JP2009027165A - 少量レジストディスペンサ - Google Patents

少量レジストディスペンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2009027165A
JP2009027165A JP2008184066A JP2008184066A JP2009027165A JP 2009027165 A JP2009027165 A JP 2009027165A JP 2008184066 A JP2008184066 A JP 2008184066A JP 2008184066 A JP2008184066 A JP 2008184066A JP 2009027165 A JP2009027165 A JP 2009027165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dispenser
bottle
chemical solution
fluid communication
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008184066A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4847494B2 (ja
Inventor
Martijn Johannes Ricken Cornelis
リッケン,コルネリス,マーティン,ヨハネス
Patrick Wong
ウォン,パトリック
Ralf Martinus Marinus Daverveld
ダベルフェルド,ラルフ,マルティヌス,マリヌス
Jos Beerens
ベーレンス,ホス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2009027165A publication Critical patent/JP2009027165A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4847494B2 publication Critical patent/JP4847494B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】汚染及び/又はパターンの欠陥を軽減できる少量液体ディスペンサシステムを提供する。
【解決手段】少量レジストディスペンサは、スピンコータのノズルに、及びスピンコータへの液体供給を制御するために弁を開閉する制御装置出力部に接続可能な逆吸引可能圧力作動弁を含む。ディスペンサは、ガス圧を与えることによって瓶内の流体を加圧する瓶用のホルダを備える。ディスペンサは、例えば、100mlから300mlのレジストのレジストサンプルを含んだレジストサンプル事前充填瓶で使用するのに適切である。
【選択図】図2

