JP2009010604A

JP2009010604A - 受信装置

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Publication number: JP2009010604A
Application number: JP2007169195A
Authority: JP
Inventors: Shinji Amano; 真司天野
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2007-06-27
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2009-01-15
Also published as: US20090003496A1; CN101335531A

Abstract

【課題】周波数変換器を有する半導体集積回路装置を備え、前記半導体集積回路装置の前段に設けられるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能の改善することができる受信装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置２０１と、半導体集積回路装置２０１の前段に設けられるＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１とを備える受信装置であって、半導体集積回路装置２０１が、周波数変換器３と、周波数変換器３に被周波数変換信号を供給する被周波数変換信号伝送ラインと、周波数変換器３に局部発振信号を供給する局部発振信号伝送ラインと、前記被周波数変換信号伝送ラインに設けられ前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する不要信号減衰回路７とを備える受信装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、周波数変換器を有する半導体集積回路装置を備えた受信装置に関する。

受信装置は、受信に必要な特性を満たすために様々な構成のものが採用されている。ここでは、従来の受信装置として１セグ放送受信装置を例に挙げて説明する。なお、１セグ放送とは、日本における携帯端末向け地上波デジタル放送サービスのことである。

従来の１セグ放送受信装置の概略構成例を図２３に示す。図２３に示す従来の１セグ放送受信装置は、受信帯域（ＵＨＦ帯域）の信号のみを選択するＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、周波数変換器３から出力されるＩＦ信号又はＢＢ信号の周波数帯域を制限するためのフィルタや増幅器等の信号処部を含むＩＦ／ＢＢ信号処理回路５と、復調部６とを備えている。ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５とによってチューナ部１００が構成され、後段の復調部６に信号を供給している。また、高周波増幅器２、周波数変換器３、局部発振信号発生器４、及びＩＦ／ＢＢ信号処理回路５が集積化されて半導体集積回路装置２００に格納されている。ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１を半導体集積回路上に設けることは困難であるため、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１は半導体集積回路装置２００の外付け部品となっている。

なお、チューナ部１００の構成が例えば周波数の低い、数ＭＨｚ以下のＩＦ信号を用いるＬｏｗ−ＩＦ方式であれば、局部発振信号の周波数は受信希望信号に対してＩＦ信号の周波数分だけずれた周波数となるように設定され、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５の構成を周波数変換器３から出力されるＩＦ信号の周波数帯域を制限するためのフィルタや増幅器等の信号処部を含む構成とする。一方、チューナ部１００の構成が例えばＺｅｒｏ−ＩＦ（ダイレクトコンバージョン）方式であれば局部発振信号の周波数は受信希望信号と同じ周波数に設定され、周波数変換器３の出力信号は中心周波数がゼロのＢＢ信号となり、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５の構成を周波数変換器３から出力されるＢＢ信号の周波数帯域を制限するためのフィルタや増幅器等の信号処部を含む構成とする。

以下、チューナ部１００の構成がＬｏｗ−ＩＦ方式である場合を例にあげて、図２３に示す従来の１セグ放送受信装置の動作について図２４乃至図２５を参照して説明する。

１セグ放送では受信帯域（ＵＨＦ帯域）が約４７０ＭＨｚ〜７７０ＭＨｚと広帯域にわたっているが、チューナ１００が入力する信号には受信帯域（ＵＨＦ帯域）以外の不要な周波数成分の信号（妨害信号）も多く含まれている。ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１は、チューナ部１００の入力信号を入力し、その入力信号に含まれる妨害信号を減衰させる（図２４参照）。なお、図２４（ａ）はＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１に入力される信号、図２４（ｂ）はＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１のフィルタ特性例、図２４（ｃ）はＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１から出力される信号をそれぞれ示している。図２４（ａ）において、Ｓ１はチューナ部１００の入力信号に含まれる受信帯域の信号であり、Ｓ２はチューナ部１００の入力信号に含まれる妨害信号である。図２（ｂ）において、ＦＣはＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１の周波数特性である。図２（ｃ）において、Ｓ１’はＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１から出力される信号に含まれる受信帯域の信号であり、Ｓ２’はＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１で減衰された後ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１から出力される妨害信号である。

ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１から出力された信号は、高周波増幅器２によって適切な信号レベルに増幅された後、周波数変換器３に入力される。周波数変換器３は、高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される信号を、局部発振信号発生器４から供給される局部発振信号と混合することにより、周波数変換してＩＦ信号を生成する。図２５において、Ｓ_IFは周波数変換器３から出力されるＩＦ信号であり、Ｓ_LOCは局部発振信号発生器４から周波数変換器３へ供給される局部発振信号、Ｓ_INは高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される信号に含まれる受信希望信号である。周波数変換器３から出力されるＩＦ信号は、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５にてチャンネル選択、信号レベル調整がされ、後段の復調部６へ供給される。

