JP2009010078A - 電子ビーム描画装置及び電子ビームの電流密度調整方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明の一態様の描画装置100は、電子ビーム200を照射する電子銃201と、制御値を入力し、制御値に基づいて電子銃201を制御する電子銃電源230と、試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビーム200の電流密度を測定する電流密度測定部242と、電流密度の測定毎に、電流密度が略一定になるように、測定された電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を電子銃電源230に出力するPID制御部244と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画中、電子ビームの電流密度を略一定に維持することができる。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。まず、第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口421の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動している。このように、開口411と可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
図8は、従来の電子銃制御方法の一例を示す図である。
従来、まず、エミッション電流Ieの目標値を電子銃電源に設定する(S202)。そして、定期的にエミッション電流Ieを測定する(S204)。そして、測定したエミッション電流Ieが許容範囲内かどうかを判定する(S206)。そして、範囲内ならS204に戻る。範囲外であれば、エミッション電流Ieの目標値になるようにバイアス電圧VBを変更する。このように、常に最初に設定したエミッション電流になるように電子銃を制御していた。このような制御方法のまま大電流密度条件下で描画をおこなってしまうと、いくらエミッション電流を一定に維持してもカソード先端形状の変化によって電流密度が変化してしまうといった問題があった。そのため、大電流密度条件下では、描画中にビーム電流密度が変化し、その結果、描画されているパターンの描画精度が劣化してしまうといった問題があった。
電子ビームを照射する照射源と、
制御値を入力し、制御値に基づいて照射源を制御する第1の制御部と、
電子ビームを用いた試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビームの電流密度を測定する電流密度測定部と、
電子ビームの電流密度の測定毎に、電子ビームの電流密度が略一定になるように、測定された電子ビームの電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を第1の制御部に出力する第2の制御部と、
を備えたことを特徴とする。
第2の制御部は、上述した制御値として、かかる目標値を演算して出力すると好適である。
第2の制御部は、制御値として、かかるバイアス電圧の目標値を演算して出力するようにしても好適である。
制御値に基づいて制御される照射源から電子ビームを照射する工程と、
電子ビームを用いた試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビームの電流密度を測定する工程と、
電子ビームの電流密度の測定毎に、電子ビームの電流密度が略一定になるように、測定された電子ビームの電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、電子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置100は、試料に所望するパターンを描画する。描画部150は、電子鏡筒102、描画室103を有している。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング(BLK)偏向器218、ブランキング(BLK)アパーチャ219、第1の成形アパーチャ203、成形レンズ204、成形偏向器205、第2の成形アパーチャ206、縮小レンズ216、対物レンズ207、副偏向器212、及び主偏向器214が配置されている。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105には、電子ビーム200の電流を測定するためのビーム吸収電極(ファラデーカップ209)が配置されている。電子銃201は、カソード220及びアノード226を有している。カソード220は、エミッタ222及びウェネルト電極224を有している。また、アノード226は、接地(地絡)されている。また、XYステージ105上には、描画対象となる試料が配置される。試料として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
図2において、電子銃電源230は、バイアス電圧VBの値をフィードバック制御することでミッション電流Ieの目標値に合わせる。そして、電子銃201からは、ミッション電流Ieの電子ビーム200が照射される。そして、開口サイズが定まっている第1の成形アパーチャ203を通過した全ビームをファラデーカップ209で受ける。そして、ファラデーカップ209で受けた電流強度から得られる第1の成形アパーチャ電流値を電流密度測定部242に出力する。ここでは、第1の成形アパーチャ203を通過した全ビームのビーム電流を第1の成形アパーチャ電流とする。そして、電流密度測定部242で第1の成形アパーチャ電流値を第1の成形アパーチャ203の開口面積で割ることで電流密度Jを測定する。そして、電流密度JはPID制御部244に出力され、PID制御部244で設定された電流密度Jに収束するようにするためのミッション電流Ieの目標値を演算する。そして、目標ミッション電流Ieは電子銃電源230に出力され、電子銃電源230は、バイアス電圧VBの値をフィードバック制御することで新たなミッション電流Ieの目標値に合わせる。このループ動作を試料の描画中に複数回行なう。
まず、電子銃電源230の制御部232にミッション電流Ieの初期値を設定する。そして、制御部232は、バイアス電圧VBの値をフィードバック制御しながら可変制御を行なうことで最初の目標値となるミッション電流Ieの初期値に合わせる。そして、試料に所定のパターンの描画を開始する。そして、描画中に以下に示すような電子ビームの電流密度調整を複数回行なう。例えば、10〜30分おきに電子ビームの電流密度調整を行なう。このタイミングは、例えば、描画中に定期的に行なわれるビーム位置補正シーケンスの中で一緒に行なえばよい。このようにすることで、電子ビームの電流密度調整のための新たな時間が不要となりスループットの低下を抑制することができる。以下、電子ビームの電流密度調整方法の要部工程を説明する。
図4(a)では、電流密度Jが時間の経過と共に収束して様子を示している。図4(a)に示すような収束方向に導くために、PID制御部244は、PID法を用いて、図4(b)に示すようなエミッション電流Ieの目標値を演算する。
図5は、エミッション電流とバイアス電圧との関係の一例を示す図である。
エミッション電流Ieとバイアス電圧VBとの関係は、図5に示すように、カソード220、特に、エミッタ222の先端形状の変化に伴って実線で示すグラフから点線で示すグラフへと変化していく。従来、図5に示すような関係の変化に関わらず、一定のエミッション電流を維持しようと制御していたため、電流密度を一定にすることができなかった。これに対し、実施の形態1では、電流密度を略一定にすることが前提となるため、図5に示すような関係の変化によって、エミッション電流Ieの目標値を変えていく。そして、制御部232は、電子銃201のカソード220とアノード226との間に流れるエミッション電流が常に新たなエミッション電流Ieの目標値に近づくように可変電圧源234の出力を変えてバイアス電圧VBを可変に制御する。新たなエミッション電流Ieの目標値に近づいているかどうかは、電流計238の測定結果を制御部232が入力することで判断することができる。また、バイアス電圧VBの測定結果を制御部232が入力することでその値を判断することができる。
図6では、例えば、20分に1回の割合で電流密度調整を行なう場合を示している。エミッション電流Ieを常に一定にした場合、図6(a)における点線で示したように電流密度Jは多次元的に上昇してしまう。このため照射時間ΔTを例えば20分毎に調整したとしても、図6(b)に点線で示すようにドーズ量Dの変化量は、エミッション電流Ieを変えながら調整する実施の形態1の場合(実線)よりも大きくなってしまう。言い換えれば、実施の形態1によれば、ドーズ量Dの変化量を小さくすることができる。これは、調整時にエミッション電流Ieを変えているので、調整時刻における電流密度Jの変化率を小さくすることができるためである。以上、述べたように本発明の実施の形態1では、描画中のドーズ量Dの変化を小さくすることができ、その結果、描画精度を向上させることができる。
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
150 描画部
160,232 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 成形レンズ
205 成形偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
209 ファラデーカップ
212 副偏向器
214 主偏向器
216 縮小レンズ
218 BLK偏向器
219 BLKアパーチャ
220 カソード
222 エミッタ
224 ウェネルト電極
226 アノード
230 電子銃電源
231 定電流源
234 可変電圧源
236 電圧計
238 電流計
240 描画制御回路
242 電流密度測定部