Description

[0001] 本発明はリソグラフィシステムの少量レジストディスペンサに関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路(IC)の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイの一部を備える)に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料(レジスト)の層への結像により行われる。フォトリソグラフィでは、放射のビームは、そのビームにパターニングデバイスを横断させることによってパターンを与えられ、レジストに所望のパターンを結像するように、リソグラフィ装置の投影システムによって、光活性化したレジスト(つまりフォトレジスト)の層でコーティングしてある基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1つ又は幾つかのダイを備える)に投影される。一般的に、1枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、基板を所定の方向(「スキャン」方向)と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向(「スキャン」方向)に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナを含む。
[0003] 例えば半導体デバイスが製造され、一般的に「ファブ」(fab)又は「ファウンドリ」(foundry)と呼ばれる工場では、各リソグラフィ装置が通常は、「リソセル」(lithocell)を形成するために基板取り扱い装置及び前処理及び後処理装置を備える「トラック」(track)でグループ化される。基板は、ブランクでも、1つ又は複数のプロセス層又はデバイス層を含むように既に処理されていてもよく、処理するためにロット(バッチとも呼ばれる)単位でリソセルへと送出される。ロットは通常、リソセルによって同じ方法で処理される基板のグループであり、実行されるプロセスを規定する「レシピ」(recipe)を伴う。ロットサイズは任意であるか、ファブの周囲で基板を移送するために使用されるキャリアのサイズによって決定することができる。レシピは、適用されるレジストコーティングの詳細、適用される露光前及び露光後ベークの温度及び継続時間、さらに露光されるパターン及び例えばパターン露光の露光設定の詳細、及び現像の継続時間を含んでよい。
[0004] トラックで実行される処理は、たとえばある量のレジスト溶液などの液体材料の基板上への付与である。レジスト溶液リザーバは、通常は1ガロン(3785ml)のレジスト溶液を含み、ベローズポンプ及び弁システムを介してノズルに接続され、レジスト溶液を基板に適用する。トラックの制御装置は、弁システムに圧力信号を提供して、レジスト溶液の流れを調整するように構成される。1枚の基板に適切な量のレジスト(例えば6mlのレジスト)を与えるために、トラックにはダイアフラムポンプを含む少量液体ディスペンサ構成を装備することができる。ダイアフラムポンプでは、基板の動的コーティング(例えばスピンコーティング)が可能にならない。というのは、このようなポンプは、1回に±0.5mlのパルスでレジスト溶液を送出するからである。回転せずに基板をコーティングするには、このようなポンプは、約6mlのレジスト溶液の溜まりを基板に提供する。しかし、この方法は汚染及びそれによる印刷パターンの欠陥を引き起こしやすい。
[0005] 例えば、汚染及び/又はパターンの欠陥を軽減できる少量液体ディスペンサシステムを提供することが望ましい。
[0006] 本発明の態様によれば、リソグラフィトラック装置に使用する少量化学溶液ディスペンサが提供され、これは、第一及び第二流体連絡開口を設けた密封表面を有する流体連絡部材と、使用時に、化学溶液のサンプルを含むリザーバを密封表面に押しつけ、リザーバの内容積を第一及び第二流体連絡開口と接続する部材とを備える。
[0007] 本発明の態様によれば、化学溶液を基板に供給するノズルを備えた、化学溶液を基板に与えるスピンコータを備え、ノズルは、流体導管を介して、少量化学溶液ディスペンサの逆吸引可能弁に接続され、少量化学溶液ディスペンサが、第一及び第二流体連絡開口を設けた密封表面を有する流体連絡部材と、使用時に、化学溶液のサンプルを含むリザーバを密封表面に押しつけ、リザーバの内容積を第一及び第二流体連絡開口と接続するを含み、第一流体連絡開口が、逆吸引可能弁及び流体導管を介してノズルに接続され、第二流体連絡開口が、流体導管を介して内容積に圧力を供給するように構築及び構成されたデバイスに接続可能である、トラック装置が提供される。
[0008] 次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
[0012] リソグラフィでは、より小さいクリティカルディメンションでパターンを印刷するために、改良されたフォトレジストを適用する必要がある。改良されたレジストに基づく新しいリソグラフィプリントプロセスを検査するために、レジスト供給業者は、レジストの小さいサンプル(100mlから最大300ml)を供給する。このような小さいサンプルでは、レジスト溶液の100mlのサンプルで最大65枚の基板をコーティングできるために、基板を可能な限り少ないレジスト量でコーティングする必要がある(1.5〜2mlが望ましい)。このような少量のレジスト溶液で基板をコーティングするために、コーティングプロセスは、レジスト溶液を適用する間に基板を回転(スピン)するスピンコーティングプロセスであることが望ましい(本明細書では動的コーティングと呼ぶ)。
[0013] 図1は、スピンコータ12、トラック制御装置13及び少量レジストディスペンサ100を含むトラック11に接続されたリソグラフィ装置10を概略的に示したものである。トラック11の制御装置13は、少量レジストディスペンサの弁システムに圧力信号を提供して、レジスト溶液の流れを調整するように構成される。リソグラフィ装置10は、パターニング手段MAを照明する照明システムIL、及びパターン付き放射を基板Wに投影する投影システムPSを含む。