特開平６−２２４６４４号公報特開２００６−３１４０２９号公報

ここで、図２３に示す従来の１セグ放送受信装置が例えば携帯電話に搭載された場合について考えると、チューナ部１００には受信すべき放送信号のみでなく、携帯電話の通信に使用される信号が比較的大きな信号レベルで入力され、これが妨害信号となるおそれがある。例えば、携帯電話の通信のために１．５ＧＨｚ帯の信号が使用されている場合、チューナ部１００には約１．５ＧＨｚの大きな妨害信号が入力される。ここで、例えば中心周波数が５０３ＭＨｚの放送信号をチューナ部１００が受信する場合すなわち受信希望信号の中心周波数が５０３ＭＨｚである場合、携帯電話通信に使用される周波数は受信周波数の約３倍に相当することになる。

そして、ＩＦ周波数が＋５００ｋＨｚである場合、局部発振周波数は５０２．５ＭＨｚ（＝５０３ＭＨｚ−５００ｋＨｚ）に設定されるが、実際に周波数変換器３に供給される信号には局部発振信号の３次高調波である１５０７．５ＭＨｚ（＝３×５０２．５ＭＨｚ）の信号も含まれている。この３次高調波と上述した１．５ＧＨｚ帯の妨害信号が周波数変換器３で混合されることにより、周波数変換器３から出力される信号には希望のＩＦ信号同じ又は近い周波数にＩＦ妨害信号が現れることになる（図２６参照）。図２６において、Ｓ_{IF_D}は周波数変換器３より出力されるＩＦ妨害信号であり、Ｓ_{LOC_TH}は局部発振信号の３次高調波であり、Ｓ_{IN_D}は周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号である。

図２３に示す従来の１セグ放送受信装置では、ＩＦ妨害信号Ｓ_{IF_D}の発生を抑制するためにＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１により１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}を大幅に減衰する必要がある。しかしながら、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１を、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}に対して非常に大きな減衰量を持つフィルタとするためには、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１の部品点数の増加が必要となり、実装面積の増加、コストアップ等の問題が発生する。また、受信希望信号Ｓ_INを全く減衰させずに１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}に対して非常に大きな減衰量を持つフィルタを実現することが不可能な場合には、受信性能の劣化が起こる場合もある。さらに、かかる受信性能の劣化を解消するためには高周波増幅器のゲインの増加や高周波増幅器の追加等が必要になる場合がある。

本発明は、上記の状況に鑑み、周波数変換器を有する半導体集積回路装置を備え、前記半導体集積回路装置の前段に設けられるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能の改善することができる受信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る受信装置は、半導体集積回路装置と、前記半導体集積回路装置の前段に設けられる固定バンドパスフィルタとを備える受信装置であって、前記半導体集積回路装置が、周波数変換器と、前記周波数変換器に被周波数変換信号を供給する被周波数変換信号伝送ラインと、前記周波数変換器に局部発振信号を供給する局部発振信号伝送ラインと、前記被周波数変換信号伝送ラインに設けられ、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第１の不要信号減衰回路及び前記局部発振信号伝送ラインに設けられ、前記局部発振信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第２の不要信号減衰回路の少なくとも一つとを備える構成としている。

このような構成によると、前記被周波数変換信号伝送ラインに設けられ、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第１の不要信号減衰回路及び前記局部発振信号伝送ラインに設けられ、前記局部発振信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第２の不要信号減衰回路の少なくとも一つを備えるので、半導体集積回路装置内で妨害信号の影響を軽減することができる。これにより、半導体集積回路装置の前段に設けられるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能を改善することができる。

また、前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路が、抵抗とコンデンサから成るローパスフィルタであってもよい。

このような構成によると、半導体集積回路装置上で前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路の所望の減衰特性が比較的容易に得られる。また、半導体集積回路装置上で大きな面積を占有するインダクタを使用せずに前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路を実現することができる。

また、前記第１の不要信号減衰回路が、一端が前記被周波数変換信号伝送ラインにシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサであり、及び／又は、前記第２の不要信号減衰回路が、一端が前記局部発振信号伝送ラインにシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサであってもよい。

このような構成によると、前記コンデンサとその前段回路の出力インピーダンスとでローパスフィルタ特性が得られるので、半導体集積回路装置上で前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路の所望の減衰特性を得ることができる。また、半導体集積回路装置上で大きな面積を占有するインダクタを使用せずに前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路を実現することができる。

また、前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路が、インダクタとコンデンサを有するようにしてもよい。