244 PID制御部
300 リサイズ装置
330 電子線
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 電子ビームを照射する照射源と、
制御値を入力し、前記制御値に基づいて前記照射源を制御する第1の制御部と、
前記電子ビームを用いた試料への描画が行なわれている間に、複数回前記電子ビームの電流密度を測定する電流密度測定部と、
前記電子ビームの電流密度の測定毎に、前記電子ビームの電流密度が略一定になるように、測定された前記電子ビームの電流密度に応じて変化する前記制御値を演算し、演算の都度、前記制御値を前記第1の制御部に出力する第2の制御部と、
を備えたことを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記第1の制御部は、前記照射源に流れるエミッション電流が目標値に近づくように前記照射源のバイアス電圧を可変に制御し、
前記第2の制御部は、前記制御値として、前記目標値を演算して出力することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記第1の制御部は、前記照射源のバイアス電圧を可変に制御し、
前記第2の制御部は、前記制御値として、前記バイアス電圧の目標値を演算して出力することを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。 - 前記第2の制御部は、PID(Proportional Integral Difference)制御法を用いて前記目標値を演算することを特徴とする請求項2又は3記載の電子ビーム描画装置。
- 制御値に基づいて制御される照射源から電子ビームを照射する工程と、
前記電子ビームを用いた試料への描画が行なわれている間に、複数回前記電子ビームの電流密度を測定する工程と、
前記電子ビームの電流密度の測定毎に、前記電子ビームの電流密度が略一定になるように、測定された前記電子ビームの電流密度に応じて変化する前記制御値を演算し、演算の都度、前記制御値を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする電子ビームの電流密度調整方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041862A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014165075A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nuflare Technology Inc | カソードの動作温度調整方法、及び描画装置 |
JP2014179383A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Nuflare Technology Inc | マルチビームの電流調整方法 |
US11562878B2 (en) | 2020-11-19 | 2023-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Method for controlling operation of electron emission source, electron beam writing method, and electron beam writing apparatus |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5140982A (en) * | 1974-10-02 | 1976-04-06 | Nippon Electron Optics Lab | Denshipuroobusochi niokeru biimuanteikasochi |
JPS52119077A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
JPS556829A (en) * | 1978-06-29 | 1980-01-18 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JPS5583141A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Control method of cathode heating current of hot-cathode electron gun |
JPS5632655A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Toshiba Corp | Electron beam device |
JPS63218139A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH01100919A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム加工装置 |
JPH05144404A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH10177952A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 電子線を用いた転写装置 |
JP2000100715A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 電子ビーム露光装置の調整方法 |
JP2004086935A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sony Corp | 原盤露光装置及び原盤露光方法 |
JP2006032656A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 電子線露光装置における電子線の電流密度の推定方法、及び電子線露光装置 |
-
2007
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5140982A (en) * | 1974-10-02 | 1976-04-06 | Nippon Electron Optics Lab | Denshipuroobusochi niokeru biimuanteikasochi |
JPS52119077A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
JPS556829A (en) * | 1978-06-29 | 1980-01-18 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
JPS5583141A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Control method of cathode heating current of hot-cathode electron gun |
JPS5632655A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Toshiba Corp | Electron beam device |
JPS63218139A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
JPH01100919A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム加工装置 |
JPH05144404A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JPH10177952A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Nikon Corp | 電子線を用いた転写装置 |
JP2000100715A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 電子ビーム露光装置の調整方法 |
JP2004086935A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Sony Corp | 原盤露光装置及び原盤露光方法 |
JP2006032656A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 電子線露光装置における電子線の電流密度の推定方法、及び電子線露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041862A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014165075A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Nuflare Technology Inc | カソードの動作温度調整方法、及び描画装置 |
JP2014179383A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Nuflare Technology Inc | マルチビームの電流調整方法 |
US11562878B2 (en) | 2020-11-19 | 2023-01-24 | Nuflare Technology, Inc. | Method for controlling operation of electron emission source, electron beam writing method, and electron beam writing apparatus |
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