨を実施した。
前記キャリア7の動作、定盤1,6について以下に示す。
キャリア7の摺動範囲は、2軸同時駆動にてX軸方向、Y軸方向ともに、中心位置より片側5〜50mm、計100mmの範囲での移動可能とした。
キャリア7の摺動速度としては、X軸方向、Y軸方向ともに、10〜200mm/secの範囲とした。
また、研磨加工圧としては0〜500Nの範囲とした。
さらに、定盤1,6の旋回スピードは、上下ともに5〜200rpmとした。
また、定盤1,6の大きさは250×250mmとした。
そして、上下定盤を偏芯旋回運動させると共に被加工物を保持するキャリアを1軸往復状に摺動させることにより、被加工物として、ガラス板(材質BK−7)40×40×2mmを一度に15枚(15枚/回)以上を研磨可能であり、30分間程度の実施にて粗さ200nmRa→1.6nmRaに仕上げることが可能であった。
さらに被加工物を保持するキャリアをX・Y軸2軸往復状円軌道運動させることにより、被加工物として、ガラス板(材質BK−7)40×40×2mmを一度に15枚(15枚/回)以上を研磨可能であり、30分間程度の実施にて粗さ200nmRa→0,8nmRaに仕上げることが可能であった。
また、ステンレス材で構成したキャリアを用意し、被加工物としてガラス板(材質BK−7)を用いて重力方向に垂直に微振動を与える実験を行った。印加周波数として50KHzを与えたところ、印加前が2.0nmRa→印加後1.2nmRaに仕上げ粗さを抑制することが可能となった。このように良好な仕上げ効果をさらに優れた面に仕上げる効果を見出すことが確認された。
さらに、リング錘回転数は100rpmで回転させながら、研磨するとリング錘回転前が60.5nmPV→20.2nmPVとなり、形状精度を良好にすることが可能となり、すなわち研磨定盤面のばたつきを抑制できるものと期待される。
なお、研磨パッドは、ラッピング用又はポリシング用でもよく、現状の砥粒は平均粒径を1.5μmとしてポリシング用としているが、砥粒サイズを3μm程度の大きなラッピング用の砥粒でも同様の効果は得られ、何れのタイプでも採用が可能であった。
これに対し、本発明の装置における上下研磨定盤と同等寸法の定盤の大きさを有する既存の4waY両面研磨装置では、研磨領域直径300mmにおいてキャリアの占有面積の関係上、5枚/回程度しか研磨できなかった。
また、研磨除去量については、既存の両面研磨装置では、30分で10μm程度の除去量が得られたのに対し、本発明の装置に電界を印加しながら研磨することで、30分で20μm以上の研磨除去量が得られることを確認できた。よって、研磨能力としては、4倍以上の能力を有する両面研磨方法ならびに装置であることが確認された。
2 研磨パッド
3 スラリー
4 貯留部
5 偏心カム軸
6 下定盤
7 キャリア
8 嵌合空部
9 被加工物
11 定盤支持シャフト
12 エキセンシャフト
13 駆動用ギア
14 エキセンシャフトホルダ
15 上定盤
16 試料保持キャリア
17 被加工物
18 下定盤
19 制御シャフト
20 ブロック
21 レール
22 絶縁材ならびに除震材(2つの機能を有する)
23 スラリーまたは洗浄水供給穴
24 加震軸
25 リング錘
26 定盤
27 オフセット中心位置からの距離が半径の70%以内を示す
28 回転ローター
Claims (5)
- 下面に研磨パッドを取り付けて上定盤とし、上面に研磨パッドを取り付けて下定盤とし、前記各定盤をそれぞれの研磨パッドを対向させた状態でそれぞれ面向きを一定とした偏芯旋回運動を可能とし、前記研磨パッドの対向空間に、面向きを一定として1軸又は2軸往復することで摺動運動又は円軌道運動を可能とするキャリアに任意の枚数の被加工物を保持させて臨ませ、砥粒を分散させたスラリーを各定盤から加工面に供給しつつ、前記各定盤を偏芯旋回運動させると共に、前記キャリアを往復状に摺動させることを特徴とする平面両面研磨方法。
- 重力方向に対して垂直に10kHz〜100kHzの微振動を与え、砥粒に相対速度を供給することを特徴とする請求項1に記載の平面両面研磨方法。
- 偏芯旋回運動は、外周部に設けたリング錘を回転させることにより、上下の定盤の平行バランスを保持しつつ偏芯旋回運動させるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の平面両面研磨方法。
- 研磨パッドは、ラッピング用又はポリシング用であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の平面両面研磨方法。
- 下面に研磨パッドを取り付けて上定盤とし、上面に研磨パッドを取り付けて下定盤とし、前記各定盤をそれぞれの研磨パッドを対向させた状態でそれぞれ面向きを一定とした偏芯旋回運動を可能とする旋回機構と、前記研磨パッドの対向空間にて、任意の枚数の被加工物を保持させたキャリアを面向きを一定として1軸又は2軸往復させる摺動運動又は円軌道運動を可能とする摺動機構と、砥粒を分散させたスラリーを各定盤から加工面に供給する供給機構と、を備えることを特徴とする砥粒を分散させた流体を用いた平面両面研磨装置。
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