このような構成によると、共振現象を利用することができるので、大幅な妨害耐性改善が期待できる。

ここで、前記第１の不要信号減衰回路、前記第２の不要信号減衰回路の周波数特性としては、妨害信号の減衰量をできるだけ大きくとることが望ましいが、それにより被周波数変換信号或いは局部発振信号も減衰することが考えられる。例えば、中心周波数が５０３ＭＨｚの被周波数変換信号を受信する際には１．５ＧＨｚの妨害信号をできるだけ減衰する必要があるが、受信すべき周波数の最大値は約７７０ＭＨｚであり、１．５ＧＨｚの信号を減衰して７７０ＭＨｚの信号を全く減衰させない特性を半導体集積回路上に構成することは困難であるという問題がある。

上記問題に対応するために、前記コンデンサを可変容量コンデンサにしてもよい。さらに、前記可変容量コンデンサの容量値を制御する容量値制御回路を備えるようにしてもよい。

また、上記問題に対応するために、前記第１の不要信号減衰回路の有効、無効を切り替える第１のスイッチ及び前記第２の不要信号減衰回路の有効、無効を切り替える第２のスイッチの少なくとも一つを備えるようにしてもよい。また、前記第１のスイッチ及び／又は前記第２のスイッチをＭＯＳ電界効果トランジスタにしてもよい。さらに、前記第１の不要信号減衰回路が、前記被周波数変換信号の周波数が低い場合に前記第１のスイッチにより有効となり、前記被周波数変換信号の周波数が高い場合に前記第１のスイッチにより無効となり、及び／又は、前記第２の不要信号減衰回路が、前記局部発振信号の周波数が低い場合に前記第２のスイッチにより有効となり、前記局部発振信号の周波数が高い場合に前記第２のスイッチにより無効となるようにしてもよい。

また、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの少なくとも一つを備える上記受信装置において、前記局部発振信号伝送ラインを伝送する局部発振信号を発生させる局部発振信号発生器を備え、前記局部発振信号発生器が、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する被周波数変換信号である受信希望信号の周波数に応じて発振周波数を変化させる電圧制御発振器を有し、前記第１スイッチ及び／又は前記第２のスイッチが前記電圧制御発振器の周波数制御電圧に応じて制御されるようにしてもよい。なお、局部発振信号発生器全てが前記半導体集積回路装置内にある構成、局部発振信号発生器の一部が前記半導体集積回路装置内にある構成、局部発振信号発生器全てが前記半導体集積回路装置外にある構成のいずれであっても構わない。

また、前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの少なくとも一つを備える上記受信装置において、前記局部発振信号伝送ラインを伝送する局部発振信号を発生させる局部発振信号発生器を備え、前記局部発振信号発生器が、複数の電圧制御発振器と、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する被周波数変換信号である受信希望信号の周波数に応じて前記複数の電圧制御発振器から一つを選択する選択回路とを有し、前記選択回路によって選択された電圧制御発振器が受信希望信号の周波数に応じて発振した信号を前記局部発振信号として出力し、前記第１のスイッチ及び／又は前記第２のスイッチが前記選択回路による電圧制御発振器の選択に応じて制御されるようにしてもよい。なお、局部発振信号発生器全てが前記半導体集積回路装置内にある構成、局部発振信号発生器の一部が前記半導体集積回路装置内にある構成、局部発振信号発生器全てが前記半導体集積回路装置外にある構成のいずれであっても構わない。

本発明に係る受信装置によると、被周波数変換信号伝送ラインに設けられ、被周波数変換信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第１の不要信号減衰回路及び局部発振信号伝送ラインに設けられ、局部発振信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第２の不要信号減衰回路の少なくとも一つを備えるので、半導体集積回路装置内で妨害信号の影響を軽減することができる。これにより、半導体集積回路装置の前段に設けられるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能を改善することができる。

本発明の実施形態について図面を参照して以下に説明する。ここでは、本発明に係る受信装置として１セグ放送受信装置を例に挙げて説明する。

図１に本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す。なお、図１において図２３と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。

図１に示す本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置は、図２３に示す従来の１セグ放送受信装置において、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に不要信号減衰回路７を新たに設けた構成であり、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５と、不要信号減衰回路７とによってチューナ部１０１が構成され、高周波増幅器２、周波数変換器３、局部発振信号発生器４、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５、及び不要信号減衰回路７が集積化されて半導体集積回路装置２０１に格納されている。

チューナ部１０１の構成がＬｏｗ−ＩＦ方式でありＩＦ周波数が＋５００ｋＨｚである場合を例にあげて、図１に示す本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を図２に示す。

図２（ａ）は、局部発振信号発生器４から周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から不要信号減衰回路７を介して周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}、及び高周波増幅器２から不要信号減衰回路７へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}の関係を示している。

図２（ｂ）は、局部発振信号発生器４から周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から不要信号減衰回路７を介して周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}、及び不要信号減衰回路７から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}’の関係を示している。不要信号減衰回路７を設けたことにより、不要信号減衰回路７から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}’は高周波増幅器２から不要信号減衰回路７へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}に比べて減衰する。このように、高周波増幅器２から出力される信号に含まれる１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}が不要信号減衰回路７によって減衰するため、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルは小さくなる。したがって、図１に示す本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置が備える半導体集積回路装置２０１は、入力側に外付けされるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能を改善することができる。

図３に本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す。なお、図３において図２３と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。

図３に示す本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置は、図２３に示す従来の１セグ放送受信装置において、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に不要信号減衰回路８を新たに設けた構成であり、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５と、不要信号減衰回路８とによってチューナ部１０２が構成され、高周波増幅器２、周波数変換器３、局部発振信号発生器４、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５、及び不要信号減衰回路８が集積化されて半導体集積回路装置２０２に格納されている。

チューナ部１０２の構成がＬｏｗ−ＩＦ方式でありＩＦ周波数が＋５００ｋＨｚである場合を例にあげて、図３に示す本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を図４に示す。

図４（ａ）は、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８を介して周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}、及び高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}の関係を示している。

図４（ｂ）は、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８を介して周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、不要信号減衰回路８から周波数変換器３へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}’、及び高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}の関係を示している。不要信号減衰回路８を設けたことにより、不要信号減衰回路８から周波数変換器３へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}’は局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}に比べて減衰する。このように、局部発振信号発生器４から出力される信号に含まれる局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}が不要信号減衰回路８によって減衰するため、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルは小さくなる。特に、高周波増幅器２から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}と不要信号減衰回路８から周波数変換器３へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}’との周波数変換器３での混合に関し、周波数変換器３の変換利得が図５における線形領域となっている場合、不要信号減衰回路８による減衰量だけ、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルは小さくなる。したがって、図３に示す本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置が備える半導体集積回路装置２０２は、入力側に外付けされるフィルタを大型化することなく、妨害信号の影響を軽減し、受信性能を改善することができる。

図６に本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す。なお、図６において図２３と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。

図６に示す本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置は、図２３に示す従来の１セグ放送受信装置において、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に不要信号減衰回路７を、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に不要信号減衰回路８を、それぞれ新たに設けた構成であり、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５と、不要信号減衰回路７と、不要信号減衰回路８とによってチューナ部１０３が構成され、高周波増幅器２、周波数変換器３、局部発振信号発生器４、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５、不要信号減衰回路７、及び不要信号減衰回路８が集積化されて半導体集積回路装置２０３に格納されている。

チューナ部１０３の構成がＬｏｗ−ＩＦ方式でありＩＦ周波数が＋５００ｋＨｚである場合を例にあげて、図６に示す本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を図７に示す。

図７（ａ）は、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８を介して周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から不要信号減衰回路７を介して周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}、及び高周波増幅器２から不要信号減衰回路７へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}の関係を示している。

図７（ｂ）は、局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８を介して周波数変換器３へ供給される５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC、高周波増幅器２から不要信号減衰回路７を介して周波数変換器３へ入力される中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN、不要信号減衰回路８から周波数変換器３へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}’、及び不要信号減衰回路７から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}’の関係を示している。不要信号減衰回路７を設けたことにより、不要信号減衰回路７から周波数変換器３へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}’は高周波増幅器２から不要信号減衰回路７へ入力される１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}に比べて減衰し、不要信号減衰回路８を設けたことにより、不要信号減衰回路８から周波数変換器３へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}’は局部発振信号発生器４から不要信号減衰回路８へ入力される局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}に比べて減衰する。このように、高周波増幅器２から出力される信号に含まれる１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}が不要信号減衰回路７によって減衰し、局部発振信号発生器４から出力される信号に含まれる局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}が不要信号減衰回路８によって減衰するため、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルは本発明の第一実施形態及び第二実施形態の場合よりもさらに小さくなる。したがって、図６に示す本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置が備える半導体集積回路装置２０３は、入力側に外付けされるフィルタを大型化することなく、本発明の第一実施形態及び第二実施形態の場合よりもさらに妨害信号の影響を軽減し、受信性能を改善することができる。

本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を図８に示す。図８では、不要信号減衰回路７（図１参照）として抵抗とコンデンサからなるローパスフィルタ７Ａを用いている。ローパスフィルタ７Ａの周波数特性を、中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を図９に示す。図９では、不要信号減衰回路８（図３参照）として抵抗とコンデンサからなるローパスフィルタ８Ａを用いている。ローパスフィルタ８Ａの周波数特性を、５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