[0014] 本発明の実施形態による少量レジストディスペンサ100が、図2に概略的に図示されている。少量レジストディスペンサ100は、スピンコータ12のノズル及びトラック制御装置13に接続可能な逆吸引可能圧力作動弁Aを含む。トラック制御装置の出力信号は、スピンコータ12への流体又は液体の供給を制御するために弁Aの開閉に使用される圧力信号である。ディスペンサ100は、瓶のホルダを備え、ガス圧を適用することによって瓶内の流体を加圧するように構成される。ディスペンサは、予め充填され、100mlから200mlのレジスト溶液のレジストサンプルを含むレジストサンプル瓶で使用するのに適切である。
[0015] 逆吸引可能圧力作動弁Aは、スピンコータ12(図12には図示せず)のノズルに接続されたチューブCなどの流体導管を介するレジスト溶液の分配を開始し、停止するように構築され、構成される。弁Aは、トラック11の制御装置13で操作することができる。例えばレジスト供給業者によって供給されたレジスト溶液のサンプルなどのレジスト溶液で部分的に充填されたサンプル瓶Gは、その開口が流体連絡部材Fと接触する状態で配置される。流体連絡部材は、密封表面21がある材料プレートとして実現することができ、したがって瓶を密封表面に押し込むと、瓶の開口が密封される。密封表面は、流体連絡部材Fに適用される弾性材料の層として実現することができる。瓶Gを弾性層又は密封表面21に押しつけるように構築され、構成された部材22は、例えば様々なサイズの瓶Gに対応するように構成された可動密封部材Iを含むことができる。例えば、部材22は、閉鎖部材としてプレートI、ナットE及びねじ付きワイヤ23を含むことができる。瓶Gは、ナットE(そのうち2つが図2に図示されている)を締め付けることによって、プレートIとFの間の所定の位置にしっかり保持することができる。密封した瓶Gとの流体連絡は、第一流体連絡開口24及び第二流体連絡開口25を介して可能である。流体連絡開口24及び25は、瓶Gの内容積がこれらの開口に接続されるような方法で、流体連絡部材F内に配置される。サンプル瓶Gは、圧縮性の不活性流体を供給するように構築され、構成されたデバイスに接続された流体導管Dを介して、瓶Gの内容積に不活性ガスのガス圧を加えることにより、第一開口24を介して加圧することができる。不活性流体は、例えば窒素などの不活性ガスでよい。実施形態では、瓶G内の窒素ガスは、0.5及び1.3バール内の任意の値の圧力を有してよい。従来のサンプル瓶の最大許容圧力は10バールでよく、したがって前述した圧力範囲内の作動圧力で、安全性が保証される。トラック制御装置13は、図2に示す流体導管Bに圧力を加え、その圧力を解放するように構築され、構成される。逆吸引可能弁Aは、レジスト溶液をスピンコータに送出するためにポンプを使用する場合、弁Aを個々に開閉するように、圧力信号のこのような変化を担当する。弁が開いている場合、レジストは、瓶Gから第二流体連絡開口25と弁Aの間に接続された導管Hを通って弁Aへ、及び流体導管Cを介してスピンコータ12の分配ノズルへと流れる。
[0016] レジスト溶液に曝露しているディスペンサ10の部分は、テフロン(登録商標)などのレジスト中の溶剤に対して抵抗性の材料で実現され、欠陥の危険性を低下させる。使用される弁は、例えばSMC Corporation of Americaが生産するSMC LVC13U-S032でよい。流れの成分が脈動することなく、定常流による分配を提供することができる。0.25ml以上の範囲、及び望ましくは0.25mlから1.5mlまでの範囲の分配体積を提供することができ、分配体積を比較的小さくすることにより、基板を動的にコーティングするか、基板の代替コーティング方法を使用することができる。
[0017] ディスペンサシステム100内で、瓶Gを切り離して、後に使用するために保存しておくことができ、このような状況では有意の量のレジスト溶液が失われないという利点がある。板として実現された流体連絡部材Fは、瓶Gに押しつけられると、様々なサイズ及び形状の様々な瓶を使用できるような構成を提供する。例えば、レジストサンプルを例えば100ml又は200ml含む事前充填瓶は、スピンコーティング用のトラック内で使用される従来の液体ディスペンサの一部であるリザーバにサンプル瓶の内容を移送することを必要とせずに、導管D及びHに接続することができる。これは、汚染及びレジスト溶液の損失という問題を軽減することができる。
[0018] トラックで使用する少量ディスペンサシステムは、シリンジを用いるポンプ、又はピペットなどの手動操作のディスペンサ、又は前述したダイアフラムポンプを含む。ピペットの場合、ピペットがコーティングトラックの内側に填らないので、直径300mmの基板をコーティングすることは不可能であり、直径200mmの基板では、トラックから安全ウィンドウを外さなければならないので、ピペットでの作業は安全でない。本発明の実施形態は、この問題を軽減することができる。また、ピペットでは、最少で5mlのレジスト溶液が適用されるので、基板を動的にコーティングすることが不可能である。シリンジを用いるポンプは、手で操作しなければならないという欠点を有する。対照的に、本発明の実施形態によるディスペンサは、一般的にトラックとともに使用可能である線Bに対応するトラック圧力信号に接続することができる。トラックとともに使用し、空気圧シリンジを含む少量分配ユニットは、米国特許第US6,857,543号に見られる。空気圧シリンジは、基板のバッチに適用される少量(例えば30cc)のレジスト溶液のリザーバとして使用される。本発明の実施形態と対照的に、空気圧シリンジを使用すると、(レジスト供給業者によって提供されたままの)レジストサンプルを含む瓶からシリンジへとレジスト溶液を移送する必要があることを示唆する。移送中に、レジストが汚染され、レジストが失われる危険がある。本発明の実施形態はさらに、空気圧シリンジの所望のクリーニング又は交換を避け、それによって少量ディスペンサの作動の費用を削減する。
[0019] 本発明の実施形態を、トラック装置に関して説明してきた。しかし、少量レジストディスペンサ14とトラック11とは別個のデバイスでよい。
[0020] 図1に示すようなリソグラフィクラスタのリソグラフィ装置10が、図3に図示されている。装置10は、
[0021] 放射ビームB(例えば248nm又は193nmの波長で作動するエキシマレーザによって発生するようなUV放射、又は13.6nmの波長で作動するレーザ点火プラズマ光源などによって発生するようなEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0022] パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
