JP2009018971A

JP2009018971A - 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法

Info

Publication number: JP2009018971A
Application number: JP2007184361A
Authority: JP
Inventors: Shigeaki Sumiya; 茂明角谷; Yoshitaka Kuraoka; 義孝倉岡; Makoto Miyoshi; 実人三好; Minoru Imaeda; 美能留今枝
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2007-07-13
Filing date: 2007-07-13
Publication date: 2009-01-29
Anticipated expiration: 2027-07-13
Also published as: JP4825745B2

Abstract

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、細長い開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜のｃ軸と開口部の長手方向とがなす角度が３０°以上である。
【選択図】図３

Description

本発明は、非極性面ＩＩＩ族窒化物の育成方法に関するものである。

従来の技術

窒化ガリウム薄膜結晶は、優れた青色発光素子として注目を集めており、発光ダイオードにおいて実用化され、光ピックアップ用の青紫色半導体レーザー素子としても期待されている。

GaN やAlN の種結晶膜をサファイアなどの単結晶基板上に堆積させてテンプレート基板を得、テンプレート基板上にGaN 単結晶を育成する方法が報告されている（特許文献１）。
特開２０００−３２７４９５号公報

特許文献２、３では、非極性面GaN のc 軸と垂直方向のストライプマスクを用い、非極性面ＧａＮをELO 成長させている。これによって、−ｃ面成長速度に比べ、＋ｃ面成長速度が速く、マスク上部のwingで結晶欠陥が減り、高品質化が可能となるものと記載されている。
特表2006-510227 WO 2005/12267

また、種結晶基板上のエピタキシャル面に、空隙を持つ窒化物層を形成し、その上に成長したIII 族窒化物単結晶と基板部とを空隙付近で分離する方法が開示されている。例えば、特許文献５では、ELO 法によって種結晶基板内に空隙を形成し、その上にNaフラックスに代表されるアルカリ融解液でc 面GaN 成長を行うことで、空隙部を境にc 面ＧａＮとサファイア基板とを剥離させ、ＧａＮ単結晶の自立基板を得ている。
特開２００４−１８７９８３号公報特開２００４−２４７７１１号公報特開２００５−１２１７１号公報特開２００５−２８１０６７号公報

特許文献８では、気相成長法によりサファイア基板上にＧａＮ単結晶を育成し、その上にマスクを形成し、その上に更にＧａＮの種結晶膜を形成し、その上にフラックス法によってｃ面ＧａＮ単結晶膜を育成している。
特願２００６−７６５８４

特許文献１記載の方法では、例えばＧａＮ単結晶膜を下地のテンプレート基板から剥離させることは困難であり、ＧａＮ単結晶の自立基板を作製することは難しい。特許文献２、３記載の方法では、非極性面ＧａＮ単結晶膜を育成しているが、この膜を基板から剥離させて自立基板を得ることはやはり困難である。特許文献４、５、６、７記載の方法では、ｃ面ＧａＮの自立基板を得ることに成功したと記載されている。これはｃ軸方向に向かってエピタキシャル成長した膜である。しかし、この方法では非極性面ＧａＮの単結晶からなる自立膜を得ることはできない。

本発明の課題は、品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。

本発明に係る方法は、
非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜を基板上に気相成長法により形成する下地膜形成工程；
前記下地膜上に、細長い開口部を輪郭づけるマスクを形成するマスク形成工程；
次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜を気相成長法によって形成する種結晶膜形成工程；および
非極性面ＩＩＩ族窒化物を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えており、種結晶膜のｃ軸と開口部の長手方向とがなす角度が３０°以下であることを特徴とする。

