JP2009027020A - 検査装置、露光装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 装置のメンテナンスにかかる時間を最小限に抑え、装置の稼働率の低下を抑止する。
【解決手段】 指標の画像を取得する画像取得部と、画像取得部により取得された画像から、指標に関する情報を取得する情報取得手段と、指標に関する情報に基づいて、メンテナンスの必要度合いを予測する予測手段と、予測手段における予測結果を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 指標の画像を取得する画像取得部と、画像取得部により取得された画像から、指標に関する情報を取得する情報取得手段と、指標に関する情報に基づいて、メンテナンスの必要度合いを予測する予測手段と、予測手段における予測結果を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体デバイスを製造する過程で用いられる装置のメンテナンス時期を検査する検査装置、該検査装置を備えた露光装置、及び装置のメンテナンス時期を検査する検査方法に関する。
半導体デバイスを製造する際に、レクチル(マスク)に形成されたパターンを半導体ウェハ等の感光性基板上に露光する露光装置が使用されている。この半導体ウェハは、多層のパターンを積み重ねて形成しており、半導体ウェハの2層目以降に重ね合わせ露光する際には、半導体ウェハのパターン露光領域(以下、ショット領域)と、レクチルのパターン像とを高精度に位置合わせすることが要求される。このため、レクチルや、半導体ウェハなどに形成されたアライメントマークを検出或いは撮像し、検出又は撮像されたアライメントマークから位置情報を取得することで、ショット領域とパターン像との位置合わせを行うことが多い。この位置合わせを行う際に、レクチル又は半導体ウェハを保持するステージに形成されたアライメントマークを検出し、このアライメントマークの検出時に得られるステージの位置情報を用いて、ステージの位置調整も行う場合もある。これにより、ショット領域とパターン像との位置合わせを高精度に行うことが可能となる。
特開2001−345250号公報
しかしながら、上述したアライメントマークを検出する場合、アライメントマークに向けて照射する光源の発光量の低下や、露光装置を長時間稼働することでの露光装置の各部の位置ズレが生じてしまう。また、この他に、半導体ウェハを吸着保持するウェハステージに形成されたアライメントマークは、露光装置を長時間稼働させることで耐水性のコーティングが劣化する、または水垢などの汚れが付着していくことから、時間経過とともに、アライメントマークを適切に検出することができなくなる。例えばアライメントマークが適切に検出することができなくなると、レチクルと半導体ウェハとの位置合わせ、つまりショット領域とパターン像との位置合わせを高精度で行うことができなくなり、半導体ウェハのショット領域にパターン像を適切に露光できなくなる。このような問題を解決する方法としては、露光装置に対するメンテナンス作業を定期的に行うことが考えられるが、メンテナンスは、露光装置を停止させて行うことから、露光装置の稼働率を低下させてしまうこと要因となり、あまり好ましくない。
本発明は、上述した課題を解決するために発明されたものであり、装置のメンテナンスにかかる時間を最小限に抑え、装置の稼働率の低下を抑止することができるようにした検査装置、露光装置及び検査方法を提供することを目的とする。
第1の発明の検査装置は、稼働する装置に対してメンテナンスを行う必要があるか否かを検査する検査装置において、指標の画像を取得する画像取得部と、前記画像取得部により取得された画像から、前記指標に関する情報を取得する情報取得手段と、前記指標に関する情報に基づいて、前記メンテナンスの時期を予測する予測手段と、前記予測手段における予測結果を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。
また、第2の発明は、第1の発明において、前記情報取得手段は、前記指標の画像と予め取得された指標の基本画像との相関から得られる評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする。
また、第3の発明は、第1の発明において、前記情報取得手段は、少なくとも1つ以上の評価用アルゴリズムを用いて前記指標の画像に対する評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする。
また、第4の発明は、第1の発明において、前記情報取得手段は、取得された画像のノイズ成分、又はコントラスト成分の何れかに対する評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする。
また、第5の発明は、第2から第4の発明において、前記算出手段によって算出された評価値を時系列に記憶していく記憶手段を備え、前記予測手段は、算出された評価値と、前記記憶手段に記憶された複数の評価値とを用いて前記メンテナンスの時期を予測することを特徴とする。
また、第6の発明の露光装置は、第1〜第5のいずれかの検査装置を備えたことを特徴とする。
また、第7の発明は、第6の発明において、マスクのパターン像が露光される感光性基板を保持する基板用ステージを備え、前記指標は、前記保持ステージに設けられていることを特徴とする。
また、第8の発明は、第6の発明において、前記指標は、パターンが形成されたマスクに形成された位置検出用のマークであることを特徴とする。
また、第9の発明は、第6の発明において、前記指標は、マスクのパターン像が露光される感光性基板に形成された位置検出用マークであることを特徴とする。
また、第10の発明の検査方法は、稼働する装置に対してメンテナンスを行う必要があるか否かを検査する方法において、指標の画像を取得する画像取得工程と、取得された画像から、前記指標に関する情報を取得する情報取得工程と、前記指標に関する情報に基づいて、メンテナンスの時期を予測する予測工程と、前記予測工程における予測結果を表示する表示工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、指標に関する情報に基づいて、メンテナンスを行う必要があるか否か、また、メンテナンスの時期を予測できるので、予めメンテナンスに必要となる部品の確保や、メンテナンス作業を行う人員の確保などの作業を前もって行うことができる。また、このような作業を前もって行うことで、装置自体の稼働率の低下を最小限に留めることができる。
図1は、本発明を実施した露光装置の一例を示す概略図である。図1において、投影露光装置10の設置面に垂直にZ軸をとり、Z軸に垂直な面内で互いに直交するX軸、Y軸をとるものとする。超高圧水銀ランプや、エキシマレーザ光源などの露光光源15から射出された照明光は、ミラー16で反射されて波長選択フィルタ17に入射する。波長選択フィルタ17を通過した露光に必要な波長域の照明光(露光光)は、照度分布均一化用のフライアイ・インテグレータ18に入射する。なお、装置全体の動作を統轄制御する主制御系51が露光光源15の発光タイミング、及び出力等を制御している。
フライアイ・インテグレータ18の射出面に形成される多数の光源像からの露光光ILは、不図示の開口絞りを通過して、第1リレーレンズ19aを経てレチクルブラインド(可変視野絞り)20に到達する。レチクルブラインド20は、駆動装置21によって開口の大きさが切り換えられ、これによって露光光ILによるレチクル上の照明領域が制御される。レチクルブラインド20の開口を通過した露光光ILは、第2リレーレンズ19bを経て、ミラー22で反射された後、コンデンサレンズ系23を介してレチクル30のパターン面の照明領域を照明する。レチクルの照明領域内のパターンの像は、投影光学系24を介して投影倍率β(βは1/4,1/5等)で、レジストが塗布された半導体ウェハ35の表面の各ショット領域に投影される。
レチクル30は、このレチクル30をXY平面内で位置決めするレチクルステージ40上に吸着保持されている。レチクルステージ40の位置は不図示のレーザ干渉計によって計測され、この計測値及び主制御系51からの制御情報によってレチクルステージ40の動作が制御されている。一方、半導体ウェハ35は、不図示のウェハホルダ上に真空吸着によって保持され、このウェハホルダはウェハステージ42上に固定されている。ウェハステージ42は、例えばリニアモータ方式によってX方向、Y方向に半導体ウェハ35をステップ移動するとともに、オートフォーカス方式で半導体ウェハ35のフォーカス位置(光軸AX方向の位置)、及び傾斜角を制御することによって、半導体ウェハ35の表面を投影光学系24の像面に合わせ込む。
ウェハステージ42の上部に固定された移動鏡43、及び対向して配置されたレーザ干渉計44によってウェハステージ42のX座標、Y座標、及び回転角が計測され、この計測値がステージ制御系50及び主制御系51に出力されている。ステージ制御系50は、その計測値、及び主制御系51からの制御情報に基づいて、ウェハステージ駆動部52を介してウェハステージ42の動作を制御する。露光時には、半導体ウェハ35上の1つのショット領域55への露光が終了すると、ウェハステージ42のステップ移動によって半導体ウェハ35上の次のショット領域55が投影光学系24の露光領域に移動し、以下ステップ・アンド・リピート方式で半導体ウェハ35上の各ショット領域へのレチクル30のパターン像の露光が行われる。
このような露光が重ね合わせ露光であるとすると、予め半導体ウェハ35の各ショット領域とレチクル30とのアライメントを高精度に行っておく必要がある。そのため、図3(a)に示すように、半導体ウェハ35上の各ショット領域55にはそれぞれ、X方向に配列された凹凸のライン・アンド・スペースパターンよりなるX軸のウェハマーク56X、及びY方向に配列された凹凸のライン・アンド・スペースパターンよりなるY軸のウェハマーク56Yが付設されている。ウェハマーク56XのX方向の中心座標、及びウェハマーク56YのY方向の中心座標と、対応するショット領域55の中心座標とのオフセットは、露光データとして主制御系51に出力されている。
また、図3(b)に示すように、レチクル30のパターン領域59の+X方向側に窓部60Yを挟んでY方向に所定ピッチでY軸のレチクルマーク61Yが形成され、パターン領域59の+Y方向側に窓部60Xを挟んでX方向に所定ピッチでX軸のレチクルマーク61Xが形成されている。本実施形態では、レチクル30のパターン領域59の投影像の中心に半導体ウェハ35のショット領域55の中心をほぼ合わせた状態で、ウェハマーク56X及び56Yの共役像がそれぞれ窓部60X及び60Yに形成されるようになっている。更に、不図示であるが、レチクル30のパターン面にはパターン領域59をX方向に挟むように、レチクルアライメント用の2つのアライメントマークが形成されている。
投影露光装置10には、レチクル30のレチクルマーク61X,61Y(図3参照)と、対応する半導体ウェハ35上の各ショット領域55のウェハマーク56X,56Yとの位置ずれ量を投影光学系24を介して検出する、TTR(Through The Reticle)方式のアライメントセンサ65が備えられ、アライメントセンサ65の計測信号がアライメント信号処理系66に出力されている。アライメントセンサ65は、実際には2つのレチクルマーク61X,61Yの上方に2軸配置されている。
アライメントセンサ65の方式としては、アライメント光としてHe−Neレーザ等を使用してドット列状のマークからの回折光を受光するLSA方式、He−Neレーザ光等を使用して回折格子状のマークからの回折光よりなる干渉光を受光するLIA方式、又は露光光と同じ波長域の照明光を使用して被検マークの像を撮像する露光光アライメント方式等が使用できる。特に、露光光として、KrF(波長248nm)、ArF(波長193nm)等のエキシマレーザ光を使用した場合には、アライメント光としてHe−Neレーザ光を使用すると、露光光との波長差が大きくなって投影光学系24における色収差の補正が複雑になるため、露光光アライメント方式が好ましい。また、露光光アライメント方式を使うとオフセットを考慮する必要がなく、いわゆるベースライン量(アライメントセンサの検出中心と露光中心との間隔)を管理する必要もない。
そこで、本実施形態では、アライメントセンサ65として、露光光と同じ波長域の照明光でレチクルマーク及びウェハマークを照明し、両マークの像をCCDカメラ等の撮像素子で撮像する画像処理方式で、かつ露光光アライメント方式のセンサを使用する。また、レチクル30のアライメント用として、ウェハステージ42上に所定の基準マークが形成された基準マーク部材66が固定されている。そして、例えばレチクル30をレチクルステージ40上に載置した際には、基準マーク部材66を投影光学系24の露光領域に移動して、アライメントセンサ65によって投影光学系24を介して、レチクル30上のアライメントマークと対応する基準マーク部材66上の基準マークとの位置ずれ量を計測する。この位置ずれ量は、アライメント信号処理系67によって求められて主制御系51に出力され、主制御系51ではその位置ずれ量が所定範囲内に収まるようにレチクルステージ40を制御する。
また、投影光学系24の側方には、ウェハ12上のウェハマーク56の位置検出を行うために、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ67も備えられている。アライメントセンサ67のアライメント方式としては、画像処理方式(FIA方式)、LSA方式、又はLIA方式等が使用できるが、オフ・アクシス方式のアライメントセンサは、半導体ウェハ35の大まかな位置合わせ(サーチアライメント)にも使用されることが多いため、画像処理方式が便利である。そこで、本実施形態のアライメントセンサ67も、広帯域の照明光で被検マークを照明し、被検マークの像をCCDカメラ等の撮像素子で撮像する画像処理方式とする。アライメントセンサ67からの撮像信号よりなる計測信号もアライメント信号処理系69に出力されている。なお、アライメントセンサ67の検出中心とレチクル30のパターンの投影像の中心(露光中心)との間隔(ベースライン量)は、基準マーク部材66上の所定の基準マークを用いて予め求められて、主制御系51の内部に記憶されている。
露光時にTTR方式のアライメントセンサ65を使用する場合には、アライメントセンサ65を用いて、レチクル30上のレチクルマーク61X,61Yと、半導体ウェハ35上の露光対象のショット領域55のウェハマーク56X,56Yの像とを同時に撮像し、アライメント信号処理系69でそれらのマーク間の位置ずれ量を検出し、検出結果を主制御系51に出力する。主制御系51では、それらの位置ずれ量が所定の許容範囲に収まるようにウェハステージ42を駆動した後、当該ショット領域55にレチクル30のパターン像を露光する。
一方、露光時にオフ・アクシス方式のアライメントセンサ67を使用する場合には、例えば半導体ウェハ35上から選択された所定個数のショット領域(サンプルショット)55のウェハマーク56X,56Yをアライメントセンサ67で撮像する。そして、アライメント信号処理系では、計測信号を処理することによって各ウェハマーク56X,56Yのアライメントセンサ67内の検出中心からのX方向、Y方向への位置ずれ量を検出し、検出結果を主制御系51に出力する。主制御系51は、各ウェハマークの位置ずれ量を各ウェハマークの位置を検出したときにレーザ干渉計44によって計測されている座標に加算することによって、各ウェハマークのX座標、又はY座標を算出し、更に各サンプルショットの配列座標を求める。
そして、主制御系51は、例えばエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式でそれらの配列座標を処理することによって、半導体ウェハ35上の全部のショット領域55の配列座標を求める。その後、主制御系51は、得られた配列座標をアライメントセンサ67のベースライン量等で補正した値に基づいて、ウェハステージ42を駆動して半導体ウェハ35上の各ショット領域55を露光位置に位置決めして、レチクル30のパターン像を露光する。
次に、アライメント信号処理系69において、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ67からの計測信号より、図3(a)のX軸のウェハマーク56Xの検出中心からX方向への位置ずれ量を求める方法の一例につき説明する。なお、TTR方式のアライメントセンサ67からの計測信号も同様に処理できる。図2は、アライメント信号処理系69の構成を示すブロック図であり、この図2において、アライメントセンサ65及び67からの撮像信号よりなる計測信号は、それぞれアライメント信号処理系69内の信号処理部70及び71に出力される。信号処理部70及び71は、それぞれ対応する計測信号を例えば画素毎にデジタル信号に変換した後、非計測方向に加算して平均化し、このように平均化された計測信号のパターンをRAM等の第1メモリ72に格納する。第1メモリ72に格納された計測信号のパターンは、制御部73に読み出されて演算判定部74に出力される。なお、制御部73、及び演算判定部74は、例えばマイクロプロセッサより構成されている。
RAM等の第2メモリ75には、予め主制御系51から制御部73を介して、ウェハマーク56Xの計測信号のパターンを判定する際の基準となる標準パターンのデータが格納されている。制御部73は、アライメント時には第2メモリ75から読み出した標準パターンのデータを演算判定部74に出力する。演算判定部74では、DPマッチング方法を用いて、所定のマッチング度が最大値を取るときのシフト量を求める。なお、DPマッチング方法は、計測信号のパターンから切り出す範囲をずらしながら、切り出された所定幅のデータと、その標準パターンのデータとを比較することで得られるマッチング度(評価値)Eを求め、その評価値Eが最大値を取るときのシフト量を位置すれ量として求める。演算判定部74は、算出された計測信号のパターンのシフト量と、そのときの評価値Eとを制御部73に出力する。
主制御系51は、投影露光装置10が自動停止される時期を予測する停止予測部85を備えている。この停止予測部85は、2つの閾値(以下、第1基準値E1、第2基準値E2と称する)を備えており、主制御部73から評価値Eが入力されたときに、これら第1基準値E1及び第2基準値E2と、評価値Eとの比較が行われる。この比較結果に応じて、表示装置86に警告表示、或いは投影露光装置10の自動停止の時期が表示される。
図5は、半導体ウェハ35にレクチル30上のパターン像を露光する流れを示すフローチャートである。ステップS1は、半導体ウェハ35をウェハステージ42にセットする処理である。この処理が終わると、ステップS2に進む。
ステップS2は、アライメントセンサ65,67により、ウェハマーク、レクチルマークなどを撮像する処理である。このステップS2が終了すると、ステップS3へと進む。
ステップS3は、アライメントセンサ65,67によって撮像された画像から位置ずれ量を算出する処理である。アライメントセンサ65,67によって取得された画像は信号処理部70,71に出力される。この信号処理部70,71に出力された画像は、処理信号のパターンに変換された後、第1メモリ72に記憶される。その後、第1メモリ72に記憶された処理信号のパターンは、第2メモリ75に記憶された標準パターンとともに演算判定部74に出力され、例えばDPマッチング法などによって、位置ずれ量が求められる。この位置ずれ量は、該位置ずれ量を求める際に算出された評価値Eとともに、主制御系51に出力される。
ステップS4は、求められた位置ずれ量に基づいて、ウェハステージ42の位置調整を行う処理である。ウェハステージ42の位置調整が行われると、ステップS5に進み、露光処理が開始される。つまり、レクチル30のパターン像を、半導体ウェハ35の各ショット領域に露光する。
図6は、メンテナンスを行う必要があるか否かを判定する処理手順を示すフローチャートである。この基準値のうち、第1基準値E1は、投影露光装置10が自動停止されるときの評価値の値である。また、第2基準値E2は、投影露光装置10は自動停止されないが、メンテナンスを行う必要があると判断するときの基準値である。これら第1基準値E1、第2基準値E2は、予め実験などから得られる値であっても良いし、ウェハステージ35の位置合わせを行う際に入力される評価値Eの時間的変化を記憶していき、記憶した評価値Eの時間的変化から実際に投影露光装置10が自動停止したときの評価値の値から、第1基準値E1、第2基準値E2を設定することも可能である。
ステップS11は、評価値Eと第2基準値E2との比較を行う処理である。この評価値Eと第2基準値E2との比較において、評価値E>第2基準値となる場合には、投影露光装置10は、ウェハステージの位置合わせ、及び半導体ウェハの露光が適切に行われているものと判定される。一方、評価値E≦第2基準値E2となる場合には、第2基準値E2は、投影露光装置10自体は自動停止されないが、投影露光装置10のメンテナンスを行う時期に到達したと判定される。この場合には、ステップS12へ進む。
ステップS12は、評価値Eと第1基準値E1との比較を行う処理である。この評価値Eと第1基準値E1との比較において、評価値E>第1基準値E1となる場合には、ステップS13に進み、評価値E≦第1基準値E1となる場合には、ステップS15に進む。
ステップS13は、投影露光装置10が自動停止する時期を予測する処理である。図4に示すように、評価値Eは投影露光装置10の稼働時間Tに伴って徐々に低下していく。この評価値Eの時間推移を示すデータを予め停止予測部85に設け、停止予測部85において現在の評価値Eが第1基準値E1になるまでの時間を算出する。なお、この評価値Eの時間推移のデータは、予め実験等により取得される統計的なデータの他に、実際に投影露光装置10を稼働したときに得られる評価値のデータを用いることができる。このステップS13の処理が終わると、ステップS14に進む。
ステップS14は、メンテナンスを行う必要がある旨を示す警告表示、及び投影露光装置が停止される時期の表示を、表示装置86に行う。
この評価値の比較は、半導体ウェハ35がセットされる毎にウェハステージ42の位置合わせを行うことから、半導体ウェハ35をウェハステージ42にセットする毎に行ってもよいし、例えば1日おき、或いは1時間おきなど所定間隔を空けて行うことが可能である。メンテナンスの内容としては、例えば投影露光装置10の各部の清掃、ウェハステージ35に設けられた基準マーク部材68の交換やウェハステージ35自体の交換などが挙げられる。この表示が表示装置86に行われることで、交換部品の手配、メンテナンスを行う人員の確保などの作業が行われ、投影露光装置が自動停止される前に投影露光装置10のメンテナンス作業が実行される。
ステップS15は、投影露光装置を自動停止させる処理である。このステップS15は、ステップS11及びステップS12を行って、投影露光装置10のメンテナンスを行って入れば、ステップS15の処理が実行されることがないので、このステップS15が実行されるときには、投影露光装置10のメンテナンスを行っていない場合である。
これによれば、位置合わせの際に算出される値を用いるだけで、メンテナンスを行う必要性があるか否かの判定、さらには、投影露光装置10が停止される時期の予測を容易に行うことができる。
本実施形態では、評価値Eは時間経過とともに低下していくとしているが、評価値Eが時間経過とともに、上下に変動する場合もある。このような場合には、評価値E>第2基準値E2となる場合であっても、変動量(振幅量)が閾値を超えた場合に、メンテナンスを行う必要があると判定し、そのような場合にのみ警告表示を行うようにする。
本実施形態では、位置ずれ量を求める際にDPマッチング法を用いているが、これに限定する必要はなく、パターンマッチング法などを用いて、位置ズレ量を算出するとともに、被検マークの評価値を算出することも可能である。
本実施形態では、DPマッチング法を用いて位置ズレ量を算出する際に取得される評価値を用いて、メンテナンスが必要であるか否かを判定しているが、これに限定される必要はなく、例えば、複数のアルゴリズムを用いてマークの位置検出を算出する際に得られる評価値を用いてもよい。例えば複数のアルゴリズムとしては、例えば、アライメントセンサで得られた信号を所定の折り返し位置で分割し、一方の信号を折り返した後、押し返し位置をずらしながら、2つの信号の相関からマッチング度を求めた後に、被検マークの位置情報を取得する折り返し自己相関法、隣り合うマークの相関からマッチング度を求めた後に、比肩マークの位置情報を取得する並進相関法、及び取得される画像のコントラストからマッチング度を求めた後に、位置情報を取得する相関法が挙げられる。なお、これら相関法の内容は、周知であることから、ここではその詳細を省略する。
この場合、上述した複数のアルゴリズムの少なくとも1つ以上を用いて被検マークの位置情報を取得する。この位置情報の取得時に得られるマッチング度を評価値として、それぞれの評価値を、予め設定された閾値と比較することによって、メンテナンスを行う必要があるか否か、また、メンテナンスを行う必要がある場合には、投影露光装置が自動停止される時期の予測を行う。なお、上述した相関法を2つ以上用いるときには、それぞれの相関法で得られる評価値のいずれか1つでもメンテナンスを行う必要が行われた場合に、その旨を示す警告表示を行う。
また、この他に、被検マークの取得時に悪影響を与える要因がわかっている場合には、その要因について調査し、その調査結果に基づいて警告表示を行うことも可能である。例えば被検マークの取得したときにノイズ成分が含まれる場合には、ノイズ成分の分散値を取得する。この分散値は、その値が大きい程ノイズ成分が大きいことを示すことから、この分散値の時間的変化から、被検マークの取得状況を評価することができる。また、この他に、取得された被検マークのコントラストを参照し、このコントラストの値が小さくなり、閾値以下となる場合には、光源の劣化が考えられることから、メンテナンスとして光源の部品交換を行う。
本実施形態では、ウェハマークの位置ずれ量を求める際に取得される評価値を用いて、投影露光装置のメンテナンスが必要であるか否かの判定、及び投影露光装置が自動停止される時期を求めているが、これに限定する必要はなく、レクチルマークや、ウェハステージに固定される基準マーク部材の基準マークの画像から、位置ずれ量を算出する場合に得られる評価値を用いることも可能である。
本実施形態では、露光装置を例に取り上げているが、この他に、半導体ウェハの表面を検査する表面検査装置に本発明の検査装置を用いることも可能である。この場合、本実施形態のアライメントセンサ、ウェハステージ、アライメント信号処理系、ステージ制御系、主制御系を備えた検査装置とすればよい。
10…投影露光装置、30…レクチル、35…半導体ウェハ、42…ウェハステージ、51…主制御系、65…レクチル用アライメントセンサ、67…ウェハ用アライメントセンサ、69…アライメント信号処理系、74…演算判定部、85…停止予測部、86…表示装置
Claims (10)
- 稼働する装置に対してメンテナンスを行う必要があるか否かを検査する検査装置において、
指標の画像を取得する画像取得部と、
前記画像取得部により取得された画像から、前記指標に関する情報を取得する情報取得手段と、
前記指標に関する情報に基づいて、前記メンテナンスの必要度合いを予測する予測手段と、
前記予測手段における予測結果を表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 請求項1記載の検査装置において、
前記情報取得手段は、前記指標の画像と予め取得された指標の基本画像との相関から得られる評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする検査装置。 - 請求項1記載の検査装置において、
前記情報取得手段は、少なくとも1つ以上の評価用アルゴリズムを用いて前記指標の画像に対する評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする検査装置。 - 請求項1記載の検査装置において、
前記情報取得手段は、取得された画像のノイズ成分、又はコントラスト成分の何れかに対する評価値を、前記指標に関する情報の一つとして算出する算出手段を備えていることを特徴とする検査装置。 - 請求項2〜4のいずれか1項に記載の検査装置において、
前記算出手段によって算出された評価値を時系列に記憶していく記憶手段を備え、
前記予測手段は、算出された評価値と、前記記憶手段に記憶された複数の評価値とを用いて前記メンテナンスの時期を予測することを特徴とする検査装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査装置を備えたことを特徴とする露光装置。
- 請求項6に記載の露光装置において、
マスクのパターン像が露光される感光性基板を保持する基板用ステージを備え、
前記指標は、前記保持ステージに設けられていることを特徴とする検査装置。 - 請求項6に記載の露光装置において、
前記指標は、パターンが形成されたマスクに形成された位置検出用マークであることを特徴とする露光装置。 - 請求項6に記載の露光装置において、
前記指標は、マスクのパターン像が露光される感光性基板に形成された位置検出用マークであることを特徴とする露光装置。 - 稼働する装置に対してメンテナンスを行う必要があるか否かを検査する方法において、
指標の画像を取得する画像取得工程と、
取得された画像から、前記指標に関する情報を取得する情報取得工程と、
前記指標に関する情報に基づいて、メンテナンスの時期を予測する予測工程と、
前記予測工程における予測結果を表示する表示工程と、
を備えたことを特徴とする検査方法。
Priority Applications (1)
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