[0023] 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0024] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
[0025] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0026] 支持構造体MTは、パターニングデバイスを保持する。該支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体MTは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造体MTは、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0027] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
[0028] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、減衰型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0029] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
[0030] ここに示している装置10は透過タイプである(例えば透過マスクを使用する)。あるいは、装置は反射タイプでもよい(例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する)。
[0031] リソグラフィ装置10は2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のパターニングデバイステーブル)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0032] リソグラフィ装置10は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
[0033] 図3を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0034] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0035] 放射ビームBは、支持構造体(例えばマスクテーブルMT)上に保持されたパターニングデバイス(例えばマスクMA)に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通り抜けて、基板Wのターゲット部分C上にビームを集束する投影システムPSを通過する。第二ポジショナPW及び位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ)の助けにより、基板テーブルWTを、例えば放射ビームBの経路において様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナPM及び別の位置センサ(図1には明示されていない)を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、パターニングデバイステーブルMTの移動は、第一ポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第二ポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、パターニングデバイステーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアラインメントマークM1、M2及び基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい(スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる)。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0036] 図示の装置10は以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。
[0037] ステップモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0038] スキャンモードにおいては、支持構造体MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
[0039] 別のモードでは、支持構造体MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0040] 上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0041] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0042] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射(例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm又は126nm、あるいはその辺りの波長を有する)及び極端紫外線(EUV)放射(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
[0043] 以上では本発明の特定の実施形態について説明してきたが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、瓶Gは、サンプル化学溶液の供給業者がサンプルを分配するために使用する任意の流体リザーバでよい。本発明は、レジスト溶液の少量ディスペンサに制限されない。レジスト溶液ではなく、サンプル瓶は、例えばアルコール系溶剤中で混合されたシロキサン、シリケート又はhydrogensylsequioxanesなどのトラック装置内で基板処理に使用する任意の化学溶液のサンプルを含んでよい。
[0044] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
[0009] リソグラフィ装置と、少量レジスト溶液ディスペンサを含むトラックとを含むリソセルを示した図である。 [0010] 本発明の実施形態による少量レジストディスペンサを示した図である。 [0011] 図1に示したリソグラフィ装置をさらに詳細に示した図である。