本発明によれば、基板上に種結晶膜を形成するのに際して、基板上に、種結晶膜のc 軸から0 〜30°の範囲の方向に延びる開口部をマスクおよび下地膜によって形成し、そのマスク上に種結晶膜をELO 成長させた。しかも、この際に、開口部の長手方向のｃ軸からの傾斜角度を３０°以下に抑えた。これによって、品質のよい非極性面ＩＩＩ族窒化物種結晶膜を育成でき、基板との間の空隙形成を促進できることを見いだした。この種結晶膜上で非極性面ＩＩＩ族窒化物をフラックス法で効率よく育成でき、かつ種結晶膜形成後には非極性面ＩＩＩ族窒化物が基板から剥離せずに、フラックス法による育成後に非極性面ＩＩＩ族窒化物が基板から容易に剥離することを見いだし、本発明に到達した。

以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
一実施形態では、図１（ａ）に示すように、基板１の表面１ａ上に、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示すように、下地膜２上にマスク３を形成する。このマスク３をエッチング加工し、図１（ｃ）に示すように、開口部４を形成する。この開口部はストライプ状に延びている。開口部４から下地膜２の表面が露出する。

次いで、図２（ｂ）に示すように、開口部４内に、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる種結晶膜６を気相成長させる。この際、本発明によれば、種結晶膜６の横方向への成長速度は比較的小さい。この結果として、マスク３上では種結晶膜６がマスクをなかなか被覆せず、空隙８が生成しやすくなる。種結晶膜の成長を更に進めると、図３（ａ）に示すように、種結晶膜６がマスク３を超えて成長し、空隙８を封鎖するに至る。

ここで、本発明によれば、図２（ａ）に示すように、種結晶膜６のｃ軸と、開口部４の長手方向Ｙとがなす角度を３０°以下とする。種結晶膜および非極性面ＩＩＩ族窒化物の成長方向Ｚは、ｍ軸、ａ軸である。こうした構造によると、ｃ軸方向へと向かって種結晶膜６がＥＬＯ成長し易い傾向があることから、図２（ｂ）においてマスク３上へ向かうＥＬＯ成長の速度は小さい。このため、マスク３上では空隙８が生成しやすくなる。

次いで、図３（ｂ）に示すように、種結晶膜６上に、フラックス法によって非極性面ＩＩＩ族窒化物１０をエピタキシャル成長させる。この状態で、非極性面ＩＩＩ族窒化物１０が厚くなると、これが基板１から空隙８に沿って剥離しやすくなる。従って、非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を基板１から容易に剥離させ、自立基板を得ることができた。

本発明においては、図４（ａ）に示すように、下地膜を複数の下地膜２ａ、２ｂに分割することもできる。すなわち、基板１上に複数の下地膜２ａ、２ｂを順次形成する。次いで、下地膜２ｂ上に、上述のようにしてマスク３を形成し、マスクの間に開口部４を形成する。次いで、マスク３および開口部４を被覆するように種結晶膜６を成長させ、その上にフラックス法によって非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を生成させる。

本発明において、ｃ軸と、開口部４の長手方向Ｙがなす角度θは３０°以下とする（図５参照）。すなわち、図２、図３の例では、この角度θが例えば０°に設定されている。また、図５の例では、ｃ軸と、開口部４の長手方向Ｙがなす角度はθとする。この角度θは、本発明の観点からは、２５°以下が更に好ましく、２０°以下が更に好ましく、１０°以下が最も好ましい。上記角度において、マスク上での横成長速度が遅いことを利用して空隙を形成する効果が得られ、窒化物膜と基板が容易に剥離する。

開口部４を形成するストライプ状のマスクや下地膜は、一列につながっている必要はなく、図６に示すように長手方向に見て複数に別れていて良い。

本発明において、基板は、非極性面ＩＩＩ族窒化物の成長が可能であるかぎり、特に限定されない。サファイア、シリコン単結晶、α- ＳｉＣ単結晶、ＭｇＯ単結晶、スピネル（ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）、ＬｉＡｌＯ₂ 、ＬｉＧａＯ₂ 等を例示できる。