図８又は図９に示す構成例を採用した場合、半導体集積回路装置上で不要信号減衰回路の所望の減衰特性が比較的容易に得られるが、ローパスフィルタを構成する抵抗によって受信希望信号の伝送損失が発生するため、これを考慮してシステム全体の設計を行う必要がある。

本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の他の例を図１０に示す。図１０では、不要信号減衰回路７（図１参照）として、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ７Ｂを用いている。これにより、高周波増幅器２の出力インピーダンスとコンデンサ７Ｂの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、このローパスフィルタ特性を、中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の他の例を図１１に示す。図１１では、不要信号減衰回路８（図３参照）として、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ８Ｂを用いている。これにより、局部発振信号発生器４の出力インピーダンスとコンデンサ８Ｂの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、このローパスフィルタ特性を、５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

図８〜図１１のいずれかに示す構成例を採用した場合、半導体集積回路装置上で大きな面積を占有するインダクタを使用せずに不要信号減衰回路を実現することができる。

本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１２に示す。図１２では、不要信号減衰回路７（図１参照）として、インダクタとコンデンサからなるローパスフィルタ７Ｃを用いている。ローパスフィルタ７Ｃの周波数特性を、中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}（図２（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１３に示す。図１３では、不要信号減衰回路８（図３参照）としてインダクタとコンデンサからなるローパスフィルタ８Ｃを用いている。ローパスフィルタ８Ｃの周波数特性を、５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}（図４（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１４に示す。図１４では、不要信号減衰回路７（図１参照）として、インダクタとコンデンサからなる並列共振回路７Ｄを用いている。並列共振回路７Ｄの共振周波数を、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}（図２（ａ）参照）の周波数に合わせることにより、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号の影響を大幅に抑制することができる。また、インダクタとコンデンサからなる直列共振回路の一端を高周波増幅器２と周波数変換器３との間にシャント接続し、前記直列共振回路の他端をグランドに接続することにより、同様の効果を得ることも可能である。

本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１５に示す。図１５では、不要信号減衰回路８（図３参照）として、インダクタとコンデンサからなる並列共振回路８Ｄを用いている。並列共振回路８Ｄの共振周波数を、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}（図４（ａ）参照）の周波数に合わせることにより、局部発振信号の３次高調波の影響を大幅に抑制することができる。また、インダクタとコンデンサからなる直列共振回路の一端を局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間にシャント接続し、前記直列共振回路の他端をグランドに接続することにより、同様の効果を得ることも可能である。

図１４又は図１５に示す構成例を採用した場合、半導体集積回路装置上にインダクタを形成する必要があるため半導体集積回路装置のチップ面積が増加するが、大幅な妨害耐性改善が期待できる。

本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１６に示す。図１６では、不要信号減衰回路７（図１参照）として、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続される可変容量コンデンサ７Ｅを用いている。これにより、高周波増幅器２の出力インピーダンスと可変容量コンデンサ７Ｅの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を受信希望信号の周波数に応じて適切に制御することにより、高周波増幅器２の出力信号に含まれる妨害信号を減衰する際に、受信希望信号をできるだけ減衰させないようにすることができる。例えば、受信希望信号が比較的低周波数である場合には可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を大きくして高周波領域にある妨害信号の減衰量をできるだけ大きくすることにより、ＩＦ妨害信号を小さくできる。一方、受信希望信号が比較的高周波数である場合には可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を小さくして受信希望信号の減衰量を抑え、受信性能を確保する。例えば、半導体集積回路装置２０１が可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を制御する容量値制御回路（図１６において不図示）を有するようにし、その容量値制御回路が、受信希望信号の中心周波数が予め定められている閾値より大きければ受信希望信号が比較的低周波数であると判定して、可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を標準値よりも所定値だけ大きくし、受信希望信号の中心周波数が予め定められている閾値より大きくなければ受信希望信号が比較的高周波数であると判定して、可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を標準値よりも所定値だけ小さくするようにすればよい。

なお、図１６は図１０のコンデンサを可変容量コンデンサに置換したものであるが、図８、図１２、図１４（図１４の並列共振回路７Ｄと同様の効果を奏する直列共振回路を用いる場合も含む）に対して同様の置換を行った場合にも同様の効果が期待できる。

本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を図１７に示す。図１７では、不要信号減衰回路８（図３参照）として、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続される可変容量コンデンサ８Ｅを用いている。これにより、局部発振信号発生器４の出力インピーダンスと可変容量コンデンサ８Ｅの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、可変容量コンデンサ８Ｅの容量値を局部発振信号の周波数に応じて適切に制御することにより、局部発振信号の３次高調波を減衰する際に、局部発振信号をできるだけ減衰させないようにすることができる。例えば、比較的低周波数の局部発振信号が必要な場合には可変容量コンデンサ８Ｅの容量値は大きくして高周波領域にある局部発振信号の３次高調波の減衰量をできるだけ大きくすることにより、ＩＦ妨害信号を小さくできる。また、比較的高周波数の局部発振信号が必要な場合には可変容量コンデンサ７Ｅの容量値を小さくして局部発振信号の減衰量を抑え、受信性能を確保する。なお、図１７は図１１のコンデンサを可変容量コンデンサに置換したものであるが、図９、図１３、図１５（図１５の並列共振回路８Ｄと同様の効果を奏する直列共振回路を用いる場合も含む）に対して同様の置換を行った場合にも同様の効果が期待できる。

本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を図１８に示す。図１８では、不要信号減衰回路７（図６参照）として、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ７Ｂを用い、不要信号減衰回路８（図６参照）として、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ８Ｂを用いている。

これにより、高周波増幅器２の出力インピーダンスとコンデンサ７Ｂの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、このローパスフィルタ特性を、中心周波数が５０３ＭＨｚである受信希望信号Ｓ_IN（図７（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、１．５ＧＨｚ帯の妨害信号Ｓ_{IN_D}（図７（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。また、局部発振信号発生器４の出力インピーダンスとコンデンサ８Ｂの容量値とによって決まるローパスフィルタ特性を得ることができ、このローパスフィルタ特性を、５０２．５ＭＨｚの局部発振信号Ｓ_LOC（図７（ａ）参照）をできるだけ減衰させずに通過させ、局部発振信号の３次高調波Ｓ_{LOC_TH}（図７（ａ）参照）をできるだけ減衰させるように設計することにより、周波数変換器３から出力される信号に含まれるＩＦ妨害信号の信号レベルを抑制することができる。

なお、図１８のように不要信号減衰回路としてコンデンサのみを使用する場合、一般的には不要信号減衰回路７の前段回路（高周波増幅器２）と不要信号減衰回路８の前段回路（局部発振信号発生器４）とでは出力インピーダンスが異なるため、最適な容量値はコンデンサ７Ｂとコンデンサ８Ｂとで異なった値となると考えられる。

図１９に本発明の第四実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す。なお、図１９において図６と同一の部分には同一の符号を付し詳細な説明を省略する。

図１９に示す本発明の第四実施形態に係る１セグ放送受信装置は、図６に示す本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置において、高周波増幅器２の出力信号に対して不要信号減衰回路７の有効、無効を切り替えるスイッチ９と、局部発振器４の出力信号に対して不要信号減衰回路８の有効、無効を切り替えるスイッチ１０とを新たに設けた構成であり、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ１と、高周波増幅器２と、周波数変換器３と、局部発振信号発生器４と、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５と、不要信号減衰回路７と、不要信号減衰回路８と、スイッチ９と、スイッチ１０とによってチューナ部１０４が構成され、高周波増幅器２、周波数変換器３、局部発振信号発生器４、ＩＦ／ＢＢ信号処理回路５、不要信号減衰回路７、不要信号減衰回路８、スイッチ９、及びスイッチ１０が集積化されて半導体集積回路装置２０４に格納されている。

ここで、高周波増幅器２の出力信号に含まれる妨害信号が高周波増幅器２の出力信号に含まれる受信希望信号に対して常に高周波側に存在する場合、不要信号減衰回路７の構成として、高周波増幅器２の出力信号に対して高周波側の信号を減衰する特性、すなわちローパスフィルタ特性を有する構成（例えば、図１８参照）を採用することがある。かかる構成を採用した場合には、受信希望信号が低周波数である場合にスイッチ９によって不要信号減衰回路７を有効にして妨害信号を減衰させ、受信希望信号が比較的高周波数である場合にスイッチ９によって不要信号減衰回路７を無効にして受信希望信号の減衰を抑制することができる。

また、局部発振信号発生器４の出力信号に含まれる局部発振信号の３次高調波が高周波増幅器２の出力信号に含まれる局部発振信号に対して常に高周波側に存在する場合、不要信号減衰回路８の構成として、局部発振信号発生器４の出力信号に対して高周波側の信号を減衰する特性、すなわちローパスフィルタ特性を有する構成（例えば、図１８参照）を採用することがある。かかる構成を採用した場合には、局部発振信号が低周波数である場合にスイッチ１０によって不要信号減衰回路８を有効にして局部発振信号の３次高調波を減衰させ、局部発振信号が比較的高周波数である場合にスイッチ１０によって不要信号減衰回路８を無効にして局部発振信号の減衰を抑制することができる。

なお、図１９において、スイッチ９、１０は互いに若干構成の異なるスイッチとして図示されているが、スイッチ９、１０は必ずしも図１９において図示された構成そのものである必要はなく、周辺回路の構成に応じてそれぞれに要求される特性に応じて最適な構成を選択すればよい。

本発明の第四実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を図２０に示す。図２０では、スイッチ９（図１９参照）として電界効果トランジスタ９Ａを用い、スイッチ１０（図１９参照）として電界効果トランジスタ１０Ａを用い、不要信号減衰回路７（図１９参照）として、高周波増幅器２と周波数変換器３との間に電界効果トランジスタ９Ａを介して一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ７Ｂを用い、不要信号減衰回路８（図１９参照）として、局部発振信号発生器４と周波数変換器３との間に電界効果トランジスタ１０Ａを介して一端がシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサ８Ｂを用いている。

このような構成とすることにより、半導体集積回路上で不要信号減衰回路及び不要信号減衰回路の有効、無効の切り替えを効率的に実現することができる。また、電界効果トランジスタ９Ａとコンデンサ７Ｂの直列接続体を複数並列に接続し、電界効果トランジスタ１０Ａとコンデンサ８Ｂの直列接続体を複数並列に接続し、各電界効果トランジスタのオン／オフを受信希望信号の周波数に応じて細かく制御することにより、受信希望信号を減衰させずに不要信号をできるだけ大きく減衰させることが可能となる。なお、受信希望信号の周波数に応じて各電界効果トランジスタのオン／オフを制御する制御回路（図２０において不図示）は半導体集積回路装置１４の内に配置されても外に配置されてもよい。

図２０に示す構成の一具体例を図２１に示す。図２１では、局部発振信号発生器４（図２０参照）として、電圧制御発振器１１と、電圧制御発振器１１と組み合わさってＰＬＬを構成するＰＬＬ用回路１２とからなる局部発振信号発生器４Ａを用いている。また、図２１では、半導体集積回路装置１４内に制御回路１３が設けられ、ＰＬＬ用回路１２から電圧制御発振器１１に供給される制御電圧Ｖ_CNTが制御回路１３にも供給され、制御回路１３は制御電圧Ｖ_CNTに応じて電界効果トランジスタ９Ａのオン／オフ、電界効果トランジスタ１０Ａのオン／オフをそれぞれ制御する。半導体集積回路に適したＬｏｗ−ＩＦ方式やＺｅｒｏ−ＩＦ方式の受信装置の場合、受信希望信号の周波数に応じて電圧制御発振器１１に供給される制御電圧を変化させ、その制御電圧によって局部発振信号の周波数が制御されることから、図２１のような構成をとることにより、不要信号減衰回路の有効、無効を切り替えるスイッチを受信希望信号の周波数に応じて制御することができる。

図２０に示す構成の他の具体例を図２２に示す。図２２では、局部発振信号発生器４（図２０参照）として、電圧制御発振器１１Ａ〜１１Ｃと、ＶＣＯ選択回路１４と、ＶＣＯ選択スイッチ１５と、電圧制御発振器１１Ａ〜１１Ｃ及びＶＣＯ選択スイッチ１５と組み合わさってＰＬＬを構成するＰＬＬ用回路１２とからなる局部発振信号発生器４Ｂを用いている。ＶＣＯ選択回路１４は、例えばチューナ部１０４の外部から入力される選局信号に応じて、ＶＣＯ選択スイッチ１５を制御して、電圧制御発振器１１Ａ〜１１Ｃのうちの一つを選択する。また、図２２では、半導体集積回路装置１４内に制御回路１３が設けられ、制御回路１３はＶＣＯ選択回路１４から出力される電圧制御発振器の選択情報に応じて電界効果トランジスタ９Ａのオン／オフ、電界効果トランジスタ１０Ａのオン／オフをそれぞれ制御する。半導体集積回路に適したＬｏｗ−ＩＦ方式やＺｅｒｏ−ＩＦ方式の受信装置で、受信帯域（図２４のＳ１及びＳ１’参照）が広帯域にわたっている場合、半導体集積回路上に形成された１つの電圧制御発振器で受信帯域の全域をカバーした局部発振信号を生成することは困難となることから、複数の電圧制御発振器を設けることがある。図２２では、受信希望信号の周波数に応じて選択される電圧制御発振器の選択情報に応じて不要信号減衰回路の有効、無効を切り替えるスイッチを制御し、不要信号減衰回路を適切に使用できるようにしている。

なお、上述した実施形態では、局部発振信号発生器全てが半導体集積回路装置内に設けられる構成であったが、局部発振信号発生器の一部又は全部が半導体集積回路装置外に設けられる構成であっても構わない。

は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を示す図である。は、周波数変換器の変換利得特性を示す図である。は、本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す図である。は、本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の他の例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の他の例を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第一実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第二実施形態に係る１セグ放送受信装置の更に他の例を示す図である。は、本発明の第三実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を示す図である。は、本発明の第四実施形態に係る１セグ放送受信装置の概略構成を示す図である。は、本発明の第四実施形態に係る１セグ放送受信装置の一例を示す図である。は、図２０に示す構成の一具体例を示す図である。は、図２０に示す構成の他の具体例を示す図である。は、従来の１セグ放送受信装置の概略構成例を示す図である。は、ＵＨＦ固定バンドパスフィルタの入出力信号及びフィルタ特性を示す図である。は、従来の１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を示す図である。は、従来の１セグ放送受信装置の各部における信号の関係の一例を示す図である。

符号の説明

１ＵＨＦ固定バンドパスフィルタ
２高周波増幅器
３周波数変換器
４、４Ａ、４Ｂ局部発振信号発生器
５ＩＦ／ＢＢ信号処理回路
６復調部６
７、７Ａ〜７Ｅ不要信号減衰回路
８、８Ａ〜８Ｅ不要信号減衰回路
９スイッチ
９Ａ電界効果トランジスタ
１０スイッチ
１０Ａ電界効果トランジスタ
１１、１１Ａ〜１１Ｃ電圧制御発振器
１２ＰＬＬ用回路
１３制御回路
１４ＶＣＯ選択回路
１５ＶＣＯ選択スイッチ
１００〜１０４チューナ部
２００〜２０４半導体集積回路装置

Claims

半導体集積回路装置と、前記半導体集積回路装置の前段に設けられる固定バンドパスフィルタとを備える受信装置であって、
前記半導体集積回路装置が、
周波数変換器と、
前記周波数変換器に被周波数変換信号を供給する被周波数変換信号伝送ラインと、
前記周波数変換器に局部発振信号を供給する局部発振信号伝送ラインと、
前記被周波数変換信号伝送ラインに設けられ、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第１の不要信号減衰回路及び前記局部発振信号伝送ラインに設けられ、前記局部発振信号伝送ラインを伝送する信号に含まれる不要信号を減衰する第２の不要信号減衰回路の少なくとも一つとを備えることを特徴とする受信装置。
前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路が、抵抗とコンデンサから成るローパスフィルタである請求項１に記載の受信装置。
前記第１の不要信号減衰回路が、一端が前記被周波数変換信号伝送ラインにシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサであり、及び／又は、
前記第２の不要信号減衰回路が、一端が前記局部発振信号伝送ラインにシャント接続され、他端がグランドに接続されるコンデンサである請求項１に記載の受信装置。
前記第１の不要信号減衰回路及び／又は前記第２の不要信号減衰回路が、インダクタとコンデンサを有する請求項１に記載の受信装置。
前記コンデンサが、可変容量コンデンサである請求項２〜４のいずれかに記載の受信装置。
前記可変容量コンデンサの容量値を制御する容量値制御回路を備える請求項５に記載の受信装置。
前記第１の不要信号減衰回路の有効、無効を切り替える第１のスイッチ及び前記第２の不要信号減衰回路の有効、無効を切り替える第２のスイッチの少なくとも一つを備える請求項１〜６のいずれかに記載の受信装置。
前記第１のスイッチ及び／又は前記第２のスイッチがＭＯＳ電界効果トランジスタである請求項７に記載の受信装置。
前記第１の不要信号減衰回路が、前記被周波数変換信号の周波数が低い場合に前記第１のスイッチにより有効となり、前記被周波数変換信号の周波数が高い場合に前記第１のスイッチにより無効となり、及び／又は、
前記第２の不要信号減衰回路が、前記局部発振信号の周波数が低い場合に前記第２のスイッチにより有効となり、前記局部発振信号の周波数が高い場合に前記第２のスイッチにより無効となる請求項７又は請求項８に記載の受信装置。
前記局部発振信号伝送ラインを伝送する局部発振信号を発生させる局部発振信号発生器を備え、
前記局部発振信号発生器が、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する被周波数変換信号である受信希望信号の周波数に応じて発振周波数を変化させる電圧制御発振器を有し、
前記第１スイッチ及び／又は前記第２のスイッチが前記電圧制御発振器の周波数制御電圧に応じて制御される請求項７〜９のいずれかに記載の受信装置。
前記局部発振信号伝送ラインを伝送する局部発振信号を発生させる局部発振信号発生器を備え、
前記局部発振信号発生器が、複数の電圧制御発振器と、前記被周波数変換信号伝送ラインを伝送する被周波数変換信号である受信希望信号の周波数に応じて前記複数の電圧制御発振器から一つを選択する選択回路とを有し、前記選択回路によって選択された電圧制御発振器が受信希望信号の周波数に応じて発振した信号を前記局部発振信号として出力し、
前記第１のスイッチ及び／又は前記第２のスイッチが前記選択回路による電圧制御発振器の選択に応じて制御される請求項７〜９のいずれかに記載の受信装置。