Claims (16)

  1. リソグラフィトラック装置に使用する少量化学溶液ディスペンサであって、
    第一及び第二流体連絡開口を設けた密封表面を有する流体連絡部材と、使用時に、化学溶液のサンプルを含むリザーバを前記密封表面に押しつけ、前記リザーバの内容積を前記第一及び第二流体連絡開口と接続する部材とを備える、ディスペンサ。
  2. 前記リザーバが瓶である、請求項1に記載のディスペンサ。
  3. 前記瓶が100〜300mlの範囲から選択された容積を有する、請求項2に記載のディスペンサ。
  4. 前記瓶が、前記化学溶液の供給業者によって化学溶液のサンプルが供給されたサンプル瓶である、請求項3に記載のディスペンサ。
  5. 前記第一流体連絡開口が、流体導管を介して逆吸引可能弁に接続され、前記第二流体連絡開口が、流体導管を介して前記内容積に圧力を供給するデバイスに接続可能である、請求項1に記載のディスペンサ。
  6. 前記リザーバが瓶である、請求項5に記載のディスペンサ。
  7. 前記瓶が100〜300mlの範囲から選択された容積を有する、請求項6に記載のディスペンサ。
  8. 前記瓶が、前記化学溶液の供給業者によって化学溶液のサンプルが供給されたサンプル瓶である、請求項7に記載のディスペンサ。
  9. 前記化学溶液がフォトレジスト溶液である、請求項1から8のいずれか一項に記載のディスペンサ。
  10. 化学溶液を基板に供給するノズルを備えた、該化学溶液を基板に与えるスピンコータを備え、前記ノズルは、流体導管を介して、少量化学溶液ディスペンサの逆吸引可能弁に接続され、
    前記少量化学溶液ディスペンサが、第一及び第二流体連絡開口を設けた密封表面を有する流体連絡部材と、使用時に、前記化学溶液のサンプルを含むリザーバを前記密封表面に押しつけ、前記リザーバの内容積を前記第一及び第二流体連絡開口と接続する部材とを含み、
    前記第一流体連絡開口が、前記逆吸引可能弁及び流体導管を介して前記ノズルに接続され、
    前記第二流体連絡開口が、流体導管を介して前記内容積に圧力を供給するデバイスに接続可能である、トラック装置。
  11. 前記逆吸引可能弁の弁開放又は弁閉鎖状態が圧力信号の変化に応答するものであり、該圧力信号を出力信号とする制御装置をさらに備える、請求項10に記載のトラック装置。
  12. 前記リザーバが瓶である、請求項11に記載のトラック装置。
  13. 前記瓶が100〜300mlの範囲から選択された容積を有する、請求項12に記載のトラック装置。
  14. 前記瓶が、前記化学溶液の供給業者によって化学溶液のサンプルが供給されたサンプル瓶である、請求項13に記載のトラック装置。
  15. 流体導管を介して前記内容積に圧力を供給する前記デバイスが、前記トラックの一部である、請求項10に記載のトラック装置。
  16. 前記化学溶液がフォトレジスト溶液である、請求項10から15のいずれか一項に記載のトラック装置。
JP2008184066A 2007-07-23 2008-07-15 少量レジストディスペンサ Expired - Fee Related JP4847494B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US93501307P 2007-07-23 2007-07-23
US60/935,013 2007-07-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009027165A true JP2009027165A (ja) 2009-02-05
JP4847494B2 JP4847494B2 (ja) 2011-12-28

Family

ID=40294128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008184066A Expired - Fee Related JP4847494B2 (ja) 2007-07-23 2008-07-15 少量レジストディスペンサ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090025633A1 (ja)
JP (1) JP4847494B2 (ja)
NL (1) NL1035684A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010221182A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toppan Printing Co Ltd インキ供給装置