本発明では、下地膜、種結晶膜を非極性面ＩＩＩ族窒化物によって形成し、更にその上に非極性面ＩＩＩ族窒化物をフラックス法で成長させる。これらの非極性面ＩＩＩ族窒化物は、互いに同じであることが好ましいが、エピタキシャル成長が可能であれば、互いに異なっていても良い。

ＩＩＩ族窒化物単結晶のウルツ鉱構造は、ｍ面、ｃ面、およびａ面を有する。これらの各結晶面は結晶学的に定義されるものである。また、非極性面ＩＩＩ族窒化物とは、基板表面がｍ面またはａ面のＩＩＩ族窒化物である膜または単結晶基板を意味している。フラックス法によって育成される非極性面ＩＩＩ族窒化物単結晶の育成方向は、a 面の法線方向であってよく、またｍ面の法線方向であってもよい。

これらの各非極性ＩＩＩ族窒化物は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎから選ばれた一種以上の金属の窒化物であることが好ましく、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ，ＧａＡｌＩｎＮが特に好ましい。また、主成分のＩＩＩ族窒化物以外にも、意図しない不純物を含むことができる。また、導電性制御を目的として意図的に導入される、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄといったドーパントを含むことができる。

下地膜の形成方法は気相成長法であるが、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法、ＭＢＥ法、昇華法を例示できる。

本発明では、下地膜上にマスクを形成する。マスクの材質は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムおよび酸化ニオブ、タングステン、モリブデン、ニオブ、タングステンシリサイド、モリブデンシリサイド、ニオブシリサイドが好ましい。

マスク（および必要に応じて下地膜）をパターニングして開口部を形成する方法は特に限定されず、ウエットエッチング法、ドライエッチング法であってよい。

本発明において、種結晶膜を形成する方法は気相成長法であるが、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法、ＭＢＥ法、昇華法を例示できる。

これら下地膜及び種結晶膜は、それぞれ、単層膜として形成してもよいし、多層膜として形成してもよい。例えば、Ａｌ、Ｇａ，Ｉｎ組成を変調もしくは超格子構造にしたりすることも可能である。また、多層膜の構成材料は、ＧａＮのみでなく、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ，ＧａＡｌＩｎＮなどが挙げることができる。その積層順は、任意に設定できる。

本発明において、非極性面ＩＩＩ族窒化物を種結晶膜上にフラックス法によって育成する。この際、フラックスの種類は、ＩＩＩ族窒化物単結晶を生成可能である限り、特に限定されない。好適な実施形態においては、アルカリ金属とアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフラックスを使用し、ナトリウム金属を含むフラックスが特に好ましい。

フラックスには、目的とするＩＩＩ族窒化物単結晶の原料を混合し、使用する。フラックスを構成する原料は、目的とするＩＩＩ族窒化物単結晶に合わせて選択する。

例えば、ガリウム原料物質としては、ガリウム単体金属、ガリウム合金、ガリウム化合物を適用できるが、ガリウム単体金属が取扱いの上からも好適である。アルミニウム原料物質としては、アルミニウム単体金属、アルミニウム合金、アルミニウム化合物を適用できるが、アルミニウム単体金属が取扱いの上からも好適である。インジウム原料物質としては、インジウム単体金属、インジウム合金、インジウム化合物を適用できるが、インジウム単体金属が取扱いの上からも好適である。

フラックス法におけるＩＩＩ族窒化物単結晶の育成温度や育成時の保持時間は特に限定されず、目的とする単結晶の種類やフラックスの組成に応じて適宜変更する。一例では、ナトリウムまたはリチウム含有フラックスを用いて窒化ガリウム単結晶を育成する場合には、育成温度を８００〜１０００℃とすることができる。

フラックス法では、窒素原子を含むガスを含む雰囲気下で単結晶を育成する。このガスは窒素ガスが好ましいが、アンモニアでもよい。雰囲気の全圧は特に限定されないが、フラックスの蒸発を防止する観点からは、１０気圧以上が好ましく、３０気圧以上が更に好ましい。ただし、圧力が高いと装置が大がかりとなるので、雰囲気の全圧は、２０００気圧以下が好ましく、１０００気圧以下が更に好ましい。

また、雰囲気中の窒素分圧も特に限定されないが、窒化ガリウム単結晶を育成する場合には１０〜２０００気圧が好ましく、１００〜１０００気圧が更に好ましい。窒化アルミニウム単結晶を育成する場合には、０．１〜５０気圧が好ましく、１〜１０気圧が更に好ましい。

雰囲気中の窒素以外のガスは限定されないが、不活性ガスが好ましく、アルゴン、ヘリウム、ネオンが特に好ましい。窒素以外のガスの分圧は、全圧から窒素ガス分圧を除いた値である。

本発明においては、種結晶膜と基板との間の空隙を確実に形成するという観点からは、（テラス幅／開口部幅）比率は、５／５〜８／２が好ましく，６／４〜７／３が更に好ましい。上記比率より小さい場合、マスク上に窒化物膜と基板が剥離するために十分な空隙が形成されにくい。また、上記比率より大きい場合、エッチング加工による開口部の形成が難しくなり、また種結晶形成工程においてマスク上部を窒化物膜で覆うのが難しくなる。一般的に、良好な種結晶膜を形成するために、テラス部の周期は、３〜３０μm であることが好ましい。

開口部は、細長く延びているが、空隙形成という観点からは、空隙の平面的な縦横比率は、３倍以上であることが好ましく、５倍以上であることが更に好ましい。

（実施例１）
図１〜図３を参照しつつ説明した前記方法に従い、ａ面ＧａＮ単結晶の自立基板を作製した。
（１）下地膜の作製
ｒ面サファイア基板１（直径２インチ、厚み４００μｍ）を、水素雰囲気下にて1150℃で10分間加熱し、表面のクリーニングを行なった。次いで、基板温度を５００℃まで下げ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、アンモニアを原料として、ＧａＮ膜を０．０３μｍの厚さに成長させた。こののち、基板温度を1100℃まで下げ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアとを原料とし、a 面GaN 膜（下地膜）２を2.0 μｍの厚さに成長させた( 図１（ａ）) 。

（２）マスクの作製
（１）で作製した膜の表面に、スパッタリング法により、マスク３（ＳｉＯ２：厚さ０．３μm ）を成膜した（図１（ｂ））。
（３）開口部の形成
フォトリソグラフィとRIE を用い、マスク３の一部をストライプ状に残し、エッチングを行った（図１（ｃ）、図２（ａ））。開口部４の長手方向ＹとGaN の(0001)方向（c 軸）とを一致させた。テラス幅７μm
、開口部幅３μm とした。
（４）種結晶膜の作製
（３）で作製した基板上に、基板温度を1100℃で、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアとを原料とし、a 面GaN 膜（種結晶膜）６を5.0 μｍの厚さに成長させた（図３（ａ））。

（５）フラックス法によるａ面ＧａＮ単結晶の育成
（４）で作製した基板を種基板としてＮａフラックス法にてＧａＮ結晶を育成した。成長に用いた原料は、金属ガリウム、金属ナトリウムおよび金属リチウムである。アルミナるつぼに金属ガリウム４５ｇ、金属ナトリウム６６ｇ、金属リチウム４５ｍｇをそれぞれ充填して、炉内温度９００℃・圧力５ＭＰａにてＧａＮ単結晶１０を約１００時間育成した。るつぼから取り出したところ、透明な単結晶が成長しており、基板表面にａ面ＧａＮ膜１０が約１ｍｍの厚さで堆積していた（図３（ｂ））。

以上の工程で、a 面GaN 結晶１０を作製したところ、（５）の工程終了後にａ面GaN 結晶がサファイア基板から自然に剥がれていた。この結果、直径２インチのa 面GaN 単結晶の自立基板が得られた。なお、10枚実施して、10枚とも剥離が発生した。このGaN 結晶の転位密度は、１０^５ｃｍ^−２であり、XRD による(11-20) ωスキャンの半値幅は、30秒であった。

（実施例２）
図１〜図４を参照しつつ説明した前記方法に従い，ａ面ＧａＮ単結晶の自立基板を作製した。
（１）下地膜の作製
（１ａ）ｒ面サファイア基板１( 直径２インチ、厚み４００μｍ) を、水素雰囲気中で1200℃、10分間加熱し、表面のクリーニングを行なった。この後、基板温度を1200℃で保持したまま、アンモニアガスを導入し、基板の窒化処理を行った。その後、アンモニアガスの導入を一旦停止し、1250℃まで変更し、ＴＭA （トリメチルアルミニウム）とアンモニアとを原料とし、a 面AlN 膜２ａ（図４（ａ）参照）を１．０μｍの厚さに成長させた。
（１ｂ）（１ａ）で作製した基板上に、基板温度を1100℃で、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とアンモニアとを原料とし、a 面GaN 膜２ｂ（図４（ａ））を2.0 μｍの厚さに成長させた。

（２）マスクの作製
実施例１と同様。
（３）開口部の形成
実施例１と同様。
（４）種結晶膜の作製
実施例１と同様。
（５）フラックス法によるａ面ＧａＮ単結晶の育成
実施例１と同様。

以上の工程で、a 面GaN 結晶１０を作製したところ、（５）の工程終了後にａ面GaN 結晶１０がサファイア基板から自然に剥がれていた。この結果、直径２インチ、厚さ約1mm のa 面GaN 単結晶の単結晶自立基板が得られた。なお、10枚実施して、10枚とも剥離が発生した。このGaN 結晶の転位密度は、実施例１よりも少なく、１０^５ｃｍ^−２未満であり、XRD による(11-20) ωスキャンの半値幅は、20秒であった。

（実施例３）
実施例１と同様にして、ａ面ＧａＮ単結晶の自立基板を作製した。ただし、開口部４およびマスク３の平面形状は、図５に示すような形状とした。開口部４の長手方向ＹがGaN 単結晶のc 軸となす角度θは２０°とした。

以上の工程で、a 面GaN 結晶を作製したところ、（５）の工程終了後にａ面GaN 結晶がサファイア基板から自然に剥がれていた。この結果、直径２インチ、厚さ約1mm のa 面GaN の単結晶自立基板が得られた。なお、10枚実施して、10枚とも剥離が発生した。このGaN 結晶の転位密度は１０^５ｃｍ^−２であり、XRD による(11-20) ωスキャンの半値幅は、30秒であった。

（実施例４）
実施例１と同様にしてａ面ＧａＮ単結晶の自立基板を作製した。ただし、開口部４およびマスク３の平面形状は、図６に示すような形状とした。開口部４の長手方向ＹがGaN 単結晶のc 軸となす角度θは０°とした。マスク３の(10-10) 方向の幅を７μm とし、(0001)方向の長さを５０μm とし、(10-10) 方向に３μm ピッチの間隔で配列した。

以上の工程で、a 面GaN 結晶を作製したところ、（５）の工程終了後にａ面GaN 結晶がサファイア基板から自然に剥がれていた。この結果、直径２インチ、厚さ約1mm のa 面GaN 単結晶の単結晶自立基板が得られた。なお、10枚実施して、10枚とも剥離が発生した。このGaN 結晶の転位密度は１０^５ｃｍ^−２であり、XRD による(11-20) ωスキャンの半値幅は、30秒であった。

（実施例５）
実施例１において、基板１としてm 面サファイアを用いた。また、種結晶膜６はm 面GaN 単結晶とし、この上にｍ面ＧａＮ単結晶１０を育成した。図２（ａ）において、開口部４の長手方向Ｙとｍ面ＧａＮ単結晶ｃ軸とを一致させた。図２（ａ）において横方向はＧａＮ単結晶のａ軸方向である。これ以外は、実施例１と同様の工程を実施した。

以上の工程で、m 面GaN 結晶１０を作製したところ、（５）の工程終了後にｍ面GaN 単結晶１０がサファイア基板１から自然に剥がれていた。この結果、直径２インチ、厚さ約1mm のm 面GaN の単結晶自立基板が得られた。なお、10枚実施して、10枚とも剥離が発生した。このGaN 結晶の転位密度は１０^５ｃｍ^−２であり、XRD による(10-10) ωスキャンの半値幅は、30秒であった。

（比較例１）
実施例１において、（２）（３）（４）の工程を行わず、（１）（５）の工程を実施例１と同様の手順で実施した。以上の工程で、a 面GaN 結晶を作製したところ、（５）の工程終了後に、GaN 結晶とサファイア基板が剥離せず、かつ多数のワレやクラックが発生していた。

（比較例２）
実施例２と同様にしてＧａＮ単結晶８を育成した。ただし、図７に示すように、開口部の長手方向Ｙは、c 軸から３５°とした。

この結果、（５）の工程終了後に、GaN 結晶とサファイア基板がきれいに剥離せず、かつ一部にワレや欠けが発生した。この断面構造を観察した結果、ＧａＮ結晶とサファイア基板の剥離に必要なマスク上の空隙が、十分に形成されていないことを確認した。

（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、基板１上に下地膜２、マスク３および開口部４を育成する際の各工程を示す断面図である。（ａ）は、基板１上のマスク３および開口部４を示す平面図であり、（ｂ）は、基板１上に下地膜２、マスク３、開口部４および種結晶膜６を育成した状態を示す断面図である。（ａ）は、基板１上に下地膜２、マスク３、開口部４および種結晶膜６を育成した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、基板１上に下地膜２、マスク３、開口部４、種結晶膜６および非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を育成した状態を示す断面図である。（ａ）は、基板１上に下地膜２ａ、２ｂ、マスク３、開口部４および種結晶膜６を育成した状態を示す断面図であり、（ｂ）は、基板１上に下地膜２ａ、２ｂ、マスク３、開口部４、種結晶膜６および非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を育成した状態を示す断面図である。基板１上に形成されたストライプ状の突起および開口部４を示す平面図である。基板１上に形成されたストライプ状の突起および開口部４を示す平面図である。基板１上に形成されたストライプ状の突起および開口部を示す平面図である。

符号の説明

１基板２、２ａ、２ｂ下地膜３マスク４開口部６種結晶膜８空隙１０非極性面ＩＩＩ族窒化物ｃｃ軸Ｙ開口部の長手方向Ｚ非極性面ＩＩＩ族窒化物１０の成長方向 θ 開口部の長手方向とｃ軸とがなす角度

Claims

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜を基板上に気相成長法により形成する下地膜形成工程；
前記下地膜上に、細長い開口部を輪郭づけるマスクを形成するマスク形成工程；
次いで、ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜を気相成長法によって形成する種結晶膜形成工程；および
非極性面ＩＩＩ族窒化物を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程
を備えており、前記種結晶膜の前記ｃ軸と前記開口部の長手方向とがなす角度が３０°以下であることを特徴とする、非極性面ＩＩＩ族窒化物の製造方法。
前記マスク形成工程において前記下地膜が前記開口部から露出しており、前記種結晶膜形成工程において前記マスクおよび前記下地膜を被覆するように前記種結晶膜を成長させることを特徴とする、請求項１記載の方法。
前記種結晶膜の前記ｃ軸と前記ｍ軸とがなす平面内に前記開口部の長手方向が向いていることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
前記種結晶膜の前記ｃ軸と前記ａ軸とがなす平面内に前記開口部の長手方向が向いていることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
前記種結晶膜の前記ｃ軸と前記開口部の長手方向とが略平行であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の方法。
前記育成工程において育成された前記非極性面ＩＩＩ族窒化物を前記基板から剥離させることによって自立膜を得ることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の方法。
前記育成工程において、アルカリ金属とアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むフラックスを使用することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の方法。