JP2009021471A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上全面を覆うようにオゾンTEOS膜7を形成した後、オゾンTEOS膜7上にプラズマTEOS膜8を形成する。その後、プラズマTEOS膜8の素子形成領域FRと素子非形成領域NFRとの間での高低差を低減するようにCMPを施す。次に、プラズマTEOS膜8を所定の厚さ全面的にエッチングして平坦化する。
【選択図】図7
Description
実施の形態の説明に先立って、層間絶縁膜のCMP時に発生するクラックに起因する影響について、製造工程を順に示す断面図である図1〜図4を用いて説明する。
以下、本発明に係る実施の形態1の半導体装置の製造方法について、製造工程を順に示す断面図である図5〜図9を用いて説明する。なお、図1〜図4を用いて説明した構成と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以上説明した実施の形態1においては、層間絶縁膜をオゾンTEOS膜7とプラズマTEOS膜8の2層膜で形成する例を示したが、層間絶縁膜をオゾンTEOS膜7の単層膜で形成しても良い。
Claims (7)
- (a)半導体基板上全面に、オゾンとTEOS(tetra ethyl orthosilicate)との反応により形成したオゾンTEOS膜を配設する工程と、
(b)前記オゾンTEOS膜上に、プラズマCVD法により形成した第1のプラズマTEOS膜を配設する工程と、
(c)化学機械研磨により前記第1のプラズマTEOS膜を全体的に薄くする工程と、
(d)前記化学機械研磨後の前記第1のプラズマTEOS膜を異方性エッチングにより全面的に所定厚さ除去して、前記第1のプラズマTEOS膜を薄くする工程と、を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、
半導体素子が形成された素子形成領域と、前記半導体素子が形成されていない素子非形成領域とを有し、
前記工程(b)は、
前記オゾンTEOS膜を形成することで前記素子形成領域と前記素子非形成領域との間に生じた第1の高低差に応じて前記第1のプラズマTEOS膜の厚さを設定する工程を含み、
前記工程(c)は、
前記第1の高低差に起因する、前記素子形成領域と前記素子非形成領域との間の前記第1のプラズマTEOS膜の第2の高低差を低減するように前記化学機械研磨を実施する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)の後に、
(e)前記第1のプラズマTEOS膜の表面をアッシングする工程と、
前記工程(e)の後に、
(f)前記第1のプラズマTEOS膜の表面をウエット洗浄する工程と、を備える、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(f)の後に、
前記第1のプラズマTEOS膜上に、第2のプラズマTEOS膜を配設する工程を備える、請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)は、
前記素子形成領域上に、前記化学機械研磨時に加わる圧力により発生する応力歪みに対抗できる厚さの前記第1のプラズマTEOS膜を残すように前記化学機械研磨を実施する、請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(d)は、
前記第1のプラズマTEOS膜を平坦化する工程を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(f)は、
前記第1のプラズマTEOS膜の表面を、SPM(Sulfuric acid/Hydrogen Peroxide Mixture)溶液およびAPM(Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture)溶液をそれぞれ用いて前記ウエット洗浄する工程を含む、請求項3記載の半導体装置の製造方法。
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