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01141274A (ja) * 1987-11-27 1989-06-02 Hitachi Ltd ボールジョイント式圧縮機
JPH01207165A (ja) * 1988-02-10 1989-08-21 Tokyo Electron Ltd 液体容器の収納ボックス
JPH01218664A (ja) * 1988-02-29 1989-08-31 Hoya Corp 回転塗布装置
JPH03114565A (ja) * 1989-09-29 1991-05-15 Hitachi Ltd 流動体供給装置およびその制御方法
JPH0443900A (ja) * 1990-06-12 1992-02-13 Fujitsu Ltd 液体供給装置
JPH0417507Y2 (ja) * 1986-06-28 1992-04-20
JPH05160016A (ja) * 1991-12-04 1993-06-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH06236843A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置
JPH06326017A (ja) * 1993-05-10 1994-11-25 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
JPH07283104A (ja) * 1994-04-06 1995-10-27 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 薬液塗布装置
JPH08222498A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Oki Electric Ind Co Ltd レジストコータにおける薬液吐出装置
JPH10189438A (ja) * 1996-12-23 1998-07-21 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用の自動シンナー供給装置及び供給方法
JPH10211451A (ja) * 1997-01-29 1998-08-11 Plasma Syst:Kk 薬液供給容器用キャップユニットおよび薬液供給装置
US5857590A (en) * 1997-04-07 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlled multi-nozzle liquid dispensing system
JPH1191866A (ja) * 1997-09-11 1999-04-06 Fuji Acetylene Kogyo Kk 薬液容器
JP2000031000A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置におけるレジスト液供給装置
JP2000223393A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP2008006325A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 加圧式処理液供給装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3170607A (en) * 1961-09-01 1965-02-23 Warner Lambert Pharmaceutical Closure for pressurized containers
US6024249A (en) * 1997-06-27 2000-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fluid delivery system using an optical sensor to monitor for gas bubbles
TW421818B (en) * 1997-07-04 2001-02-11 Tokyo Electron Ltd Process solution supplying apparatus
JP3329720B2 (ja) * 1998-01-19 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
US6857543B2 (en) * 2001-12-01 2005-02-22 Shipley Company, L.L.C. Low volume dispense unit and method of using

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0417507Y2 (ja) * 1986-06-28 1992-04-20
JPH01141274A (ja) * 1987-11-27 1989-06-02 Hitachi Ltd ボールジョイント式圧縮機
JPH01207165A (ja) * 1988-02-10 1989-08-21 Tokyo Electron Ltd 液体容器の収納ボックス
JPH01218664A (ja) * 1988-02-29 1989-08-31 Hoya Corp 回転塗布装置
JPH03114565A (ja) * 1989-09-29 1991-05-15 Hitachi Ltd 流動体供給装置およびその制御方法
JPH0443900A (ja) * 1990-06-12 1992-02-13 Fujitsu Ltd 液体供給装置
JPH05160016A (ja) * 1991-12-04 1993-06-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH06236843A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Tokyo Electron Ltd 処理液供給装置
JPH06326017A (ja) * 1993-05-10 1994-11-25 Tokyo Electron Ltd レジスト塗布装置
JPH07283104A (ja) * 1994-04-06 1995-10-27 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 薬液塗布装置
JPH08222498A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Oki Electric Ind Co Ltd レジストコータにおける薬液吐出装置
JPH10189438A (ja) * 1996-12-23 1998-07-21 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用の自動シンナー供給装置及び供給方法
JPH10211451A (ja) * 1997-01-29 1998-08-11 Plasma Syst:Kk 薬液供給容器用キャップユニットおよび薬液供給装置
US5857590A (en) * 1997-04-07 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Controlled multi-nozzle liquid dispensing system
JPH1191866A (ja) * 1997-09-11 1999-04-06 Fuji Acetylene Kogyo Kk 薬液容器
JP2000031000A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置におけるレジスト液供給装置
JP2000223393A (ja) * 1999-01-28 2000-08-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
JP2008006325A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Tokyo Electron Ltd 加圧式処理液供給装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010221182A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toppan Printing Co Ltd インキ供給装置

Also Published As

Publication number Publication date
NL1035684A1 (nl) 2009-01-27
JP4847494B2 (ja) 2011-12-28
US20090025633A1 (en) 2009-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6469761B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4938424B2 (ja) 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置
JP5344691B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
JP4451388B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4478139B2 (ja) 液浸リソグラフィにおいて表面張力及び接触角を高めるシステム並びに方法
JP5412399B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
NL1035608A1 (nl) Lithographic Method and Device Manufactured Thereby.
JP4833953B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP5226759B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP4847494B2 (ja) 少量レジストディスペンサ
US8427627B2 (en) Lithographic apparatus and methods
JP5249168B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8029973B2 (en) Lithographic method and carrier substrate
JP2012209551A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110615

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110915

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111013

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees