JP2009010350A - パターニングデバイスの洗浄方法、基板への層系の堆積方法、パターニングデバイスの洗浄システム及び基板に層系を堆積するためのコーティングシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも0.2μm/分、特には0.5μm/分、特には1μm/分、特には2.5μm/分、特には5μm/分で維持される。パルス洗浄プラズマを発生させるために、パルスエネルギーを供給する。本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。異なるエッチング法を組み合わせても、連続的に実行してもよい。
【選択図】図1
Description
Claims (19)
- 少なくとも有機コーティング材料(OLED材料)がその上に堆積されたパターニングデバイスを洗浄するための方法において、
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料をプラズマエッチング処理によって除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含むことを特徴とする洗浄方法。 - 前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度が120℃、特には100℃、特には80℃を越えないことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度が前記パターニングデバイスに損傷を引き起こす臨界温度を越えないことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する工程中、プラズマエッチング速度が少なくとも0.2μm/分、特には0.5μm/分、特には1μm/分、特には2.5μm/分、特には5μm/分に維持されることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する際に使用する前記プラズマが、前記プラズマを発生させるための活性化ガスを活性化ゾーンで活性化させることで発生し、前記パターニングデバイスが前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する過程の間、前記活性化ゾーンの外側に置かれることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記方法が、前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中に、パルスエネルギーを供給してパルス洗浄プラズマを発生させることを含むことを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記洗浄プラズマを、RF及び/又はHF及び/又はマイクロ波放射線をプラズマ活性化ゾーンに導入することで発生させることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記過程を洗浄チャンバ内で実行し、前記洗浄チャンバの内圧が10mbar未満、特には5mbar未満、特には1mbar未満、特には0.1mbar未満であることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記方法をOLEDコーティングチャンバとは分離した洗浄チャンバ内で実行することを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 前記洗浄プラズマが、少なくとも酸素(O2)とハロゲン化物含有分子との混合物から発生したプラズマであることを特徴とする前記請求項のいずれか1項記載の方法。
- 好ましくは有機発光半導体材料(OLED材料)を含む少なくとも1つの層を含む層系を基板上に堆積するための方法であり、
前記基板上に堆積するコーティング材料を供給するための供給源を有しているコーティングチャンバ内に前記基板を配置し、
パターニングデバイスを前記基板と前記供給源との間に設置し、
前記基板上に有機発光半導体材料を含む層を堆積し、
前記パターニングデバイスを前記コーティングチャンバから取り外し、前記パターニングデバイスを洗浄チャンバ内に配置し、
先行の請求項1〜10のいずれか1項記載の洗浄法を実行してコーティング材料を前記パターニングデバイスから除去する工程を含むことを特徴とする堆積方法。 - 少なくとも有機コーティング材料(OLED材料)がその上に堆積されたパターニングデバイスを洗浄するためのシステムであり、プラズマエッチング処理により前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去するための洗浄プラズマを供給するためのプラズマ供給源を備えているシステム。
- 前記システムが前記パターニングデバイスの温度を120℃未満、特には100℃未満、特には80℃未満に維持するための手段を備えていることを特徴とする請求項12記載のシステム。
- 前記システムが前記パターニングデバイスに損傷を引き起こす臨界温度より低い前記パターニングデバイスの温度を維持するための手段を備えていることを特徴とする請求項12又は13記載のシステム。
- 前記プラズマ供給源が、少なくとも活性化ガスを活性化ゾーンで活性化する遠隔プラズマ供給源であり、前記パターニングデバイスが前記エッチング処理中、前記活性化ゾーンの外側に置かれることを特徴とする請求項12〜14のいずれか1項記載のシステム。
- 前記プラズマ供給源がパルスプラズマ供給源であることを特徴とする請求項12〜15のいずれか1項記載のシステム。
- 好ましくは有機発光半導体材料(OLED材料)を含む少なくとも1つの層を含む層系を基板上に堆積するためのコーティングシステムであり、
基板上にコーティング層を堆積するための少なくともコーティングチャンバと、
コーティング粒子が前記基板の特定の表面領域上に堆積されるのを選択的及び/又は局所的に阻止して、少なくとも前記有機発光半導体材料を含む構造化層を形成するための少なくとも1つのパターニングデバイスと、
先行の請求項12〜16のいずれか1項記載の前記パターニングデバイスを洗浄するためのシステムを備えているコーティングシステム。 - 前記パターニングデバイスを洗浄するための前記システムが前記コーティングチャンバとは分離したチャンバとして構成された洗浄チャンバを備えていることを特徴とする請求項17記載のコーティングシステム。
- 前記コーティングシステムがインライン式OLEDコーティングシステムであることを特徴とする請求項17又は18記載のコーティングシステム。
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